全產(chǎn)業(yè)鏈視角看半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備

1、行業(yè)深度研究驅(qū)動(dòng)因素、關(guān)鍵假設(shè)及主要預(yù)測(cè)驅(qū)動(dòng)因素：5G 及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、先進(jìn)制程升級(jí)等帶動(dòng)下游資本開(kāi)支擴(kuò)張；半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代。關(guān)鍵假設(shè)：未來(lái) 5-10 年，國(guó)內(nèi)有希望誕生一家收入規(guī)模 40 億元收入體量的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備龍頭；國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)企業(yè)技術(shù)持續(xù)突破，并獲得下游客戶的認(rèn)可。主要預(yù)測(cè)：精測(cè)電子具備國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備未來(lái)龍頭的潛力。我們與市場(chǎng)不同觀點(diǎn)市場(chǎng)認(rèn)為半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度緩慢，寡頭格局的局面很難打破，未來(lái)龍頭實(shí)現(xiàn) 10%-20%的份額較為困難。我們認(rèn)為，以中芯國(guó)際和長(zhǎng)江存儲(chǔ)為代表的國(guó)內(nèi)晶圓廠具有設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的需求和意愿，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備在產(chǎn)品上與海外龍頭逐漸縮小差距，基于性價(jià)比和

2、國(guó)產(chǎn)化的考慮，未來(lái)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備工廠將有能力占據(jù)一定的市場(chǎng)份額。市場(chǎng)認(rèn)為新冠疫情打亂了半導(dǎo)體晶圓廠下游資本開(kāi)支節(jié)奏。我們認(rèn)為，5G 及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)帶動(dòng)的下游應(yīng)用剛剛開(kāi)始，晶圓廠資本開(kāi)支端具備持續(xù)擴(kuò)張的潛力，疫情過(guò)后，行業(yè)景氣度有望延續(xù)。投資建議重點(diǎn)推薦精測(cè)電子；建議關(guān)注：華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技。催化劑國(guó)產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商進(jìn)入到長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中芯國(guó)際的設(shè)備采購(gòu)體系；行業(yè)新產(chǎn)品開(kāi)拓順利。主要風(fēng)險(xiǎn)因素半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度低于預(yù)期；新冠疫情對(duì)下游需求影響超預(yù)期； - 2 -行業(yè)深度研究?jī)?nèi)容目錄 HYPERLINK l _TOC_250016 一、檢測(cè)設(shè)備：芯片良率控制關(guān)鍵 6 HYPERLINK l _TOC_2

3、50015 半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備分前道量測(cè)設(shè)備和后道測(cè)試設(shè)備 6 HYPERLINK l _TOC_250014 半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備相比面板檢測(cè)設(shè)備技術(shù)門檻更高 9 HYPERLINK l _TOC_250013 全球超 800 億規(guī)模，寡頭壟斷格局 10 HYPERLINK l _TOC_250012 二、景氣追蹤：目前處于第 9 輪半導(dǎo)體設(shè)備的上行周期 13 HYPERLINK l _TOC_250011 終端需求：宏觀經(jīng)濟(jì)強(qiáng)相關(guān)，依賴半導(dǎo)體下游資本開(kāi)支 13 HYPERLINK l _TOC_250010 目前處于半導(dǎo)體設(shè)備的第 9 輪上行周期 ，短期受疫情沖擊 13 HYPERLINK l _T

4、OC_250009 下游資本性開(kāi)支擴(kuò)張確定，重點(diǎn)關(guān)注長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中芯國(guó)際 15 HYPERLINK l _TOC_250008 三、海外對(duì)標(biāo)：科磊半導(dǎo)體&愛(ài)德萬(wàn)&泰瑞達(dá) 18 HYPERLINK l _TOC_250007 科磊半導(dǎo)體：全球前道量測(cè)設(shè)備龍頭 18 HYPERLINK l _TOC_250006 愛(ài)德萬(wàn)：全球半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備巨頭 20 HYPERLINK l _TOC_250005 泰瑞達(dá)：僅次于愛(ài)德萬(wàn)的半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備企業(yè) 22 HYPERLINK l _TOC_250004 四、國(guó)產(chǎn)之光：精測(cè)電子具備國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備龍頭潛力 23 HYPERLINK l _TOC_250

5、003 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域有望誕生 300 億市值以上龍頭 23 HYPERLINK l _TOC_250002 苦練內(nèi)功+積極外延是龍頭崛起的發(fā)展路徑 24 HYPERLINK l _TOC_250001 財(cái)務(wù)比較：行業(yè)普遍盈利能力較強(qiáng) 28 HYPERLINK l _TOC_250000 五、風(fēng)險(xiǎn)提示 30圖表目錄圖表 1：半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備作用于集成電路全過(guò)程 6圖表 2：廣義上的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備 6圖表 3：半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備與半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備 6圖表 4：半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備與后道測(cè)試設(shè)備 7圖表 5：半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備核心技術(shù)指標(biāo) 8圖表 6：半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備核心技術(shù)指標(biāo) 8圖表

6、7：芯片良率與單位面積平均缺陷密度呈反比 9圖表 8：32nm 制程向 22nm 制程升級(jí)加大檢測(cè)難度 9圖表 9：半導(dǎo)體檢測(cè)與面板檢測(cè)設(shè)備比較 10圖表 10：全球半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模超 800 億元 11圖表 11：半導(dǎo)體前道檢測(cè)設(shè)備寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局 11圖表 12：全球測(cè)試機(jī)呈現(xiàn)寡頭壟斷 11圖表 13：分選機(jī)和探針臺(tái)的市場(chǎng)集中度較高 11圖表 14：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模 12圖表 15：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭D 13圖表 16：歷史上的 9 輪半導(dǎo)體周期 14圖表 17：歷史上的 9 輪半導(dǎo)體設(shè)備的周期 14 - 3 -行業(yè)深度研究圖表 18：全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開(kāi)支增速 15圖表 19：臺(tái)積

7、電 19Q4 資本開(kāi)支創(chuàng)歷史新高 15圖表 20：代表性的晶圓和封測(cè)廠資本開(kāi)支（億元） 16圖表 21：代表性晶圓廠和封測(cè)廠對(duì)應(yīng)檢測(cè)需求 40 億元 16圖表 22： 20162017 年存儲(chǔ)器價(jià)格明顯上行 16圖表 23：全球存儲(chǔ)廠資本開(kāi)支集中在 20172019 年 16圖表 24：主要晶圓廠資本性支出 17圖表 25：主要封測(cè)廠資本性支出恢復(fù)增長(zhǎng) 17圖表 26：半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率不升反降 17圖表 27：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的進(jìn)入門檻高 17圖表 28：科磊半導(dǎo)體股東結(jié)構(gòu) 19圖表 29：2018 年中國(guó)大陸向科磊半導(dǎo)體采購(gòu) 84 億元 19圖表 30：科磊半導(dǎo)體研發(fā)占比 15%20% 19

8、圖表 31：科磊半導(dǎo)體市占率穩(wěn)定在 60%左右 19圖表 32：科磊半導(dǎo)體利潤(rùn)規(guī)模超過(guò) 80 億元 19圖表 33：科磊毛利率長(zhǎng)期維持在 60%左右 19圖表 34：愛(ài)德萬(wàn)股東結(jié)構(gòu) 20圖表 35：愛(ài)德萬(wàn)集團(tuán)全球網(wǎng)絡(luò) 20圖表 36：愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試產(chǎn)品收入結(jié)構(gòu) 21圖表 37：愛(ài)德萬(wàn)銷售區(qū)域結(jié)構(gòu)（單位：億元） 21圖表 38：愛(ài)德萬(wàn)在全球后道測(cè)試設(shè)備市占率超過(guò) 40% 21圖表 39：愛(ài)德萬(wàn)研發(fā)占比 15%20% 21圖表 40：愛(ài)德萬(wàn)凈利潤(rùn)規(guī)模超過(guò) 30 22圖表 41：愛(ài)德萬(wàn)長(zhǎng)期毛利率接近 60% 22圖表 42：泰瑞達(dá)股東結(jié)構(gòu) 22圖表 43：泰瑞達(dá)中國(guó)大陸收入 36 億元 22圖表 44：

