《微電子導(dǎo)論》課程教學(xué)大綱（本科）

1、微電子導(dǎo)論Introduction to microelectronics課程代碼：05410078學(xué)分：1.5學(xué)時(shí)：24 （其中：課堂教學(xué)學(xué)時(shí)：24實(shí)驗(yàn)學(xué)時(shí)：0上機(jī)學(xué)時(shí)：0課程實(shí)踐學(xué)時(shí):0 ）先修課程：大學(xué)物理、電路、模擬電子技術(shù)適用專(zhuān)業(yè)：電子信息科學(xué)與技術(shù)教材：微電子概論，郝躍，高等教育出版社，2011年6月第2版一、課程性質(zhì)與課程目標(biāo)（一）課程性質(zhì)（需說(shuō)明課程對(duì)人才培養(yǎng)方面的貢獻(xiàn)）微電子導(dǎo)論課程是工科院校電子信息工程、電字信息科學(xué)類(lèi)非微電子專(zhuān)業(yè)在微電 子、半導(dǎo)體器件與制造方面具有入門(mén)性質(zhì)的基礎(chǔ)理論課。該門(mén)課程主要介紹了微電子學(xué) 開(kāi)展史、半導(dǎo)體器件、制造工藝、集成電路設(shè)計(jì)及微電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)方

2、法概述以及計(jì)算機(jī) 輔助設(shè)計(jì)技術(shù)。本課程的開(kāi)設(shè)為專(zhuān)業(yè)學(xué)生在微電子領(lǐng)域拓展知識(shí)結(jié)構(gòu)、從事微電子技術(shù) 研究和集成電路的開(kāi)發(fā)提供初步理論基礎(chǔ)。（二）課程目標(biāo)（根據(jù)課程特點(diǎn)和對(duì)畢業(yè)要求的貢獻(xiàn)，確定課程目標(biāo)。應(yīng)包括知識(shí)目標(biāo)和能力 目標(biāo)。）通過(guò)課程學(xué)習(xí)，學(xué)生可以獲得半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)、微電子制造技術(shù)、微電子系統(tǒng) 設(shè)計(jì)方法等基礎(chǔ)知識(shí)，培養(yǎng)分析微電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原理、微電子制造工藝方法、微電 子系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法的初步能力，拓寬專(zhuān)業(yè)視界，對(duì)以后的專(zhuān)業(yè)學(xué)習(xí)中開(kāi)展電子電路創(chuàng)新設(shè) 計(jì)、畢業(yè)設(shè)計(jì)等實(shí)踐環(huán)節(jié)的學(xué)習(xí)起著鋪墊作用，并為選拔、培養(yǎng)研究生或優(yōu)秀人才出國(guó) 深造，以及為微電子生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用打下基礎(chǔ)。通過(guò)本課程的學(xué)習(xí)，學(xué)

3、生能基本掌 握微電子學(xué)科開(kāi)展、半導(dǎo)體器件的物理基礎(chǔ)、制造工藝及集成電路基礎(chǔ)設(shè)計(jì)方法等知識(shí)。課程知識(shí)目標(biāo)1： 了解微電子的內(nèi)涵、開(kāi)展規(guī)律及開(kāi)展歷程，能區(qū)別與電子管時(shí) 代技術(shù)的差異和優(yōu)勢(shì)，了解微電子領(lǐng)域的開(kāi)展前沿技術(shù)現(xiàn)狀。課程知識(shí)目標(biāo)2： 了解集成電路的各種分類(lèi)方法，學(xué)會(huì)對(duì)目前市場(chǎng)的微電子IC 產(chǎn)品簡(jiǎn)單歸類(lèi)及分析。課程知識(shí)目標(biāo)3：理解集成電路制造的幾個(gè)階段和各自的特點(diǎn)。 能力；掌握是指對(duì)教學(xué)內(nèi)容正確理解，能夠應(yīng)用所學(xué)知識(shí)解決問(wèn)題；理解是指對(duì)教學(xué)內(nèi) 容基本理解，能基本應(yīng)用知識(shí)解決問(wèn)題；了解是指對(duì)教學(xué)內(nèi)容具有基本認(rèn)識(shí)，能為今后 進(jìn)一步學(xué)習(xí)打下基礎(chǔ)。.采用多媒體與板書(shū)相結(jié)合的教學(xué)手段，授課過(guò)程可以結(jié)合案

