極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝資料

1、附件1“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)2013年度課題申報(bào)指南二。一二年五月.項(xiàng)目任務(wù)：22/20nm先導(dǎo)產(chǎn)品工藝開(kāi)發(fā)項(xiàng)目編號(hào)：2013ZX02302項(xiàng)目類(lèi)別：工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)：基于專(zhuān)項(xiàng)“十一五”支持的22納米關(guān)鍵工藝項(xiàng)目的 成果與進(jìn)展，進(jìn)入12英寸生產(chǎn)線上開(kāi)發(fā)22/20nm低功耗先導(dǎo)產(chǎn)品工 藝。（1）實(shí)現(xiàn)2-3種引導(dǎo)產(chǎn)品的成功開(kāi)發(fā)，良率達(dá)到 50%以上，集成 度達(dá)到4X109 /cm2; 研發(fā)關(guān)鍵設(shè)備和材料（刻蝕機(jī)、 ALD、顆 粒檢測(cè)等）并在工藝研發(fā)中得到應(yīng)用和集成；（3）研究開(kāi)發(fā)新結(jié)構(gòu)器 件模塊、高k/金屬柵工藝模塊、源漏工藝模塊及 STI模塊，低溫選擇 性S

2、iGe外延技術(shù)、浸沒(méi)式雙曝光、超低k （2.5）材料相關(guān)工藝；（4） 完成整個(gè)工藝模塊的集成和模型開(kāi)發(fā)；（5）聯(lián)合設(shè)計(jì)用戶共同開(kāi)展研 發(fā)，建立完整的設(shè)計(jì)單元庫(kù)、模型參數(shù)庫(kù)和IP庫(kù)，形成完善的產(chǎn)品設(shè)計(jì)服務(wù)體系；（6）完成可制造性設(shè)計(jì)解決方案；（7）完成針對(duì) 22/20nm產(chǎn)品工藝技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)分析，建立知識(shí)產(chǎn)權(quán)共享機(jī)制。2014年先導(dǎo)產(chǎn)品流片成功，可實(shí)現(xiàn)成套工藝的產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移及引導(dǎo)產(chǎn) 品的生產(chǎn)，能夠提供后續(xù)的工藝支持與服務(wù)，保障終端用戶量產(chǎn)規(guī)模 的持續(xù)提升。項(xiàng)目承擔(dān)單位要求：主承擔(dān)單位要求是大型的集成電路制造企 業(yè)，聯(lián)合十一五 22nm關(guān)鍵工藝先導(dǎo)研究”的產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合體及專(zhuān)項(xiàng) 先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心共同承

3、擔(dān)。組織實(shí)施方式：公開(kāi)發(fā)布指南資金來(lái)源：中央：地方：企業(yè)=1:0.5:0.5執(zhí)行期限：2013-2014.項(xiàng)目任務(wù)：16/14nm關(guān)鍵工藝研究項(xiàng)目編號(hào)：2013ZX02303項(xiàng)目類(lèi)別：工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)：在專(zhuān)項(xiàng)“十一五” 22nm關(guān)鍵工藝項(xiàng)目研發(fā)成果的基 礎(chǔ)上，開(kāi)展16/14nm及以下技術(shù)代集成電路的關(guān)鍵核心技術(shù)研究，取得自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。（1）研究面向16/14nm及以下技術(shù)代的新型器件結(jié) 構(gòu)及相關(guān)模型，如TFET、FinFET、SGT、GAA等；（2）研究關(guān)鍵工 藝技術(shù)，如刻蝕工藝及硅表面處理、離子注入、閾值電壓調(diào)整、超薄 柵介質(zhì)與金屬柵等；（3）研究新型互連結(jié)構(gòu)和互連工藝；（4）研究新

