集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)：14 TTL門(mén)電路的改進(jìn)_第1頁(yè)
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2-3 TTL門(mén)電路的改進(jìn)一、簡(jiǎn)易TTL門(mén)的缺點(diǎn)抗干擾能力太小負(fù)載能力太弱速度慢要改進(jìn)之處：提高靜態(tài)參數(shù)，能穩(wěn)定工作提高速度功耗（優(yōu)值）二、五管單元電路在輸入管和輸出管之間增加了R2，T2，R3 ，這使T5的基極電流得到提高用T3，T4，R4，R5組成的射隨器作為T(mén)5的集電極負(fù)載T2的發(fā)射結(jié)相當(dāng)于一個(gè)起電平位移作用的二極管，理論上可使VNML提高一個(gè)結(jié)壓降，但由于R3的存在，VNML并不能增加0.7V當(dāng)IR2R2大到一定程度時(shí)，VOH就不符合要求了（BC段）這表明Vi不可能太高，即ViL不可能達(dá)到1.31.4V另外，R3在導(dǎo)通瞬間分流了部分IE2，使下降時(shí)間延長(zhǎng)三、六管單元電路特點(diǎn)：用Rb，RC，T6組成的有源泄放網(wǎng)絡(luò)取代R3。從T1的集電極到地至少經(jīng)過(guò)兩個(gè)PN結(jié)，因此，ViL提高到1.31.4V，使VNML上升到1.01.1V，使BC段消失，傳輸曲線(xiàn)接近矩形。T6的導(dǎo)通和截止都比T5晚，加速了T5的導(dǎo)通和截止，使電路速度提高。淺飽和電路。功耗 ICCL ICCH2-4 TTL門(mén)電路的邏輯擴(kuò)展 前面講了TTL門(mén)電路的基本單元是與非門(mén)，擴(kuò)展后可構(gòu)成其他門(mén)電路，擴(kuò)展的方法有二種：1、將“與非門(mén)”直接級(jí)連進(jìn)行擴(kuò)展。2、在與非門(mén)內(nèi)部進(jìn)行擴(kuò)展一、非門(mén) 又稱(chēng)為反相器，A F， F

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