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文檔簡介

1、中外 LED 產(chǎn)業(yè)中外專利態(tài)勢分析報告圖表引言表 1 :中外 LED 產(chǎn)業(yè)專利態(tài)勢分析導(dǎo)航樹第一部分 中外LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)及專利發(fā)展概況圖 1 :全球 LED 產(chǎn)業(yè)專利年度申請量圖 2 :全球 LED 重點申請國家或地區(qū)的分布圖 3 :全球 LED 專利主要申請國家申請量的年度發(fā)展趨勢圖 4 :全球 LED 主要專利申請人分布圖 5 :全球 LED 主要專利申請人申請量的年度發(fā)展趨勢圖 6 :中國 LED 歷年專利申請情況圖 7 :中國 LED 專利重點申請地區(qū)的分布 表:表 1 :全球 LED 產(chǎn)業(yè)專利年度申請量表 2 :全球 LED 重點申請國家或地區(qū)的申請量表 3 :全球 LED 主要專利

2、申請人分布表 4 :我國 LED 歷年專利申請量表表 5 :我國 LED 專利申請總體情況表 6 :中國國內(nèi) LED 重點專利申請人申請量表 7 :國外來華 LED 主要專利申請人申請量表 8 :廣東省 LED 主要專利申請人申請量表 9 : LED 產(chǎn)業(yè)專利申請量統(tǒng)計表表 10: LED 產(chǎn)業(yè)專利申請量統(tǒng)計第二部分 LED 產(chǎn)業(yè)原材料領(lǐng)域?qū)@治鰣D 1.1 : LED 原材料中國專利類型的分布圖 1.2 : LED 原材料中國專利類型的國省分布圖 1.3 : LED 原材料中國專利趨勢分析圖 1.4 : LED 原材料廣東省專利類型的分布圖 1.5 : LED 原材料廣東省專利趨勢分析圖 1

3、.6 : LED 原材料原材全球?qū)@治鰣D 1.7 : LED 原材料全球?qū)@鹉晟暾堊兓闆r圖 2.1 : LED 原材料中國專利前 10 位 IPC 的構(gòu)成圖 2.2 : LED 原材料廣東省專利前 10 位 IPC 構(gòu)成圖 2.3 : LED 原材料 IPC 國外專利分類號技術(shù)分布情況圖2.4: LED原材料Derwent code (德溫特分類號)技術(shù)分布情況圖2.5:國外LED原材料專利技術(shù)特征分布圖圖2.6:重點國家LED外延材料專利技術(shù)特征分布圖圖2.7:重點國家LED芯片材料專利技術(shù)特征分布圖圖2.8:重點國家LED封裝材料專利技術(shù)特征分布圖圖 3.1 : LED 原材料中國專

4、利申請人構(gòu)成分析圖 3.2 : LED 原材料國內(nèi)申請人 IPC 分布圖3.3: LED原材料中國專利國我申請人的IPC分布圖3.4: LDE原材料中國專利廣東省申請人的IPC分布圖3.5:國外LED原材料專利Derwent company code (公司代碼)分布情況圖3.6:國外LED原材料專利申請人排名情況圖 3.7:住友電工專利技術(shù)內(nèi)容分布情況圖 3.8:三星專利技術(shù)內(nèi)容分布情況圖 3.9:日亞化學(xué)專利技術(shù)內(nèi)容分布情況圖 3.10:美國科銳專利技術(shù)內(nèi)容分布情況圖 3.11:豐田合成專利技術(shù)內(nèi)容分布情況圖3.12:全球LED原材料相關(guān)專利前5位申請人年度申請趨勢圖3.13:全球LDE原

5、材料相關(guān)專利前5位申請人年度申請趨勢圖 3.14:住友電工專利申請主題變化趨勢情況圖 3.15:三星專利申請主題變化趨勢情況圖 3.16:日亞化學(xué)專利申請主題變化趨勢情況圖 3.17:美國科銳專利申請主題變化趨勢情況圖 3.18:豐田合成專利申請主題變化趨勢情況圖4.1: LED外延芯片材料中國專利類型的分布圖4.2: LED外延芯片原材料中國專利的國圖4.3: LED外延芯片原材料中國專利趨勢分析圖 4.4: LED 外延芯片材料全球?qū)@膰液偷貐^(qū)分布圖4.5: LED外延芯片材料全球?qū)@厔莘治鰣D4.6:外延芯片材料中國專利前10位IPC的構(gòu)成圖4.7:全球外延芯片材料專利IPC構(gòu)成圖

6、4.8:全球外延芯片材料專利的專利地圖圖 4.9:外延芯片材料中國專利申請人構(gòu)成分析圖4.10:外延芯片材料國內(nèi)申請人IPC分布圖4.11 :外延芯片材料中國專利國外申請人的IPC分布圖4.12:國外LED原材料專利Derwent company code (公司代碼)分布情況圖 4.13:國外外延芯片材料專利申請人排名情況圖 4.14:外延芯片原材料主要申請人技術(shù)主題分布圖 4.15:住友電工外延芯片材料專利地圖圖 4.16:三星外延芯片材料專利地圖圖 4.17:豐田合成外延芯片材料專利地圖圖5.1: LED封裝原材料中國專利類型的分布圖5.2: LED封裝原材料中國專利的國省分布圖5.3:

7、 LED封裝原材料中國專利的趨勢分布圖5.4: LED封裝原材料全球?qū)@膰液偷貐^(qū)分布圖5.5: LED封裝材料全球?qū)@厔莘治鰣D5.6:封裝材料中國專利前10位IPC構(gòu)成圖5.7:全球封裝材料專利IPC構(gòu)成圖 5.8:封裝材料全球?qū)@膶@貓D圖 5.9:熒光粉中國專利國省分布圖圖 5.10 :熒光粉中國專利的趨勢分析圖 5.11:熒光粉中國專利 IPC 分布圖 5.12 :熒光粉國內(nèi)申請人構(gòu)成分布圖 5.13 :熒光粉國內(nèi)申請人 IPC 構(gòu)成分析圖 5.14 :廣東省的熒光粉重點申請人構(gòu)成圖圖 5.15 :世界熒光粉專利主要區(qū)域分布情況圖 5.16 : 1999-2008 年全球?qū)@暾?/p>