4、 概念的有產(chǎn)業(yè)化前景的新型存儲(chǔ)器；（5）研究實(shí)現(xiàn)16/14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn) 的光刻技術(shù)途徑；（6）研究設(shè)計(jì)與工藝的協(xié)同實(shí)現(xiàn)技術(shù)；（7）針對(duì) 16/14nm及以下先導(dǎo)工藝技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略開(kāi)展分析 研究，建立知識(shí)產(chǎn)權(quán)共享機(jī)制；（8）同步支持16/14nm裝備和材料的 研發(fā)和應(yīng)用，促進(jìn)先進(jìn)裝備、材料與工藝的協(xié)同創(chuàng)新。（9）整合現(xiàn)有 資源，籌建國(guó)家集成電路先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心。項(xiàng)目承擔(dān)單位要求：主承擔(dān)單位要求是“十一五 22nm關(guān)鍵工 藝研發(fā)的參與單位，組織產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟聯(lián)合承擔(dān)項(xiàng)目。組織實(shí)施方式：公開(kāi)發(fā)布指南資金來(lái)源：中央：地方=1:0.5執(zhí)行期限：2013-2015.項(xiàng)目任務(wù)：智能電視關(guān)鍵芯片與高

5、性能處理器的制造和核心IP庫(kù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目編號(hào)：2013ZX02304項(xiàng)目類(lèi)別：工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)：根據(jù)智能電視和高性能處理器核心芯片應(yīng)用需求，基于55-40納米工藝平臺(tái)，聯(lián)合01專(zhuān)項(xiàng)相關(guān)課題的承擔(dān)單位及國(guó)內(nèi)高 端設(shè)計(jì)公司共同開(kāi)發(fā)LCD驅(qū)動(dòng)、射頻和移動(dòng)多媒體處理、嵌入式處 理器等關(guān)鍵芯片設(shè)計(jì)所需的一批IP核，探索IP共享機(jī)制，形成芯片 量產(chǎn)。開(kāi)發(fā)55-40nm工藝的高清顯示驅(qū)動(dòng)芯片、數(shù)字電視信道、信源 及智能控制等芯片的量產(chǎn)制造工藝，以及可制造性設(shè)計(jì)與成品率提升 技術(shù)。至2014年形成2萬(wàn)片以上銷(xiāo)售。項(xiàng)目承擔(dān)單位要求：主承擔(dān)單位要求是獨(dú)立法人的大型集成電路 制造企業(yè)，聯(lián)合01專(zhuān)項(xiàng)數(shù)字電

6、視芯片承擔(dān)單位及系統(tǒng)廠商，組織產(chǎn) 學(xué)研聯(lián)盟聯(lián)合承擔(dān)項(xiàng)目。組織實(shí)施方式：公開(kāi)發(fā)布指南資金來(lái)源：中央：地方：企業(yè)=1:0.5:1執(zhí)行期限：2013-2014.項(xiàng)目任務(wù)：SiC電力電子器件集成制造技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目編號(hào)：2013ZX02305項(xiàng)目類(lèi)別：工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)：面向太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、燃料電池等分散電源系 統(tǒng)的逆變器裝置、高電壓輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器裝置、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)用逆 變器裝置、以及混合動(dòng)力汽車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)、空調(diào)等白色家電、通 信基站和服務(wù)器等配備的PFC電路，以及智能電網(wǎng)的發(fā)展，開(kāi)發(fā) SiC電力電子材料與器件制造工藝、封裝與模塊集成制造技術(shù)， 構(gòu)建SiC電力電子材料、器件、模塊與應(yīng)

7、用產(chǎn)業(yè)鏈，建立 3-4英寸SiC電力電子器件產(chǎn)品工藝平臺(tái)，開(kāi)發(fā)出600V、1200V、1700V 等級(jí) SiC SBD 工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn) 600V/1A20A、1200V/5A-30A、 1700V/25A 系列 SiC SBD 器件產(chǎn)業(yè)化；研發(fā) 600V-1200V /5A 30A 系列 SiC MOSFET 器件工藝，3300V 4500V SiC PiN 二極管 工藝；基于國(guó)產(chǎn)的SiC SBD和硅基IGBT芯片研制出高效功率模 塊，實(shí)現(xiàn)在機(jī)車(chē)牽引和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域示范應(yīng)用。 建立開(kāi)放的SiC 電力電子器件工藝制造和模塊封裝平臺(tái)，支持國(guó)產(chǎn)SiC材料的應(yīng)用。為科技部、工信部等相關(guān) SiC電力電子

