微波仿真論壇_微波仿真論壇_feko5.4新例子(25,27,28,29,30)

1、 25喇叭饋電大尺寸反射鏡關(guān)鍵詞波導(dǎo)管喇叭反射器P0孔點(diǎn)源球模式源等效源去藕遠(yuǎn)場(chǎng)用波導(dǎo)管端口激勵(lì)的圓柱喇叭被用于激勵(lì)一個(gè)頻率為12.5Ghz的拋物面反射器。反射器與喇叭天線分離很遠(yuǎn)而且電尺寸很大（直徑為36個(gè)波長(zhǎng)）。模型如下圖25-1。這個(gè)模型為了闡述某些feko中為了減少大尺寸模型需要的資源而提供的技術(shù)。圖25-1圓喇叭和拋物線反射器弄清楚如何解決和近似這個(gè)問(wèn)題來(lái)減少所需資源是很重要的。某些技術(shù)可以用來(lái)減少資源的需求如下：對(duì)于大尺度模型運(yùn)用快速多層多極子（MLFMM）代替矩量法。運(yùn)用快速多層多極子能夠減少相當(dāng)多的內(nèi)存。（快速多層多極子的求解可以參照章節(jié)25.4的求解結(jié)論。）物理光學(xué)法（P0）

2、可以用于替代計(jì)算部分模型。用PO方法代替MOM計(jì)算將進(jìn)一步減小資源的需求。分解問(wèn)題并且運(yùn)用等效源?？尚械牡刃г慈缦拢嚎c(diǎn)源：運(yùn)用等效原理，在區(qū)域邊界上，用等效的電磁場(chǎng)源代替這個(gè)區(qū)域。球模式源：遠(yuǎn)場(chǎng)認(rèn)為是外加源。25.1MOM喇叭和PO反射器先前的例子建立了喇叭和盤(pán)。喇叭使用MOM方法模擬而盤(pán)反射器用PO方法模擬。freq=12.5e9（工作頻率）lam=c0/freq（自由空間波長(zhǎng)）lam_w=0.0293（波導(dǎo)波長(zhǎng)）h_a=0.51*lam（波導(dǎo)半徑）h_b0=0.65*lam（椎口孔底半徑）h_b=lam（椎口孔上方半徑）h_l=3.05*lam（椎口孔長(zhǎng)度）phase_centre=-2

3、.6821e-3（喇叭相位中心）R=18*lam（反射器半徑）F=25*lam（反射器焦點(diǎn)長(zhǎng)度）w_l=2*lamw（波導(dǎo)管長(zhǎng)度）建立喇叭步驟如下：沿z軸建立cylinder，基本中心為（0,0,-w_l-h），半徑為h_a,高度為w_l,標(biāo)記為thecylinderwaveguide。建立cone,基本中心為（0,0,-h），基本半徑為h_b0，高度h_l,上表面半徑為h_b,標(biāo)記為theconeflare。合并Union兩部分，然后simplify合并后的結(jié)果，重新命名為thenewparttohorn.設(shè)置喇叭區(qū)域?yàn)閒reespace刪除喇叭末端的面旋轉(zhuǎn)Rotate喇叭9Oo，可以使喇叭

4、中心沿著x軸，然后把喇叭沿著x軸移動(dòng)Translate距離phase_centre。在waveguide的末端，設(shè)置Iocalmesh大小為lam/12,在同一面上建立一個(gè)波導(dǎo)端口。在波導(dǎo)端口上加載波導(dǎo)激勵(lì)（激勵(lì)基本模式-用默認(rèn)設(shè)置）喇叭建立后，下一步建立拋物線反射器。建立paraboloid在點(diǎn)（0,0,F）半徑radiusR，深度depth-F.標(biāo)記Label為theparabeloidreflector。更改反射器表面屬性faceproperties用PO方法求解。設(shè)定反射器localmesh大小為lam/6.用在主菜單中Solutionsettings中solutionsoption選