8、趨勢圖圖5.17: LED用熒光粉IPC分類專利總體分布情況(IPC前20位)圖5.18: LED用熒光粉DMC分類專利總體分布情況(DMC前20位)圖 5.19:熒光粉專利地圖圖 5.20:全球熒光粉主要專利申請人的技術(shù)分析圖圖 5.21:環(huán)氧樹脂中國專利法律狀態(tài)分析圖 5.22:環(huán)氧樹脂專利的國省分布圖 5.23:環(huán)氧樹脂中國專利申請的發(fā)展態(tài)勢圖5.24:國內(nèi)LED封裝用的環(huán)氧樹脂IPC分布情況(IPC前10位)圖 5.25:環(huán)氧樹脂國內(nèi)申請人構(gòu)成圖圖5.26:國內(nèi)申請人IPC構(gòu)成圖 5.27:環(huán)氧樹脂國際專利的國家分布圖 5.28:環(huán)氧樹脂國際專利趨勢分析圖5.29: LED封裝用的環(huán)氧

9、樹脂IPC分布情況(IPC前20位)位)圖5.30: LED封裝用的環(huán)氧樹脂Derwent手工代碼分類專利總體分布情況(DMC前20位)圖 5.31:環(huán)氧樹脂國際專利技術(shù)主題分布圖 5.32:全球環(huán)氧樹脂主要專利申請人的技術(shù)分析圖圖5.33: LED支架中國專利的專利類型圖5.34: LED支架中國專利的法律狀態(tài)分析圖5.35: LED支架中國專利的國省分布圖5.36: LED支架中國專利的趨勢分析圖5.37: LED支架中國專利的IPC構(gòu)成分析(前10位)圖5.38: LED支架中國專利申請人構(gòu)成分析圖5.39: LED支架中國專利申請人IPC構(gòu)成圖5.40: LED支架廣東省中國專利的IP

10、C構(gòu)成分析圖5.41: LED支架廣東省中國專利申請人構(gòu)成分析圖 5.42:世界支架專利主要區(qū)域分布情況圖5.43: 1992-2008年全球?qū)@暾堏厔輬D5.44: LED支架IPC分類專利總體分布情況(IPC前20位)圖5.45: LED支架專利DMC手工代碼總體分布情況(IPC前20位)圖5.46: LED支架國際專利專利地圖圖5.47: LED全球?qū)@饕暾埲思夹g(shù)分析圖5.48: LED導(dǎo)電導(dǎo)熱膠中國專利的專利分類圖5.49: LED導(dǎo)電導(dǎo)熱膠中國專利的國省分布圖5.50: LED導(dǎo)電導(dǎo)熱膠中國專利的趨勢分析圖5.51: LED導(dǎo)電導(dǎo)熱膠中國專利的IPC構(gòu)成分析圖5.52: LED導(dǎo)

11、電導(dǎo)熱膠中國專利申請人構(gòu)成分析圖 5.53 : LED 導(dǎo)電導(dǎo)熱膠中國專利申請人 IPC 構(gòu)成圖 5.54 :世界導(dǎo)電導(dǎo)熱膠專利主要區(qū)域分布情況圖 5.55 : 1992-2008 年全球?qū)@暾堏厔輬D圖5.56: LED封裝用的導(dǎo)電導(dǎo)熱膠IPC分類專利總體分布情況(IPC前20位) 圖 5.57:導(dǎo)電導(dǎo)熱膠的專利地圖圖 5.58:導(dǎo)電導(dǎo)熱膠全球?qū)@饕暾埲思夹g(shù)分析圖 5.59:封裝材料中國專利申請人構(gòu)成分析圖5.60:封裝材料國內(nèi)申請人IPC分布圖5.61:封裝材料中國專利國外申請人的IPC分布圖 5.62:封裝材料全球主要技術(shù)申請人專利技術(shù)分布圖 5.63:日亞公司封裝材料專利地圖圖 5

12、.64:日本國立材料科學(xué)研究封裝材料專利地圖圖 5.65:美國住友化學(xué)公司封裝材料專利地圖表2.1: LED原材料中國專利前10位IPC構(gòu)成表2.2: LED原材料廣東省專利前10位IPC構(gòu)成表2.3: LED原材料國外專利分類號技術(shù)分布情況表2.4: LED原材料Derwent manual code (德溫特手工代碼)技術(shù)分布情況 表 2.5:歷年引證 USRE34861E1 專利情況表2.6:引證USRE34861E的主要專利權(quán)人情況表 2.7: EP1088914B1 國際專利文獻(xiàn)中心的同族專利情況表 2.8:歷年引證 USRE34861E1 專利情況表2.9:引證USRE34861E

13、的主要專利權(quán)人情況表3.1:外延芯片材料國內(nèi)申請人IPC分布表3.2: LED原材料中國專利國我申請人的IPC分布表3.3: LED原材料中國專利廣東省申請人的IPC分布表3.4:國外LED原材材專利申請人排名情況 表3.5:全球原材料相關(guān)專利前5位申請人年度申請量表4.1:外延芯片材料中國專利前10位IPC的構(gòu)成表4.2:全球外延芯片材料專利IPC構(gòu)成表4.3:外延芯片材料國內(nèi)申請人IPC分布表4.4:外延芯片材料中國專利國外申請人的IPC分布 表4.5:外延芯片材料全球?qū)@?0位的公司表5.1:封裝材料中國專利前10位IPC構(gòu)成表5.2:全球封裝材料專利IPC構(gòu)成表5.3:熒光粉國內(nèi)專利

14、分布圖 表5.4:熒光粉中國專利國外申請分布表 5.5:熒光粉中國專利的趨勢表表5.6:熒光粉中國專利IPC分布 表5.7:熒光粉國內(nèi)申請人構(gòu)成分布表 5.8:世界熒光粉專利主要區(qū)域分布情況表5.9: 1999-2008年全球?qū)@暾堏厔輬D表5.10: LED用熒光粉IPC分類專利總體分布情況(IPC前20位)表5.11: LED用熒光粉DMC分類專利總體分布情況(DMC前20位)表 5.12 :熒光粉引證數(shù)前 10 位的專利列表表 5.13 :熒光份國際專利公司代碼分布表 5.14:環(huán)氧樹脂中國專利國省分布(前 5)表5.15:國內(nèi)LED封裝用的環(huán)氧樹脂IPC分布情況(IPC前10位)表 5

15、.16:環(huán)氧樹脂國際專利的國家分布表 5.17:環(huán)氧樹脂國際專利趨勢分析表5.18: LED封裝用的環(huán)氧樹脂IPC分布情況(IPC前20位)表5.19: LED封裝用的環(huán)氧樹脂Derwent手工代碼分類專利總體分布情況(DMC前20 位)表5.20:環(huán)氧樹脂引證數(shù)前10位的專利列表表 5.21:環(huán)氧樹脂國際專利申請人分布表5.22: LED支架中國專利的國省分布表5.23: LED支架中國專利的趨勢分析表5.24: LED支架中國專利的IPC構(gòu)成分析(前10位)表5.25: LED支架中國專利申請人構(gòu)成分析表 5.26:世界支架專利主要區(qū)域分布情況表5.27: 1992-2008年全球?qū)@暾?/p>

