FLASH 芯片種類與區(qū)別

1、Flash芯片的種類與區(qū)別一、IICEEPROMIICEEPROM,采用的是IIC通信協議。IIC通信協議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數據線(SDA)，一條串行時鐘線(SCL)；串行半雙工通信模式的8位雙向數據傳輸，位速率標準模式下可達100Kbit/s；一種電可擦除可編程只讀存儲器，掉電后數據不丟失，由于芯片能夠支持單字節(jié)擦寫，且支持擦除的次數非常之多，一個地址位可重復擦寫的理論值為100萬次，常用芯片型號有AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常見的封裝多為DIP8,SOP8，TSSOP8等；二、SPINorFlashSPINorFlash，采用的是SPI通信協

2、議。有4線(時鐘，兩個數據線，片選線)或者3線(時鐘，兩個數據線)通信接口，由于它有兩個數據線能實現全雙工通信，因此比IIC通信協議的IICEEPROM的讀寫速度上要快很多。SPINorFlash具有NOR技術FlashMemory的特點，即程序和數據可存放在同一芯片上，擁有獨立的數據總線和地址總線，能快速隨機讀取，允許系統直接從Flash中讀取代碼執(zhí)行；可以單字節(jié)或單字編程，但不能單字節(jié)擦除，必須以Sector為單位或對整片執(zhí)行擦除操作，在對存儲器進行重新編程之前需要對Sector或整片進行預編程和擦除操作。NorFlash在擦寫次數上遠遠達不到IICEEPROM，并且由于NOR技術Flas

3、hMemory的擦除和編程速度較慢，塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費的時間會很長；但SPINorFlash接口簡單，使用的引腳少，易于連接，操作方便，并且可以在芯片上直接運行代碼，其穩(wěn)定性出色，傳輸速率高，在小容量時具有很高的性價比，這使其很適合應于嵌入式系統中作為FLASHROM，所以在市場的占用率非常高。常見到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型號都是SPINorFlash，其常見的封裝多為SOP8，SOP16，WSON8，US0N8，QFN8、BGA24等。三、ParallelNorFalsh(CFIFlash)ParallelNorFalsh，也叫做并行Nor

4、Flash，采用的Parallel接口通信協議。擁有獨立的數據線和地址總線，它同樣繼承了NOR技術FlashMemory的所有特點；由于采用了Parallel接口，ParallelNorFalsh相對于SPINorFlash,支持的容量更大，讀寫的速度更快，但是由于占用的地址線和數據線太多，在電路電子設計上會占用很多資源。ParallelNorFalsh讀寫時序類似于SRAM，只是寫的次數較少，速度也慢，由于其讀時序類似于SRAM，讀地址也是線性結構，所以多用于不需要經常更改程序代碼的數據存儲。常見到的S29GL128、MX29GL512、SST39VF020等型號都是ParallelNorF

5、lash,其常見的封裝多為TSSOP32、TSOP48、BGA64，PLCC32等。四、ParallelNandFlashParallelNandFlash同樣采用了Parallel接口通信協議，NandFlash在工藝制程方面分有三種類型：SLC、MLC、TLC。NandFlash技術FlashMemory具有以下特點：以頁為單位進行讀和編程操作，以塊為單位進行擦除操作；具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms，而NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms；芯片尺寸小，引腳少，是位成本(bitcost)最低的固態(tài)存儲器;芯片包含有壞塊，其數目取決于存儲器密度。壞塊不會影響有效塊的性能，但設計者

6、需要有一套的壞塊管理策略!對比ParallelNorFalsh，NandFlash在擦除、讀寫方面，速度快，使用擦寫次數更多，并且它強調更高的性能，更低的成本，更小的體積，更大的容量，更長的使用壽命。這使NandFlash很擅于存儲純資料或數據等，在嵌入式系統中用來支持文件系統。其主要用來數據存儲，大部分的U盤都是使用NandFlash，當前NandFlash在嵌入式產品中應用仍然極為廣泛，因此壞塊管理、掉電保護等措施就需要依賴NandFlash使用廠家通過軟件進行完善。常見到的S34ML01G100、MX30LF2G18AC、MT29F4G08ABADA等型號都是ParallelNandFl