5、theHighfrequency表中激活MOM和PO的去藕theMoM和PO選項(xiàng)。設(shè)置磁對(duì)稱(chēng)面（z=0）和電對(duì)稱(chēng)面（y=0）計(jì)算要求建立垂直遠(yuǎn)場(chǎng)增量為O.25o（-9Oo09Oo,0=Oo）剖分信息Edgelength:lam/8.Segmentlength:不適合。用默認(rèn)值。Wiresegmentradius:不適合。用默認(rèn)值。儲(chǔ)存文檔并運(yùn)行求解器。注意這是一個(gè)大尺寸的模擬需要一定的時(shí)間完成。被建立的模型在剩余的例子當(dāng)中被稱(chēng)為原始（-original模型。25.2孔激勵(lì)和PO反射器現(xiàn)在這一模型通過(guò)單獨(dú)模擬喇叭而進(jìn)一步精簡(jiǎn)。計(jì)算一系列喇叭附近的遠(yuǎn)場(chǎng)點(diǎn)然后把它當(dāng)作反射器的源點(diǎn)。建立模型此模型是利

6、用上一個(gè)模型存為另一個(gè)新名字然后再做出一些改動(dòng)。首先我們從原始模型中刪除碟然后建立一個(gè)只包含喇叭的模型。計(jì)算近場(chǎng)的點(diǎn)存為一個(gè)文件。再次打開(kāi)原始模型，存為另一個(gè)名字。這次將喇叭刪掉然后給碟加一個(gè)激勵(lì)。建立只包含喇叭的模型具體步驟如下：打開(kāi)原始模型存為一個(gè)新名字移除這個(gè)模型的所有剖分移除模型中的反射器建立一個(gè)球面近場(chǎng)原點(diǎn)在(w_l,O,O),半徑為1.3*w_l,IO00175o,5o355o,0和0的增量為5o。確認(rèn)在近場(chǎng)要求對(duì)話框中的高級(jí)表導(dǎo)出為ASCII文件一也就是存儲(chǔ)近電場(chǎng)為一個(gè)*.efe文件，存儲(chǔ)近磁場(chǎng)為一個(gè)*.hfe文件。剖分已經(jīng)被建立無(wú)需更改。存儲(chǔ)文件然后運(yùn)行求解器。一旦模擬結(jié)束,包

7、含反射器的模型就可以建立了。建立包含反射器和等效孔點(diǎn)源的模型具體步驟如下：打開(kāi)原始模型存為一個(gè)新名字移除模型所有剖分移除波導(dǎo)管激勵(lì)和端口建立一個(gè)新孔激勵(lì)。運(yùn)用局部坐標(biāo)系統(tǒng)，設(shè)置坐標(biāo)系的位置為(w_l,0,0)。在Sourcegroupbox中鍵入*.efe和*.efe的名字。坐標(biāo)系坐標(biāo)系是球面坐標(biāo)系半徑為1.3*w_l，0和0的點(diǎn)數(shù)分別為18個(gè)和36個(gè)。計(jì)算要求在原始模型中，在沒(méi)有建立遠(yuǎn)場(chǎng)計(jì)算要求之前沒(méi)有任何計(jì)算要求，移除它們儲(chǔ)存并運(yùn)行求解器。25.3球面激勵(lì)和PO反射器與利用孔激勵(lì)模型相似，球面模型激勵(lì)也能夠先僅用喇叭計(jì)算出來(lái)然后作為對(duì)反射器的激勵(lì)。和孔激勵(lì)相比它運(yùn)用近場(chǎng)值而球激勵(lì)模式用遠(yuǎn)場(chǎng)

