詳解單結(jié)晶體管的基本工作原理和特性

1、單結(jié)晶體管原理摘要：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管原理單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱UJT)又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸 電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極bl和b2。在硅 片中間略偏b2 一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電呼如圖1所示。圖1、單 結(jié)晶體管一、單結(jié)晶體管的特性從圖1可以看出，兩基極bl與b2之間的電阻稱為基極電阻：rbb=rb1+rb2 式中：rb1-第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值目錄單結(jié)晶體管原理單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱UJT)又稱基極二極管，它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅

2、片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2 一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電 呼如圖1所示。圖1、單結(jié)晶體管一、單結(jié)晶體管的特性從圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻：rbb=rb1+rb2式中：rb1-第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化，rb2為第二基 極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值與ie無關(guān)；發(fā)射結(jié)是PN結(jié)，與二極管等效。若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓Vbb，則A點(diǎn)電壓為：VA=rb1/(rb1+rb2)vbb=(rb1/rbb)vbb=nVbb式中：n-稱為分壓比，其值一般在0.3-0.85之間，

3、如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加，就可測(cè)得單結(jié)晶體管的伏安特性，見圖2圖2、單結(jié)晶體管的伏安特性當(dāng)Veq Vbb+VD VD為二極管正向壓降(約為0.7伏)，PN結(jié)正向?qū)?，Ie顯著增 加，rb1阻值迅速減小，Ve相應(yīng)下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱為負(fù)阻特 性。管子由截止區(qū)進(jìn)入負(fù)阻區(qū)的臨界P稱為峰點(diǎn)，與其對(duì)就的發(fā)射極電壓和電流，分別稱為 峰點(diǎn)電壓Vp和峰點(diǎn)電流Ip和峰點(diǎn)電流Ip。Ip是正向漏電流，它是使單結(jié)晶體管導(dǎo)通所需 的最小電流，顯然Vp=nVbb隨著發(fā)射極電流ie不斷上升，Ve不斷下降，降到V點(diǎn)后，Ve不在降了，這點(diǎn)V稱為 谷點(diǎn)，與其對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，稱為谷點(diǎn)電壓，Vv和谷點(diǎn)電流Iv。過了 V點(diǎn)后，發(fā)射極與第一基極間半導(dǎo)體內(nèi)的載流子達(dá)到了飽和狀態(tài)，所以u(píng)c繼續(xù) 增加時(shí)，ie便緩慢地上升，顯然Vv是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小發(fā)射極電壓，如果Ve Vv，管子重新截止。二、單結(jié)晶體管的主要參數(shù)基極間電阻Rbb發(fā)射極開路時(shí)，基極bl、b2之間的電阻，一般為2-10千歐，其數(shù) 值隨溫度上升而增大。分壓比n由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的常數(shù)，一般為0.3-0.85。eb1間反向電壓Vcb1 b2開路，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發(fā)射極e之間的 反向耐壓。(4)反向電流Ieo b1開路，在額定反向電壓Vcb2下，eb2間的反向電流。發(fā)射極