9、泰瑞達(dá)市場(chǎng)份額 30%左右 23圖表 45：泰瑞達(dá)研發(fā)占比 15%-20% 23圖表 46：泰瑞達(dá)凈利潤(rùn)規(guī)模 33 億元 23圖表 47：泰瑞達(dá)銷售毛利率長(zhǎng)期維持在 60%左右 23圖表 48：精測(cè)電子在國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域布局最完整 24圖表 49：科磊+愛(ài)德萬(wàn)+泰瑞達(dá)從中國(guó)大陸收入 150 億元 24圖表 50：國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備公司比較（單位：億元） 24圖表 51：上海精測(cè)半導(dǎo)體發(fā)展歷程 25圖表 52：上海精測(cè)半導(dǎo)體股權(quán)結(jié)構(gòu) 25圖表 53：上海精測(cè)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)布局 26圖表 54：上海精測(cè)半導(dǎo)體的核心產(chǎn)品 26圖表 55：上海睿勵(lì)發(fā)展歷程 27圖表 56：2019 年之前上海睿勵(lì)的

10、股權(quán)結(jié)構(gòu) 27 - 4 -行業(yè)深度研究圖表 57：WINTEST 發(fā)展歷程 27圖表 58：WINTEST 產(chǎn)品形態(tài) 27圖表 59：華峰測(cè)控高管陣容 28圖表 60：長(zhǎng)川科技高管陣容 28圖表 61：半導(dǎo)體檢測(cè)公司毛利率長(zhǎng)期較高 29圖表 62：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備公司凈利率較高 29圖表 63：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備公司人均創(chuàng)收差距較大 29圖表 64：長(zhǎng)川科技和華峰測(cè)控測(cè)試機(jī)單價(jià)不超過(guò) 50 萬(wàn)元 29圖表 65：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備公司存貨周轉(zhuǎn)天數(shù) 29圖表 66：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備公司應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)天數(shù) 29 - 5 -行業(yè)深度研究一、檢測(cè)設(shè)備：芯片良率控制關(guān)鍵半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備分前道量測(cè)設(shè)備和后道測(cè)試設(shè)備定義：

11、廣義上的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備，分為前道量測(cè)（又稱半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備）和后道測(cè)試（又稱半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備）。前道量檢測(cè)主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，屬于物理性的檢測(cè)；半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測(cè)。作為物理性檢測(cè)的前道量檢測(cè)設(shè)備，注重過(guò)程工藝監(jiān)控。根據(jù)功能的不同又分為兩種設(shè)備：一是量測(cè)類，二是缺陷檢測(cè)類。（1）量測(cè)類設(shè)備：主要用來(lái)測(cè)量透明薄膜厚度、不透明薄膜厚度、膜應(yīng)力、摻雜濃度、關(guān)鍵尺寸、套準(zhǔn)精度等指標(biāo)，對(duì)應(yīng)的設(shè)備需求分別為橢偏儀、四探針、原子力顯微鏡、

12、熱波系統(tǒng)、掃描電子顯微鏡和相干探測(cè)顯微鏡等。 （2）缺陷檢測(cè)類設(shè)備：主要用來(lái)檢測(cè)晶圓表面的缺陷，分為光學(xué)顯微鏡和掃描電子顯微鏡。作為電性能檢測(cè)的后道測(cè)試設(shè)備，注重產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)控。根據(jù)功能的不同又分為三種，一是測(cè)試機(jī)，二是分選機(jī)，三是探針臺(tái)。其中測(cè)試機(jī)根據(jù)測(cè)試產(chǎn)品不同，分為 Soc 測(cè)試機(jī)、存儲(chǔ)器測(cè)試機(jī)和其他測(cè)試機(jī)等。根據(jù)對(duì)象不同，后道測(cè)試又劃分為 CP（晶圓）測(cè)試和 FT（芯片）測(cè)試。本報(bào)告對(duì)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的定義為廣義上的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備。圖表 1：半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備作用于集成電路全過(guò)程 圖表 2：廣義上的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備來(lái)源：華峰測(cè)控招股書，國(guó)金證券研究所來(lái)源：國(guó)金證券研究所繪制前道量測(cè)設(shè)備與后道測(cè)試

13、設(shè)備具有本質(zhì)區(qū)別：（1）工作原理不同，量測(cè)設(shè)備為物理性的檢測(cè)，測(cè)試設(shè)備為電性能的檢測(cè)；（2）檢測(cè)環(huán)節(jié)不同，前道量測(cè)設(shè)備主要應(yīng)用于晶圓制造環(huán)節(jié)，后道測(cè)試設(shè)備主要應(yīng)用于芯片設(shè)計(jì)和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)；（3）檢測(cè)技術(shù)不同，量測(cè)設(shè)備主要用到光學(xué)和電子束檢測(cè)技術(shù)，測(cè)試設(shè)備主要用到電路測(cè)試技術(shù)；（4）檢測(cè)設(shè)備類型不同。圖表 3：半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備與半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備工作原理半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備檢測(cè)環(huán)節(jié)貫穿晶圓制造環(huán)節(jié)的每一步芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)；晶圓制造環(huán)節(jié)之后，封裝測(cè)試之內(nèi)檢測(cè)目的檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷檢查芯片的性能是否符合要求檢測(cè)性質(zhì)物理性檢測(cè)電

14、性能檢測(cè) - 6 -行業(yè)深度研究檢測(cè)分類量測(cè)、缺陷檢測(cè)晶圓測(cè)試（CP)和芯片測(cè)試（FT）；檢測(cè)項(xiàng)目膜厚；方塊電阻；膜應(yīng)力；折射率；摻雜濃度；無(wú)圖形表面缺陷；有圖形表面缺陷；關(guān)鍵尺寸；臺(tái)階覆蓋CP 測(cè)試：電參數(shù)、邏輯功能、數(shù)據(jù)通信；FT 測(cè)試：施加測(cè)試命令，采集輸出信號(hào)。檢測(cè)設(shè)備橢偏儀、四探針、原子力顯微鏡、熱波系統(tǒng)、掃描電子顯微鏡、相干探測(cè)顯微鏡分選機(jī)、測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)檢測(cè)技術(shù)光學(xué)檢測(cè)技術(shù)；電子束檢測(cè)技術(shù)接通電路，通過(guò)算法完成測(cè)試來(lái)源：國(guó)金證券研究所繪制根據(jù)工藝在封裝環(huán)節(jié)的前后順序，后道測(cè)試可以分為晶圓測(cè)試（CP）和芯片測(cè)試（FT）：（1）CP 測(cè)試需要搭配探針臺(tái)和測(cè)試臺(tái)，待測(cè)硅片被放置到真空托