8、值。建立模型此模型是利用上一個(gè)模型存為另一個(gè)新名字然后再做出一些改動(dòng)。首先我們從原始模型中刪除碟然后建立一個(gè)只包含喇叭的模型。計(jì)算遠(yuǎn)場(chǎng)的點(diǎn)和球面模式系數(shù)存為一個(gè)文件。再次打開(kāi)原始模型，存為另一個(gè)名字。這次將喇叭刪掉然后給碟加一個(gè)激勵(lì)。建立只包含喇叭的模型具體步驟如下：打開(kāi)原始模型存為一個(gè)新名字移除這個(gè)模型的所有剖分移除模型中的反射器建立一個(gè)全二維遠(yuǎn)場(chǎng)Oo018Oo，Oo036Oo，0和0的增量為5o。確認(rèn)在遠(yuǎn)場(chǎng)要求表中的高級(jí)表，計(jì)算球面擴(kuò)展模式系數(shù)為20工作方式。也要輸出球面擴(kuò)展系數(shù)到ASCII文件，包含球面模式系數(shù)的TICRA.sph文件。剖分已經(jīng)被建立無(wú)需更改。存儲(chǔ)文件然后運(yùn)行求解器。一旦

9、模擬結(jié)束，包含反射器的模型就可以建立了。剖分已經(jīng)建立無(wú)需改變。存儲(chǔ)文件然后運(yùn)行求解器。一旦模擬完成，包含反射器的模型就可以建立了。建立包含反射器和等效孔點(diǎn)源的模型具體步驟如下：打開(kāi)原始模型存為一個(gè)新名字移除模型所有剖分移除波導(dǎo)管激勵(lì)和端口移除模型中喇叭部分在原文件中建立一個(gè)新球面模型。在模擬前選擇建立*.sph計(jì)算要求在原始模型中，在沒(méi)有建立遠(yuǎn)場(chǎng)計(jì)算要求之前沒(méi)有任何計(jì)算要求，移除它們儲(chǔ)存并運(yùn)行求解器。25.4比較結(jié)果在表25-1中列出了計(jì)算所需的資源（內(nèi)存和CPU時(shí)間）。很清楚利用近似可以使資源要求降低。我們還可以看出解決這個(gè)問(wèn)題利用MLFMM方法至少要求5Gb內(nèi)存和多于2個(gè)小時(shí)的計(jì)算時(shí)間。對(duì)

10、反射器利用PO近似方法可以是內(nèi)存減小到190MB求解時(shí)間減小到33分鐘。利用分解問(wèn)題甚至可以進(jìn)一步減小所需資源的要求。運(yùn)用孔點(diǎn)源球面源大概需要求解喇叭本身大小的內(nèi)存145MB。所有對(duì)于孔點(diǎn)源求解時(shí)間是大約18分鐘，而球面模式源需要大約13分鐘。表25-1對(duì)于大尺寸模型運(yùn)用不同技術(shù)資源的對(duì)比。ModelRMTine.3/TotaiTime同LILPKIM5.324EhSE70.-L009570.100MoM十PO183.706Mb1S4S.770L94fi.77OKurilApertcfil-:iiLLtiun14丄筋Mb76.410Apicur-沁山-曲十PO.453Mb982.375L08,

11、785HonlspliciicLlliLudeCixlculatiuii14丄GJMb7C.4WSphericalsource+PtJC3,S（）3666.900743.31在圖25-2和25-3中分別表示了在結(jié)果中的不同。我們可以看出這是一個(gè)結(jié)果的很好的比較，但是隨著求解時(shí)間的減小，精度也隨之減小。在結(jié)論中的不同的原因是MLFMM求解的時(shí)候?qū)⒗扰c反射器的耦合考慮了進(jìn)去。孔點(diǎn)源的求解精度能夠隨著近場(chǎng)點(diǎn)數(shù)的增加而增加。（但這也需要增加求解的時(shí)間）。hlLFMM一MoM-i-POAperturesourceSphericalmodesource圖25-2：180度角運(yùn)用不同的技術(shù)計(jì)算反射器天線的