16、趨勢表5.28: LED支架IPC分類專利總體分布情況(IPC前20位)表5.29: LED支架專利DMC手工代碼總體分布情況(IPC前20位)表 5.30:支架引證數(shù)前10位的專利列表表5.31: LED支架全球?qū)@暾埲朔植急?.32: LED導(dǎo)電導(dǎo)熱膠中國專利的國省分布表5.33: LED導(dǎo)電導(dǎo)熱膠中國專利的IPC構(gòu)成分析表5.34: LED導(dǎo)電導(dǎo)熱膠中國專利申請人構(gòu)成分析表 5.35:世界導(dǎo)電導(dǎo)熱膠專利主要區(qū)域分布情況表5.36: LED封裝用的導(dǎo)電導(dǎo)熱膠IPC分類專利總體分布情況(IPC前20位)表5.37: LED封裝用的導(dǎo)電導(dǎo)熱膠Derwent手工代碼分類專利總體分布情況(DMC

17、前 20 位)表5.38: LED導(dǎo)電導(dǎo)熱膠全球?qū)@暾埲朔植急?.39:封裝材料國內(nèi)申請人IPC分布表5.40:封裝材料中國專利國外申請人的IPC分布 表5.41:封裝材料全球?qū)@?0位的公司第三部分LED產(chǎn)業(yè)設(shè)備領(lǐng)域?qū)@治龅谝徽聢D1.1:中國專利申請類型分布情況圖 1.2: MOCVD 設(shè)備中國專利的國省分布圖圖 1.3: MOCVD 設(shè)備中國專利申請逐年分布情況圖 1.4: MOCVD 設(shè)備領(lǐng)域?qū)@饕暾垏液偷貐^(qū)分布圖圖1.5: MOCVD設(shè)備國外專利逐年申請變化情況圖2.1: MOCVD設(shè)備國內(nèi)申請人IPC構(gòu)成分析圖2.2: MOCVD設(shè)備國內(nèi)申請人IPC構(gòu)成圖2.3: MOC

18、VD設(shè)備國外申請人IPC構(gòu)成圖 2.4 : MOCVD 設(shè)備專利 IPC 分布圖圖 2.5 : MOCVD 設(shè)備專利 DMC 分布圖圖 2.6 : MOCVD 設(shè)備專利地圖圖 3.1 : MOCVD 設(shè)備中國專利法律狀態(tài)分析圖 3.2 :國內(nèi)申請人申請 MOCVD 設(shè)備專利的 IPC 構(gòu)成圖 3.3 :國內(nèi)重點申請人 IPC 構(gòu)成圖 3.4 : MOCVD 設(shè)備領(lǐng)域重點專利申請人排名(前二十)圖 3.5 : MOCVD 設(shè)備領(lǐng)域重點專利申請人代碼排名(前二十)圖 3.6:全球前 10 位 MOCVD 設(shè)備專利申請人的技術(shù)分布(按 IPC)圖 3.7 :AIXTRON 公司 MOCVD 設(shè)備前二

19、十位德溫特手工代碼圖 3.8 :AIXTRON 公司 MOCVD 設(shè)備專利地圖圖 3.9 :VEECO 公司 MOCVD 設(shè)備前二十位德溫特手工代碼圖 3.10 :VEECO 公司 MOCVD 設(shè)備專利地圖圖 3.11: AIXTRON 公司 MOCVD 設(shè)備專利申請量趨勢圖圖 3.12 :VEECO 公司 MOCVD 設(shè)備專利申請量趨勢圖圖 4.1 :中國專利類型圖 4.2 :其他外延設(shè)備專利趨勢圖圖 4.3 :其他外延設(shè)備中國專利 IPC 構(gòu)成圖 4.6 :全球其他外延設(shè)備專利申請趨勢圖圖 4.7 :全球其他外延設(shè)備主要申請專利國家圖 4.8 :其他外延設(shè)備全球?qū)@?IPC 構(gòu)成圖 4.9

20、 :其他外延設(shè)備全球?qū)@?DMC 前二十圖 4.10 :其他外延設(shè)備全球?qū)@貓D表 2.1 : MOCVD 設(shè)備中國專利前 10 位 IPC 及含義表 2.2 : MOCVD 設(shè)備國內(nèi)申請人 IPC 構(gòu)成表 2.3 : MOCVD 設(shè)備國外申請人 IPC 構(gòu)成表 2.4 : MOCVD 設(shè)備專利 IPC 前二十及其含義表 2.5 : MOCVD 設(shè)備專利 DMC 前二十及其含義表 2.6 :歷年引證 US5835677A 專利情況表 2.7 :引證 US5835677A 的專利權(quán)人情況表 2.8 :歷年引證 US441703A 專利情況表 2.9 :引證 US5441703A 的專利權(quán)人情況表

21、 3.1 : MOCVD 設(shè)備中國專利國內(nèi)外申請主體性質(zhì)分布情況表 3.2 : MOCVD 設(shè)備中國專利前 10 位 IPC 及其含義表 3.3 :國內(nèi)重點申請人 IPC 構(gòu)成表 3.4 : MOCVD 設(shè)備領(lǐng)域重點專利申請人排名(前二十)表 3.5 : MOCVD 設(shè)備領(lǐng)域重點專利申請人代碼排名(前二十)表 3.6 :以上五個 IPC 小類及其含義表 3.7 :AIXTRON 公司 MOCVD 設(shè)備前二十位德溫特手工代碼及其含義表 4.3 :其他外延設(shè)備中國專利 IPC 構(gòu)成表 4.4 :國內(nèi)重點技術(shù)持有人表 4.5 :國內(nèi)重點技術(shù)持有人表 4.8 :其他外延設(shè)備全球?qū)@饕?IPC 及其含