15、盤上，軟件控制探針完成對(duì)準(zhǔn)和電路測(cè)試，不合格的芯片會(huì)被墨水標(biāo)注，在封裝前被剔除，確保合格的產(chǎn)品進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)；（2）FT 測(cè)試需要搭配測(cè)試機(jī)和分選機(jī)，分選機(jī)將封裝好的芯片傳送至測(cè)試工位，測(cè)試臺(tái)對(duì)集成電路實(shí)施測(cè)試命令，判斷芯片的功能有效性。測(cè)試結(jié)果將傳送給分選機(jī)，分選機(jī)據(jù)此進(jìn)行標(biāo)記、分類。圖表 4：半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備與后道測(cè)試設(shè)備設(shè)備類型檢測(cè)指標(biāo)/功能設(shè)備介紹設(shè)備圖片 半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備橢偏儀透明薄膜厚度主要是通過(guò)發(fā)射激光，在樣本中經(jīng)反射會(huì)產(chǎn)生橢圓，通過(guò)橢圓來(lái)計(jì)算薄膜厚度。四探針不透明薄膜厚度無(wú)法使用激光原理測(cè)量，根據(jù)薄膜厚度與兩端電阻之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過(guò)測(cè)量電阻率來(lái)計(jì)算薄膜厚度。掃描電子顯微鏡膜

16、應(yīng)力、關(guān)鍵尺寸、晶圓表面缺陷通過(guò)百萬(wàn)倍數(shù)的放大效果，檢測(cè)尺寸和表面缺陷，放大效果好于光學(xué)顯微鏡，但是檢測(cè)效率較慢。熱波系統(tǒng)摻雜濃度通過(guò)測(cè)量聚焦在硅片上同一點(diǎn)的兩束激光在硅片表面反射率的變化量來(lái)計(jì)算雜質(zhì)粒子的注入濃度。相干探測(cè)顯微鏡套準(zhǔn)精度利用相干光的干涉原理，將相干光的相位差轉(zhuǎn)換為光程差。光學(xué)顯微鏡晶圓表面缺陷利用光學(xué)的反射或散射來(lái)檢測(cè)晶圓表面缺陷。半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備分選機(jī)將芯片分選至測(cè)試機(jī)將輸入的芯片按照系統(tǒng)設(shè)計(jì)的取放方式運(yùn)輸?shù)綔y(cè)試模塊完成電路壓測(cè)。測(cè)試機(jī)電性能測(cè)試對(duì)待測(cè)芯片施加輸入信號(hào)，得到輸出信號(hào)與預(yù)期值進(jìn)行比較，判斷芯片的電性性能和產(chǎn)品性能的有效性。探針臺(tái)晶圓輸送與定位技術(shù)門檻在于系統(tǒng)

17、的精準(zhǔn)定位、微米級(jí)運(yùn)動(dòng)以及高準(zhǔn)確率通信等關(guān)鍵參數(shù)。來(lái)源：國(guó)金證券研究所繪制先進(jìn)制程升級(jí)要求半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)快速迭代提高制程控制良率，提高效率降低成本是客戶的重要訴求：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的核心功能是用來(lái)檢測(cè)晶圓制造和芯片成品的質(zhì)量，輔助降本、提高良率和增強(qiáng)客戶的訂單獲取能力。檢測(cè)設(shè)備自身不會(huì)改變晶圓或芯片的質(zhì)地，但是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的測(cè)試方法，可以在具有高測(cè)試覆蓋率的前提下，控制成本并降低在最終客戶那里的 DPPM（Defective Parts Per Million），減少退貨率。 - 7 -行業(yè)深度研究衡量半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備先進(jìn)性的主要指標(biāo)包括精度、速度、并測(cè)能力、自動(dòng)化程度、平臺(tái)延展性等指標(biāo)。從技術(shù)指標(biāo)來(lái)

18、看，國(guó)內(nèi)部分測(cè)試設(shè)備的產(chǎn)品已經(jīng)逐漸接近國(guó)際領(lǐng)先水平。以測(cè)試機(jī)為例，目前的技術(shù)差異主要集中測(cè)試功能模塊。圖表 5：半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備核心技術(shù)指標(biāo)序號(hào)核心技術(shù)指標(biāo)具體介紹1測(cè)試功能模塊功能模塊的測(cè)試覆蓋范圍越大，越具有先進(jìn)性；2測(cè)試精度測(cè)試電壓精確到微伏、測(cè)試電流精確到皮安、測(cè)試時(shí)間精確到百皮秒3響應(yīng)速度響應(yīng)/建立速度越快，測(cè)試效率越高，并行測(cè)試通道越多，越具有先進(jìn)性4應(yīng)用程度定制化應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)平臺(tái)越通用化，以便適應(yīng)不同產(chǎn)品的定制化測(cè)試需求，越具有先進(jìn)性5平臺(tái)延展性平臺(tái)越具有延展性，以便更有效地增加測(cè)試功能，提升通道數(shù)和工位數(shù)，越具有先進(jìn)性6測(cè)試數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、采集和分析對(duì)芯片的狀態(tài)、參數(shù)監(jiān)控、生產(chǎn)質(zhì)量

19、等數(shù)據(jù)越能更好地存儲(chǔ)、采集和分析，以促進(jìn)客戶進(jìn)一步優(yōu)化生產(chǎn)，越具有先進(jìn)性來(lái)源：華峰測(cè)控招股書，國(guó)金證券研究所圖表 6：半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備核心技術(shù)指標(biāo)核心技術(shù)指標(biāo)具體指標(biāo)華峰測(cè)控STS8200 系列華峰測(cè)控STS8250/8300泰瑞達(dá)ETS 系列長(zhǎng)川科技CTA 系列測(cè)試功能模塊高精度浮動(dòng)電壓表（+-）100v， 18bit/1Msps 和 12bit/10Msps 每通道（+-）100v, 18bit/1Msps 和 12bit/10Msps 每通道(+-)200v，16bit/200Ksps 和 12bit/10Msps 每通道未披露通用小功率浮動(dòng) V/I 源（+-）40v/(+-)1A（+

20、-）40v/(+-)1A（+-）30v/(+-)0.2A（+-）50v/(+-)1A通用中功率 V/I 源（+-）100V/（+-）10A（+-）100V/（+-）10A（+-）100V/（+-）12A（+-）50V/（+-）10A通用大功率 V/I 源無(wú)（+-）100V/（+-） 100A（+-）100V/（+-）100A未披露測(cè)試精度微小電容測(cè)試精度1pF1pF1pF1pF微小電流測(cè)試精度1nA1nA1nA未披露精密低失調(diào)運(yùn)算放大器失調(diào)電壓測(cè)試精度10uV10uV10uV未披露精密低失調(diào)運(yùn)算放大器失調(diào)電流測(cè)試精度10pA10pA10pA未披露響應(yīng)速度V/I 源穩(wěn)定時(shí)間100us100us1

21、00us應(yīng)用程度定制化軟件開(kāi)放性開(kāi)放架構(gòu)，支持C/C+語(yǔ)言編程，支持圖形化的菜單式編程開(kāi)放架構(gòu)，支持C/C+語(yǔ)言編程，支持圖形化的菜單式編程開(kāi)放架構(gòu)，支持C/C+語(yǔ)言編程，支持圖形化的菜單式編程開(kāi)放架構(gòu)，支持C/C+語(yǔ)言編程，支持圖形化的菜單式編程平臺(tái)延展性平臺(tái)化程度同一技術(shù)平臺(tái)，可測(cè)試模擬器件及分立器件同一技術(shù)平臺(tái)，可測(cè)試模擬器件、分立器件和混合器件ETS200/ETS300/ETS200T/ETS364/ETS88 不同的型號(hào)應(yīng)對(duì)不同的測(cè)試需求CTA8280F/CTA8200/CTA8290D/CTA3280 不同的測(cè)試需求測(cè)試數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、采集和分析測(cè)試數(shù)據(jù)存儲(chǔ)自動(dòng)保存測(cè)試數(shù) 據(jù)，數(shù)據(jù)格式支

