半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度報(bào)告：半導(dǎo)體的兩次跨越和引領(lǐng)主線

1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度報(bào)告：半導(dǎo)體的兩次跨越和引領(lǐng)主線1、 復(fù)盤半導(dǎo)體第一次跨越：估值提升主導(dǎo)，全面提速大方向確立1.1、 電子板塊迎景氣周期，半導(dǎo)體漲幅遙遙領(lǐng)先2019-2020H1 電子行業(yè)板塊漲幅遠(yuǎn)超同期滬深 300 指數(shù)漲幅。2019 年初至 2020H1，滬深 300 指數(shù)漲幅 40.2%，電子板塊漲幅為 117.4%，遠(yuǎn)超滬深 300 指 數(shù)漲幅，電子行業(yè)整體景氣度快速提升。2019-2020H1 半導(dǎo)體行業(yè)漲幅領(lǐng)跑電子行業(yè)，實(shí)現(xiàn)第一次指數(shù)上的跨越。以 2019 年初價(jià)格指數(shù) 100 為基數(shù)，對申萬一級電子行業(yè)及申萬二級電子行業(yè)進(jìn)行 統(tǒng)計(jì)分析。2019 年初至 2020H1，電子行業(yè)漲幅為

2、 117.4%，其中半導(dǎo)體漲幅為 226.9%，其他電子漲幅為 92.0%，元件 II 漲幅為 101.8%，光學(xué)光電子漲幅為 60.8%， 電子制造 II 漲幅為 141.6%。1.2、 2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上行主要源于估值提升多因素助推國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)上行，自主可控是主要驅(qū)動力。2019 年初至 2020 中旬半導(dǎo)體板塊大漲的主要原因?yàn)椋海?）華為、中芯等事件性影響 凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性，是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展 的最大推動力；（2）半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入景氣周期，產(chǎn)業(yè)持續(xù)東移的同時(shí)國產(chǎn)化率仍 較低，國產(chǎn)化空間廣闊；（3）國內(nèi)政策、資金持續(xù)加大力度支持半導(dǎo)體產(chǎn)

3、業(yè)發(fā)展。（1）華為、中芯等事件凸顯國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性， 是國內(nèi)半導(dǎo)體發(fā)展的最大推動力。2018 年美國對中興通訊發(fā)起制裁， 2019-2020 年間，美國多次對華為進(jìn)行制裁，從最初的禁令名單限制到最終完全 限制華為向第三方采購芯片，一系列制裁迫使華為芯片斷供，手機(jī)業(yè)務(wù)分拆。此 外，美方更進(jìn)一步升級對中芯國際的制裁，嚴(yán)重限制了中國半導(dǎo)體先進(jìn)制程的發(fā) 展，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控迫在眉睫。（2）半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)提升，產(chǎn)能持續(xù)向中國大陸轉(zhuǎn)移。進(jìn)入 5G 時(shí) 代，半導(dǎo)體行業(yè)新的上行周期開啟，中國作為全球 5G 建設(shè)的領(lǐng)軍企業(yè)，5G 基 站的建設(shè)速度全面領(lǐng)先，受益于 5G 鋪開

4、，5G 下游包括醫(yī)療、汽車、工業(yè)、消 費(fèi)電子多個(gè)領(lǐng)域的新興應(yīng)用快速成長，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展空間進(jìn)一步打開。產(chǎn)業(yè)東移帶來大量產(chǎn)業(yè)鏈配套需求。過去幾十年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了 兩次轉(zhuǎn)移，一次是 1970s，從美國轉(zhuǎn)移至日本，日本半導(dǎo)體崛起，一度成為全球 最大芯片出口國；后美國限制、干預(yù)了日本半導(dǎo)體的發(fā)展，在 1990s 出現(xiàn)了第二 次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，韓國三星、中國臺灣臺積電等廠商迅速崛起；如今，隨著中國市場 廣闊的半導(dǎo)體需求以及晶圓制造產(chǎn)能的擴(kuò)張，中國大陸正承接第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)移，晶圓產(chǎn)能份額持續(xù)提升，優(yōu)質(zhì)本土企業(yè)迅速涌現(xiàn)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本土化率仍較低，空間廣闊。2015-2019 年，中國集成 電路銷

5、售額從 3609.8 億元增至 7562.3 億元，中國集成電路進(jìn)口額從 2299.28 億 美元增至 3055.5 億美元，國產(chǎn)化率從 25.21%提升至 35.88%，盡管國產(chǎn)化率顯著 提升，但是我國本土企業(yè)主要集中在后段的封測環(huán)節(jié)，在關(guān)鍵的晶圓制造、IC 設(shè)計(jì)、設(shè)備和材料等領(lǐng)域，空間依然廣闊。（3）國家政策、資金持續(xù)加大力度，支持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在半導(dǎo)體 行業(yè)景氣度提升以及美國制裁持續(xù)的大背景下，國內(nèi)在半導(dǎo)體相關(guān)政策端利好不 斷，具體措施包括投資補(bǔ)助、稅收優(yōu)惠等，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護(hù)航。國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金牽頭注資，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基本實(shí)現(xiàn)“不差錢”。從資本 端投入來看，2014 年國家

6、集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期股份有限公司成立，投資 1387 億元；2019 年 10 月，國家大基金二期成立，注冊資本 2041.5 億元。國家 資本的投入帶動民間資本持續(xù)流入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“不差錢”。根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2019 年及 2020H1 半導(dǎo)體企業(yè)的 IPO、可轉(zhuǎn)債、定增融資額分別達(dá)到 643 億元、313 億元；2020 年投融資事件相比 2019 年近乎翻倍達(dá)到 413 件。半導(dǎo)體板塊指數(shù)上漲歸因分析：2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上升主要來源于估值提升，2020Q3-2021Q1 指數(shù)震蕩源于業(yè)績兌現(xiàn)與估值的消化。股價(jià)可以拆分 為歸母凈利潤和 PE 的乘積，我們對

7、 2019 初至今的申萬半導(dǎo)體行業(yè) PE(TTM)及 歸母凈利潤(TTM)的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，運(yùn)用兩個(gè)因子的相對貢獻(xiàn)率進(jìn)行歸因分析， 即估值（PE）因子貢獻(xiàn)率、歸母凈利潤因子貢獻(xiàn)率相乘得出對市值上漲的貢獻(xiàn) 率為 100%，若一個(gè)因子貢獻(xiàn)率大于 100%則說明該段時(shí)間指數(shù)上漲更多來源于 該因子驅(qū)動，小于 100%則說明該因子對指數(shù)上漲貢獻(xiàn)相對更小，2019 年至今估值因素和業(yè)績因素對股價(jià)的相對貢獻(xiàn)率對比，2019-2020H1，估值貢獻(xiàn) 率100%歸母凈利潤貢獻(xiàn)率，說明 2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上漲主要來源于估 值提升而非業(yè)績上漲，而 2020Q3-2021Q1 的指數(shù)震蕩則來源于業(yè)績和估

8、值的此 漲彼消，業(yè)績是這段時(shí)間指數(shù)沒有繼續(xù)下跌的主要支撐。1.3、 2020Q3-2021Q1 震蕩行情下業(yè)績和估值此漲彼消2020Q3-2021Q1 全球半導(dǎo)體景氣度持續(xù)高漲，而申萬半導(dǎo)體板塊持續(xù)震蕩，形成鮮明反差。2020H2 以來伴隨著需求的逐步恢復(fù)，全球半導(dǎo)體需求旺盛，處 于供不應(yīng)求的態(tài)勢，行業(yè)高度景氣。以 2020 年 7 月 15 日作為基期，截至 2021 年 3 月 14 日，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)累計(jì)漲幅達(dá) 43.65%，同期國內(nèi)申萬半導(dǎo)體板塊指 數(shù)累計(jì)下跌 17.53%，國內(nèi)外半導(dǎo)體指數(shù)分化顯著。2020Q3-2021Q1 半導(dǎo)體板塊的震蕩主要源于事件性影響以及估值的消化：我們判斷