22、義表 4.9 :其他外延設(shè)備全球?qū)@?DMC 前二十- Vr.第二章圖 1.1 :芯片設(shè)備中國專利類型分布圖 1.2 :芯片設(shè)備中國專利類型國內(nèi)外分布圖 1.3 :芯片設(shè)備中國專利國省分布圖 1.4 :芯片設(shè)備中國專利趨勢分析圖 1.5 :廣東省芯片設(shè)備專利類型的分布圖 1.6 :芯片設(shè)備全球?qū)@植紙D 1.7 :芯芯片設(shè)備各國家地區(qū)專利數(shù)比較圖 1.8 :芯片設(shè)備專利逐年申請量變化情況圖 2.1 :芯片設(shè)備中國專利前 20 位 IPC 的構(gòu)成圖 2.2 :芯片設(shè)備專利數(shù)比例圖圖 2.3 :國外芯片設(shè)備專利技術(shù)特征分布圖圖 2.4 :光刻設(shè)備全球?qū)@夹g(shù)特征分布圖圖 2.5 :刻蝕設(shè)備全球?qū)@?/p>

23、技術(shù)特征分布圖圖 2.6 :劃片設(shè)備全球?qū)@夹g(shù)特征分布圖圖 2.7 :化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備全球?qū)@夹g(shù)特征分布圖圖 2.8 :激光剝離設(shè)備全球?qū)@夹g(shù)特征分布圖圖 3.1 :芯片設(shè)備中國專利申請人總體排名圖 3.2 :芯片設(shè)備國外重點專利權(quán)人總體排名圖 3.3:全球芯片設(shè)備專利申請數(shù)量前20 位的申請人概況圖 3.4 :ASML 光刻設(shè)備專利分布地圖圖 3.5 :HITA 光刻設(shè)備專利分布圖圖 3.6 : TOKE 光刻設(shè)備專利分布地圖圖 3.7 : SMSU 刻蝕設(shè)備專利分布地圖圖 3.8 :HITA 刻蝕設(shè)備專利分布地圖圖 3.9 : TOKE 刻蝕設(shè)備專利分布地圖圖 3.10 : SMSU

24、 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備專利分布地圖圖 3.11: DONG 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備專利分布地圖圖 3.12:MATE 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備專利分布地圖圖 3.13 : FURU 激光剝離設(shè)備專利分布地圖圖 3.14 : SHAF 激光剝離設(shè)備專利分布地圖圖 3.15 : SONY 激光剝離設(shè)備專利分布地圖圖 3.16 : TOKS 劃片設(shè)備專利分布地圖圖 3.17 : SMSU 芯片設(shè)備類型比例圖圖 3.18 :ASML 芯片設(shè)備類型比例圖圖 3.19 :HITA 芯片設(shè)備類型比例圖圖 3.20 : TOKE 芯片設(shè)備類型比例圖圖 3.21 :NEC 芯片設(shè)備類型比例圖圖 3.22 :HYNI 芯片設(shè)備類型

25、比例圖圖 3.23 :DONG 芯片設(shè)備類型比例圖圖 3.24:MATE 芯片設(shè)備類型比例圖圖 3.25 : SONY 芯片設(shè)備類型比例圖圖 3.26 : MITQ 芯片設(shè)備類型比例圖圖 3.27 : MITQ 和 SONY 芯片設(shè)備專利申請趨勢圖 3.28:TOKE、NIDE 和 HITA 芯片設(shè)備專利申請趨勢圖 3.29 : SMSU, HYNI 和 DONG 芯片設(shè)備專利申請趨勢圖3.30: ASML、和MATE芯片設(shè)備專利申請趨勢圖3.31: TOKE、HITA和ASML光刻設(shè)備專利申請趨勢圖3.32: TOKE、HITA和SMSO光刻設(shè)備專利申請趨勢圖3.33: MATE、DONG和

26、SMSU化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備專利申請趨勢 圖3.34: FURU、SHAF和SONY化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備專利申請趨勢 圖3.35: TOKE劃片設(shè)備專利申請趨勢圖表1.1:芯片設(shè)備廣東省專利年度申請量表 1.2:芯片設(shè)備各國家地區(qū)專利數(shù)表2.1:芯片設(shè)備中國專利前20位IPC的構(gòu)成表2.2:國內(nèi)申請人芯片設(shè)備中國專利IPC的構(gòu)成表2.3:芯片設(shè)備中國專利國外申請人IPC的構(gòu)成表2.4:芯片設(shè)備全球?qū)@鸌PC分類號表 2.5:芯片設(shè)備全球墳利德溫特手工代碼表2.6:歷年引證US6014200A專利情況表2.7:引證US6014200A專利權(quán)人情況表 2.8:歷年引證 US6379867 專利情況表2.9

27、:引證US6379867B1的專利權(quán)人情況表2.10:歷年引證W02005003864A2專利情況表2.11 :引證WO2005003864A2的專利權(quán)人情況表2.12:歷年引證JP4096346A專利情況表2.13 :引證JP4096346A的專利權(quán)人情況表2.14:歷年引證US5429070A專利情況表2.15 :引證US5429070A的專利權(quán)人情況表2.16:歷年引證US5916460A專利情況表2.17:引證US5916460A的專利權(quán)人情況表2.18:歷年引證US5214261A專利情況表2.19:引證US5214261A的專利權(quán)人情況表2.20:歷年引證US5433651A專利情

28、況表2.21 :引證US5433651A專利權(quán)人情況表 2.22:歷年引證 US62528941 專利情況表 2.23:引證 US6252894B1 的專利權(quán)人情況表3.1:國內(nèi)專利申請在各技術(shù)主題的分布(前十位)表3.2:國內(nèi)申請人芯片設(shè)備專利涉及主要技術(shù)主題表3.3:國外申請人芯片設(shè)備專利涉及主要技術(shù)主題表3.4:各類芯片設(shè)備專利申請量前三位的公司表3.5: ASML光刻設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況表3.6: ASML光刻設(shè)備專利德溫特手工代碼分布情況表3.7: HITA光刻設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況表3.8: HITA光刻設(shè)備德溫特手工代碼分布情況表 3.9 : TOK

29、E 光刻設(shè)備 IPC 國際專利分類號小類分布情況表 3.10 : TOKE 光刻設(shè)德溫特手工代碼分布情況表 3.11: SMSU 刻蝕設(shè)備 IPC 國際專利分類號小類分布情況表 3.12 : SMSU 刻蝕設(shè)備德溫特手工代碼分布情況表3.13: HITA刻蝕設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況表3.14: HTTA刻蝕設(shè)備專利德溫特手工代碼分布情況表3.15: TOKE刻蝕設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況表3.16: TOKE刻蝕設(shè)備專利德溫特手工代碼分布情況表3.17: SMSU化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況 表3.18: SMSU化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備專利德溫特手工代碼分布

30、情況表3.19: DONG化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況 表3.20: DONG化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備專利德溫特手工代碼分布情況表3.21: MATE化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況 表3.22: MATE化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備專利德溫特手工代碼分布情況表3.23: FURU激光剝離設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況表3.24: FURU激光剝離設(shè)備專利德溫特手工代碼分布情況表3.25: SHAF激光剝離設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況表3.26: SHAF激光剝離設(shè)備專利德溫特手工代碼分布情況表3.27: SONY激光剝離設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況表3.