22、持 ACCESS/EXCEL/CSV/STDF/TXT,并可定制專用數(shù)據(jù)格式自動(dòng)保存測(cè)試數(shù) 據(jù)，數(shù)據(jù)格式支持 ACCESS/EXCEL/CSV/STDF/TXT,并可定制專用數(shù)據(jù)格式自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)，支持多種數(shù)據(jù)格式自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)，支持多種數(shù)據(jù)格式測(cè)試數(shù)采集和分析自帶數(shù)據(jù)分析軟件工具，可進(jìn)行數(shù)據(jù)分析，統(tǒng)計(jì)，同時(shí)具有標(biāo)準(zhǔn)接口，可實(shí)現(xiàn)與第三方數(shù)據(jù)分析軟件對(duì)接自帶數(shù)據(jù)分析軟件工具，可進(jìn)行數(shù)據(jù)分析，統(tǒng)計(jì)，同時(shí)具有標(biāo)準(zhǔn)接口，可實(shí)現(xiàn)與第三方數(shù)據(jù)分析軟件對(duì)接未披露未披露 - 8 -行業(yè)深度研究來(lái)源：華峰測(cè)控招股書，國(guó)金證券研究所先進(jìn)制程升級(jí)對(duì)檢測(cè)設(shè)備各項(xiàng)指標(biāo)的要求大大提升。根據(jù)良率公式（Seeds，196

23、7 年），良率 Y 與單位面積平均檢測(cè)缺陷密度 Do 呈反比。隨著制程工藝的升級(jí)，單位晶圓面積的平均檢測(cè)缺陷密度將增加，從而導(dǎo)致良率下降，成本上升。這要求半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的精度和速度等指標(biāo)需要進(jìn)一步提升來(lái)進(jìn)行匹配。圖表 7：芯片良率與單位面積平均缺陷密度呈反比圖表 8：32nm 制程向 22nm 制程升級(jí)加大檢測(cè)難度來(lái)源：Seeds，國(guó)金證券研究所（Do：平均缺陷密度；A：晶圓面積）來(lái)源：IDF2012，國(guó)金證券研究所半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備相比面板檢測(cè)設(shè)備技術(shù)門檻更高半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備相比面板檢測(cè)設(shè)備：技術(shù)門檻更高，市場(chǎng)容量更大。1）市場(chǎng)容量差異較大：全球半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模超過(guò) 800 億元，是面板檢測(cè)

24、設(shè)備的 4 倍，面板檢測(cè)設(shè)備龍頭致茂電子收入規(guī)模 34 億元，而半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備龍頭收入超過(guò)百億元。競(jìng)爭(zhēng)格局差異較大：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局更趨于集中，面板檢測(cè)設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局更為分散。檢測(cè)對(duì)象標(biāo)準(zhǔn)化程度不一樣：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)對(duì)象為定制化芯片，面板檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)對(duì)象為相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化的顯示面板。不同場(chǎng)景、不同制程的芯片檢測(cè)基本是定制化的設(shè)備。因此，某一公司的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備產(chǎn)品即使在某一個(gè)領(lǐng)域做的很成熟，但是橫向擴(kuò)張存在天然的障礙。技術(shù)難度差異較大：面板的 Array 和 Cell 環(huán)節(jié)與半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備檢測(cè)原理相似，均采用光學(xué)和電學(xué)原理進(jìn)行物理性的檢測(cè)。但是同樣為光學(xué)檢測(cè)，半導(dǎo)體檢測(cè)的精密程度（半導(dǎo)體

25、檢測(cè)至少到納米級(jí)，面板檢測(cè)最高到微米級(jí)）、檢測(cè)維度（比如膜厚檢測(cè)設(shè)備要求對(duì)圖像三維立體有三維立體效果，而面板檢測(cè)要求二維平面圖像即可）等許多指標(biāo)要求更高，技術(shù)難度更大。 - 9 -行業(yè)深度研究圖表 9：半導(dǎo)體檢測(cè)與面板檢測(cè)設(shè)備比較面板檢測(cè)設(shè)備半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備分類Array 制程Cell 制程Module 制程前道量測(cè)設(shè)備后道測(cè)試設(shè)備原理主要是利用光學(xué)、電學(xué)原理對(duì)玻璃基板或偏光片進(jìn)行各種檢測(cè)主要是利用電學(xué)原理對(duì)面板進(jìn)行檢測(cè)主要是利用電訊技術(shù)對(duì)面板或模組進(jìn)行信號(hào)檢測(cè)利用光學(xué)和電學(xué)原理，檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷接通電路，通過(guò)算法完成測(cè)試，檢查芯片的

26、性能設(shè)備AOI 光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)；光學(xué)圖案檢測(cè)儀（PI）、OS Tset、CD 儀、宏觀微觀缺陷檢測(cè)儀（MM）宏觀檢查機(jī)、蒸汽機(jī)檢查機(jī)、G MURA 檢查機(jī)和 VI檢查機(jī)、Panel檢測(cè)、人工檢查偏光片 AOI 檢測(cè)、畫面點(diǎn)燈機(jī)外觀檢測(cè)及老化處理與檢測(cè)。橢偏儀、四探針、原子力顯微鏡、熱波系統(tǒng)、掃描電子顯微鏡、相干探測(cè)顯微鏡。分選機(jī)、測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)。市場(chǎng)規(guī)模140 億元40 億元20 億元460 億元380 億元市場(chǎng)參與者致茂電子奧寶科技致茂電子由田科技精測(cè)電子華興源創(chuàng)科磊半導(dǎo)體精測(cè)電子愛(ài)德萬(wàn)；泰瑞達(dá)精測(cè)電子市場(chǎng)規(guī)模占比7020105545技術(shù)門檻*來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所全球超 800 億規(guī)

27、模，寡頭壟斷格局根據(jù) SEMI 統(tǒng)計(jì)及我們的測(cè)算口徑，全球半導(dǎo)體檢測(cè)類設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模超 800 億，其中前道量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模 406 億元左右，后道測(cè)試設(shè)備 399 億元左右。半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)結(jié)構(gòu)特征包括（以下數(shù)據(jù)僅為我們粗略測(cè)算依據(jù)或假設(shè)，僅供參考）：半導(dǎo)體設(shè)備占整線投資的 80%左右；半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備占半導(dǎo)體專用設(shè)備 17%左右，其中前道量測(cè)設(shè)備占比 8.5%左右，后道測(cè)試設(shè)備占比 8.3%左右；前道量檢測(cè)設(shè)備中，其中測(cè)量設(shè)備占 34%左右，缺陷檢測(cè)設(shè)備占比 55%左右，過(guò)程控制軟件占 11%左右。后道測(cè)試設(shè)備中，測(cè)試機(jī)占 63%，分選機(jī)占 17%，探針臺(tái)占 15%。在測(cè)試機(jī)中，Soc 測(cè)試

28、機(jī)占 68%，存儲(chǔ)器測(cè)試機(jī)占 20%，其他占 13%。半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備呈現(xiàn)寡頭壟斷格局。前道檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域，科磊、應(yīng)用材料、日立合計(jì)占比 76%；在后道測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域，愛(ài)德萬(wàn)、泰瑞達(dá)兩家合計(jì)合計(jì)占有 80%的份額；在后道分選機(jī)設(shè)備領(lǐng)域，愛(ài)德萬(wàn)、泰普達(dá)、愛(ài)普生合計(jì)展有 60%的份額；在后道探針臺(tái)設(shè)備領(lǐng)域，東京精密和東京電子合計(jì)占有 80%的份額。半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備里，除了薄膜測(cè)量設(shè)備、宏觀缺陷檢查設(shè)備的龍頭份額低于 50%以外，其他細(xì)分設(shè)備領(lǐng)域的龍頭市場(chǎng)份額都在 50%以上。由此推斷，薄膜測(cè)量設(shè)備、宏觀缺陷檢查設(shè)備可能是比較容易突破的兩種前道量測(cè)設(shè)備類型。 - 10 -行業(yè)深度研究圖表 10：全球半導(dǎo)