4、例、討論與隨機(jī)測(cè)試 等互動(dòng)教學(xué)方式。.每章課后布置47條作業(yè)，注重提煉知識(shí)加應(yīng)用，覆蓋面主要知識(shí)點(diǎn)。.本課程的考核方式為閉卷考試。在授課過(guò)程中做23次階段測(cè)驗(yàn)，將階段測(cè)驗(yàn) 作為平時(shí)成績(jī)，課程最終成績(jī)?yōu)槠綍r(shí)與期末考試的綜合。2017年9月1日課程知識(shí)目標(biāo)4：掌握集成器件物理基礎(chǔ)知識(shí)，包括半導(dǎo)體材料種類(lèi)、特性及能 帶模型原理，半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)理及半導(dǎo)體方程表述，PN結(jié)的形成機(jī)制，PN結(jié)與二極管伏 安特性、模型、小信號(hào)特性，雙極型晶體管放大原理、輸入輸出特性及工作區(qū)的界定， JFET與MOSFET的結(jié)構(gòu)、輸入輸出特性及工作區(qū)界定。課程知識(shí)目標(biāo)5：掌握平面工藝的概念、雙極型器件平面工藝基本流程和MOS結(jié)

5、構(gòu)器件平面工藝流程，基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)PN結(jié)的基本平面工藝流程、制造要求及帶隔離PN結(jié)平 面工藝要點(diǎn)。課程知識(shí)目標(biāo)6：掌握平面工藝中主要工藝方法的氧化工藝、擴(kuò)散及離子注入技 術(shù)、光刻和刻蝕、外延及金屬化、封裝及隔離技術(shù)基本原理及設(shè)備特點(diǎn)。課程知識(shí)目標(biāo)7： 了解集成電路的主要設(shè)計(jì)規(guī)那么：微米設(shè)計(jì)規(guī)那么與入設(shè)計(jì)規(guī)那么基 本含義及各自?xún)?yōu)點(diǎn)，理解IC中無(wú)源器件（電阻、電容及電感等）的工藝制造方法，雙 極IC電路典型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法及應(yīng)用場(chǎng)合，CMOSIC電路典型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法及應(yīng)用場(chǎng)合， 各種內(nèi)部寄生效應(yīng)的形成機(jī)理及優(yōu)化方法。課程知識(shí)目標(biāo)8： 了解微電子系統(tǒng)中基本典型單元雙極器件和CMOS器件的種類(lèi)及 基本結(jié)構(gòu)、制造

6、幅員工藝，常見(jiàn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理、專(zhuān)用集成電路和新型系統(tǒng)級(jí)芯 片概念及設(shè)計(jì)方法。課程知識(shí)目標(biāo)9： 了解微電子領(lǐng)域主要的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化開(kāi)展現(xiàn)狀、主要平臺(tái)軟 件工具、建模特點(diǎn)及設(shè)計(jì)流程。課程能力目標(biāo)10：能夠正確認(rèn)知微電子技術(shù)及產(chǎn)品的歸類(lèi)及技術(shù)特點(diǎn)。課程能力目標(biāo)11：會(huì)應(yīng)用半導(dǎo)體器件物理理論知識(shí)、半導(dǎo)體方程簡(jiǎn)單分析計(jì)算半 導(dǎo)體材料內(nèi)部載流子濃度、分布、電導(dǎo)率（電阻率），PN結(jié)勢(shì)壘電壓、結(jié)厚度、結(jié)電容 等。課程能力目標(biāo)12：能將雙極型器件（二極管與三極管）和場(chǎng)效應(yīng)器件（JFET和 MOSFET）的建模參數(shù)方法應(yīng)用到實(shí)際電路和器件仿真參數(shù)設(shè)置安排工作中。課程能力目標(biāo)13：應(yīng)用雙極型器件（二極管與三極