12、增益GainAngleThetades圖25-3：主要波瓣運(yùn)用不同的技術(shù)計(jì)算反射器天線的增益分小塊利用非輻射網(wǎng)絡(luò)的模式關(guān)鍵詞網(wǎng)絡(luò)S參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)輸入阻抗遠(yuǎn)場(chǎng)貼片饋電網(wǎng)絡(luò)非輻射網(wǎng)絡(luò)用兩種方法模擬2.4Ghz右手圓極化貼片天線。首先拆分這個(gè)問(wèn)題以至于饋電網(wǎng)絡(luò)特性（s參數(shù)存為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)文件）然后可以用這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)文件可以給無(wú)輻射網(wǎng)絡(luò)做饋電貼片。然后合并兩個(gè)模型（饋電網(wǎng)絡(luò)和貼片天線）以至于可以展示全面的模擬（模型包含饋電和貼片）。兩個(gè)模型輸入阻抗，模擬時(shí)間，內(nèi)存都是必需要的比較。我們可以看出分成小塊的問(wèn)題可以極大地減小需要的資源，但是沒(méi)有考慮饋電網(wǎng)絡(luò)和貼片的場(chǎng)耦合然后會(huì)引起一些結(jié)果上的不同。建立模型的步驟要求不是

13、這個(gè)例子的部分，但是包含在每一個(gè)模型在筆記編輯器中。關(guān)于建立過(guò)程某些重要點(diǎn)將是圖27-1一個(gè)饋電網(wǎng)絡(luò)RHC貼片天線模型。圖27-1:饋電網(wǎng)絡(luò)RHC貼片天線模型27.1饋電網(wǎng)絡(luò)饋電網(wǎng)絡(luò)包含一個(gè)分支線耦合器在輸出信號(hào)間分功平均到90度相位差。輸出信號(hào)利用微帶傳輸線延伸到貼片饋電界面。設(shè)計(jì)全部系統(tǒng)在120Q系統(tǒng)（系統(tǒng)或者參考阻抗）。建立模型建立模型步驟如下：定義一個(gè)新電介質(zhì)命名為substrate（電介質(zhì)常數(shù)為2.2,tan為0.0012）。添加一個(gè)多層平面基片2.5mm高（無(wú)限平面）和電介質(zhì)材料substrate。一個(gè)完美導(dǎo)電地面應(yīng)該僅僅放在substrate的底部（這是默認(rèn)的）。建立一個(gè)輸出阻抗

14、為120Q的分支耦合器建立一個(gè)分支耦合器連接到貼片天線的微帶傳輸線截面（這個(gè)模型部包含天線,但稍晚這個(gè)模型輸入到天線模型來(lái)完成模擬）。在饋電結(jié)構(gòu)的四個(gè)終端建立四個(gè)微帶端口。（從輸入端口開(kāi)始,然后是2個(gè)將連接到貼片的輸出端口,最后的端口裝載一個(gè)阻抗；用數(shù)字1到4命名這些端口。）在第四個(gè)端口上加120Q負(fù)載設(shè)置求解頻率為從0.8*2.4e9到1.2*2.4e9。對(duì)于輸出數(shù)據(jù)文件和設(shè)置值到100激活指定樣本。計(jì)算要求對(duì)于1到3端口加入S參數(shù)要求（不是那個(gè)與負(fù)載相連的端口）。所有的端口應(yīng)該被激活并設(shè)置參考阻抗為120。剖分信息邊緣長(zhǎng)度：0.7e-3段長(zhǎng)度：沒(méi)有更加適用的。保留默認(rèn)值線段半徑：沒(méi)有更加適

15、用的。保留默認(rèn)值保存文件為patchfeedbc.cfx然后運(yùn)行求解器。在POSTEFEKO中顯示S參數(shù)-這表示分支耦合器工作正常（平均分配功率輸出端口之間有90度的相位差。）將一個(gè)包含計(jì)算過(guò)的S參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)文件導(dǎo)入至工程目錄-文件名字為patchfeedbc.s3p。無(wú)輻射饋電網(wǎng)絡(luò)的貼片在上一個(gè)例子中，我們模擬和掌握貼片天線的饋電網(wǎng)絡(luò)。仿真的結(jié)果（標(biāo)準(zhǔn)文件）運(yùn)用一般無(wú)輻射網(wǎng)絡(luò)與貼片天線組合。建立模型建立模型步驟如下：定義一個(gè)新電介質(zhì)命名為substrate（電介質(zhì)常數(shù)為2.2,tan為0.0012）。添加一個(gè)多層平面基片2.5mm高（無(wú)限平面）和電介質(zhì)材料substrate。一個(gè)完美導(dǎo)電地面應(yīng)該