9、分化明顯主要有以下原因：（1）事件影響：華為禁令等事件性影響對市 場的預(yù)期影響已經(jīng)反映，但是對產(chǎn)業(yè)鏈上市公司業(yè)績的影響并未完全體現(xiàn)，事件 性影響對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展造成了較大的不確定性，基于此，我們先前報(bào)告判斷 2021Q1 為半導(dǎo)體板塊重要時(shí)間點(diǎn)；（2）板塊估值消化：基期申萬半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 161.59 倍，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 26.80 倍，當(dāng)前申萬半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 85.87 倍，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù) PE TTM 為 32.45 倍，國內(nèi)半導(dǎo)體指數(shù)整 體估值明顯高于美國費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)，估值消化是板塊震蕩分化的重要原因。2、 半導(dǎo)體第二次跨越：業(yè)績主導(dǎo)，業(yè)績

10、兌現(xiàn)和行業(yè)景氣度是核心影響要素2.1、 2021Q1 至今半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)亮眼，業(yè)績持續(xù)兌現(xiàn) 能力較高的細(xì)分龍頭引領(lǐng)此輪行情預(yù)期業(yè)績兌現(xiàn)，半導(dǎo)體表現(xiàn)亮眼。相比于電子行業(yè)其他板塊，半導(dǎo) 體板塊業(yè)績持續(xù)高速增長。我們可以看到，2020Q1 至今，半導(dǎo)體營收單季度營 業(yè)收入同比增幅持續(xù)提升，從 2020Q1 的同比增長 20.04%提升至 2021Q1 的 93.06%。同期，半導(dǎo)體板塊單季度歸母凈利潤同比增速從 180.03%升至 202.84%， 邏輯在業(yè)績上持續(xù)快速兌現(xiàn)。以 2019 年初為基期，半導(dǎo)體行業(yè)累計(jì) PE 漲幅于 2020 年中旬出現(xiàn)高點(diǎn)，隨 后回調(diào)，高估值逐漸消化，累計(jì)單季度歸母凈

11、利潤漲幅不斷上行，預(yù)期 逐步反映?？偨Y(jié)來說，2019-2020H1 半導(dǎo)體指數(shù)上行主要源于估值的提升，而 2020Q3-2021Q1 指數(shù)震蕩則主要是華為、中芯等事件性影響及估值的消化的結(jié)果。2021Q1 至今半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)亮眼，大幅跑贏滬深 300 指數(shù)。以 2021 年 4 月 1 日為基期，截至 2020 年 6 月 27 日，申萬半導(dǎo)體指數(shù)累計(jì)上漲 34.88%，滬 深 300 指數(shù)累計(jì)上漲 2.53%，2021Q2 半導(dǎo)體指數(shù)跑贏滬深 300 指數(shù) 32.35 個(gè)百分 點(diǎn)。本輪行情呈現(xiàn) K 型分化走勢，產(chǎn)業(yè)趨勢和競爭格局良好、行業(yè)壁壘較高的各細(xì)分板塊龍頭表現(xiàn)亮眼。我們先前判斷，202

12、1Q1 為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的時(shí)間節(jié) 點(diǎn)，華為、中芯等事件對供應(yīng)鏈預(yù)期和業(yè)績上的影響全面落地。事實(shí)上，半導(dǎo)體 板塊從 2021Q1 開始表現(xiàn)亮眼，迎來反轉(zhuǎn)行情。我們梳理了 2020Q1 至今 （2021-06-27）申萬半導(dǎo)體漲幅表現(xiàn)較好的個(gè)股（我們選取市值大于 100 億的個(gè) 股，同時(shí)剔除新股，以剔除擾動因素），其中，LED 驅(qū)動芯片企業(yè)表現(xiàn)亮眼，富 滿電子、晶豐明源主要產(chǎn)品均為 LED 驅(qū)動類芯片，2020 年下半年開始的缺芯持 續(xù)至今，主要表現(xiàn)為 8 英寸產(chǎn)能的緊缺，LED 芯片、電源管理類芯片、低端 MCU 等產(chǎn)品尤為緊缺，該類產(chǎn)品行業(yè)景氣指數(shù)在半導(dǎo)體板塊中相對較高，因此市場給 予較高的預(yù)

13、期；而以士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、華潤微、捷捷微電、北京君正等為代 表的汽車半導(dǎo)體企業(yè)在電動車持續(xù)景氣的大背景下，表現(xiàn)亮眼；卓勝微作為國內(nèi) 射頻前端器件領(lǐng)域龍頭企業(yè)，所處賽道市場空間廣闊、行業(yè)壁壘較高、競爭格局 良好，同樣表現(xiàn)優(yōu)異；此外，半導(dǎo)體設(shè)備和材料方面，受益于國內(nèi)晶圓擴(kuò)產(chǎn)大潮 持續(xù)推動，國內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)、半導(dǎo)體材料平臺型巨頭雅克科技 業(yè)績增長具備較高確定性，同樣獲得了較大漲幅。我們認(rèn)為華為、中芯等事件后， 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的必要性和緊迫性凸顯，中短期而言，本輪行情將會呈現(xiàn) K 型分化走勢，產(chǎn)業(yè)趨勢、競爭格局以及技術(shù)壁壘是核心影響要素；長期而言， 半導(dǎo)體行業(yè)仍然是未來 3-5 年

14、的科技投資主線。2.2、 下游需求旺盛+行業(yè)高景氣,半導(dǎo)體第二次跨越在路上2.2.1、汽車半導(dǎo)體：變革大時(shí)代，汽車半導(dǎo)體有望站上歷史的進(jìn)程汽車電子器件種類多樣，汽車芯片應(yīng)用廣泛。汽車電子包括車體電子控制裝 置和車載電子控制裝置，前者需要和汽車機(jī)械系統(tǒng)配合，后者能夠獨(dú)立使用。汽 車電子控制技術(shù)及系統(tǒng)的綜合性能，直接影響整車的動力性、舒適性、操縱穩(wěn)定 性和經(jīng)濟(jì)性等，是現(xiàn)代汽車的靈魂。隨著汽車電動化與智能化，電動汽車和無人 駕駛發(fā)展迅猛，相應(yīng)的輔助駕駛系統(tǒng) ADAS、電池管理系統(tǒng) BMS 等被廣泛應(yīng)用， 汽車中配置的電子零組件占比越來越高，與物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等應(yīng)用相關(guān)的器件， 如模擬芯片、邏輯芯片、

15、存儲芯片、微控制器芯片、分立器件、光學(xué)半導(dǎo)體、傳 感器和執(zhí)行器等，都成為各大半導(dǎo)體廠商（包括 IDM 和 Fabless）重點(diǎn)布局的領(lǐng) 域，據(jù)測算平均每輛車搭載半導(dǎo)體為 1600 個(gè)。汽車上下游產(chǎn)業(yè)鏈芯片主要分為 環(huán)境感知層、決策控制層、網(wǎng)絡(luò)通信層、人機(jī)交互層和電氣電力層五大方面，廣 泛應(yīng)用于下游乘用車、商用車等主機(jī)廠和 OTA、信息安全、新能源充換電等應(yīng) 用服務(wù)。電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化是汽車行業(yè)大勢所趨。電動化：由于電動車機(jī)械 結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)燃油車更簡單，電機(jī)較內(nèi)燃機(jī)能量利用率更高，其動力鋰電池成本、 續(xù)航里程和充電配套設(shè)施等問題正逐步得到優(yōu)化，特別是在碳達(dá)峰、碳中和政策 背景下，全球各地陸續(xù)立