31、28: SONY激光剝離設(shè)備德溫特手工代碼分布情況表3.29: TOKS劃片設(shè)備IPC國際專利分類號小類分布情況表 3.30: TOKS 劃片設(shè)備專利德溫特手工代碼分布情況AA- *第三章圖 3.1:封裝設(shè)備專利類型的分布圖 3.2:封裝設(shè)備中國專利的國省分布圖圖 3.3:封裝設(shè)備中國專利的趨勢分析圖圖 3.4:世界封裝設(shè)備專利主要區(qū)域分布情況圖 3.5: 19862008 年全球封裝設(shè)備專利申請趨勢圖圖3.6:封裝設(shè)備國內(nèi)申請人IPC構(gòu)成分析圖3.7:封裝設(shè)備國內(nèi)申請人IPC構(gòu)成圖3.8:封裝設(shè)備國外申請人IPC構(gòu)成圖3.9: LED封裝設(shè)備專利IPC分布圖圖 3.10:封裝設(shè)備專利地圖圖

32、3.11:封裝設(shè)備中國專利申請人構(gòu)成圖 3.12:封裝設(shè)備中國專利法律狀態(tài)分析圖 3.13:廣東省封裝設(shè)備專利趨勢圖圖 3.14:廣東省封裝設(shè)備專利的授權(quán)與公開狀態(tài)圖 3.15:廣東省封裝設(shè)備申請人構(gòu)成圖3.16:封裝設(shè)備國內(nèi)主要申請人IPC分布圖 3.17:廣東省封裝設(shè)備專利申請人分布圖3.18:前10位封裝設(shè)備公司的技術(shù)分布(按IPC)圖 3.19:松下公司封裝設(shè)備專利地圖圖 3.20 :新川電機(jī)株式會社封裝設(shè)備的專利地圖圖 3.21 :三星公司封裝設(shè)備的專利地圖圖 3.22 :松下公司、新川電機(jī)、三星公司的專利趨勢分析圖表 3.1 :封裝設(shè)備中國專利前 20 位 IPC 及其含義表 3.

33、2 :封裝設(shè)備國內(nèi)申請人 IPC 構(gòu)成表 3.3 :封裝設(shè)備國外申請人 IPC 構(gòu)成表 3.4 : LED 封裝設(shè)備前 20 位 IPC 及其內(nèi)容表 3.5 :封裝設(shè)備專利前 20 位 DMC (德文特手代碼)表 3.6 : LED 封裝設(shè)備被引證數(shù)前 10 位專利列表表 3.7 :廣東省封裝設(shè)備的 IPC 構(gòu)成表 3.8 :封裝設(shè)備國內(nèi)申請人前 10 位 IPC 構(gòu)成及含義表 3.9 :封裝設(shè)備國內(nèi)主要申請人 IPC 分布表 3.10 :國際封裝設(shè)備前 20 位公司及其公司代碼表 3.11:以上五個 IPC 小類及其含義表 3.12 :松下公司前五位 DMC 及其含義表 3.13 :新川電機(jī)

34、株式會社前五位 DMC 及其含義表 3.14 :三星公司前五位 DMC 及其含義第四章圖 1.1 :中國專利類型餅圖圖 1.2 :檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域中國專利申請逐年分布曲線圖圖 1.3 :檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域中國專利申請國內(nèi)地域分布餅圖圖 1.4 :檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域中國專利申請國內(nèi)地域分布柱狀圖圖 1.5 :檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域中國專利申請國外地域分布餅圖圖 1.6 :檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域中國專利申請國外地域分布柱狀圖 圖 1.7:全球檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域?qū)@暾埱闆r前20 位餅圖圖 1.8 :全球檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域?qū)@鹉晟暾堊兓闆r圖圖2.1:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專

35、利IPC國際專利分類小組號前十名圖2.2:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利IPC國際專利分類小組號前十名圖2.3:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)國內(nèi)申請人中國專利重點技術(shù)領(lǐng)域IPC小組百分比分析 圖2.4:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)國內(nèi)申請人中國專利重點技術(shù)領(lǐng)域IPC小組分析柱狀圖 圖2.5:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)日本申請人中國專利重點技術(shù)領(lǐng)域IPC小組百分比分析 圖2.6:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)日本申請人中國專利重點技術(shù)領(lǐng)域IPC小組分析柱狀圖 圖2.7:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)美國申請人中國專利重點技術(shù)領(lǐng)域IPC小組百分比分析 圖2.8:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)美國申請人中國專利重點技術(shù)領(lǐng)域IPC小組分析柱狀圖圖2.9:全球檢測設(shè)備D

36、WPI專利總體分布情況(Manual codr排名前二十)圖 2.10:全球檢測設(shè)備專利技術(shù)主題全景圖圖19:美國檢測設(shè)備專DWPI專利總體分布情況(Manual codr排名前二十)圖 2.11:美國檢測設(shè)備專利技術(shù)主題全景圖圖2.12:日本檢測設(shè)備專DWPI專利總體分布情況(Manual codr排名前二十)圖 2.13:日本檢測設(shè)備專利技術(shù)主題全景圖圖23:韓國設(shè)備DWPI專利總體分布情況(Manual codr排名前二十)圖 2.14:韓國檢測設(shè)備專利技術(shù)主題全景圖圖 2.15:中國檢測設(shè)備與檢測技術(shù)專利技術(shù)主題全景圖圖 3.1:國內(nèi)、國外、港澳臺等申請分布圖圖 3.2:國內(nèi)主要專利申

37、請人專利申請情況餅圖圖 3.3:國內(nèi)主要專利申請人專利申請情況柱狀圖圖 3.4:國內(nèi)主要專利申請人杭州遠(yuǎn)方公司專利申請情況餅圖圖 3.5:國內(nèi)主要專利申請人杭州遠(yuǎn)方公司專利申請情況柱狀圖圖 3.6:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利廣東省內(nèi)主要專利申請人情況餅圖 圖 3.7:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利廣東省內(nèi)主要專利申請人情況柱狀圖圖3.8:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利廣東申請人IPC國際專利分類小組分布情況餅圖 圖 3.9:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利國外主要專利申請人情況餅圖圖 3.10:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利國外主要專利申請人情況柱狀圖圖3.11:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利國外申請人IPC國際專