7、管）和場(chǎng)效應(yīng)器件（JFET和 MOSFET）的輸入輸出特性，分析計(jì)算電路工作點(diǎn)及進(jìn)行器件工作狀態(tài)界定。課程能力目標(biāo)13：能運(yùn)用平面工藝知以設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單雙極和MOS典型電路結(jié)構(gòu)的工藝 流程及選擇設(shè)備種類(lèi)，考慮到結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的合理優(yōu)化。課程能力目標(biāo)14：學(xué)會(huì)幅員設(shè)計(jì)規(guī)那么及識(shí)圖，能考察典型單元電路結(jié)構(gòu)與其幅員 對(duì)應(yīng)關(guān)系以及幅員設(shè)計(jì)方法的優(yōu)缺點(diǎn)。課程能力目標(biāo)15：能運(yùn)用微電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)方法來(lái)分析IC內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)。課程能力目標(biāo)16：可以學(xué)會(huì)用某種微電子軟件工具設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的微電子電路結(jié)構(gòu), 并進(jìn)行簡(jiǎn)單參數(shù)設(shè)計(jì)和器件電路模擬。注：工程類(lèi)專(zhuān)業(yè)通識(shí)課程的課程目標(biāo)應(yīng)覆蓋相應(yīng)的工程教育認(rèn)證畢業(yè)要求通用標(biāo)準(zhǔn)；（三）課程目

8、標(biāo)與專(zhuān)業(yè)畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系（認(rèn)證專(zhuān)業(yè)專(zhuān)業(yè)必修課程填寫(xiě)）本課程支撐專(zhuān)業(yè)培養(yǎng)計(jì)劃中畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)1-1、1-2、6-2o.畢業(yè)要求1:掌握數(shù)學(xué)與自然科學(xué)的知識(shí)，能將其應(yīng)用于電子信息科學(xué)與 技術(shù)問(wèn)題的建模與分析。.畢業(yè)要求1-2.掌握電路、電子技術(shù)等工程基礎(chǔ)知識(shí)，具有分析和解決電子信 息科學(xué)與技術(shù)基礎(chǔ)問(wèn)題的能力。.畢業(yè)要求6-2. 了解與電子信息科學(xué)與技術(shù)相關(guān)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)業(yè)政策和行 業(yè)規(guī)范。求指標(biāo)點(diǎn)課程目標(biāo)畢業(yè)要求1-1畢業(yè)要求1-2畢業(yè)要求6-2課程知識(shí)目標(biāo)1課程知識(shí)目標(biāo)2課程知識(shí)目標(biāo)3課程知識(shí)目標(biāo)4q課程知識(shí)目標(biāo)5課程知識(shí)目標(biāo)6q課程知識(shí)目標(biāo)7q課程知識(shí)目標(biāo)8課程知識(shí)目標(biāo)9q課程能力目標(biāo)

9、10注：課程目標(biāo)與畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)對(duì)接的單元格中可輸入“/”，也可標(biāo)注“H、M、課程能力目標(biāo)117課程能力目標(biāo)12V課程能力目標(biāo)13q課程能力目標(biāo)14課程能力目標(biāo)15課程能力目標(biāo)16q二、課程內(nèi)容與教學(xué)要求（按章撰寫(xiě)）第1章概論（一）課程內(nèi)容1.1微電子技術(shù)和集成電路的開(kāi)展歷程L2集成電路的分類(lèi)1.3集成電路制造特點(diǎn)和本書(shū)學(xué)習(xí)要點(diǎn)主要知識(shí)點(diǎn)：微電子的概念、開(kāi)展及IC歸類(lèi)，能力點(diǎn)：對(duì)常見(jiàn)微電子產(chǎn)品歸類(lèi)及認(rèn) 識(shí)。（二）教學(xué)要求（1） 了解微電子學(xué)科與半導(dǎo)體集成電路開(kāi)展歷程及其技術(shù)經(jīng)濟(jì)規(guī)律（2）理解IC基本分類(lèi)方法 （3）初步理解集成電路的設(shè)計(jì)流程與制造技術(shù)，電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)幅員設(shè)計(jì)和優(yōu)化集成電路的加工制

