微機(jī)答案習(xí)題課

1、杭州電子科技大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院2009年12月31日四微機(jī)原理與接術(shù)第五章作業(yè)習(xí)題課采用DRAM組成。2009年12月31日四P2371.答：靜態(tài)RAM速度非常快，只要電源存在內(nèi)容就不會(huì)自 動(dòng)。它的基本電路為6個(gè)MOS管組成1位，因此集成度相對(duì)較低，功耗也較大。一般，高速緩沖器用它組成。DRAM的內(nèi)容在10-3或10-6秒之后自動(dòng)，因此必須周期性的在內(nèi)容 之前進(jìn)行刷新。由于它的基本 電路由一個(gè)晶體管及一個(gè)電容組成，因此它的集成度高，成本較低，另外 耗電也少，但它需要一個(gè)額外的刷新電路。DRAM運(yùn)行速度較慢，SRAM比DRAM要快25倍，一般，PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn) 器都2009年12月31日四P2372.答

2、：掩膜型ROM中信息是廠家根據(jù)用戶給定的程序或數(shù) 據(jù)，對(duì)圖形掩膜進(jìn)行兩次光刻而寫(xiě)入的，用戶對(duì)這類無(wú)法進(jìn)行任何修改。PROM出廠時(shí)，里面沒(méi)有信息，用戶采用一些設(shè)備可以將內(nèi)容寫(xiě)入PROM，一旦寫(xiě)入，就不能再改變了，即只允許編程一次。EPROM可編程 程序，且在程序 后可通過(guò)紫外光照擦除，以便重新 新數(shù)據(jù)。EEPROM可編程程序，并可利用電壓來(lái)擦除內(nèi)容，以重新編程新數(shù)據(jù)。2009年12月31日四7.答：由于所用的為10241位，10248位（即1K8位）的器需要8片，因此組成16K8位的存 儲(chǔ)器需要168片。片內(nèi)有1024個(gè)單元，需要10根地址線。16組（每組8片）器需要16根片選信號(hào)，至少需要4根

3、 地址線經(jīng)譯輸出。示意圖如下頁(yè)。CSCSCSCSCSCSCSCSY15.2009年12月31日四D7D6D5D4D3D2D1D0CSCSCSCSCSCSCSCSY0CSCSCSCSCSCSCSCSY113.圖如下A13A1A13A1RDA0 RDM/IOA19A1818A17A16A15BHED15D8DD158AD D14D7D070A13A1A12A0A13A1AA1203#4#WRWE 62646264Y2CE1CE2Y3CE1CE2A0CE2A0CE22009年12月31日BHE2日四WRG1Y0G2AY1 GY2 2BYC3 BAD15D8D7D0 A12A0OE2#2764CECEDD158D7D0 A12A0OE1#2764CECE2009年12月31日四13.CBAA19A18A17A16A15A14A13A0100000Y0有效8000083H10