中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模、企業(yè)格局及發(fā)展展望分析圖

1、中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模、企業(yè)格局及發(fā)展展望分析圖 DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory）的縮寫，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)（Dynamic）”存儲(chǔ)器。DRAM的特征是運(yùn)算速度快，但掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，常應(yīng)用于系統(tǒng)硬件的運(yùn)行內(nèi)存。 不同于硬盤、優(yōu)盤等外部設(shè)備，DRAM用于計(jì)算機(jī)、手機(jī)的運(yùn)行數(shù)據(jù)保存以及與CPU直接通訊。在計(jì)算機(jī)、服務(wù)器的應(yīng)用領(lǐng)域，DRAM以

2、內(nèi)存模組（俗稱內(nèi)存條）的形式出現(xiàn)。應(yīng)用于服務(wù)器的RDIMM內(nèi)存模組數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 一、DRAM行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模 DRAM按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型（Legacy/SDR）DRAM。DDR是Double Data Rate SDRAM的縮寫，即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，主要應(yīng)用在個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器上?，F(xiàn)主流的DDR標(biāo)準(zhǔn)是DDR4，但DDR5已經(jīng)發(fā)布，預(yù)計(jì)未來滲透率會(huì)越來越高；LPDDR即Low Power DDR，又稱為mDDR（Mobile DDR），主要應(yīng)用于移動(dòng)端電子產(chǎn)品；GDDR指的是Graphics DDR，主要應(yīng)用于圖像處理領(lǐng)域；相對(duì)于DDR的雙倍速率

3、（在時(shí)鐘上升沿和下降沿都可以讀取數(shù)據(jù)），傳統(tǒng)的DRAM只在時(shí)鐘上升沿讀取數(shù)據(jù)，速度相對(duì)慢。應(yīng)用領(lǐng)域相對(duì)較窄，是利基型的DRAM。 DDR/LPDDR為DRAM的應(yīng)用最廣的類型，因此DRAM主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和移動(dòng)設(shè)備上，兩者合計(jì)占DRAM應(yīng)用比例約為90%。DRAM下游應(yīng)用占比數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 HYPERLINK /research/201911/805425.html 智研咨詢發(fā)布的2020-2026年中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)投資潛力分析及市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)報(bào)告數(shù)據(jù)顯示：DRAM是存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模最大的芯片，2018年DRAM市場(chǎng)規(guī)模已超過1000億美元，2019年由于價(jià)格大幅下降以及服務(wù)

4、器、手機(jī)等下游均出現(xiàn)同比下滑，市場(chǎng)空間出現(xiàn)下降，2019年DRAM市場(chǎng)空間約621億美元。DRAM市場(chǎng)規(guī)模（億美元）數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 經(jīng)過多年的高速增長(zhǎng)后，受云服務(wù)商采購(gòu)下滑、宏觀經(jīng)濟(jì)不確定性等因素影響，服務(wù)器出貨量在2018年3季度創(chuàng)出新高后便持續(xù)下滑，2019年服務(wù)器出貨量出現(xiàn)全年同比下降的現(xiàn)象。2020年服務(wù)器市場(chǎng)有望恢復(fù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。Intel的數(shù)據(jù)中心（DCG）部門主要面對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)，作為服務(wù)器的重要上游材料，其產(chǎn)品銷售數(shù)據(jù)可直接反應(yīng)下游服務(wù)器制造商未來的出貨量情況。通過數(shù)據(jù)可以看出，IntelDCG業(yè)務(wù)營(yíng)收同比增速自2018年3季度開始下滑，2019年3季度恢復(fù)正增長(zhǎng)，并創(chuàng)出歷史

5、新高，2019年4季度營(yíng)收繼續(xù)上升，且同比增速已達(dá)到20%。，預(yù)示著服務(wù)器市場(chǎng)亦將迎來新增長(zhǎng)。IntelDCG季度營(yíng)收數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 5G時(shí)代云計(jì)算將加速普及，邊緣計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新增應(yīng)用將會(huì)帶來巨量的數(shù)據(jù)流量，井噴的數(shù)據(jù)流量需要更強(qiáng)算力的服務(wù)器支持，運(yùn)營(yíng)商、云服務(wù)廠商將進(jìn)入大量建設(shè)數(shù)據(jù)中心的階段，服務(wù)器需求將持續(xù)增長(zhǎng)；由于產(chǎn)品老化、性能升級(jí)等原因，服務(wù)器更換周期一般為3-5年，2017、2018年采購(gòu)的大量服務(wù)器將于未來幾年進(jìn)行更換，帶動(dòng)服務(wù)器需求。未來全球服務(wù)器出貨量的復(fù)合增長(zhǎng)率為6.5%。服務(wù)器作為DRAM下游需求的重要領(lǐng)域，將成為DRAM未來增長(zhǎng)的持續(xù)動(dòng)力。未來5年全球服務(wù)器出貨

6、量預(yù)測(cè)（百萬）數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 二、DRAM行業(yè)企業(yè)格局 以手機(jī)為代表的移動(dòng)設(shè)備是DRAM應(yīng)用的另一大下游領(lǐng)域。手機(jī)出貨量2020年將出現(xiàn)反彈，疊加手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存變大的趨勢(shì)，DRAM在手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備上的需求量未來將繼續(xù)增長(zhǎng)。 2017-2019年的手機(jī)出貨量分別為15.6億、15億、14.9億。手機(jī)出貨量在2017年創(chuàng)出新高后在2018年與2019年分別下降4%與1%。出貨量在2019年下滑速度已經(jīng)減緩，有望在2020年走出反彈趨勢(shì)。 從市場(chǎng)看，2020年將迎來兩波驅(qū)動(dòng)因素帶來的換機(jī)潮：2017年手機(jī)出貨量最高，到2020年已經(jīng)三年，多數(shù)手機(jī)的使用周期都為2-3年，到2020年將迎來“新舊