10、造集成電路的封裝集成電路的測(cè)試和分析（三）重點(diǎn)與難點(diǎn)重點(diǎn):重點(diǎn):開(kāi)展現(xiàn)狀及技術(shù)特點(diǎn)。難點(diǎn):分類(lèi)方法及微電子產(chǎn)品認(rèn)識(shí)。集成器件物理基礎(chǔ)（一）課程內(nèi)容2.1半導(dǎo)體及其能帶模型2.2半導(dǎo)體的導(dǎo)電性2.3 PN結(jié)和晶體二極管2.4雙極型晶體管2.5 JFET與MESFET器件基礎(chǔ)2.6 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要知識(shí)點(diǎn)：半導(dǎo)體材料特性、導(dǎo)電機(jī)理及器件結(jié)構(gòu)，能力點(diǎn)：分析計(jì)算半導(dǎo)體 內(nèi)部載流子濃度、電阻率等參數(shù)。（二）教學(xué)要求（1）理解半導(dǎo)體建模方法，對(duì)于半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體的能帶模型、費(fèi)米分 布函數(shù)，要能結(jié)合模型圖做簡(jiǎn)單分析；（2）在引入本征半導(dǎo)體概念基礎(chǔ)上展開(kāi)，熟悉非本征載流子的導(dǎo)電機(jī)理，半導(dǎo) 體基本

11、理論方程式的含義與簡(jiǎn)單應(yīng)用；（3）掌握PN結(jié)理論及主要特性分析，了解二極管等效電路模型和二極管應(yīng)用， Pspice模擬的參數(shù)設(shè)置；（4）掌握雙極晶體管的直流放大原理，影響晶體管直流特性的其他因素，頻率 特性，了解晶體管模型和模型參數(shù)，Pspice模擬的參數(shù)設(shè)置；（5）理解JFET與MOS晶體管器件結(jié)構(gòu)與電流控制原理、電路符號(hào)，直流輸出 特性的定性分析，直流轉(zhuǎn)移特性，了解JFET等效電路和模型參數(shù)，硅柵MOS結(jié)構(gòu)和 自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，Pspice模擬的參數(shù)設(shè)置。（三）重點(diǎn)與難點(diǎn)重點(diǎn)：PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS器件工作機(jī)理。難點(diǎn)：應(yīng)用半導(dǎo)體方程計(jì)算器件結(jié)構(gòu)參數(shù)。第3章 集成電路制造工藝（一）課程內(nèi)容3

12、.1硅平面工藝基本流程3.2氧化工藝3.3擴(kuò)散工藝3.4離子注入技術(shù)3.5光 刻工藝3.6制版工藝3.7外延工藝3.8金屬化工藝3.9引線封裝3.10隔離技術(shù) 3.11絕緣物上硅3.12 CMOS集成電路工藝流程主要知識(shí)點(diǎn)：平面工藝概念、分類(lèi)，每一類(lèi)工藝作用、應(yīng)用場(chǎng)合及特點(diǎn)，能力點(diǎn)： 設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單工藝流程及設(shè)備認(rèn)知。（二）教學(xué)要求（1）理解平面工藝的基本概念、基本工藝類(lèi)型，PN結(jié)隔離雙極IC工藝基本流程;（2）掌握SiO2薄膜在集成電路中的作用及SiO2生長(zhǎng)方法檢驗(yàn)方法；（3）擴(kuò)散原理及常用擴(kuò)散方法，了解擴(kuò)散層質(zhì)量檢測(cè)方法；（4）離子注入技術(shù)的特點(diǎn)及離子注入設(shè)備；(5)理解光刻工藝的特征尺寸概念、