16、法通過了燃油車禁售時(shí)間點(diǎn)，隨著特斯拉 model 3 和 model Y 等極具產(chǎn)品力車型進(jìn)入主流中端價(jià)位市場攻城略地帶來鯰魚效應(yīng)，各大 車企紛紛轉(zhuǎn)型加速布局新能源車。全球新能源車產(chǎn)量從 2014 年的 54.9 萬輛增至 2020 年的 324 萬輛，2014-2020 年 CAGR 為 42.62%，滲透率從 0.61%增至 4.24%；智能化：智能汽車將通過搭載先進(jìn)傳感器等裝置，運(yùn)用人工智能等新技術(shù)，具有 自動駕駛功能，逐步成為兼具娛樂、社交、工作屬性的智能移動空間和應(yīng)用終端， 智能化由于其先進(jìn)的體驗(yàn)感將成為汽車變革下半頁，目前絕大部分整車廠商均在 布局智能化。實(shí)現(xiàn)智能化的關(guān)鍵和終極目標(biāo)

17、是自動駕駛技術(shù)，SAE 將自動駕駛 水平分為 L0 級（純由駕駛員控制）至 L5 級（完全自動駕駛），級別越高，車輛 自動化程度越高；網(wǎng)聯(lián)化：網(wǎng)聯(lián)化通過車聯(lián)網(wǎng)（V2X）對智能化（自動駕駛技術(shù)、 智慧座艙）進(jìn)行了補(bǔ)充，車聯(lián)網(wǎng)（V2X）是實(shí)現(xiàn)車輛與周圍的車、人、交通基礎(chǔ) 設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)等全方位連接和通信的新一代信息通信技術(shù)，IDC 數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球智能網(wǎng)聯(lián)汽車出貨量約為 4440 萬輛，2024 年或達(dá) 7620 萬輛，2020-2024 年 CAGR 為 14.5%?！叭壁厔莩掷m(xù)推動汽車硅含量提升。汽車在向“三化”發(fā)展的同時(shí)，產(chǎn)業(yè)鏈 價(jià)值構(gòu)成也正發(fā)生劇變，與內(nèi)燃機(jī)相關(guān)的系統(tǒng)和元器件正在

18、縮減，而三電（電池、 電驅(qū)、電控）的引入快速推升汽車硅含量。成本結(jié)構(gòu)上來看，傳統(tǒng)燃油車中發(fā)動機(jī)、傳動系統(tǒng)、車身、汽車電子、底盤、內(nèi)外飾一般分別占據(jù)總成本的 15%/10%/15%/15%/10%/10%；而常規(guī)電動汽車中，電驅(qū)動力系統(tǒng)主要由電池、 電機(jī)和電控組成，一般占 50%的價(jià)格成本，其中電池又占比 38%，電機(jī)占比 6.5%， 電控占比 5.5%，此外，底盤占比 14%，車身占比 5%，內(nèi)飾占比 15%，電子占 比 9%，其他占比 7%。以 2019 年典型的某 L1 級豪華品牌燃油車為例，根據(jù)羅 蘭貝格測算，汽車電動化推動豪華品牌電池管理、電控系統(tǒng)電子元件單車價(jià)值凈 提升 2235 美

19、元，自動駕駛推動豪華品牌單車電子元件價(jià)值量凈提升 925 美元， 數(shù)字互聯(lián)推動豪華品牌單車電子電氣架構(gòu)相關(guān)元器件價(jià)值凈提升 725 美元，汽車 電子電氣相關(guān)的 BOM（物料清單）價(jià)值（不含電池與電機(jī)）將從 2019 年的 3145 美元提升至 2025 年的 7030 美元，單車增量達(dá) 3885 美元，增幅為 123.53%。汽車半導(dǎo)體受益“三化”趨勢多點(diǎn)開花，各細(xì)分領(lǐng)域打開增量空間。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2020 年全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模為 380 億美元，受益于汽車行業(yè)“三化” 趨勢，預(yù)計(jì)到 2026 年將達(dá)到 676 億美元，2020-2026 年 CAGR 為 10.08%。我國 作為汽

20、車制造大國，汽車產(chǎn)量蟬聯(lián)全球第一，對汽車半導(dǎo)體需求同樣旺盛，2020 年中國汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模約為 94 億美元，預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 159 億美元， 2020-2030 年 CAGR 為 5.40%。具體拆分來看：功率半導(dǎo)體：全球汽車功率半導(dǎo)體市場規(guī)模 2018 年為 90 億美元，隨著單車功 率器件價(jià)值以及電動車滲透率繼續(xù)提升，預(yù)計(jì) 2023 年或達(dá) 136 億美元， 2018-2023 年 CAGR 為 8.61%；計(jì)算和控制芯片：芯片算力提升將帶動主控芯片價(jià)值量成長，2020 年汽車計(jì) 算和控制類芯片市場規(guī)模約為 108 億美元，預(yù)計(jì)到 2025 年增長至 164 億美元， 2

21、020-2025 年 CAGR 為 8.71%；存儲芯片：增量主要來源于汽車智能化帶來的數(shù)據(jù)存儲需求，2020 年全球汽 車存儲芯片的市場規(guī)模約為 40 億美元，預(yù)計(jì)到 2025 年或達(dá) 83 億美元， 2020-2025 年 CAGR 為 15.72%；模擬芯片：電動化、網(wǎng)聯(lián)化為電源管理芯片、射頻芯片帶來了增量需求，2019 年汽車模擬芯片市場規(guī)模為 98 億美元，預(yù)計(jì)到 2024 年達(dá)到 150 億美元， 2019-2024 年 CAGR 為 8.89%；傳感器：我們測算到 2025 年汽車半導(dǎo)體傳感器市場增量將達(dá)到 31 億美元，增 量主要來源于車載 CIS、毫米波雷達(dá)、激光雷達(dá)等智能汽

22、車標(biāo)配硬件。低市場份額及高進(jìn)口依賴度，汽車半導(dǎo)體空間廣闊。全球半導(dǎo)體 市場的競爭格局來看，優(yōu)勢企業(yè)主要集中于美國、歐洲地區(qū)的德國、法國、荷蘭、 瑞士等國家，以及亞太地區(qū)的日本、韓國、中國和以色列等。恩智浦、瑞薩電子、 英飛凌、意法半導(dǎo)體、德州儀器等傳統(tǒng)汽車芯片巨頭具備豐富的產(chǎn)品布局和領(lǐng)先 的技術(shù)實(shí)力，2019 年占據(jù)全球汽車芯片 50%的市場份額。由于設(shè)計(jì)、生產(chǎn)等方 面的技術(shù)差距較大，至今我國未形成具備國際競爭力的汽車芯片供應(yīng)商，在汽車 芯片領(lǐng)域的市場份額較低，整體來看，我國汽車芯片進(jìn)口依賴度超 90%，缺芯 背景下海外汽車芯片廠商供應(yīng)短缺增加了國內(nèi)廠商的供應(yīng)鏈導(dǎo)入機(jī)會，汽車半導(dǎo) 體進(jìn)程有望全

23、面提速。我國汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上已逐步涌現(xiàn)出以斯達(dá)半 導(dǎo)、北京君正、士蘭微、韋爾股份、聞泰科技等為代表的具備競爭力的企業(yè)。我 國汽車半導(dǎo)體優(yōu)秀企業(yè)有望借行業(yè)景氣周期與共振迅速崛起，縮短在各 領(lǐng)域的主要差距并不斷提升自主率。2.2.2、5G 時(shí)代已來，硅含量持續(xù)提升全球智能手機(jī)出貨量重回正增長。在連續(xù)兩個(gè)季度的正增長之后，IDC 近日提高了對全球智能手機(jī)市場的出貨量預(yù)測。IDC 全球季度手機(jī)追蹤顯示，2021 年，智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到 13.8 億臺，同比增長 7.7%，預(yù)計(jì) 2022 年出貨 量或達(dá) 14.3 億臺，同比增長 3.8%?？傮w來看，扣除 2020 年疫情特殊影響，未 來智能手機(jī)