7、ash，其常見的封裝多為TSOP48、BGA63、BGA107，BGA137等。五、SPINandFlashSPINandFlash，采用了SPINorFlash一樣的SPI的通信協議，在讀寫的速度上沒什么區(qū)別，但在存儲結構上卻采用了與ParallelNandFlash相同的結構，所以SPInand相對于SPInorFlash具有擦寫的次數多，擦寫速度快的優(yōu)勢，但是在使用以及使用過程中會同樣跟ParallelNandFlash一樣會出現壞塊，因此，也需要做特殊壞塊處理才能使用；SPINandFlash相對比ParallelNandFlash還有一個重要的特點，那就是芯片自己有內部ECC糾錯模塊

8、，用戶無需再使用ECC算法計算糾錯，用戶可以在系統應用當中可以簡化代碼，簡單操作；常見到的W25N01GVZEIG、GD5F4GQ4UBYIG、F50L1G41A等型號都是SPINandFlash，其常見的封裝多為QFN8、BGA24等。NorFLASH使用方便，易于連接，可以在芯片上直接運行代碼，穩(wěn)定性出色，傳輸速率高，在小容NorFLASH使用方便，易于連接，可以在芯片上直接運行代碼，穩(wěn)定性出色，傳輸速率高，在小容六、eMMCFlasheMMC采用統一的MMC標準接口，自身集成MMCController,存儲單元與NandFlash相同。針對Flash的特性，eMMC產品內部已經包含了Fl

9、ash管理技術，包括錯誤探測和糾正，Flash平均擦寫，壞塊管理，掉電保護等技術。MMC接口速度高達每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升級的性能，同時其接口電壓可以是1.8v或者是3.3v。eMMC相當于NandFlash+主控IC，對外的接口協議與SD、TF卡一樣，主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規(guī)格。eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器，它提供標準接口并管理閃存，使得手機廠商就能專注于產品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場推出產品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說，同樣的重要。eMMC由一個嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC

10、(多媒體卡)接口、快閃存儲器設備(NandFlash)及主控制器，所有都在一個小型的BGA封裝，最常見的有BGA153封裝;我們通常見到的KLMAG8DEDD、THGBMAG8B4JBAIM、EMMC04G-S100等型號都是eMMCFlash。eMMCFlash存儲容量大，市場上32GByte容量都常見了，其常見的封裝多為BGA153、BGA169、BGA100等。七、USF2.0JEDEC在2013年9月發(fā)布了新一代的通用閃存存儲器標準USF2.0，該標準下得閃存讀寫速度可以高達每秒1400MB，這相當于在兩秒鐘內讀寫兩個CD光盤的數據，不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢，而且它甚至能夠讓電腦上

11、使用的閃存存儲介質固態(tài)硬盤也相形見絀。UFS閃存規(guī)格采用了新的標準2.0接口，它使用的是串行界面，很像PATA、SATA的轉換，并且它支持全雙工運行，可同時讀寫操作，還支持指令隊列。相對之下，eMMC是半雙工，讀寫必須分開執(zhí)行，指令也是打包，在速度上就已經是略遜一籌了，而且UFS芯片不僅傳輸速度快，功耗也要比eMMC5.0低一半，可以說是日后旗艦手機閃存的理想搭配。目前僅有少數的半導體廠商有提供封裝成品，如三星、東芝電子等SPIFLASHNANDFLASH和NORFLASH的關系前言：在嵌入式開發(fā)中，如uboot的移植，kernel的移植都需要對Flash有基本的了解。下面細說一下標題中的中F

12、lash中的關系一，Flash的內存存儲結構flash按照內部存儲結構不同，分為兩種：norflash和nandflash。量時有很高的性價比，這使其很適合應于嵌入式系統中作為FLASHROM。相對于NorFLASH,NandFLASH強調更高的性能，更低的成本，更小的體積，更長的使用壽命。這使NandFLASH很擅于存儲純資料或數據等，在嵌入式系統中用來支持文件系統。1，NandFlash在工藝制程方面分NANDflash有兩種類型：MLC和SLC。MLC和SLC屬于兩種不同類型的NANDFLASH存儲器。SLC全稱是Single-LevelCell，即單層單元閃存，而MLC全稱則是Mult