16、僅僅放在substrate的底部（這是默認(rèn)的）。在原點(diǎn)建立一個(gè)貼片寬度為39e-3的長(zhǎng)方形貼片天線。在貼片上建立一個(gè)槽,這里利用建立然后減去2個(gè)多邊形平面做饋電。直角多邊形長(zhǎng)為6.5e-3寬為2.8e-3。用多邊形長(zhǎng)為6.5e-3，寬為1.4e-3，建立插入微帶饋源。合并結(jié)構(gòu)來(lái)保證連接性。在2個(gè)饋電終端建立2個(gè)微帶端口。從早先建立的（27.1節(jié)中）標(biāo)準(zhǔn)文件中導(dǎo)入網(wǎng)絡(luò)屬性，建立一個(gè)新的一般無(wú)輻射三端口網(wǎng)絡(luò)。將關(guān)聯(lián)網(wǎng)絡(luò)端口連接到相應(yīng)得微帶端口。在相關(guān)網(wǎng)絡(luò)端口增加一個(gè)電壓源設(shè)置求解頻率為從0.8*2.4e9到1.2*2.4e9。對(duì)于輸出數(shù)據(jù)文件和設(shè)置值到100激活指定樣本。計(jì)算要求無(wú)任何要求在POS

17、TFEKO就會(huì)得到在電壓源下的輸入阻抗。增加一個(gè)垂直切面遠(yuǎn)場(chǎng)計(jì)算要求。注意在無(wú)限PEC平面下不存在任何場(chǎng)。遠(yuǎn)場(chǎng)要求是在無(wú)限平面上-85度085度，（p=0度和5度的增加量的點(diǎn)。剖分信息兩個(gè)微帶饋源的面需要比貼片剖分的更好些。由幾何體的大小我們可以計(jì)算出剖分大小。在這些面上設(shè)置局部剖分大小為0.7e-3。在建立剖分對(duì)話框設(shè)置全局剖分。邊長(zhǎng)度：5.614e-3段長(zhǎng)度：沒(méi)有更加適用的。保留默認(rèn)值線段半徑：沒(méi)有更加適用的。保留默認(rèn)值保存文件為patchnetworkfeed.cfx然后運(yùn)行求解器。在POSTFEKO中，我們可以得到輸入阻抗和遠(yuǎn)場(chǎng)結(jié)果。輻射饋電網(wǎng)絡(luò)的貼片當(dāng)比較全部3D模擬結(jié)果和所需資源時(shí)

18、，做一個(gè)無(wú)輻射一般網(wǎng)絡(luò)的饋電的模型的優(yōu)越性可以顯現(xiàn)出來(lái)。建立模型貼片天線模型(patchnetworkfeed.cfx)作為基準(zhǔn)模型而分支耦合模型(patchfeedbc.cfx)作為導(dǎo)入部分。然后進(jìn)行完全的模擬。建立模型的具體步驟如下打開(kāi)文件patchnetworkfeed.cfx,然后保存為patchfeedfull.cfx刪除電壓激勵(lì)，移除一般網(wǎng)絡(luò)連接然后刪除一般網(wǎng)絡(luò)和所有端口。導(dǎo)入文件patchfeedbc.cfx，導(dǎo)入所有東西并合并相同的變量和媒質(zhì)。刪除S參數(shù)要求刪除2端口和3端口(保持1端口和4端口)刪除所有網(wǎng)絡(luò)實(shí)體連接兩個(gè)結(jié)構(gòu)設(shè)置所有懷疑的面和邊為不懷疑的(notsuspect)