24、出貨量增長趨勢將逐步放緩，智能手機(jī)市場總體已步入存量競爭階段。2021 年 5G 手機(jī)將繼續(xù)放量增長。2021 年 4 月，國內(nèi)市場 5G 手機(jī)出貨量 2142 萬部，占同期手機(jī)出貨量的 77.9%，市場占比持續(xù)增長。IDC 預(yù)測，2021 年全球 5G 手機(jī)出貨量將增長近 130，預(yù)計(jì) 2021 年底，除中國以外的大部分國 家 5G 手機(jī)銷售量也都將迎來超過 3 位數(shù)的增長，中國 5G 手機(jī)市場份額將占據(jù) 全球近 50，美國將緊隨其后，占有 16的份額，而西歐和亞太地區(qū)（中國和 日本除外）將占據(jù)全球 5G 手機(jī)市場 23.1的份額，總體來看，2021 年將是 5G 手機(jī)放量大增的一年。5G

25、手機(jī)與 4G 手機(jī)相比，帶來更高的硅價(jià)值量。根據(jù) SUMCO 測算，5G 手 機(jī)對存儲和邏輯類芯片需求是原來 4G 的 1.7 倍。相比于 4G 手機(jī)，5G 手機(jī) DRAM 由 1-12GB 升級為 6-13GB，NAND 閃存由 8-512GB 升級至 128-512GB，AP（應(yīng) 用處理器）由 4-8 核升級為 8 核，圖像處理芯片由 1-7 個(gè)升級為 4-7 個(gè)。5G 手機(jī) 還需額外外掛一顆基帶芯片或集成于 AP 之中。SUMCO 測算，5G 手機(jī)相較于 4G 手機(jī)，12 寸晶圓需求量總體提升約 1.7 倍。根據(jù)韓國信息與通訊技術(shù)研究所稱，平均一部 4G 手機(jī)含有的半導(dǎo)體價(jià)值量為 126

26、.1 美元，一部 5G 手機(jī)含有 的半導(dǎo)體價(jià)值量為 233.9 美元，增長將近 85%。5G 基站建設(shè)正當(dāng)時(shí)，半導(dǎo)體器件量價(jià)齊升市場空間廣闊。根據(jù)中國聯(lián)通 5G 無線網(wǎng)演進(jìn)策略研究中對 3.5GHz 及 1.8GHz 在密集城區(qū)和普通城區(qū)覆蓋能 力的模擬測算，密集城區(qū)中 3.5GHz 頻段上行需要的基站數(shù)量是 1.8GHz 的 1.86 倍，普通城區(qū)中 3.5GHz 頻段上行需要的基站數(shù)量則是 1.8GHz 的 1.82 倍；從連 續(xù)覆蓋角度來看，5G 的基站數(shù)量是 4G 的 1.5-2 倍?？紤]到 5G 獨(dú)立組網(wǎng)和非獨(dú) 立組網(wǎng)的結(jié)合，預(yù)測 5G 基站總數(shù)將達(dá)到 4G 基站數(shù)的 1.3 至 1

27、.5 倍。據(jù)工信部數(shù) 據(jù)，2020 年，中國新建開通 5G 基站超 60 萬個(gè)，終端連接數(shù)突破 2 億，全部已 開通 5G 基站超過 71.8 萬個(gè)，實(shí)現(xiàn)全國所有地級以上城市覆蓋，2021 年計(jì)劃繼 續(xù)建設(shè) 5G 基站 60 萬個(gè)，向有條件的縣鎮(zhèn)延伸。受益于 5G 基站高半導(dǎo)體價(jià)值及 建設(shè)數(shù)量增長，全球 5G 通信基礎(chǔ)設(shè)施市場規(guī)模有望大幅增長，以其中的射頻前 端市場為例，預(yù)計(jì)將從 2019 年的 152 億美元增長至 2025 年的 254 億美元， 2019-2025 年 CAGR 為 11%。2.2.3、VR/AR：規(guī)模放量前夜，市場反饋良好VR，即虛擬現(xiàn)實(shí)，指借助計(jì)算機(jī)系統(tǒng)及傳感器技術(shù)生

28、成一個(gè)虛擬的 3D 環(huán) 境，創(chuàng)造出一種嶄新的人機(jī)交互狀態(tài)。實(shí)現(xiàn) VR 技術(shù)主要需要考慮模擬環(huán)境、感 知、傳感交互等方面。感知是指理想的 VR 應(yīng)該具有一切人所具有的感知。換言 之，除最基本的視覺之外，還有聽覺、觸覺、力覺、運(yùn)動等感知，甚至還包括嗅 覺和味覺等，也稱為多感知。傳感交互旨在感知人的頭部轉(zhuǎn)動，眼睛、手勢、或 其他人體行為動作，由計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理，并對用戶的輸入作出實(shí)時(shí)響應(yīng)、分別反 饋到用戶的五官。上述三維交互過程是達(dá)到 VR 理想的仿真標(biāo)準(zhǔn)的重要因素。AR，即增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)，指將現(xiàn)實(shí)世界的景象與虛擬的物體相結(jié)合，通過投射裝 置，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)實(shí)世界的虛擬疊加。攝像頭和傳感器采集真實(shí)場景的視頻或者圖像

29、， 傳入處理單元對其進(jìn)行識別和生成數(shù)據(jù)模型，同時(shí)結(jié)合頭部跟蹤設(shè)備的數(shù)據(jù)來分 析虛擬場景和真實(shí)場景的相對位置，實(shí)現(xiàn)坐標(biāo)系的對齊并進(jìn)行虛擬場景的建模繪 制融合計(jì)算。設(shè)備采集外部控制信號實(shí)現(xiàn)交互操作，最終達(dá)到“虛實(shí)結(jié)合”效果。VR/AR 產(chǎn)業(yè)鏈上包含芯片、捕捉/反饋設(shè)備、主機(jī)、系統(tǒng)/平臺、應(yīng)用/內(nèi)容 幾個(gè)層面。芯片領(lǐng)域主要供應(yīng)商為高通、AMD、英偉達(dá)、華為、德州儀器等； 傳感器領(lǐng)域主要有意法半導(dǎo)體；顯示屏主要為三星、京東方、LG；整機(jī)品牌商 有 Oculus、索尼、HTC；在內(nèi)容方面，以游戲?yàn)槔兴髂?、游久、愷英網(wǎng)絡(luò)等。VR/AR 作為當(dāng)前科技領(lǐng)域最熱門技術(shù)之一，被眾多科技公司和互聯(lián)網(wǎng)公司 爭相布局

30、。根據(jù)華為5G 時(shí)代十大應(yīng)用場景白皮書，在與 5G 高度相關(guān)的下游 應(yīng)用中，無線家庭娛樂和云 VR/AR 領(lǐng)域具備廣闊的市場潛力，因此，VR/AR 市 場在 5G 時(shí)代有望大幅受益。VR 設(shè)備在 2016 年引起廣泛關(guān)注后步入資本寒冬的 主要原因?yàn)闊o線傳輸速率、傳輸時(shí)延、設(shè)備重量、電池容量、便攜度等方面的瓶 頸，隨著 5G 時(shí)代到來以及傳感器、芯片、電池集成化程度持續(xù)提升，VR 設(shè)備 的痛點(diǎn)被逐個(gè)擊破，市場需求有望重振。AR/VR 正處于規(guī)模放量前夜。繼 2016 年虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)業(yè)元年、2018 年云 VR 產(chǎn)業(yè)元年、2019 年 5G 云 VR 產(chǎn)業(yè)元年過后，2020-2021 年將成為虛擬現(xiàn)

