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文檔簡介

在半導體物理中，化學勢 m 稱為。在感興趣的溫度范圍內，對半導體的導帶可以假定 e-mkBT，于是當 fe 1 時，上式近似于傳導電子軌道被占據的概率 導帶中電子的能量帶邊能量電子的有效質量1統(tǒng)計計算時的能量標度圖溫度 kBTkBT如果價帶頂附近的空穴的行為如同有效質量為 mh 的粒子，則空穴的態(tài)密度為價帶邊的能量4 價帶中空穴的濃度為平衡關系式上述推導過程沒有假定材料是本征的，該結果對存在雜質的情況同樣成立。唯一假設是費米能級離兩個帶邊的距離同 kBT 相比是大的不依賴于費米能級5 因為給定溫度下電子和空穴的濃度之乘積是一不依賴于雜質濃度的常數，因此引入少量適當的雜質而使 n 增大，那么必定會使 p 較小該結果在實踐中很重要：通過有控制地引入適當的雜質，可以減少非純晶體內的總載流子濃度 n+p。6 在本征半導體中，電子的數目等于空穴的數目。令下表 i 表示本征，則上兩式相等，并讓費米能級從價帶頂開始量度(Ev=0)，則費米能級位于帶隙中央指數依賴于78.3. 1 本征遷移率 遷移率是單位電場強度引起的帶電載流子漂移速度的大小電子和空穴的遷移率都定義為正的，記為 me 和 mh注意和化學勢的區(qū)別 電導率是電子和空穴的貢獻之和由電荷 q 的漂移

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