29、體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模超 800 億元圖表 11：半導(dǎo)體前道檢測(cè)設(shè)備寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局700600645.3566.2561.4435.3399.3412.4369.3375365.2317.952.0958.0063.3541.537.7035.5027.2035.50330.1433.6034.6054.0046.6全球半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備超800億元半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局16%3%3%4%53%11%12%KLA（美國(guó)）應(yīng)用材料（美國(guó)）50040030020010002010年 2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年E全球半導(dǎo)體專用

30、設(shè)備（億美元） 全球半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備（億美元） 全球半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備（億美元）日立（日本）耐諾（美國(guó)）Hermes Microvision（臺(tái)灣）Nova（以色列） others來(lái)源：SEMI，WIND，國(guó)金證券研究所來(lái)源：SEMI，國(guó)金證券研究所圖表 12：全球測(cè)試機(jī)呈現(xiàn)寡頭壟斷圖表 13：分選機(jī)和探針臺(tái)的市場(chǎng)集中度較高全球測(cè)試機(jī)競(jìng)爭(zhēng)格局6%11%47%36%90%分選機(jī)和探針臺(tái)的市場(chǎng)份額集中度較高80%60%80%70%60%50%40%30%20%10%AdvantestTeradyneCohu其他0%探針臺(tái)：東京電子+東京精密分選機(jī)：愛(ài)德萬(wàn)、科休、艾普生來(lái)源：SEMI，國(guó)金證券研究

31、所來(lái)源：SEMI，國(guó)金證券研究所 - 11 -行業(yè)深度研究圖表 14：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模來(lái)源：SEMI，Gartner，國(guó)金證券研究所（備注：以上數(shù)據(jù)為粗略測(cè)算，僅供參考；單位：億元） - 12 -行業(yè)深度研究二、景氣追蹤：目前處于第 9 輪半導(dǎo)體設(shè)備的上行周期圖表 15：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭D終端需求：宏觀經(jīng)濟(jì)強(qiáng)相關(guān)，依賴半導(dǎo)體下游資本開(kāi)支半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備采購(gòu)需求直接取決于下游半導(dǎo)體廠商的資本開(kāi)支，而半導(dǎo)體廠商的資本開(kāi)支直接依賴下游終端需求。終端需求里邊，消費(fèi)電子占 14%、汽車電子占 12%、PC/平板電腦占 30%、通信及智能手機(jī)占 32%、工業(yè)占 14%。目前終端需求構(gòu)成里，大部分行業(yè)進(jìn)

32、入平緩增長(zhǎng)階段，打破行業(yè)增長(zhǎng)邊界的增長(zhǎng)點(diǎn)依賴于新的技術(shù)創(chuàng)新，技術(shù)創(chuàng)新帶動(dòng)下游產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)對(duì)芯片制程提出更高的要求，這些增長(zhǎng)點(diǎn)包括 5G 及其應(yīng)用場(chǎng)景、新能源汽車帶動(dòng)的電子化趨勢(shì)、可穿戴設(shè)備等。國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的采購(gòu)需求除了跟隨半導(dǎo)體資本開(kāi)支周期外，還有國(guó)產(chǎn)替代的邏輯。來(lái)源：SEMI，國(guó)金證券研究所（備注：以上數(shù)據(jù)為粗略測(cè)算，僅供參考）目前處于半導(dǎo)體設(shè)備的第 9 輪上行周期 ，短期受疫情沖擊19912019 年，全球半導(dǎo)體設(shè)備先后經(jīng)歷了 9 輪小周期，每一輪周期基本與全球經(jīng)濟(jì)的庫(kù)存周期保持同步，持續(xù)時(shí)間在 3.5 年左右。對(duì)每一輪周期的復(fù)盤見(jiàn)下圖。目前半導(dǎo)體設(shè)備正處于第 9 輪上行周期。高頻指標(biāo)顯

33、示，10 月份北美半導(dǎo)體設(shè)備商出貨額同比增速轉(zhuǎn)正，截止到 2020 年 2 月，北美半導(dǎo)體設(shè)備商出貨額同比增速 26。驅(qū)動(dòng)本輪半導(dǎo)體景氣向上周期的主要?jiǎng)恿?5G 及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)發(fā)展，中國(guó)對(duì)芯片自主可控需求。目前受到新冠疫情影響，全球經(jīng)濟(jì)陷入短期衰退的概率在增加，復(fù)盤歷史，雖然本輪上行周期持續(xù)的時(shí)間不到半年，可能復(fù)蘇周期的節(jié)奏被突然打亂，但只要待疫情可控經(jīng)濟(jì)企穩(wěn)，5G 商用加速的動(dòng)力將繼續(xù)支撐半導(dǎo)體景氣上行。 - 13 -行業(yè)深度研究圖表 16：歷史上的 9 輪半導(dǎo)體周期目前正處于1991年以來(lái)的第9輪半導(dǎo)體設(shè)備的上行周期3,000.003002502,500.002002,000.001501

34、,500.00100501,000.000500.00-501991/011991/081992/031992/101993/051993/121994/071995/021995/091996/041996/111997/061998/011998/081999/031999/102000/052000/122001/072002/022002/092003/042003/112004/062005/012005/082006/032006/102007/052007/122008/072009/022009/092010/042010/112011/062012/012012/082013

35、/032013/102014/052014/122015/072016/022016/092017/042017/112018/062019/012019/080.00-100北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商:出貨額:當(dāng)月值（百萬(wàn)美元）北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商:出貨額:當(dāng)月同比（%）來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所圖表 17：歷史上的 9 輪半導(dǎo)體設(shè)備的周期第一輪第二輪第三輪第四輪第五輪第六輪第七輪第八輪第九輪起點(diǎn)時(shí)間1991.011997.021998.092002.012005.082009.042012.112016.032019.10終結(jié)時(shí)間1997.021998.092002.012005.08200

36、9.042012.112016.032019.03現(xiàn)在持續(xù)時(shí)長(zhǎng)6.1 年1.6 年3.3 年3.6 年3.7 年3.6 年3.3 年3 年-Internet 開(kāi)個(gè)人計(jì)算新一輪通信全球經(jīng)濟(jì)逐消費(fèi)類（電美國(guó)經(jīng)濟(jì)開(kāi)全球經(jīng)濟(jì)復(fù)全球半導(dǎo)體5G 及物聯(lián)網(wǎng)始商用機(jī) 、 通技術(shù)革命加漸恢復(fù)/存貨視、數(shù)碼相始好轉(zhuǎn)；中蘇，特別是產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加技術(shù)發(fā)展 /（1991 年商信、 多媒體速/半導(dǎo)體設(shè)多已出清，機(jī)等）、計(jì)囯四萬(wàn)億投發(fā)展中國(guó)家劇，中國(guó)半中國(guó)國(guó)產(chǎn)芯業(yè)用戶首次市場(chǎng)的需求備（晶圓處PC 升級(jí)活動(dòng)算機(jī)類資帶動(dòng)全球經(jīng)濟(jì)快速增導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)片自主可控超過(guò)了學(xué)術(shù)以及 0 .35m理設(shè)備、測(cè)增加，數(shù)碼（PC、筆記經(jīng)濟(jì)加快復(fù)長(zhǎng)，為半導(dǎo)