31、實(shí)快速 發(fā)展的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，2022-2025 年將步入深度沉浸的 5G 進(jìn)階期，目前全球正處于規(guī) 模上量和生態(tài)繁榮前夜。比之 2018-2020 年相對平緩的終端出貨量，隨著 Facebook Quest2、微軟 Hololens2 等標(biāo)桿 VR/AR 終端迭代發(fā)售以及電信運(yùn)營商 虛擬現(xiàn)實(shí)終端的發(fā)展推廣，2021 年有望成為 AR/VR 終端規(guī)模上量、顯著增長的 關(guān)鍵年份。VR/AR 終端產(chǎn)品市場反饋良好。據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2020 年全球虛擬顯示終端出 貨量約為 630 萬臺，VR、AR 終端出貨量占比分別 90%、10%，預(yù)計(jì) 2024 年終 端出貨量超 7500 萬臺，AR 占比升至 55%

32、，2020-2024 五年期間虛擬顯示出貨量 增速約為 86%，其中 VR、AR 增長分別為 56%、188%，預(yù)計(jì) 2023 年 AR 終端 出貨量有望超過 VR。據(jù) SuperData 數(shù)據(jù)，F(xiàn)acebook 旗下 2020 年 9 月推出的 VR 品牌 Oculus Quest 2 于 2020Q4 成為市場爆品，銷量超過 100 萬臺，遠(yuǎn)超第二位 PlayStation VR 的 12.5 萬臺，Oculus Quest 平臺上已有超 35 款游戲已經(jīng)達(dá)成了百 萬美元的收入。AR/VR 市場規(guī)模有望快速增長。在 VR/AR 終端出貨量不斷增長的背景下， 信通院數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球

33、虛擬現(xiàn)實(shí)市場規(guī)模約為 900 億元人民幣，其中 VR 市場為620億元，AR市場為280億元。預(yù)計(jì)2020-2024年全球虛擬現(xiàn)實(shí)產(chǎn)業(yè)CAGR 約為 54%，其中 VR 增速約 45%，AR 增速約 66%，2024 年兩者份額均為 2400 億元人民幣，增長迅速。目前 A 股布局 AR/VR 的公司較多。全球最大顯示展會 SID Display Week 2021 上，TCL 華星光電推出首款 LCD VR 顯示屏，其尺寸為 2.02 英寸，分辨率 為 2160*2160，刷新率 120Hz，響應(yīng)時(shí)間 4ms，PPI 高達(dá) 1512，是迄今為止 PPI 最高的 VR 顯示屏；京東方已有定位于

34、超高 PPI VR /AR 顯示產(chǎn)品的 8 英寸硅基 OLED （已建成）和 12 英寸硅基 OLED （在建）產(chǎn)線；歌爾股份提供 VR 光學(xué) 解決方案和全面的 VR 系統(tǒng)解決方案，AR/VR 及相關(guān)光學(xué)模組項(xiàng)目共募集 10 億 元，預(yù)計(jì) 2022 年 8 月建設(shè)完畢；新型顯示（AR+）是水晶光電的五大業(yè)務(wù)板塊 之一，公司致力于從行業(yè)應(yīng)用、消費(fèi)類電子和汽車電子三個(gè)方向開展技術(shù)布局和 市場開拓。除此之外，還有提供組裝與代工服務(wù)的立訊精密、供貨鋰電池和進(jìn)行 VR 代工的欣旺達(dá)以及布局 LCOS 顯示芯片的韋爾股份等。2.3、 缺芯成行業(yè)主旋律，國內(nèi)廠商迎來供應(yīng)鏈導(dǎo)入良機(jī)缺芯潮持續(xù)且短期難見緩解，產(chǎn)

35、業(yè)鏈各廠商產(chǎn)品貨期及價(jià)格上漲。2020 年 下半年至今，受多重因素影響，半導(dǎo)體行業(yè)缺芯情況愈演愈烈。上游晶圓產(chǎn)能方 面，自 2020Q3 起，包括臺積電、聯(lián)電等就已將 8 英寸晶圓代工價(jià)格調(diào)漲了 10% 至 20%。力積電 2020 年代工報(bào)價(jià)漲幅約較 2019 年增 3040%，包括驅(qū)動 IC、電 源管理 IC、存儲器、MOSFET 等全部都吃緊，部分產(chǎn)能安排已排至 2023 年。終 端產(chǎn)品方面，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌旗下 MOSFET 等產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在 6 月中 旬會執(zhí)行 12%的漲幅，ST 宣布全系列產(chǎn)品于 6 月 1 日開始漲價(jià)，安森美的部分 產(chǎn)品價(jià)格將于今年 7 月 10 日起上調(diào)。

36、整體來看，缺貨漲價(jià)已成為 2021 年半導(dǎo)體 行業(yè)的主旋律。缺芯原因有事件性沖擊影響。華為在美國禁令生效前大量囤貨，OVM 等廠 商爭奪華為空出來的市場份額，亦開始大量備貨。IDC 數(shù)據(jù)顯示，華為手機(jī)業(yè)務(wù) 受美國制裁和芯片斷供影響較為明顯，市占率在 2021Q1 已跌出前五，小米和 OPPO 出貨量分別同比增加 64.8%和 64.5%，受益顯著；此外，美國二月暴風(fēng)雪 導(dǎo)致得克薩斯州奧斯丁市等美國芯片制造的核心地區(qū)缺電，三星、NXP、英飛凌 等廠商的工廠陸續(xù)停產(chǎn)；東南亞是全球重要的半導(dǎo)體芯片封裝測試中心，中國小 米、華為、韓國三星、美國英特爾、蘋果等都在越南有產(chǎn)業(yè)鏈布局，五月越南、 馬來西亞等

37、國疫情形勢惡化，極可能加劇全球芯片短缺問題。短期的事件性沖擊 和供需失衡致使部分下游客戶因缺芯而發(fā)生較大規(guī)模的停產(chǎn)。缺芯亦由新一輪需求擴(kuò)張與產(chǎn)能建設(shè)之間的錯(cuò)配導(dǎo)致。首先，是總體需求 擴(kuò)張與有限產(chǎn)能之間的矛盾。需求端來看，2020 年新冠疫情催生宅經(jīng)濟(jì)，線上 居家辦公等帶動平板、PC 等需求增長，加速了各行業(yè)萬物互聯(lián)和數(shù)字化進(jìn)程。 5G 的進(jìn)一步商業(yè)化、IDC 數(shù)量增加、電動汽車銷量回暖和無人駕駛等應(yīng)用興起 帶動了更多需求，SIA 數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球半導(dǎo)體市場銷售額達(dá)到了 4390 億 美元，同比增長 6.5%，WSTS 預(yù)測 2021 年全球半導(dǎo)體銷售額或達(dá) 4690 億元，同比增長

38、6.83%。供給端來看，疫情給海外的一些半導(dǎo)體公司供應(yīng)鏈帶來了比較 大的影響和沖擊，各大制造廠商對全年預(yù)期較低，整個(gè)行業(yè)整體備貨不足，而新 建晶圓廠成本高昂且從興建到量產(chǎn)至少需要兩年，新建產(chǎn)能的“遠(yuǎn)水”難救“近火”。 此外，消費(fèi)電子等其他領(lǐng)域的產(chǎn)能擠占，汽車芯片、MCU 等領(lǐng)域缺芯較為突出， 目前來看，資本開支較低、折舊壓力相對較小的 8 英寸晶圓產(chǎn)能尤為緊缺并已進(jìn) 一步傳導(dǎo)至 12 英寸晶圓，主要半導(dǎo)體廠商的產(chǎn)品貨期和價(jià)格都有所增加。SEMI 預(yù)計(jì)，2019 年至 2022 年，全球 8 英寸晶圓產(chǎn)量將增加 70 萬片，增加幅度為 14%， 年均增速約為 4.5%；其中，MEMS 傳感器相關(guān)

