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文檔簡介

1、集成電路制造工藝概述什么是集成電路制造工藝？ 集成電路制造工藝是把電路所需要的晶體管、二極管、電阻器和電容器等元件用一定工藝方式制作在一小塊硅片、玻璃或陶瓷襯底上，再用適當(dāng)?shù)墓に囘M(jìn)行互連，然后封裝在一個管殼內(nèi)，使整個電路的體積大大縮小，引出線和焊接點的數(shù)目也大為減少。集成電路的發(fā)展歷程：1952年，英國的杜默 (Geoffrey W. A. Dummer) 就提出集成電路的構(gòu)想。1906年，第一個電子管誕生；1918年前后，逐步發(fā)現(xiàn)了半導(dǎo)體材料；1932年前后，運用量子學(xué)說建立了能帶理論研究半導(dǎo)體現(xiàn)象；1960年12月，世界上第一塊硅集成電路制造成功；1966年，美國貝爾實驗室使用比較完善的硅

2、外延平面工藝制造成第一塊公認(rèn)的大規(guī)模集成電路。1988年，16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管2009年，intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝一、晶圓制造晶體生長切片、邊緣研磨、拋光包裹、運輸返回二、沉積外延沉積化學(xué)氣相沉積物理氣相沉積返回三、光刻 光刻是在晶圓上印制芯片電路圖形的工藝，是集成電路制造的最關(guān)鍵步驟，在整個芯片的制造過程中約占據(jù)了整體制造成本的35%。 光刻工藝將掩膜圖形轉(zhuǎn)移到晶片表面的光刻膠上，首先光刻膠處理設(shè)備把光刻膠旋涂到晶圓表面，再經(jīng)過分步重復(fù)曝光和顯影處理之后，在晶圓上形成需要的圖形。返回四、刻蝕 刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。返回六、熱處理 利用熱能將物體內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力的一些缺陷加以消除。所施加的能量將增加晶格原子及缺陷在物體內(nèi)的振動及擴(kuò)散，使得原子的排列得以重整

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