37、（中國(guó)制造需求界用戶）以下前沿技試設(shè)備、組相機(jī)、平板本電腦、顯蘇體行業(yè)的加2025）自主術(shù)器件生產(chǎn)裝和封裝設(shè)電腦、DVD示器等）以速?gòu)?fù)蘇帶來(lái)可控力量正的需求備）投資高錄音機(jī)以及及網(wǎng)絡(luò)通信活力/消費(fèi)電在崛起/下游驅(qū)動(dòng)因素峰汽車電子應(yīng)用需求旺類產(chǎn)品快速發(fā)展子產(chǎn)品（智能終端、電智能化消費(fèi)電子產(chǎn)品需盛，庫(kù)存較視于計(jì)算求突起/智能低，芯片市等）需求增網(wǎng)聯(lián)汽車迅場(chǎng)需求驟增/加/特別是智速發(fā)展，對(duì)中國(guó)經(jīng)濟(jì)持能大屏手機(jī)智能汽車系續(xù)保持高速推動(dòng)硅片需列的芯片需發(fā)展/美國(guó)經(jīng)求增加求提高濟(jì)渡過(guò)復(fù)蘇期產(chǎn)能過(guò)剩亞洲金融互聯(lián)網(wǎng)泡沫伊拉克戰(zhàn)爭(zhēng)全球金融歐債危機(jī)經(jīng)濟(jì)形勢(shì)走智能手機(jī)市新冠疫情危機(jī)破裂，全球不確定性導(dǎo)危機(jī)軟，DRA

38、M 市場(chǎng)逐漸飽和沖擊通信資本開(kāi)致全球市場(chǎng)場(chǎng)供過(guò)于求支下滑疲軟、全球投資萎縮；終結(jié)因素芯片產(chǎn)能過(guò)剩，投資縮小/傳統(tǒng)整機(jī)市場(chǎng)需求疲軟 - 14 -行業(yè)深度研究來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所下游資本性開(kāi)支擴(kuò)張確定，重點(diǎn)關(guān)注長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中芯國(guó)際半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備采購(gòu)需求依賴于下游客戶資本性支出。2020 年臺(tái)積電資本性支出或再創(chuàng)歷史新高。臺(tái)積電作為全球最大的晶圓代工制造廠，其每年的資本開(kāi)支力度是行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。2019 年，臺(tái)積電資本性開(kāi)支投入 1072 億元，創(chuàng)歷史新高，同比增長(zhǎng) 49，預(yù)計(jì) 2020 年資本性支出將達(dá)到 1120 億元，同比增長(zhǎng) 4.4，繼續(xù)創(chuàng)歷史新高。臺(tái)積電巨額資本預(yù)算主要用于擴(kuò)增先進(jìn)工

39、藝產(chǎn)線，除了滿載的 7nm 工藝生產(chǎn)線之外，2020 年還將提升 6nm 及 5nm 工藝產(chǎn)能。近些年來(lái)，臺(tái)積電先后從泰瑞達(dá)、科磊半導(dǎo)體、應(yīng)用材料、ASML 等公司訂購(gòu)超過(guò)百億新臺(tái)幣的設(shè)備。其中 2019 年先后向 ASML 和應(yīng)用材料等公司訂購(gòu)價(jià)值 152.79 億新臺(tái)幣（約 35.82 億元人民幣）和 56.68 億新臺(tái)幣（約 13.29 億人民幣）的設(shè)備。臺(tái)積電測(cè)試設(shè)備的供應(yīng)商主要來(lái)自于國(guó)外龍頭企業(yè)，國(guó)內(nèi)供應(yīng)商比例較低。隨先進(jìn)制程的線寬越來(lái)越細(xì)，避免光刻膠產(chǎn)生晶圓報(bào)廢事件再次發(fā)生給公司帶來(lái)利潤(rùn)損失，臺(tái)積電專門成立了 200 人規(guī)模的品質(zhì)管理檢測(cè)單位，在臺(tái)積電 2020 年二季度實(shí)現(xiàn)全球首

40、條量產(chǎn) 5nm 制程的目標(biāo)推動(dòng)下，預(yù)計(jì)未來(lái)對(duì)測(cè)試設(shè)備的需求將會(huì)有所增加。能否進(jìn)入以臺(tái)積電為代表的國(guó)際主流晶圓廠供應(yīng)商體系決定了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備長(zhǎng)期空間。圖表 18：全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開(kāi)支增速圖表 19：臺(tái)積電 19Q4 資本開(kāi)支創(chuàng)歷史新高20%107%00% 88%85%76%80%59%60% 46%52%45%36%41%40%23% 23%3%5%25%14%14%20%20%8%19%1% 7%11%4%0%20%40%-10%-18%-11%-25%-12%-6% -1%-24%-29%-37%60%-30%-40%全球半導(dǎo)體行業(yè)資本支出增速11臺(tái)積電資本性開(kāi)支19Q4達(dá)到歷史新高

41、（單位：億元）45040035030025020015010050039657-2010Q12010Q32011Q12011Q32012Q12012Q32013Q12013Q32014Q12014Q32015Q12015Q32016Q12016Q32017Q12017Q32018Q12018Q32019Q12019Q3-來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所我們將國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備廠的主要客戶群做了統(tǒng)計(jì)，華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技、精測(cè)電子目前的客戶群主要為中芯國(guó)際、士蘭微、華虹半導(dǎo)體、長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技、華潤(rùn)微電子、日月光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等。除長(zhǎng)江存儲(chǔ)外，其余都有連續(xù)披

42、露的資本性開(kāi)支數(shù)據(jù)。2018 年，8 家公司每年半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備需求采購(gòu)總規(guī)模在 4050 億元。我們根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備占總支出 80和半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備占總設(shè)備比重 17測(cè)算， 2018 年 8 家晶圓和封測(cè)廠商對(duì)應(yīng)每年的檢測(cè)設(shè)備需求分別為：中芯國(guó)際（17 億）、士蘭微（1.36 億元）、華虹半導(dǎo)體（2.1 億元）、長(zhǎng)電科技（5.9 億元）、通富微電（3.0 億元）、華天科技（2.2 億元）、華潤(rùn)微電子（0.7 億元）、日月光（7.3 億元）。（長(zhǎng)江存儲(chǔ)未披露公開(kāi)數(shù)據(jù)）。 - 15 -行業(yè)深度研究圖表 20：代表性的晶圓和封測(cè)廠資本開(kāi)支（億元）圖表 21：代表性晶圓廠和封測(cè)廠對(duì)應(yīng)檢測(cè)需求 40 億元4

43、343代表性的晶圓和封測(cè)廠商資本開(kāi)支（單位：億元）代表性晶圓廠和封測(cè)廠對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備需求（單位：億元）400350300250200150100500166211301147124361845977605854541261521974824822011年2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年日月光 士蘭微 華虹半導(dǎo)體 中芯國(guó)際 長(zhǎng)電科技 通富微電 華天科技 華潤(rùn)微電子60yoy4942402219211728504030201002011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年80%60%40%20%0%-20

44、%-40%來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所存儲(chǔ)器是驅(qū)動(dòng) 20172019 年行業(yè)資本開(kāi)支的主要?jiǎng)恿Α?016H22017 年， DRAM 和 NAND 供不應(yīng)求，出現(xiàn)大幅漲價(jià)，刺激了存儲(chǔ)器廠商的資本開(kāi)支，產(chǎn)能投放集中在 20172019 年。進(jìn)入 2020 年，隨著部分新增存儲(chǔ)器產(chǎn)能的投放，DRAM 和 NAND 價(jià)格回落到 2016 年水平。但是進(jìn)入到 2019 年隨著 5G 及其物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，各大存儲(chǔ)器廠商加大對(duì) 3D NAND 堆疊技術(shù)的投入，繼續(xù)引領(lǐng)資本開(kāi)支增長(zhǎng)。三星：存儲(chǔ)器行業(yè)風(fēng)向標(biāo)。2018 年三星在 NAND Flash 閃存上的資本支出為 64