39、產(chǎn)能約增加 25%，功率器件產(chǎn)能 約增加 23%，年均增速約為 6%。未來幾年將推升全球 8 寸晶圓廠產(chǎn)能至每月接 近 650 萬片。行業(yè)缺芯狀態(tài)更加凸顯芯片國產(chǎn)化瓶頸現(xiàn)狀，疫情控制得當(dāng)有望助推芯片國產(chǎn)化率進(jìn)一步提升。以汽車行業(yè)為例，據(jù) Wind 數(shù)據(jù)顯示，目前國內(nèi)汽車行業(yè) 中車用芯片自研率僅占 10%，90%的汽車芯片必須依賴國外進(jìn)口；除汽車外，國 產(chǎn)芯片在通訊設(shè)備、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的市占率也多在 10%以下。多領(lǐng)域依賴國 外進(jìn)口芯片疊加海外疫情嚴(yán)重導(dǎo)致生產(chǎn)縮減，芯片國產(chǎn)化率提升迫在眉睫。IC insight 數(shù)據(jù)顯示，2020 年我國芯片產(chǎn)值為 227 億美元，自給率為 15.87%。隨著

40、國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控必要性和緊迫性凸顯，國家政策、資金大力支持，國 內(nèi)部分廠商已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，未來芯片國產(chǎn)化率進(jìn)一步提升指日可待。過去終端客戶芯片采購本土化意愿較低的一個(gè)重要原因是對質(zhì)量的嚴(yán)格要求和對供應(yīng)鏈廠商切換的驗(yàn)證成本。以車規(guī)級芯片為例，車規(guī)級芯片較消費(fèi)級和 工業(yè)級別芯片對可靠性、穩(wěn)定性有更高的要求，如工作溫度高于消費(fèi)級芯片 （0-40）和工業(yè)級芯片（40-155），使用時(shí)間也更長（15 年，消費(fèi)級和 工業(yè)級芯片分別為 1-3 年和 5-10 年）。車規(guī)級芯片對于存儲解決方案的挑戰(zhàn)性在 于，自動駕駛汽車的每個(gè)系統(tǒng)都有獨(dú)特要求，任何一款存儲解決方案都無法適用 于整輛汽車，此外，車規(guī)級芯

41、片相比消費(fèi)芯片和一般工業(yè)芯片開發(fā)難度更高，工 作環(huán)境也更嚴(yán)苛，同時(shí)由于涉及到人身安全，要求極高的安全性和可靠性。缺貨給了國產(chǎn)廠商難得的“試錯(cuò)”機(jī)會，國產(chǎn)廠商迎來供應(yīng)鏈導(dǎo)入良機(jī)。國 內(nèi)汽車半導(dǎo)體在基礎(chǔ)環(huán)節(jié)、標(biāo)準(zhǔn)和驗(yàn)證體系、車規(guī)產(chǎn)品驗(yàn)證、產(chǎn)業(yè)配套等方面能 力薄弱，同時(shí)在半導(dǎo)體各個(gè)產(chǎn)品自主率較低，與我國與消費(fèi)電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相 比，由于汽車半導(dǎo)體在可靠性、穩(wěn)定性等領(lǐng)域要求更高，且我國終端車企品牌市 占率遠(yuǎn)不如消費(fèi)電子領(lǐng)域，國內(nèi)品牌對產(chǎn)業(yè)鏈扶持力度有限，國內(nèi)企業(yè)在汽車半 導(dǎo)體領(lǐng)域的整體市占率更低，同時(shí)也對應(yīng)著可觀的空間。汽車芯片供應(yīng)鏈恢復(fù)時(shí)間不確定，缺芯致使下游需求方提高了對國產(chǎn)汽車芯片產(chǎn)品的試錯(cuò)容忍

42、 度并選擇國產(chǎn)廠商產(chǎn)品以解決部分燃眉之急，為汽車芯片企業(yè)提供了絕佳的導(dǎo)入 機(jī)會，在得到客戶驗(yàn)證通過并大規(guī)模放量后，國產(chǎn)芯片廠商將進(jìn)一步鞏固其行業(yè) 地位并實(shí)現(xiàn)更高的國產(chǎn)化率和延續(xù)本土化趨勢。部分廠商正抓住的機(jī)遇 窗口，在各自領(lǐng)域取得突破，實(shí)現(xiàn)業(yè)績規(guī)模快速增長。3、半導(dǎo)體引領(lǐng)主線：汽車半導(dǎo)體、核心設(shè)備和材料、射頻與模擬等細(xì)分方向3.1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，核心芯片國產(chǎn)化率較低半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)眾多，專業(yè)分工程度高，新技術(shù)新應(yīng)用是行業(yè)下游重要 驅(qū)動力。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游包括三大環(huán)節(jié)：IC 設(shè)計(jì)、晶圓制造加工以及封裝 測試、應(yīng)用。IC 設(shè)計(jì)是指根據(jù)終端產(chǎn)品的需求，從系統(tǒng)、模塊、電路等各個(gè)層 級進(jìn)行選擇

43、并組合，確定器件結(jié)構(gòu)、工藝方案等，實(shí)現(xiàn)相關(guān)的功能和性能要求， 并將其委托給晶圓代工廠進(jìn)行生產(chǎn)加工；晶圓制造廠根據(jù)設(shè)計(jì)版圖進(jìn)行掩膜制作 形成模板，在晶圓上批量制造集成電路，通過多次重復(fù)運(yùn)用摻雜、沉積、光刻等 工藝最終將 IC 設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)好的電路圖移植到晶圓上；完成后的晶圓再送往下 游封測廠進(jìn)行切割、焊線、塑封，以防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，同時(shí)使芯片電路 與外部器件實(shí)現(xiàn)電氣連接，最后移交給下游廠商。核心芯片國產(chǎn)化率偏低。我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，但目前在終端應(yīng)用的 核心芯片中，國產(chǎn)芯片占比仍較低，由下表可以看出，我國在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通用 電子系統(tǒng)的終端核心芯片上國產(chǎn)芯片市占率仍接近于 0，在內(nèi)存設(shè)備

44、和顯示系統(tǒng) 中的國產(chǎn)核心芯片市場才剛起步，在通信裝備方面，國產(chǎn)芯片已實(shí)現(xiàn)部分進(jìn)口替 代，應(yīng)用處理器和通信處理器中國產(chǎn)芯片占比分別達(dá)到 18%和 22%。3.2、汽車半導(dǎo)體大有可為，功率、存儲、控制類芯片深度受益3.2.1、功率器件：行業(yè)景氣度持續(xù)提升，MOSFET、IGBT 市場廣闊功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。功率 半導(dǎo)體通過利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能，功率半導(dǎo) 體主要分為功率器件、功率 IC。功率器件可以分為二極管、晶閘管、MOSFET、 IGBT 等。據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，2020 年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為 422 億美元，同比增 長

45、4.6%；中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為 153 億美元，同比增長 6.3%。其中，工業(yè)、 汽車和消費(fèi)電子是功率半導(dǎo)體的前三大終端市場。根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2019 年汽車領(lǐng)域占全球功率半導(dǎo)體市場的 35.4%，工業(yè)應(yīng)用市場占比為 26.8%，消費(fèi) 電子占比為 13.2%。隨著對節(jié)能減排的需求日益迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域從 傳統(tǒng)的工業(yè)領(lǐng)域和 4C 領(lǐng)域逐步進(jìn)入新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通、變頻家電等 市場。受益于工業(yè)、電網(wǎng)、新能源汽車和消費(fèi)電子領(lǐng)域新興應(yīng)用不斷出現(xiàn)，功率 半導(dǎo)體器件市場規(guī)模不斷增長。根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2019 年全球功率器件市場規(guī)模 為 175 億美元，預(yù)計(jì) 2025 年或達(dá) 2