13、光刻工藝過(guò)程，常用曝光技術(shù)、制版工藝過(guò)程;(6)理解外延生長(zhǎng)原理，拓寬了解外延新技術(shù)；(7) 了解金屬化、鍵合、封裝知識(shí)；(8)掌握雙極IC中的基本隔離技術(shù)：PN結(jié)隔離、介質(zhì)-PN結(jié)混合隔離、介質(zhì)隔 離、MOSIC的隔離、CMOS工藝流程等知識(shí)，了解SOI技術(shù)。(三)重點(diǎn)與難點(diǎn)重點(diǎn)：氧化、摻雜及光刻技術(shù)的原理理解。難點(diǎn)：工藝流程簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)及相應(yīng)設(shè)備認(rèn)知第4章集成電路設(shè)計(jì)(一)課程內(nèi)容4.1集成電路中的無(wú)源元件與互連線4.2雙極集成器件和電路設(shè)計(jì)4.3 MOS集成器件和電路設(shè)計(jì)4.4雙極和MOS集成電路比擬主要知識(shí)點(diǎn)：雙極和MOS典型單元結(jié)構(gòu)及其特點(diǎn)。能力點(diǎn)：比擬區(qū)分各類(lèi)單元電路結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點(diǎn)。(二)

14、教學(xué)要求(1)掌握電容器、電阻器模型，理解集成電路互連線對(duì)性能影響，學(xué)會(huì)對(duì)雙極晶體 管的寄生參數(shù)分析、比擬BJT的縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和橫向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)特性及優(yōu)缺點(diǎn)，初步了解 幅員設(shè)計(jì)原理及縮放原那么；了解硅柵CMOS器件中寄生電阻、寄生電容的概念；了解比擬微電子制造的三種工藝特點(diǎn)。(三)重點(diǎn)與難點(diǎn)重點(diǎn)：雙極和MOS典型單元結(jié)構(gòu)。難點(diǎn)：電路的幅員結(jié)構(gòu)識(shí)別。第5章微電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)(一)課程內(nèi)容5.1雙極數(shù)字電路單元電路設(shè)計(jì)5.2 MOS數(shù)字電路單元電路設(shè)計(jì)5.3半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器電路5.4專(zhuān)用集成電路（ASIC）設(shè)計(jì)方法主要知識(shí)點(diǎn)：雙極與MOS數(shù)字IC基本單元電路分類(lèi)及基本形式、存儲(chǔ)器及IC設(shè) 計(jì)方法，能力點(diǎn)：理

15、解大規(guī)模IC設(shè)計(jì)規(guī)那么與方法。（二）教學(xué)要求（1） 了解TTL電路、ECL電路、產(chǎn)匕電路的特點(diǎn)及應(yīng)用；（2）掌握NMOS電路、CMOS邏輯電路原理及分析（3） 了解隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、掩模編程ROM原理，學(xué)會(huì)對(duì)各類(lèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的比 較；（4）掌握專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)分類(lèi)，設(shè)計(jì)原那么，重點(diǎn)理解門(mén)陣列設(shè)計(jì)方法、可編 程邏輯器件設(shè)計(jì)方法。（三）重點(diǎn)與難點(diǎn)重點(diǎn)：存儲(chǔ)器分類(lèi)及原理。難點(diǎn)：SOC設(shè)計(jì)方法的理解。第6章 集成電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（一）課程內(nèi)容6.1計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)的基本概念6.2電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)描述6.3電路模擬6.4 計(jì)算機(jī)輔助幅員設(shè)計(jì)主要知識(shí)點(diǎn)：EDA概念及實(shí)現(xiàn)方法、流程、工具，能力點(diǎn)：利用軟件電路進(jìn)