45、億美元，2019 年提高至 90 億美元，同比增長(zhǎng) 40%。紫光集團(tuán)：預(yù)計(jì)紫光集團(tuán)在 20182027 年期間，或至少投資 1000 億美元，相當(dāng)于平均每年年均 100 億美元投入。（1）紫光重慶 DRAM 存儲(chǔ)芯片制造工廠專注于 12 英寸 DRAM 存儲(chǔ)芯片的制造，該工廠計(jì)劃于 2019 年底開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì) 2021 年建成投產(chǎn)；（2）長(zhǎng)江存儲(chǔ)-武漢存儲(chǔ)基地，計(jì)劃 5 年累計(jì)投資 240 億美元，到 2030 年形成月產(chǎn)能 30萬(wàn)片芯片的生產(chǎn)規(guī)模。一期項(xiàng)目已經(jīng)于 2019 年 3 月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，主要生產(chǎn) 3D NAND 32 層產(chǎn)品。我們預(yù)計(jì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢工廠若如期實(shí)施，對(duì)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的需求

46、有望保持年均 44 億元的規(guī)模。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)： 2017 年 5 月，計(jì)劃總投資 72 億美元，興建 12 吋晶圓廠以發(fā)展 DRAM 產(chǎn)品，項(xiàng)目建設(shè)三期工程。目前建設(shè)的是一期工程 12 英寸晶圓廠，投資 25 億美元，月產(chǎn)能為 12.5 萬(wàn)片晶圓，2019 年四季度正式量產(chǎn)。二期和三期項(xiàng)目擇機(jī)啟動(dòng)，我們判斷將帶動(dòng)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備需求 6 億元左右。圖表 22： 20162017 年存儲(chǔ)器價(jià)格明顯上行圖表 23：全球存儲(chǔ)廠資本開(kāi)支集中在 20172019 年20162017年存儲(chǔ)器價(jià)格明顯上行76543210120010008006004002000存儲(chǔ)器資本開(kāi)支主要集中在20172019年10599

47、5697866165267855328323750 9780116114109901442721612231922013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年E2013/05/29 2014/05/29 2015/05/29 2016/05/29 2017/05/29 2018/05/29 2019/05/29現(xiàn)貨平均價(jià):NAND Flash:64Gb 8Gx8 MLC（美元）現(xiàn)貨平均價(jià):DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz（美元）全球晶圓廠資本開(kāi)支（單位：億美元） DRAM資本開(kāi)支（單位：億美元） Flash資本開(kāi)支（單位：億美元）來(lái)源：WIND，

48、國(guó)金證券研究所來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所 - 16 -行業(yè)深度研究中芯國(guó)際：2019 年中芯國(guó)際資本開(kāi)支 131 億元，同比增長(zhǎng) 4%。2020 年計(jì)劃投入 217 億元，同比增長(zhǎng) 66%，其中 20 億美元用于上海 300mm fab，5億美元用于北京的 300mm fab 的設(shè)備和設(shè)施建設(shè)。中芯國(guó)際的資本開(kāi)支主要投向 14nm 以及改進(jìn)型的 12nm 工藝生產(chǎn)，加快 N+1、N+2 代工藝試產(chǎn)的進(jìn)程。2019 年 14nm 工藝開(kāi)始為公司貢獻(xiàn)收入，收入占比 1%。預(yù)計(jì) 2020 年采購(gòu)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備 30 億元左右。長(zhǎng)電科技：2020 年計(jì)劃資本開(kāi)支 30 億元。圖表 24：主要晶圓廠

49、資本性支出圖表 25：主要封測(cè)廠資本性支出恢復(fù)增長(zhǎng)1,2001,000800600400200主要晶圓廠資本開(kāi)支（單位：億元）主要封測(cè)廠資本性開(kāi)支（單位：億元）48434324221617181611111213916156 43 357 616050403020101,072713738652587527571517443197152626430247825 4312129126161316402011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年02011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018

50、年臺(tái)積電華虹半導(dǎo)體中芯國(guó)際長(zhǎng)電科技通富微電華天科技來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的進(jìn)入門檻較高，強(qiáng)者越強(qiáng)屬性突出。半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的門檻體現(xiàn)在技術(shù)門檻、人才壁壘、客戶資源壁壘、資金壁壘和產(chǎn)業(yè)協(xié)同壁壘。半導(dǎo)體設(shè)備整體的國(guó)產(chǎn)化率不升反降。半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率目前在 10%左右，較 2013 年有所下滑，我們判斷這是由于半導(dǎo)體設(shè)備層面國(guó)產(chǎn)化的速度低于下游資本開(kāi)支的速度。圖表 26：半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率不升反降圖表 27：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的進(jìn)入門檻高1009080706050403020100國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備（億元）半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率61.3257.6149.7444

51、.5939.7735.00 30.6794.972010年2011年2012年2013年2014年2015年2016年2017年2018年30%門檻具體描述技術(shù)1）并行測(cè)試數(shù)量和測(cè)試速度要求提升；2）對(duì)測(cè)試機(jī)的功能模塊需求增加；3）測(cè)試精度要求提升；4）要求使用通用化軟件開(kāi)發(fā)平臺(tái)；5）數(shù)據(jù)分析要求提升人才成熟的銷售和技術(shù)人員培養(yǎng)時(shí)間較長(zhǎng)，需要長(zhǎng)期實(shí)踐和資深技術(shù)人員“傳、幫、帶”；客戶客戶對(duì)穩(wěn)定供應(yīng)商的替換意愿低、認(rèn)證周期長(zhǎng)；資金技術(shù)變化快，產(chǎn)品類型多，定制性特征，需要持續(xù)的資金研發(fā)保證技術(shù)的領(lǐng)先性產(chǎn)業(yè)協(xié)同F(xiàn)abless 模式下，頭部的設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試巨頭通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同構(gòu)筑行業(yè)壁壘，保障

52、設(shè)備的一致性和可靠性；25%20%15%10%5%0%來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化有零星出貨。國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備主要參與者為精測(cè)電子和上海睿勵(lì)。精測(cè)電子：2020 年 1 月份，上海精測(cè)中標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3 臺(tái)膜厚光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測(cè)儀；電子顯微鏡產(chǎn)品正在研發(fā)階段；上海睿勵(lì)：成立于 2005 年 6 月，專注集成電路工藝檢測(cè)設(shè)備已耕耘 14 余年。目前擁有的主要產(chǎn)品包括光學(xué)檢測(cè)設(shè)備、硅片厚度及翹曲測(cè)量設(shè)備及子公司宏觀缺陷檢測(cè)設(shè)備等。上海睿勵(lì)自主研發(fā)的 12 英寸光學(xué)測(cè)量設(shè)備 TFX3000 系列產(chǎn)品，已應(yīng)用在 28 納米芯片生產(chǎn)線并在進(jìn)行 14納