46、25 億美元，復(fù)合增長率為 4.28%。MOSFET：高頻開關(guān)，功率器件主要的細(xì)分市場。MOSFET 在功率器件中 占比最高。根據(jù)智研咨詢和華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，2019 年 MOSFET 占比 35.9%，市 場規(guī)模達(dá) 62.59 億美元；中國是全球最主要的功率器件消費(fèi)國，功率器件細(xì)分的 主要產(chǎn)品在中國的市場份額均處于第一位。其中，中國 MOSFET 市場規(guī)模占比 全球?yàn)?44.3%，中國 MOSFET 市場規(guī)模約 26.4 億美元。目前國內(nèi)以低端 MOSFET 產(chǎn)品為主，在中高端 MOSFET 器件中，90%依賴進(jìn)口，空間廣闊。2022 年 MOSFET 終端應(yīng)用占比預(yù)測：根據(jù)華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，隨

47、著汽車電子 化以及工業(yè)系統(tǒng)智能化程度的不斷加深，預(yù)計(jì)到 2022 年 MOSFET 下游應(yīng)用中， 汽車占比為 22%，計(jì)算機(jī)及存儲占比為 19%，工業(yè)占比為 14%。IGBT 是電機(jī)驅(qū)動的核心：廣泛應(yīng)用于逆變器、變頻器等，在 UPS、開關(guān)電 源、電車、交流電機(jī)等領(lǐng)域，逐步替代 GTO、GTR 等產(chǎn)品。IGBT 下游應(yīng)用領(lǐng) 域廣泛，由于 IGBT 具有能源轉(zhuǎn)換和高效節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，汽車行業(yè)、消費(fèi)電子行業(yè)、 能源行業(yè)、電機(jī)行業(yè)等都需要利用 IGBT 來提高能源使用效率。隨著新能源、智 慧城市建設(shè)等下游領(lǐng)域的發(fā)展，IGBT 市場規(guī)模也在不斷擴(kuò)大。由于 IGBT 模塊 集成度高，存在較高的進(jìn)入壁壘，目前全

48、球 IGBT 市場主要被歐洲和日本企業(yè)壟 斷，IGBT 國產(chǎn)化率不足 10%，以斯達(dá)半導(dǎo)為代表的國內(nèi)廠商日漸崛起，空間廣闊。IGBT 市場空間：IGBT 分為 IGBT 芯片和 IGBT 模塊，其中 IGBT 模塊是由 IGBT 芯片封裝而來，具有參數(shù)優(yōu)秀、最高電壓高、引線電感小的特點(diǎn)，是 IGBT 最常見的應(yīng)用形式，IGBT 模塊常用于大電流和大電壓環(huán)境。據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)， 受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，2025 年中國 IGBT 市場規(guī)模將 達(dá)到 522 億人民幣，復(fù)合增長率達(dá) 19.11%。以英飛凌、安森美等企業(yè)為代表的龍頭廠商均為 IDM 模式，擁有完整的晶圓廠、 芯片制造廠

49、和封裝廠，對成本和質(zhì)量控制能力很強(qiáng)，以高端產(chǎn)品為主，實(shí)力強(qiáng)勁。中 國大陸的廠商 IDM 和 Fabless 模式兼有，產(chǎn)品以晶閘管、二極管等分立器件和低壓 MOSFET 為主，與歐美日廠商存在較大差距，以斯達(dá)半導(dǎo)為代表的廠商日漸崛起， 逐步趕超歐美日龍頭廠商；以茂達(dá)、富鼎電子等為代表的的中國臺灣廠商以 Fabless 模式為主，主要負(fù)責(zé)芯片制造和封裝。從競爭格局看，功率半導(dǎo)體行業(yè)集中度較高，歐美廠商占據(jù)第一梯隊(duì)，國產(chǎn)廠 商日漸崛起。英飛凌和 Omdia 數(shù)據(jù)顯示，2019 年全球功率器件/MOSFET/IGBT 芯片 /IGBT 模塊 CR10 分別為 58.30%/78.20%/84.4%/

50、81.1%。其中英飛凌是全球最大的功 率半導(dǎo)體廠商，功率器件市場份額為 19%，MOS 產(chǎn)品市場份額約 25%，IGBT 產(chǎn)品 市場份額超 30%。功率半導(dǎo)體廠商以歐美日為主，中國廠商起步較晚，技術(shù)積累與歐 美日廠商差距較大。目前功率半導(dǎo)體廠商可以分為三個(gè)梯隊(duì)，第一梯隊(duì)是英飛凌、安 森美等歐美廠商為主，第二梯隊(duì)以三菱電機(jī)、富士電機(jī)等日本廠商為主，第三梯隊(duì)以 斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能、聞泰科技（安世半導(dǎo)體）等中國廠商為主。3.2.2、控制類芯片：汽車算力需求推升控制類芯片市場空間當(dāng)前汽車主控芯片主要是 MCU(流微控制單元 Microcontroller Unit)，負(fù)責(zé) 計(jì)算和控制。MCU

51、是把中央處理器(Central Process Unit;CPU)的頻率與規(guī)格做適 當(dāng)縮減，并將內(nèi)存(memory)、計(jì)數(shù)器(Timer)、USB、A/D 轉(zhuǎn)換、UART、PLC、 DMA 等周邊接口，甚至 LCD 驅(qū)動電路都整合在單一主板上，形成能完整處理 任務(wù)的微型計(jì)算機(jī)。MCU 主要作用于最核心的安全與駕駛方面，自動駕駛（輔 助）系統(tǒng)的控制，中控系統(tǒng)的顯示與運(yùn)算、發(fā)動機(jī)、底盤和車身控制等。L3 級自動駕駛需要 30TOPS 的算力，未來車載計(jì)算芯片空間廣闊。根據(jù)國 內(nèi)自動駕駛芯片廠商地平線數(shù)據(jù)，L1/L2 級別對算力的需求不足 2TOPS（1TOPS 代表一秒鐘進(jìn)行 1 萬億次計(jì)算），而

52、到了 L3 級別自動駕駛，算力需求將迅速來 到 30TOPS，為了冗余設(shè)計(jì)的考慮，我們看到當(dāng)前主流自動駕駛芯片的設(shè)計(jì)算力 多達(dá)到了大幾十 TOPS，到 L4 和 L5 級別，自動駕駛對算力的需求將來到 300 和 4000TOPS，當(dāng)然，目前滿足 L3 級別的芯片已經(jīng)陸續(xù)流片，而 L3 級別的自動駕 駛技術(shù)仍需時(shí)日，自動駕駛芯片算力再短期內(nèi)并沒有顯著再提升的需求。汽車計(jì)算、控制類芯片市場規(guī)模約為 108 億美元，SoC 將成為主要增量。 根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)前 MCU 芯片市場規(guī)模約為 70 億美元，預(yù)計(jì) 2025 年將增 長至 78 億美元，受益于汽車電動化以及自動駕駛技術(shù)的發(fā)展，汽車