7、換機(jī)潮”；2020年是5G正式起量的第一年，同時(shí)2020年將迎來4G到5G的“升G換機(jī)潮”。兩波換機(jī)潮的疊加將導(dǎo)致2020年智能手機(jī)銷量的回升，即使2020年將影響供給能力與需求量，但這只會(huì)推遲需求而不會(huì)減少需求，下半年結(jié)束后銷量將重回增勢(shì)。 服務(wù)器出貨量將持續(xù)攀升，手機(jī)出貨量也將增加，疊加單臺(tái)設(shè)備使用的內(nèi)存變大，DRAM未來的需求量仍將保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。 自美國(guó)Advanced Memory推出首款1KDRAM至今已超過50年，累積創(chuàng)造了超過1萬億美元的產(chǎn)值。DRAM市場(chǎng)格局變化風(fēng)起云涌，從1980年代的百家齊放，到2000年的戰(zhàn)國(guó)紛爭(zhēng)，再到現(xiàn)在的寡頭壟斷格局，全球DRAM市場(chǎng)的玩家在不斷變化。

8、DRAM廠家名單20182019MicronMicronNanyaNanyaPowerchipPowerchipSamungSamungSKHynixSKHynixWinbondWinbondProMos晉華晉華Samung長(zhǎng)鑫長(zhǎng)鑫-紫光數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 目前，DRAM芯片的市場(chǎng)格局是由三星、SK海力士和美光統(tǒng)治，三大巨頭市場(chǎng)占有率合計(jì)已超過95%，而三星一家公司市占率就已經(jīng)逼近50%。寡頭壟斷的格局使得中國(guó)企業(yè)對(duì)DRAM芯片議價(jià)能力很低，也使得DRAM芯片成為我國(guó)受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一。2019年DRAM市場(chǎng)格局?jǐn)?shù)據(jù)來源：公開資料整理 三、DRAM行業(yè)發(fā)展展望 DRAM的技術(shù)發(fā)

9、展路徑本質(zhì)未發(fā)生變化，仍然是以微縮制程來提高存儲(chǔ)密度。但存儲(chǔ)的制程工藝進(jìn)入20nm之后，制造難度就越來越高，內(nèi)存芯片廠商對(duì)工藝的定義已不是具體的線寬，而是在具體制程范圍內(nèi)提升兩代或者三代技術(shù)來提高存儲(chǔ)密度。具體來講，2X/2Y/2Z是指20nm級(jí)別第一代、第二代、第三代技術(shù),1X/1Y/1Z是指10nm級(jí)別第一代、第二代、第三代技術(shù)，未來還有1/1/1。具體將1X/1Y/1Z與半導(dǎo)體傳統(tǒng)制程工藝進(jìn)行對(duì)應(yīng)，1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。 目前市場(chǎng)上DRAM的應(yīng)用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨頭

10、廠商均已開發(fā)出1Znm制程的DRAM。國(guó)產(chǎn)DRAM廠商合肥長(zhǎng)鑫現(xiàn)已量產(chǎn)的DRAM為19nm制程，預(yù)計(jì)2021年可投產(chǎn)17nmDRAM，均為1Xnm，技術(shù)與國(guó)際先進(jìn)的廠商還有較大的差距，國(guó)產(chǎn)廠商的成長(zhǎng)之路還較為漫長(zhǎng)。DRAM制程市占率數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 像所有存儲(chǔ)器一樣，DRAM價(jià)格變化呈現(xiàn)周期趨勢(shì)。DRAM價(jià)格在2013年初到2016年中經(jīng)歷了一波價(jià)格下跌之后開始一波上揚(yáng)，在2017年底到達(dá)高點(diǎn)，然后又連續(xù)跌了2年，到2019年底觸底；其行情的變化主要來自于供需失配。 2017年供給端：DRAM廠家同年將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至3DNAND，并無擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃；需求端：2017年無論是手機(jī)還是服務(wù)器銷量均

11、跨上歷史高點(diǎn)，下游需求旺盛。 供需失配的結(jié)果就是DRAM顆粒缺貨嚴(yán)重，全年價(jià)格一直處于上升趨勢(shì)。從2018年開始，需求端手機(jī)銷量開始下滑，服務(wù)器銷量增速也開始下降，供給端則由于三大廠商開始逐步擴(kuò)產(chǎn)而增加供給。在新一輪的供需失配情況下，高昂的價(jià)格更加抑制了下游的需求，因此價(jià)格便一路下滑。DDR34Gb內(nèi)存顆粒價(jià)格（美元/顆）數(shù)據(jù)來源：公開資料整理DDR48Gb內(nèi)存顆粒價(jià)格趨勢(shì)（美元/顆）數(shù)據(jù)來源：公開資料整理 為平衡市場(chǎng)供需，減少存貨，供給端三星、美光和海力士紛紛決定放緩新廠的增產(chǎn)腳步，價(jià)格于2019年底企穩(wěn)。需求端，2019年下半年開始，服務(wù)器銷量開始增加，DRAM的需求開始抬升。供需趨于平衡的狀態(tài)中，在三星工廠停電等驅(qū)動(dòng)因素下，價(jià)格開始企穩(wěn)回升。 當(dāng)前的供需狀況有利于國(guó)內(nèi)DRAM企業(yè)的發(fā)展：韓國(guó)企業(yè)DRAM銷售額約占全球的75%，當(dāng)前在韓國(guó)發(fā)展的速度超過預(yù)期，若未來三星或SK海力士因?yàn)橥．a(chǎn)或降低產(chǎn)能，則當(dāng)前較為緊