16、行 簡(jiǎn)單電路模擬設(shè)計(jì)。（二）教學(xué)要求（1）了解計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）和設(shè)計(jì)自動(dòng)化（DA）方法及優(yōu)缺點(diǎn)，拓寬了解 集成電路正向CAD過(guò)程和集成電路的逆向設(shè)計(jì)方法；了解利用OrCAD/CaptureCIS軟件進(jìn)行電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的描述、電路圖繪制、 熟悉元器件符號(hào)庫(kù)和建庫(kù)模塊、元器件符號(hào)標(biāo)準(zhǔn)；了解PSpice軟件的基本電路特性分析功能，電路優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，幅員圖形設(shè) 計(jì)軟件L-EDIT,器件模擬及模擬數(shù)字電路CAD方法（三）重點(diǎn)與難點(diǎn)重點(diǎn)：EDA設(shè)計(jì)方法及一般流程。難點(diǎn)：利用軟件電路進(jìn)行簡(jiǎn)單電路模擬設(shè)計(jì)。第7章IC設(shè)計(jì)舉例與設(shè)計(jì)實(shí)踐（一）課程內(nèi)容7.1雙極模擬電路設(shè)計(jì)實(shí)例7.2 CMOS數(shù)字電路設(shè)計(jì)

17、實(shí)例主要知識(shí)點(diǎn)：舉例說(shuō)明典型雙極模擬電路和CMOS數(shù)字電路實(shí)際過(guò)程。能力點(diǎn)：比擬分析兩類(lèi)電路設(shè)計(jì)特點(diǎn)，電路仿真。（二）教學(xué)要求以H A741為例理解IC直流工作狀態(tài)分析及運(yùn)算放大器幅員設(shè)計(jì)。（三）重點(diǎn)與難點(diǎn)重點(diǎn)：另種工藝電路的設(shè)計(jì)過(guò)程。難點(diǎn)：理解參數(shù)設(shè)置與計(jì)算。三、學(xué)時(shí)分配及教學(xué)方法注：1.課程實(shí)踐學(xué)時(shí)按相關(guān)專(zhuān)業(yè)培養(yǎng)計(jì)劃列入表格；章（按序填寫(xiě)）教學(xué)形式及學(xué)時(shí)分配主要教學(xué)方法支撐的課程目標(biāo)課堂 教學(xué)實(shí)驗(yàn)上機(jī)課程 實(shí)踐小 計(jì)第1章2講授法+討論法1、 2、 3、 10第2章4講授法+討論法4、 11、 12、 13第3章6講授法+討論法5、 6、 13第4章4講授法+討論法7、14第5章4講授法+

18、討論法8、15第6章2講授法+討論法9、16第7章2講授法+討論法7、14合計(jì)242.主要教學(xué)方法包括講授法、討論法、演示法、研究型教學(xué)方法（基于問(wèn)題、工程、案例 等教學(xué)方法）等。五、課程考核注：1.分學(xué)期設(shè)置和考核的課程應(yīng)按學(xué)期分別填寫(xiě)上表?？己诵问娇己艘罂己藱?quán)重備注平時(shí)作業(yè)每章課后完成約47個(gè)習(xí)題， 主要考核學(xué)生對(duì)每章知識(shí)點(diǎn) 的復(fù)習(xí)、理解和掌握度5%取平均值階段測(cè)試（含出勤參與 度）授課過(guò)程中做23次課堂測(cè) 驗(yàn)，作為平時(shí)成績(jī)15%取平均值期末考試考試方式：閉卷。試卷題型包 括選擇題、名詞解釋、判斷簡(jiǎn) 單、計(jì)算題3大類(lèi)80%.考核形式主要包括課堂表現(xiàn)、平時(shí)作業(yè)、階段測(cè)試、期中考試、期末考試、大作業(yè)、小 論文、工程設(shè)計(jì)和作品等。.考核要求包括作業(yè)次數(shù)、考試方式（開(kāi)卷、閉卷）、工程設(shè)計(jì)要求等。.考核權(quán)重指該考核方式或途徑在總成績(jī)中所占比重。*本課程畢業(yè)要求達(dá)成度計(jì)算計(jì)算方法： 錯(cuò)誤！ 未找到引 用源。2 .評(píng)價(jià)值=目標(biāo)值（權(quán)重值）x課程支撐指標(biāo)點(diǎn)平均分課程支撐畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的總分六、參考書(shū)目及學(xué)習(xí)資料（書(shū)名，主編，出版社，出版時(shí)間及版次）1