53、米工藝驗(yàn)證，在 3D 存儲(chǔ)芯片上達(dá)到 64 層的檢測(cè)能力。產(chǎn)品目前已成 - 17 -行業(yè)深度研究功進(jìn)入世界領(lǐng)先芯片客戶 （三星）3D 閃存芯片生產(chǎn)線，并取得 7 臺(tái)次重復(fù)訂單。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化程度相對(duì)較高。華峰測(cè)控和長(zhǎng)川科技在測(cè)試機(jī)和分選機(jī)領(lǐng)域取得不錯(cuò)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展，精測(cè)電子后來(lái)居上。華峰測(cè)控：2018 年收入 2.19 億元，以測(cè)試系統(tǒng)為主，主要客戶包括長(zhǎng)電科技、通富微電子、承歐科技、杰群 dianzi 和天水華天電子集團(tuán)；長(zhǎng)川科技：2018 年總收入 2.16 億元，其中分選機(jī) 1.18 億元，測(cè)試機(jī)0.86 億元，主要客戶面向長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電、士蘭微、華潤(rùn)微電子、日月光等；

54、精測(cè)電子：2019 年 12 月份，中標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)芯片測(cè)試設(shè)備（5 臺(tái)高溫老化測(cè)試機(jī)），執(zhí)行主體是武漢精鴻；2020 年 3 月份，Wintest LCD驅(qū)動(dòng)芯片檢測(cè)設(shè)備獲臺(tái)灣客戶訂單。三、海外對(duì)標(biāo)：科磊半導(dǎo)體&愛(ài)德萬(wàn)&泰瑞達(dá)科磊半導(dǎo)體：全球前道量測(cè)設(shè)備龍頭發(fā)展歷程：每年投入 15%20%的收入用于研發(fā)科磊半導(dǎo)體，1976 年成立于美國(guó)硅谷，1997 年由 KLA Instruments與 Tencor Instruments 合并而成，是全球最大的半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備供應(yīng)商。2018 年公司收入 314 億元人民幣，最早依靠掩膜檢測(cè)業(yè)務(wù)起家，每年拿出其營(yíng)業(yè)額的 15%20%用于研發(fā)，成立以來(lái)

55、先后外延收購(gòu)了 10 余家半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域的公司，對(duì)半導(dǎo)體前道檢測(cè)業(yè)務(wù)全面完成布局。2015 年10 月 21 日，科林研發(fā)公司宣布將斥資 106 億美元，以現(xiàn)金加股票的方式收購(gòu)科磊半導(dǎo)體。科磊半導(dǎo)體與臺(tái)積電均為美系資本控制，兩者深度綁定。公司前四大股東分別為美國(guó)先鋒集團(tuán)、黑石集團(tuán)、PRIMECAP 管理公司、威靈頓管理公司，合計(jì)持有 31.63%股權(quán)。而臺(tái)積電的前十大股東基本為花旗、摩根、大通等美系資本。美系資本出于扶持本國(guó)設(shè)備廠發(fā)展，遵循訂單優(yōu)先原則?？铺彀雽?dǎo)體長(zhǎng)期壟斷半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備 50%60%的市場(chǎng)份額。 業(yè)務(wù)梳理：2018 年中國(guó)大陸向科磊半導(dǎo)體采購(gòu) 84 億元（1）設(shè)備+服務(wù)

56、是檢測(cè)企業(yè)的發(fā)展路徑?？评诎雽?dǎo)體，按照主營(yíng)業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品和服務(wù)收入分別占比 75% 和 25%；單看產(chǎn)品結(jié)構(gòu)里邊， 23%來(lái)自度量業(yè)務(wù)，77%來(lái)自缺陷檢測(cè)業(yè)務(wù)。（2）2018 年中國(guó)大陸向科磊半導(dǎo)體采購(gòu)了 84 億元設(shè)備+服務(wù)。根據(jù)區(qū)域結(jié)構(gòu)看，中國(guó)大陸和中國(guó)臺(tái)灣合計(jì)收入占比 50%（其中兩者各占一半），北美、日本和韓國(guó)各占 12%左右。中國(guó)大陸向科磊半導(dǎo)體采購(gòu) 84 億元設(shè)備，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備廠商國(guó)產(chǎn)化最直接的替代空間。 - 18 -行業(yè)深度研究圖表 28：科磊半導(dǎo)體股東結(jié)構(gòu)圖表 29：2018 年中國(guó)大陸向科磊半導(dǎo)體采購(gòu) 84 億元11.77%8.03%6.56%5.27%68%20

57、18年銷售額區(qū)域分布（單位：億元）217684414040美國(guó)先鋒集團(tuán)黑石集團(tuán)PRIMECAP管理公司威靈頓管理公司其他中國(guó)臺(tái)灣北美日本韓國(guó)中國(guó)大陸歐洲和以色列來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所圖表 30：科磊半導(dǎo)體研發(fā)占比 15%20%圖表 31：科磊半導(dǎo)體市占率穩(wěn)定在 60%左右科磊半導(dǎo)體每年15%20%營(yíng)業(yè)額用于研發(fā)4940313333362828293032 32302522256050403020100研發(fā)支出（億元）研發(fā)費(fèi)用占比30%25%20%15%10%5%0%250200150100500科天半導(dǎo)體市占率穩(wěn)定在60%左右233209183169164

58、1391411491302010年 2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年科天半導(dǎo)體設(shè)備收入（單位：億元）市占率80%70%60%50%40%30%20%10%0%來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所財(cái)務(wù)指標(biāo)：年利潤(rùn)規(guī)模超過(guò) 80 億元，毛利率穩(wěn)定在 60%科磊半導(dǎo)體總收入規(guī)模超過(guò) 300 億元，凈利潤(rùn)規(guī)模超過(guò) 80 億元，毛利率長(zhǎng)期穩(wěn)定在 60%，凈利率長(zhǎng)期穩(wěn)定在 25%左右。截至到 3 月 31 日，科磊半導(dǎo)體 PE（TTM）為 21 倍，市值規(guī)模1660 億元。圖表 32：科磊半導(dǎo)體利潤(rùn)規(guī)模超過(guò) 80 億元圖

59、表 33：科磊毛利率長(zhǎng)期維持在 60%左右314267236208173 166173205 201204176 180 172198104 12481394051304847635351251434 3622-36350300250200150100500-50收入（單位：億元）凈利潤(rùn)（單位：億元）-100科磊半導(dǎo)體年利潤(rùn)規(guī)模超過(guò)80億元806057.654020020-40科磊毛利率長(zhǎng)期維持60%銷售毛利率(%)銷售凈利率(%)來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所來(lái)源：WIND，國(guó)金證券研究所 - 19 -行業(yè)深度研究愛(ài)德萬(wàn)：全球半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備巨頭 發(fā)展歷程：每年研發(fā)占比 15%20%愛(ài)德萬(wàn)

60、，1954 年成立于日本東京，公司以電子測(cè)量?jī)x器業(yè)務(wù)起家，經(jīng)過(guò) 60 多年的發(fā)展，目前已成為全球最大的集成電路自動(dòng)測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商之一。公司產(chǎn)品覆蓋存儲(chǔ)器、SoC 芯片、LCD 芯片、 MCU 以及傳感器 IC 等幾乎所有芯片的測(cè)試。公司在全球半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備的市占率超過(guò) 40%。愛(ài)德萬(wàn)主要股東方均為日系資本。富士通、野村證券、三菱銀行、三井住友銀行等前六大股份持有公司 51%的股權(quán)。圖表 34：愛(ài)德萬(wàn)股東結(jié)構(gòu)圖表 35：愛(ài)德萬(wàn)集團(tuán)全球網(wǎng)絡(luò)11.54%10.02%48.50%9.57%8.56%5.83%5.98%愛(ài)德萬(wàn)股東結(jié)構(gòu)富士通 野村證券 三菱銀行 三井住友銀行 瑞穗證券 吉福德 其他來(lái)