53、電子電氣架 構(gòu)由分布式向集中化躍進(jìn)，SoC 是未來汽車計(jì)算、控制類芯片的主要增量來源， 2020 年汽車 SOC 芯片市場規(guī)模約為 37 億美元，預(yù)計(jì)到 2025 年將迅速增長至約 82 億美元，CAGR 達(dá) 14.87%。功能芯片：在 MCU 領(lǐng)域，英飛凌、瑞薩、恩智浦、ST 為頭部企業(yè)，均具 有覆蓋不同應(yīng)用和功能的完整 MCU 產(chǎn)品線，近年加快了并購步伐，市場進(jìn)一步 集中，CR5 占據(jù)全球約 80%的市場份額。國內(nèi)份額與國外企業(yè)差距較大，上市 公司中穎電子、兆易創(chuàng)新、東軟載波都涉及汽車電子領(lǐng)域，但市占率極少。計(jì)算類芯片：瑞薩電子、恩智浦、德州儀器等傳統(tǒng)汽車芯片企業(yè)是當(dāng)前量產(chǎn) 環(huán)節(jié)的主導(dǎo)力量

54、，憑借深厚的汽車芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，在嵌入式計(jì)算處理器領(lǐng)域與汽 車軟件、系統(tǒng)開發(fā)商深度綁定，能夠更好地協(xié)同車輛控制，把控功能安全需求。 英偉達(dá)、高通、Intel 雖為傳統(tǒng) ICT 企業(yè)，近年來在汽車主控芯片領(lǐng)域大舉布局， 現(xiàn)已躋身全球汽車半導(dǎo)體前 25，主打 ADAS、自動駕駛以及智能座艙領(lǐng)域的芯 片設(shè)計(jì)，具備傳統(tǒng)芯片企業(yè)難以比擬的算力優(yōu)勢，Intel Mobileye 的 EyeQ 系列芯 片、高通驍龍 820A 就是典型代表，而其他產(chǎn)品多處于研發(fā)應(yīng)用和預(yù)量產(chǎn)階段。3.2.3、存儲芯片：汽車數(shù)據(jù)量推動車規(guī)存儲芯片需求快速成長存儲器芯片是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，也是集成電路產(chǎn)業(yè)的核心產(chǎn)品之 一。不同

55、技術(shù)原理催生不同的產(chǎn)品，具有各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用領(lǐng)域。按存儲形式 不同，可分為：光學(xué)存儲、磁性存儲、半導(dǎo)體存儲。若按照信息保存的角度來分 類，可以分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片在所在電路 斷電后，將無法保存數(shù)據(jù)，代表性產(chǎn)品有 DRAM 和 SRAM；非易失性存儲芯片 在所在電路斷電后，仍保有數(shù)據(jù)，代表性產(chǎn)品為 NAND Flash 和 NOR Flash。DRAM 和 Flash 是目前市場上最為重要的存儲器芯片。DRAM 具有高容量、 大帶寬、低功耗、短延時(shí)、低成本等特征，是主要用于個(gè)人電腦、服務(wù)器、手機(jī) 等設(shè)備的最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也是半導(dǎo)體行業(yè)最大的單一產(chǎn)品類別，20

56、19 年 市場規(guī)模為 620 億美元，占比 56%。由于采用不同的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，SRAM 比 DRAM 的讀寫速度更快、功耗水平更低，但電路結(jié)構(gòu)的差異也造成了相同容量的 SRAM 的成本高于 DRAM，通常情況下只會使用在 CPU 的一、二級緩存等對存儲速度 要求嚴(yán)格的領(lǐng)域；Flash 主要有 NAND 和 NOR 兩種，區(qū)別在于存儲單元連接方 式不同，導(dǎo)致兩者讀取方式不同，2019 年二者市場規(guī)模分別為 460 億和 22 億美 元，占比為 42%和 2%。Flash 具有壽命長、體積小、功耗低、非易失性等特點(diǎn) 和優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、移動通信、網(wǎng)絡(luò)通信、個(gè)人電腦、服務(wù)器等領(lǐng)域， 主要用于代

57、碼存儲和數(shù)據(jù)存儲等，是近年來發(fā)展較快的存儲器芯片產(chǎn)品。存儲芯片下游應(yīng)用廣泛。以 DRAM 和 NAND Flash 為例，DRAM 下游主要 應(yīng)用于移動式（33%）、服務(wù)器（28%）、PC（20%）等領(lǐng)域，在消費(fèi)電子、 繪圖等領(lǐng)域亦有應(yīng)用，NAND 下游主要用用于手機(jī)（48%）、SSD（43%）等 領(lǐng)域，此外在游戲機(jī)、USB 存儲設(shè)備、平板電腦等領(lǐng)域也有較廣泛的應(yīng)用。存儲芯片為汽車芯片重要組成部分，車載存儲產(chǎn)品性能要求不斷提升。搜 狐汽車研究室數(shù)據(jù)顯示，2019 年模擬芯片、傳感器與執(zhí)行器和分立器件位列汽 車半導(dǎo)體價(jià)值量前三位，占汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模比例分別為 28%、17%和 14%， 合計(jì)占

58、比近六成，存儲芯片以 8%的占比位居第七。汽車“三化”趨勢明顯，由于 車載導(dǎo)航系統(tǒng)、娛樂系統(tǒng)、行車記錄儀、ADAS 輔助駕駛以及未來的無人駕駛、 5G 通信應(yīng)用的加入，需要處理和連接越來越大數(shù)據(jù)量的汽車正逐漸成為一個(gè)移 動的服務(wù)器，以汽車駕駛輔助系統(tǒng) ADAS 為例，由于需要大容量存儲和高效運(yùn) 算支撐系統(tǒng)的快速反映，特別是高清的圖像傳輸，對于存儲產(chǎn)品的容量、性能、 可靠性也提出了越來越高的需求。搜狐汽車研究室預(yù)測，2025 年存儲芯片占汽 車半導(dǎo)體的比例將提升至第五位，為 12%。汽車存儲芯片市場規(guī)模：L3 自動駕駛落地關(guān)鍵時(shí)期已來，各大龍頭車企相 繼推出重磅 L3 自動駕駛車型，相較于 L1

59、 和 L2 級車型而言，L3 及以上級自動 駕駛的高精度地圖、數(shù)據(jù)、算法都需要大容量存儲來支持，一臺 L3 級的自動駕 駛汽車將需要 16GB DRAM 和 256GB NAND，一臺 L5 級的全自動駕駛汽車估計(jì) 需要 74GB DRAM 和 1TB NAND。此外，無人駕駛汽車（感應(yīng)+認(rèn)知+行動）將 配備大量的傳感系統(tǒng)，比如：GPS 接收器、激光雷達(dá)、超聲波傳感器、毫米波 雷達(dá)、高清攝像頭等，為實(shí)現(xiàn)自動駕駛汽車的互聯(lián)性，包括儀表盤系統(tǒng)、導(dǎo)航系 統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)、動力傳動系統(tǒng)等，都需要存儲數(shù)據(jù)為自動駕駛汽車提供基礎(chǔ) 數(shù)據(jù)作為參數(shù)，催生對大容量存儲需求提升，為存儲器廠商提供了廣闊的市場空 間。

60、根據(jù)搜狐汽車研究室預(yù)測，受益于新能源汽車、5G 及物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備 等賦能，全球汽車存儲芯片市場規(guī)模將從 2016 年的 22 億美元增至 2025 年的 83 億美元，2016-2025 年 CAGR 為 15.90%。競爭格局：存儲芯片總體呈壟斷趨勢，市場集中度較高。從競爭格局看， 三星在 DRAM 和 NAND Flash 占據(jù)絕對優(yōu)勢地位，海力士和美光市場份額亦較 高，行業(yè)整體呈壟斷趨勢，DRAM CR3 超 95%，NAND Flash CR3 為 68.8%。在 NOR Flash 領(lǐng)域，行業(yè)前三分別為旺宏、華邦和兆易創(chuàng)新，CR3 達(dá) 69.5%。3.3、 設(shè)備和材料：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)