19、計(jì)算要求剖分設(shè)置已經(jīng)加入。如他們?cè)趯?duì)話框中的一樣簡(jiǎn)單地設(shè)置建立剖分。保存文件運(yùn)行求解器。27.4結(jié)果在表27-1中我們列表舉出在求解時(shí)間和所需內(nèi)存的不同。我們看出求解時(shí)間幾乎被分解問(wèn)題平分。當(dāng)用一般無(wú)輻射網(wǎng)絡(luò)代替饋電時(shí)，因?yàn)闆](méi)有考慮饋電和貼片之間的耦合場(chǎng)，所以在圖27-2中結(jié)果稍微有所不同。當(dāng)用戶必須設(shè)計(jì)天線或者不能(或者不想)改變饋電網(wǎng)絡(luò)時(shí)，如此大的先進(jìn)性才能顯現(xiàn)出來(lái)。在天線開(kāi)發(fā)期間這就允許快速模擬(每個(gè)頻點(diǎn)模擬需要少于25秒)。在開(kāi)發(fā)后可以驗(yàn)證結(jié)果包括貼片和饋電網(wǎng)絡(luò)包括全3D場(chǎng)的解。表27-1:對(duì)于模擬資源的比較ModelRAMTimeTotalTime全部模式76Mb412412網(wǎng)絡(luò)模式

20、only35Mb202一般貼片模式4.3Mb23225Non-radilatingUsed(Rin)Non-radiatingftadOdiDRadiatingfeed(Ftin)*RadiatingfeedQfin)MnEuo-(DCJUEDaduJ一3092.02.12.22.32.4252.62.T2.82.9FrequencyGHz27-2:輻射和無(wú)輻射饋電輸入阻抗（實(shí)部和虛部）的路徑對(duì)數(shù)周期天線關(guān)鍵詞傳輸線偶極子數(shù)組遠(yuǎn)場(chǎng)一個(gè)長(zhǎng)桿邏輯周期偶極子天線陣運(yùn)用非輻射傳輸線的邏輯周期例子。天線設(shè)計(jì)的工作頻率為49.25MHZ工作帶寬范圍為（35MHZ到50MHZ）圖28-1運(yùn)用傳輸線網(wǎng)絡(luò)饋電邏

21、輯周期偶極子陣（LPDA）28.1偶極子邏輯周期陣建立模型設(shè)置模型單位為毫米建立模型所需的變量freq=46.29e6（工作頻率）tau=0.93（增長(zhǎng)因子）-sigma=0.7（間隔）-lenO=2（第一個(gè)元素長(zhǎng)度）-d0=0（firstelment位置）-rad0=0.00667（firstelement半徑）-lambda=c0/freq（自由空間波長(zhǎng)）-Zline=50（傳輸線阻抗）Zload=50（并聯(lián)負(fù)荷電阻）-len1.len11:lenN=len（N-1）/tau-rad1.rad11:radN=rad（N-1）/tausigma1.sigma11:sigmaN=sigma（N

22、-1）/tau運(yùn)用已定義的變量建立12個(gè)偶極子（建立線（幾何體）數(shù)量為N從（dN,-lenN/2,0）到（dN,lenN/2,0）在每個(gè)偶極子中心增加一個(gè)線端口定義11個(gè)傳輸線連接偶極子。每個(gè)傳輸線有一個(gè)Zline的阻抗和sigmaN長(zhǎng)度。檢查輸入輸出端口以保證傳輸線的定位正確。設(shè)置每個(gè)線Localmesh半徑為定義的變量radN對(duì)于所有的傳輸線連接傳輸線及其元素。運(yùn)用一般無(wú)輻射網(wǎng)絡(luò)（Y-參數(shù)）接收定義來(lái)定義并聯(lián)負(fù)荷。指出一個(gè)端口人工接收矩陣（Y門(mén)11zload對(duì)PORT11連接一般網(wǎng)絡(luò)用freq變量設(shè)置頻率添加Port1電壓源（元素0）計(jì)算要求在垂直平面（00,0=-1800到1800增量為