38、利分類小組分布情況餅 圖圖 3.6、:全球檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域相關(guān)專利申請量居前十名的情況表 1.1:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)專利的地區(qū)分布情況 表1.2:全球檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域?qū)@暾埱闆r前12位表格 表1.3:全球檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域?qū)@鹉晟暾堊兓闆r表表2.1:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利IPC國際專利分類號小組分布情況表2.2:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)國內(nèi)申請人中國專利IPC國際專利分類號小組分布情況 表2.3:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)日本申請人中國專利IPC國際專利分類號小組分布情況 表2.4:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)美國申請人中國專利IPC國際專利分類號小組分布情況 表2.5:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)臺

39、灣申請人中國專利IPC國際專利分類號小組分布情況 表2.6:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)韓國申請人中國專利IPC國際專利分類號小組分布情況 表2.7:全球檢測設(shè)備專利總體分布情況(Manual codr排名前二十)表2.8:美國檢測設(shè)備DWPI專利總體分布情況(Manual codr排名前十)表2.9:日本檢測設(shè)備DWPI專利總體分布情況(Manual codr排名前十) 表2.10:韓國設(shè)備DWPI專利總體分布情況(Manual codr排名前十) 表3.1:國內(nèi)、國外、港澳臺等申請分布表 表3.2:國內(nèi)主要專利申請人杭州遠(yuǎn)方公司專利申請技術(shù)情況表表3.3:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利廣東申請人IPC國

40、際專利分類號小組分布情況 表3.4:檢測設(shè)備與檢測技術(shù)中國專利國外申請人IPC國際專利分類號組分布情況 表3.5:全球檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域相關(guān)專利申請量居前十名的情況 表3.7:理學(xué)電氣有限公司檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域相關(guān)專利逐年申請變化情況表表3.8:理學(xué)電氣有限公司檢測設(shè)備與檢測技術(shù)DWPI專利總體分布情況(Manual codr 排名前十一位)表3.9:理學(xué)電氣有限公司檢測設(shè)備與檢測技術(shù)DWPI專利國別分布情況 表3.10:西門子檢測設(shè)備與檢測技術(shù)領(lǐng)域?qū)@鹉晟暾堊兓闆r表表3.11:西門子檢測設(shè)備與檢測技術(shù)DWPI專利總體分布情況(Manual codr排名前七 位)表3.12:西門子

41、檢測設(shè)備與檢測技術(shù)DWPI專利國別分布情況第四部分:LED產(chǎn)業(yè)驅(qū)動電路領(lǐng)域?qū)@治龅谝徽聢D1.1: LED驅(qū)動中國專利申請人國省分布圖1.2: LED驅(qū)動中國專利歷年專利申請數(shù)量圖1.3: LED驅(qū)動專利國家分布圖1.4: LED驅(qū)動全球歷年申請數(shù)量第二章圖2.1: LED驅(qū)動中國專利I PC分布T0P20圖2.2: LED驅(qū)動中國專利申請人TOP20的IPC構(gòu)成圖2.3: LED驅(qū)動中國專利國內(nèi)申請人TOP20的IPC分布圖2.4: LED驅(qū)動中國專利國(境)外申請人TOP20的IPC分類表2.1:中國專利申請I PC分布TOP20及其含義表2.2: LED驅(qū)動 全球?qū)@鸌 PC分布TOP2

42、0及其含義表2.3: LED驅(qū)動 核心專利US6016038A的同族專利及其被引證情況統(tǒng)計 表2.4: LED驅(qū)動核心專利US6016038A的同族專利歷年被引證情況統(tǒng)計 表2.5: LED驅(qū)動 核心專利US6166496A的同族專利及其被引證情況統(tǒng)計 表2.6: LED驅(qū)動 核心專利US6166496A的同族專利歷年被引證情況統(tǒng)計AA- *第三章圖3.1: LED驅(qū)動中國專利申請人構(gòu)成分析圖3.2: LED驅(qū)動中國專利國內(nèi)申請人構(gòu)成分析圖3.3: LED驅(qū)動中國專利國內(nèi)申請人專利類型分析圖3.4: LED驅(qū)動中國專利國內(nèi)申請人專利IPC構(gòu)成分析圖3.5: LED驅(qū)動中國專利廣東省申請人構(gòu)成人

43、分析圖3.6: LED驅(qū)動中國專利廣東省申請人專利數(shù)量趨勢圖3.7: LED驅(qū)動中國專利廣東省申請人專利類型圖3.8: LED驅(qū)動中國專利 廣東省申請人專利IPC構(gòu)成圖3.9: LED驅(qū)動中國專利國(境)外申請人專利類型構(gòu)成圖3.10: LED驅(qū)動中國專利國(境)外申請人專利構(gòu)成分析圖3.11: LED驅(qū)動中國專利國(境)外申請人專利I PC構(gòu)成分析 圖3.12:飛利浦專利I PC構(gòu)成分析 圖3.13:飛利浦歷年申請專利數(shù)量趨勢圖3.14:三星專利IPC構(gòu)成分析 圖3.15:三星歷年申請專利數(shù)量趨勢圖3.16:愛普生專利I PC構(gòu)成分析 圖3.17:愛普生歷年申請專利數(shù)量趨勢圖3.18:西門子

44、專利I PC構(gòu)成分析 圖3.19:西門子歷年申請專利數(shù)量趨勢 表3.1:全球TOP20專利申請人:第五部分LED產(chǎn)業(yè)外延領(lǐng)域?qū)@治龅谝徽聢D1.1: LED外延料中國專利類型的分布 圖1.2: LED外延料中國專利的國省分布 圖1.3: LED外延料中國專利趨勢分析 圖1.4: LED原材料廣東省專利類型的分布 圖1.5: LED原材料廣東省專利趨勢分析 圖1.6:全球外延專利分析 圖1.7:全球外延專利逐年申請變化情況 表1.1:全球外延專利歷年專利申請情況第二章圖2.1: LED外延中國專利IPC的構(gòu)成 圖2. 2 :圖形襯底中國專利申請人構(gòu)成 圖2.3:圖形襯底中國專利申請量趨勢 圖2.