8、器件發(fā)展計(jì)劃提供制 造服務(wù)和支撐。項(xiàng)目承擔(dān)單位要求：主承擔(dān)單位要求是獨(dú)立法人的大型制造企業(yè)， 并組織產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟聯(lián)合承擔(dān)項(xiàng)目。組織實(shí)施方式：公開(kāi)發(fā)布指南資金來(lái)源：中央：地方：企業(yè)=1:0.5:1執(zhí)行期限：2013-2015備注：與01專(zhuān)項(xiàng)SiC研發(fā)項(xiàng)目互動(dòng)。.項(xiàng)目任務(wù)：面向移動(dòng)終端和物聯(lián)網(wǎng)的智能傳感器產(chǎn)品制造與封裝 一體化集成技術(shù)項(xiàng)目編號(hào)：2013ZX02306項(xiàng)目類(lèi)別：工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)：面向移動(dòng)智能終端和物聯(lián)網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)應(yīng)用， 研究開(kāi)發(fā)多維智能傳感器芯片（包括加速度計(jì)、陀螺儀、地磁傳感器 等多種傳感器）的集成設(shè)計(jì)、制造與封裝技術(shù)。1）內(nèi)嵌EEPROM或 Flash,研發(fā)制造關(guān)鍵技

9、術(shù)、產(chǎn)品工藝；2）研發(fā)并建立與上述多維傳感器芯片相關(guān)的封裝能力，如 LGA封裝、信號(hào)處理芯片與傳感器芯 片的堆疊封裝；3）建立相關(guān)傳感器的信號(hào)處理芯片的設(shè)計(jì)能力、測(cè) 試評(píng)價(jià)系統(tǒng)和多維度智能傳感器的工程應(yīng)用能力。實(shí)現(xiàn)多維傳感器的大規(guī)模生產(chǎn)， 達(dá)到年5000萬(wàn)只（組）以上的銷(xiāo)售。項(xiàng)目承擔(dān)單位要求：主承擔(dān)單位要求是獨(dú)立法人的企業(yè)，并組織 產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟聯(lián)合承擔(dān)項(xiàng)目。組織實(shí)施方式：公開(kāi)發(fā)布指南資金來(lái)源：中央：地方：企業(yè)=1:0.5:1執(zhí)行期限：2013-2015.項(xiàng)目任務(wù)：硅基異質(zhì)材料多功能融合的器件工藝技術(shù)研究項(xiàng)目編號(hào)： 2013ZX02308項(xiàng)目類(lèi)別： 工藝研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)： 利用硅半導(dǎo)體工藝技術(shù)

10、，研發(fā)滿足 IC要求的高質(zhì) 量Si上GaN材料，以及基于Si上GaN的高性能異質(zhì)器件融合技 術(shù)。突破滿足器件和集成電路要求的 Si上GaN材料關(guān)鍵制備技術(shù)， 開(kāi)發(fā)基于硅上GaN的集成電路工藝制造技術(shù)；研究基于Si上GaN集 成電路所需的新結(jié)構(gòu)器件；開(kāi)展基于Si上GaN的高效功率轉(zhuǎn)換集成電路、射頻功率器件和高性能開(kāi)關(guān)等器件設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)研究，并完成5種基于硅上GaN的高性能電子器件和電路研發(fā)。在異質(zhì)材 料融合、器件多功能集成技術(shù)領(lǐng)域開(kāi)展前沿和交叉技術(shù)研究，探索延 展硅集成電路發(fā)展的新途徑。項(xiàng)目承擔(dān)單位要求： 主承擔(dān)單位要求是獨(dú)立法人的企事業(yè)單位， 并組織相關(guān)優(yōu)勢(shì)單位聯(lián)合承擔(dān)項(xiàng)目，聯(lián)合承擔(dān)單位不超

11、過(guò)5家。組織實(shí)施方式：公開(kāi)發(fā)布指南資金來(lái)源：國(guó)撥資金執(zhí)行期限：2013-2015.項(xiàng)目任務(wù)：高純電子氣體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目編號(hào)：2013ZX02401項(xiàng)目類(lèi)別：材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)：研究開(kāi)發(fā)集成電路制造工藝用特種電子氣體制備關(guān)鍵 共性技術(shù)，開(kāi)發(fā)IC制造過(guò)程外延、離子注入、擴(kuò)散、蝕刻、沉積、 清洗等關(guān)鍵工藝用電子氣體和源產(chǎn)品，使關(guān)鍵產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)達(dá)到8英 寸0.25-0.13微米和12英寸65-32納米生產(chǎn)工藝要求，形成批量生產(chǎn) 能力并建立氣體配送與服務(wù)體系，滿足客戶要求。構(gòu)建支撐我國(guó)特種 電子氣體技術(shù)發(fā)展的人才團(tuán)隊(duì)和研發(fā)平臺(tái)，為該領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展奠定基 礎(chǔ)。項(xiàng)目承擔(dān)單位要求：主承擔(dān)單位要求是獨(dú)立法