23、20）要求計(jì)算遠(yuǎn)場(chǎng)部分。剖分信息邊長(zhǎng)度：沒(méi)有適合的。用默認(rèn)值段長(zhǎng)度：lambda/20線段半徑：沒(méi)有適合的。用默認(rèn)值（用局部段半徑）保存文件并運(yùn)行存儲(chǔ)器28.2結(jié)果LPDA工作帶寬上的在頻率為49.29Mhz垂直增益（db）和輸入阻抗如圖分別為28-2和28-3。（注意要重新生成帶寬上的阻抗結(jié)果，必須調(diào)整模型模擬設(shè)置的頻率。）-U273圖28-2:LPDA天線在頻率為49.29MHZ的垂直增益ImpedanceFrequencyMHz圖28-3:LPDA天線在工作帶寬上的輸入阻抗（實(shí)部和虛部）頻率選擇表面特征性周期邊界條件關(guān)鍵詞周期邊界條件平面波頻率選擇表面近場(chǎng)最佳化由平面波入射激勵(lì)運(yùn)用無(wú)限周

24、期邊界條件建立的耶路撒冷十字架的頻率選擇表面（FSS）模型。（如圖29）考慮并計(jì)算了表面頻率傳輸和反射系數(shù)。這些結(jié)果將會(huì)與那些參考文獻(xiàn)的報(bào)告比對(duì)。（IvicaStevanovic,PedroCrespo-Valero,KatarinaBlagovic,FredericBongardandJuanR.Mosig,Integral-EquationAnalysisof3-DMetallicObjectsArrangedin2-DLatticesUsingtheEwaldTransformation,IEEETrans.MicrowaveTheoryandTechniques,vol.54,no.1

25、0,pp.36883697）.這個(gè)例子中包含了為最好設(shè)置幾何體在8GHz的參數(shù)（如最大反射系數(shù)和最小傳輸系數(shù)）進(jìn)行了最優(yōu)化設(shè)置本模型。為了執(zhí)行最優(yōu)化，頻率要求應(yīng)該設(shè)置為單一頻率為8GHz。圖29-1:FSS結(jié)構(gòu)的3D展示。用平面波激勵(lì)和設(shè)置了周期邊界條件的十字架單位面元結(jié)構(gòu)圖29.1頻率選擇表面建立模型建立模型步驟如下：定義建立結(jié)構(gòu)所用變量如下：-變量W是十字線的寬度-變量L是十字臂的長(zhǎng)度（從外部邊到另一個(gè)外部邊）。-變量e門(mén)oL”是在十字臂末端的延伸的寬度在十字中心建立一個(gè)多邊形（作為選擇可以先建立橋臂中的一個(gè)然后拷貝旋轉(zhuǎn)得到其余3個(gè)橋臂。）在十字臂上的一個(gè)末端建立一個(gè)多邊形末端復(fù)制旋轉(zhuǎn)末端

26、3次，這樣3個(gè)末端可以放置到每個(gè)其他3個(gè)橋臂上。連接上述部分計(jì)算要求反射和傳輸系數(shù)定義如下:反射系數(shù)=反射場(chǎng)（單位V/m）/入射場(chǎng)（單位V/m）傳輸系數(shù)=傳輸場(chǎng)（單位V/m）/入射場(chǎng)（單位V/m）這個(gè)例子中，我們將考慮在表面上入射法線的反射和傳輸系數(shù)。為了計(jì)算反射和傳輸功率，我們定義了一個(gè)已知激勵(lì)（入射功率）和運(yùn)用在表面上和表面下的近場(chǎng)來(lái)計(jì)算反射和傳輸功率。（在近場(chǎng)中的任意一點(diǎn)，在電學(xué)中都是遠(yuǎn)離可以用的表面的-對(duì)于這個(gè)例子運(yùn)用的就是10個(gè)最低頻率的波長(zhǎng)距離。）為了保證空間鄰近元素的正確，我們定義了周期邊界條件。定義了一個(gè)從0二0方向幅度為1V/m的入射平面波激勵(lì)。計(jì)算反射和傳輸系數(shù)是基于如下的近場(chǎng)要求：在單位面元結(jié)構(gòu)下建立一個(gè)近場(chǎng)標(biāo)簽為T(mén)ransmission。對(duì)于這個(gè)例子運(yùn)用的就是10個(gè)最低頻率的波長(zhǎng)距離。在單位面元結(jié)構(gòu)上建立一個(gè)近場(chǎng)標(biāo)簽為Reflection。要求僅僅計(jì)算散射場(chǎng)元素。執(zhí)行計(jì)