13、i-LevelCell，即為多層單元閃存。它們之間的區(qū)別，在于SLC每一個單元，只能存儲一位數據，MLC每一個單元可以存儲兩位數據，MLC的數據密度要比SLC大一倍。在頁面容量方面分NAND也有兩種類型：大頁面NANDflash（如：HY27UF082G2B）和小頁面NANDflash（如：K9F1G08U0A）。這兩種類型在頁面容量，命令序列、地址序列、頁內訪問、壞塊標識方面都有很大的不同，并遵循不同的約定所以在移植驅動時要特別注意。2，NorFlash在通信方式上NorFlash分為兩種類型：CFIFlash和SPIFlash。a，CFIFlash英文全稱是commonflashinter

14、face,也就是公共閃存接口，是由存儲芯片工業(yè)界定義的一種獲取閃存芯片物理參數和結構參數的操作規(guī)程和標準。CFI有許多關于閃存芯片的規(guī)定，有利于嵌入式對FLASH的編程。現在的很多NORFLASH都支持CFI，但并不是所有的都支持。CFI接口，相對于串口的SPI來說，也被稱為parallel接口，并行接口；另外，CFI接口是JEDEC定義的，所以，有的又成CFI接口為JEDEC接口。所以，可以簡單理解為：對于NorFlash來說，CFI接口=JEDEC接口=Parallel接口=并行接口b，SPIFlashserialperipheralinterface串行外圍設備接口，是一種常見的時鐘同步

15、串行通信接口。c，CFIFlash和SPIFlash比較SPIflash和CFIFlash的介質都是Norflash，但是SPI是通過串行接口來實現數據操作，而CFIFlash則以并行接口進行數據操作，SPI容量都不是很大，市場上CFIFlash做大可以做到128Mbit，而且讀寫速度慢，但是價格便宜，操作簡單。而parallel接口速度快，容量上市場上已經有1Gbit的容量，價格昂貴NandFlash，NorFlash，CFIFlash，SPIFlash之間的關系前言：在嵌入式開發(fā)中，如uboot的移植，kernel的移植都需要對Flash有基本的了解。下面細說一下標題中的中Flash中的關

16、系一，Flash的內存存儲結構flash按照內部存儲結構不同，分為兩種：norflash和nandflash。量時有很高的性價比，這使其很適合應于嵌入式系統中作為FLASHROM。相對于NorFLASH,NandFLASH強調更高的性能，更低的成本，更小的體積，更長的使用壽命。這使NandFLASH很擅于存儲純資料或數據等，在嵌入式系統中用來支持文件系統。1，NandFlash在工藝制程方面分NANDflash有兩種類型：MLC和SLCMLC和SLC屬于兩種不同類型的NANDFLASH存儲器。SLC全稱是Single-LevelCell，即單層單元閃存，而MLC全稱則是Multi-LevelC

17、ell，即為多層單元閃存。它們之間的區(qū)別，在于SLC每一個單元，只能存儲一位數據，MLC每一個單元可以存儲兩位數據，MLC的數據密度要比SLC大一倍。在頁面容量方面分NAND也有兩種類型：大頁面NANDflash（如：HY27UF082G2B）和小頁面NANDflash（如：K9F1G08U0A）。這兩種類型在頁面容量，命令序列、地址序列、頁內訪問、壞塊標識方面都有很大的不同，并遵循不同的約定所以在移植驅動時要特別注意。2，NorFlash在通信方式上NorFlash分為兩種類型：CFIFlash和SPIFlash。a，CFIFlash英文全稱是commonflashinterface,也就是

18、公共閃存接口，是由存儲芯片工業(yè)界定義的一種獲取閃存芯片物理參數和結構參數的操作規(guī)程和標準。CFI有許多關于閃存芯片的規(guī)定，有利于嵌入式對FLASH的編程。現在的很多NORFLASH都支持CFI，但并不是所有的都支持。CFI接口，相對于串口的SPI來說，也被稱為parallel接口，并行接口；另外，CFI接口是JEDEC定義的，所以，有的又成CFI接口為JEDEC接口。所以，可以簡單理解為：對于NorFlash來說，CFI接口=JEDEC接口=Parallel接口=并行接口b，SPIFlashserialperipheralinterface串行外圍設備接口，是一種常見的時鐘同步串行通信接口。c，CFIFlash和SPIFlash比較SPIflash和CFIFlash的介質都是Norflash，但是SPI是通過串行接口來實現數據操作，而CFIFlash則以并行接口進行數據操作，SPI容量都不是很大，市場上CFIFlash做大可以做到128Mbit，而且讀寫速度慢，