45、4:非極性面外延中國專利申請量趨勢 圖2.5:光子晶體LED中國專利申請人構(gòu)成 圖2.6:光子晶體LED中國專利申請量趨勢 圖2.7: DBR結(jié)構(gòu)LED中國專利申請量趨勢 圖2.8:共振腔結(jié)構(gòu)LED中國專利申請人構(gòu)成 圖2.9: LED外延廣東省專利I PC的構(gòu)成 圖2.10: LED外延國外專利IPC分類號技術(shù)分布情況 圖2.11: LED外延Derwent code(德溫特分類號)技術(shù)分布情況 圖2.12:重點國家LED外延專利技術(shù)特征分布圖圖2.13:重點國家LED外延襯底專利技術(shù)特征分布圖 圖2.14:重點國家LED外延特殊結(jié)構(gòu)專利技術(shù)特征分布圖表2.1: LED外延中國專利前10位I

46、PC構(gòu)成 表2.2:圖形襯底中國專利申請人構(gòu)成 表2.3:非極性面外延中國專利申請人構(gòu)成 表2.4:光子晶體LED中國專利申請人構(gòu)成 表2.5: DBR結(jié)構(gòu)LED中國專利申請人構(gòu)成 表2.6:共振腔結(jié)構(gòu)LED中國專利申請人構(gòu)成 表2.7: LED外延廣東省專利I PC的構(gòu)成 表2.8: LED外延國外專利I PC分類號技術(shù)分布情況 表2.9: LED外延Derwent manual code (德文特手工代碼)技術(shù)分布情況 表2.10:歷年引證US5578839A專利情況137表2.11:引證US5578839A前20位的專利權(quán)人情況表2.12:歷年引證US5587593A專利情況表2.13:

47、引證US5587593A的專利權(quán)人情況表2.14:歷年引證US6046465A專利情況表2.15:引證US6046465A的專利權(quán)人情況AA- *第三章圖3.1:外延中國專利申請人構(gòu)成分析圖3.2:外延料國內(nèi)申請人IPC分布圖3.3:外延中國專利國外申請人的IPC分布圖3.4:外延中國專利廣東省申請人的I PC分布圖3.5:國外LED外延專利Derwent Company Code (公司代碼)分布情況 圖3.6:國外LED外延專利申請人排名情況 圖3.7:日亞公司外延專利技術(shù)內(nèi)容分布情況 圖3.8:豐田合成公司外延專利技術(shù)內(nèi)容分布情況 圖3.9:歐司朗公司外延專利技術(shù)內(nèi)容分布情況 圖3.10

48、:三星公司外延專利技術(shù)內(nèi)容分布情況表3.1:外延中國專利申請人構(gòu)成分析表3.2:外延國內(nèi)申請人IPC分布表3.3:外延中國專利國外申請人的IPC分布表3.4:外延中國專利廣東省申請人的IPC分布表3.5:電國外LED外延專利申請人排名情況第六部分LED產(chǎn)業(yè)芯片領(lǐng)域?qū)@治龅谝徽聢D1.1:我國LED芯片領(lǐng)域?qū)@愋头植?圖1.2:國內(nèi)LED芯片專利申請地域分布 圖1.3:國外LED芯片領(lǐng)域在華專利申請比例 圖1.4: LED芯片中國專利申請趨勢 圖1.5: LED芯片廣東省專利類型的分布 圖1.6:廣東省芯片專利申請發(fā)展趨勢 圖1.7:全球芯片專利分布 圖1.8:全球芯片專利逐年申請變化情況表1

49、.1: LED芯片申請量分布情況第二章圖2.1: LED芯片中國專利IPC國際專利分類號分布情況圖2.2: LED芯片刻蝕技術(shù)中國專利申請逐年分布情況圖2.3: LED芯片刻蝕技術(shù)中國專利主要IPC技術(shù)申報趨勢分析圖2.4: LED芯片刻蝕技術(shù)中國專利主要競爭者分析圖2.5: LED芯片歐姆接觸中國專利申請趨勢分析圖2.6: LED芯片歐姆接觸中國專利國省分布狀況 圖2.7: LED芯片歐姆接觸技術(shù)中國專利主要競爭者分析圖2.8: LED芯片新型結(jié)構(gòu)中國專利申請趨勢分析圖2.9: LED芯片新型結(jié)構(gòu)中國專利國省分布狀況圖2.10: LED芯片新型結(jié)構(gòu)中國專利主要競爭者分析圖2.11: LED芯

50、片廣東省專利前10位IPC的構(gòu)成圖2.12: LED芯片IPC國外專利分類號技術(shù)分布情況圖2.13: LED芯片Derwent code(德溫特分類號)技術(shù)分布情況圖2.14: LED芯片專利技術(shù)特征分布圖圖2.15: LED芯片刻蝕專利特征分布圖圖2.16: LED芯片歐姆接觸專利技術(shù)特征分布圖圖2.17: LED芯片傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)專利技術(shù)特征分布圖圖2.18: LED芯片新型結(jié)構(gòu)專利技術(shù)特征分布圖表2.1: LED芯片中國專利IPC國際專利分類號小類分布情況表2.2: LED芯片廣東省專利前10位IPC的構(gòu)成表2.3: LED芯片國外專利分類號技術(shù)分布情況表2.4:歷年引證US3936855A專

51、利情況表2.5:引證US3936855A的專利權(quán)人情況表2.6:歷年引證US20030141507A1專利情況表2.7:引證US20030141507A1前20位的專利權(quán)人情況表2.8: LED芯片Derwent manual code (德文特手工代碼)技術(shù)分布情況aa- *第三章圖3.1:國內(nèi)申請人與國外申請人分布 圖3.2:中國LED芯片各主要申請人分布 圖3.3:中國申請人專利技術(shù)分布 圖3.4:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專利技術(shù)分布 圖3.5:北京工業(yè)大學(xué)專利技術(shù)分布 圖3.6:三星電子株式會社專利技術(shù)分布 圖3.7:廣東省專利申請前十位申請人分布 圖3.8:廣東省芯片專利申請發(fā)展趨勢

52、圖3.9:臺灣重點申請人專利技術(shù) 圖3.10:臺灣省芯片專利申請發(fā)展趨勢圖3.11 :國外LED芯片專利Derwent Company Code (公司代碼)分布情況 圖3.12:國外LED芯片專利申請人排名情況 圖3.13:三星公司芯片專利技術(shù)內(nèi)容分布情況 圖3.14:歐司朗專利技術(shù)內(nèi)容分布情況 圖3.15:羅姆株式會專利技術(shù)內(nèi)容分布情況圖3.15: LG公司芯片專利技術(shù)內(nèi)容分布情況 圖3.16: NEC公司專利技術(shù)內(nèi)容分布情況圖 3.17:科銳公司專利技術(shù)內(nèi)容分布情況圖 3.18:全球 LED 芯片相關(guān)專利前 5 位申請人年度申請趨勢表 3.1:LED 芯片各主要申請人專利申請量分布表 3