12、人的企業(yè)，并組織 產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟聯(lián)合承擔(dān)項(xiàng)目。組織實(shí)施方式：公開(kāi)發(fā)布指南資金來(lái)源：中央：地方：企業(yè)=1:0.5:1執(zhí)行期限：2013-2015.項(xiàng)目任務(wù)：集成電路制造用掩模制備技術(shù)項(xiàng)目編號(hào)：2013ZX02402項(xiàng)目類(lèi)別：材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)：開(kāi)發(fā)集成電路用掩模制備成套技術(shù)，掩模版分辨率、CD均勻性、缺陷控制等達(dá)到65-32納米集成電路光刻工藝要求；形成為國(guó)內(nèi)集成電路生產(chǎn)廠進(jìn)行掩模版批量配套生產(chǎn)能力；為國(guó)內(nèi)高端集成電路技術(shù)開(kāi)發(fā)提供掩模版技術(shù)服務(wù)； 滿足集成電路設(shè)計(jì)和制造公 司需求。構(gòu)建支撐我國(guó)掩模版技術(shù)發(fā)展的人才團(tuán)隊(duì)和研發(fā)平臺(tái)，為該領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。項(xiàng)目承擔(dān)單位要求：主承擔(dān)單位要求是獨(dú)立法

13、人的企業(yè)，并組織 產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟聯(lián)合承擔(dān)項(xiàng)目。組織實(shí)施方式：公開(kāi)發(fā)布指南資金來(lái)源：中央：地方：企業(yè)=1:0.5:1執(zhí)行期限：2013-2015.項(xiàng)目任務(wù)：高密度封裝倒裝芯片基板產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目編號(hào)：2013ZX02502項(xiàng)目類(lèi)別：封測(cè)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)：研究開(kāi)發(fā)FC-CSP、FC-BGA、基于FC技術(shù)的SiP/PoP 等倒裝焊封裝基板技術(shù)；開(kāi)發(fā)半加成精細(xì)線路制造技術(shù)，實(shí)現(xiàn)線寬為 15um的倒裝焊封裝基板量產(chǎn)，具備為主流ATE機(jī)型提供Probe Cared, Load Board的制造能力，層數(shù)大于20層，高厚徑比（達(dá)到25:1） IC 測(cè)試板制造工藝。配合完成基于FC工藝的SIP/POP自主

14、設(shè)計(jì)與MPP 封裝20套以上；實(shí)現(xiàn)Probe Card, Load Board組裝與測(cè)試20套；實(shí) 現(xiàn)3種以上主流ATE機(jī)型測(cè)試設(shè)計(jì)并為一種以上國(guó)產(chǎn)機(jī)型提供服務(wù)； 2014年產(chǎn)值達(dá)到5000萬(wàn)元以上；2015年達(dá)到3億元以上；2016年 達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)9億元以上產(chǎn)值。項(xiàng)目承擔(dān)單位要求：主承擔(dān)單位要求是獨(dú)立法人的企業(yè)，并組織產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟聯(lián)合承擔(dān)項(xiàng)目組織實(shí)施方式：公開(kāi)發(fā)布指南資金來(lái)源：中央：地方：企業(yè)=1:0.5:1執(zhí)行期限：2013-2015.項(xiàng)目任務(wù)：高密度陶瓷管殼系列產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目編號(hào)：2013ZX02503項(xiàng)目類(lèi)別：封測(cè)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目目標(biāo)：研究開(kāi)發(fā)高鐵、智能電網(wǎng)和新能源產(chǎn)業(yè)用大功率、高 導(dǎo)熱、低損耗以及微波通信系統(tǒng)需求的系列陶瓷管殼，滿足高密度、 大功率以及高集成化電磁屏蔽和通道隔離等陶瓷封裝需求，開(kāi)發(fā)可靠