53、.2:中國 LED 芯片各主要申請人分布表 3.3:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所專利技術(shù)分布表 3.4:北京工業(yè)大學(xué)專利技術(shù)分布表 3.5:三星電子株式會社專利技術(shù)分布表 3.6:廣東省專利申請前十位申請人申請量分布表 3.7:國外 LED 芯片專利申請人排名情況第七部分LED產(chǎn)業(yè)封裝領(lǐng)域?qū)@治龅谝徽聢D 1.1:我國(包括臺灣省)封裝專利類型分析圖 1.2:我國(包括臺灣?。┓庋b專利法律狀態(tài)分析圖 1.3:我國(包括臺灣?。┓庋b專利申請國內(nèi)外比例圖 1.4:我國(包括臺灣?。└魇》庋b專利數(shù)量比例圖 1.5:國外來華申請封裝專利各國數(shù)量比例圖 1.6:我國(包括臺灣?。┓庋b歷年專利申請情況圖 1.7

54、:全球 LED 封裝歷年專利申請情況表 1.1:我國(包括臺灣?。└魇》庋b專利數(shù)量比例表 1.2:國外來華申請封裝專利各國數(shù)量比例表 1.3:我國(包括臺灣?。┓庋b歷年專利申請情況表 1.4:全球 LED 封裝歷年專利申請情況第二章圖2.1:我國LED封裝專利申請排名前十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)圖2.2:我國前20位專利申請人(包括國內(nèi)和國外來華)及其主要I PC綜合比較圖2.3:全球LED封裝專利申請排名前二十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)圖2.4:全球LED封裝領(lǐng)域的專利主題全景圖圖 2.5:全球 LED 表面貼裝封裝歷年專利申請情況圖 2.6:全球 LED 表面貼裝封裝專利申請國家分布圖 2.

55、7:全球 LED 表面貼裝封裝專利主要申請人分布圖2.8:全球前10位專利申請人及其主要IPC綜合比較圖2.9:我國(包括臺灣?。㏒MD封裝歷年專利申請情況圖2.10:我國SMD 封裝專利申請前十位地區(qū)/來華國家圖2.11 :我國SMD 封裝專利主要申請人圖2.12:我國LED表面貼片封裝專利申請排名前十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)圖 2.13:全球倒裝封裝歷年專利申請情況圖 2.14:全球倒裝封裝專利申請國家分布圖 2.15:全球倒裝封裝專利主要申請人分布圖 2.16:全球前 10 位專利申請人及其主要 IPC 綜合比較圖 2.17:我國(包括臺灣省)倒裝封裝歷年專利申請情況圖 2.18:我國倒

56、裝封裝專利申請前十位地區(qū)/來華國家圖 2.19:我國倒裝封裝專利主要申請人圖2.20:我國LED倒裝封裝專利申請排名前十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)圖 2.21:全球共晶焊技術(shù)歷年專利申請情況圖 2.22:全球共晶焊專利申請國家分布圖 2.23:Lumileds 公司采用共晶焊的芯片結(jié)構(gòu)圖 2.24:OSRAM 公司采用共晶焊的工藝圖 2.25:我國共晶焊技術(shù)專利申請前六位地區(qū)/來華國家圖 2.26:我國共晶焊技術(shù)專利主要申請人圖2.27:我國LED共晶焊技術(shù)專利申請排名前十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)圖 2.28:全球多芯片模塊化封裝歷年專利申請情況圖 2.29:全球多芯片封裝專利申請國家分布圖 2

57、.30:我國(包括臺灣?。┒嘈酒K化封裝歷年專利申請情況圖 2.31:我國多芯片模塊化封裝專利申請前十位地區(qū)/來華國家圖 2.32:我國多芯片模塊化封裝專利主要申請人圖2.33:我國LED多芯片模塊化封裝專利申請排名前十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)表2.1:我國LED封裝專利申請排名前十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)表2.2:國內(nèi)LED封裝專利前七位申請人及其主要IPC綜合比較 表2.3: LED封裝專利部分國外來華重點申請人及其主要IPC綜合比較 表2.4:全球LED 封裝專利申請排名前二十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)表 2.5:全球 LED 封裝專利申請排名前二十位的 DMC(Derwent 手工代碼

58、)表 2.6:全球 LED 表面貼裝封裝歷年專利申請情況表 2.7:全球 LED 表面貼裝封裝專利申請國家分布表 2.8:全球 LED 表面貼裝封裝專利主要申請人分布表2.9:全球LED表面貼片封裝專利申請排名前二十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)表2.10:全球LED表面貼片封裝專利申請排名前二十位的DMC (技術(shù)領(lǐng)域) 表2.11: SMD 封裝被引證數(shù)前十位的核心專利表2.12:我國(包括臺灣?。㏒MD封裝歷年專利申請情況表2.13:我國SMD 封裝專利申請前十位地區(qū)/來華國家表2.14:我國SMD封裝專利主要申請人表2.15:我國LED表面貼片封裝專利申請排名前十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域) 表2

59、.16:全球倒裝封裝歷年專利申請情況 表2.17:全球倒裝封裝專利申請國家分布表2.18:全球倒裝封裝專利主要申請人分布表2.19:全球倒裝封裝專利申請排名前二十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域) 表2.20:全球倒裝封裝專利申請排名前二十位的DMC (技術(shù)領(lǐng)域) 表2.21:倒裝封裝被引證數(shù)前十位的核心專利 表2.22:我國(包括臺灣?。┑寡b封裝歷年專利申請情況 表2.23:我國倒裝封裝專利申請前十位地區(qū)/來華國家 表2.24:我國倒裝封裝專利主要申請人表2.25:我國LED倒裝封裝專利申請排名前十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)表 2.26:全球共晶焊技術(shù)歷年專利申請情況表 2.27:全球共晶焊專利申請國家

60、分布表2.28:全球共晶焊專利申請排名前二十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)表2.29:全球共晶焊專利申請排名前二十位的DMC (技術(shù)領(lǐng)域)表 2.30:共晶技術(shù)被引證數(shù)前十位的核心專利 表2.31:我國共晶焊技術(shù)專利申請前六位地區(qū)/來華國家 表2.32:我國共晶焊技術(shù)專利主要申請人表2.33:我國LED共晶焊技術(shù)專利申請排名前十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域)表 2.34:全球多芯片模塊化封裝歷年專利申請情況表 2.35:全球多芯片封裝專利申請國家分布表2.36:全球LED多芯片模塊化封裝專利申請排名前二十位的IPC (技術(shù)領(lǐng)域) 表2.37:全球LED多芯片模塊化封裝專利申請排名前二十位的DMC (技術(shù)領(lǐng)

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