專(zhuān)業(yè)限選模擬電路原理模電-2015頻率特性

1、原因特點(diǎn)：產(chǎn)生新的頻率分量（輸入正弦，輸出非正弦2線性失真(頻率失真原因特點(diǎn)：產(chǎn)生新的頻率分量（輸入正弦，輸出非正弦2線性失真(頻率失真(1)(2)原因：電抗元件的阻抗值與 f 有關(guān)。3頻率特性的分高中頻區(qū)Cbe、-開(kāi)路，不考慮C1、C2、短路，不考慮0：C1、C2、短路，不考慮RCbe、要考慮低頻區(qū)+_T+C-+RV（C1、C2、E_i4區(qū)區(qū)頻率特性的分高中頻區(qū)Cbe、-開(kāi)路，不考慮C1、C2、短路，不考慮0：C1、C2、短路，不考慮RCbe、要考慮低頻區(qū)+_T+C-+RV（C1、C2、E_i4區(qū)區(qū)1. 傳輸函數(shù)：響應(yīng)（輸出y(t)）與激勵(lì)（輸入x(t)）(jz1)(jz2)(jzm) (j

2、 p1)( j p2)( j1. 傳輸函數(shù)：響應(yīng)（輸出y(t)）與激勵(lì)（輸入x(t)）(jz1)(jz2)(jzm) (j p1)( j p2)( j pn)A(j) (2 2)(2 22)(2 A( z(2p12)(2p22)(2 2 z() arctan()arctan()arctan(p pn arctan()arctan()arctan(5A(s) YX jw sS (jz1)(jz2)(jzm) (j p1)( j p2)( jS (jz1)(jz2)(jzm) (j p1)( j p2)( j pn)A(j) (2 2)(2 22)(2 A( z(22 2)(2 pz() arct

3、an()arctan()arctan(p pn arctan()arctan()arctan(6橫坐標(biāo)f 對(duì)數(shù)； 縱坐標(biāo)幅值（dB）曲線畫(huà)法 jw)f01橫坐標(biāo)f 對(duì)數(shù)； 縱坐標(biāo)幅值（dB）曲線畫(huà)法 jw)f01f0720lgA(幾個(gè)基本因子的波特圖pp0sp -1A(j)0.1p120lgA(幾個(gè)基本因子的波特圖pp0sp -1A(j)0.1p1 0-20lg A( 201)2p() arctan 820lgA(sz 0zzA(j)1 20lgA(sz 0zzA(j)1 20lg A( 2010() 920lgA(sz 0zzA(j)1 0.120lgA(sz 0zzA(j)1 0.1z 1

4、( 20lg A( 200-() 20lgA(sz 0j A(j)20lgA(sz 0j A(j)( 20lgA(j) 200()20lgA(高頻響應(yīng)波 用低通網(wǎng)絡(luò)等0RAHHiOC0.1H 1 / jC R1/ jC oA0-20lgA(高頻響應(yīng)波 用低通網(wǎng)絡(luò)等0RAHHiOC0.1H 1 / jC R1/ jC oA0-i 1 1 j/H5. 低頻響應(yīng)波20lgA( 用高通網(wǎng)絡(luò)等C0iORR1/ oAi05. 低頻響應(yīng)波20lgA( 用高通網(wǎng)絡(luò)等C0iORR1/ oAi01 j/ 0.1L L1 j/20lgA(20lgA(CR0LHHLR 0iOC0.1HH 00.1L-20lgA(20

5、lgA(CR0LHHLR 0iOC0.1HH 00.1L-單管CE放大電路的高頻響應(yīng)rbbbc+_+SVb+-CT+CR-B-e單管CE放大電路的高頻響應(yīng)rbbbc+_+SVb+-CT+CR-B-e單管CE放大電路的高頻響=Z令1212NZZ12NN個(gè)獨(dú)立節(jié)單管CE放大電路的高頻響=Z令1212NZZ12NN個(gè)獨(dú)立節(jié)單管CE放大電路的高頻響2bc之間1/ be之間11jCM11令 111/ 1c, e 之間單管CE放大電路的高頻響2bc之間1/ be之間11jCM11令 111/ 1c, e 之間2bc11MjCVb-e 單管CE放大電路的高頻響bcbbe-+ C MrVLS-be c+-+-

6、+單管CE放大電路的高頻響bcbbe-+ C MrVLS-be c+-+-+-很小，一般1/jwC e1C(1A(1 )Cbcb+be-CM MCo-be c+Vbe-+-+-ebcb+be-CM MCo-be c+Vbe-+-+-erce單管CE放大電路的高頻響c+-+omLVbe+S+Si-r1-V beS1 CSg V1LRmL A=jR 1+ r1單管CE放大電路的高頻響c+-+omLVbe+S+Si-r1-V beS1 CSg V1LRmL A=jR 1+ r1VR +RSSS中頻增益 -RS +令 fH,A= CR1 jf 20lgA( AfL,A2R HSAf01 jf / fH

7、20lgA( AfL,A2R HSAf01 jf / fH1( f / Hff 180o (arctg-)，-影響bc， CM從模中取中頻增益（最大值為常 一階網(wǎng)絡(luò)的上限截止頻率 影響bc， CM從模中取中頻增益（最大值為常 一階網(wǎng)絡(luò)的上限截止頻率 BH1H CR的CE放大電路的低頻響應(yīng)：C1、C2、若電路中沒(méi)有耦合電容和旁路電容，其中頻區(qū)的幅11,f2RC222ff限截止頻率fLfL 若fL1fL2 4)CE放大電路的低頻響應(yīng)：C1、C2、若電路中沒(méi)有耦合電容和旁路電容，其中頻區(qū)的幅11,f2RC222ff限截止頻率fLfL 若fL1fL2 4) 根據(jù)求fL頻小響頻小響CC電路的高頻特性e)

8、R csVS 式即 gmrbe rbb CC電路的高頻特性e)R csVS 式即 gmrbe rbb 1 CCC電路的高頻特性(續(xù)( 20lg A(A( SbeL ( ( 1)1 fzTppCC電路的高頻特性(續(xù)( 20lg A(A( SbeL ( ( 1)1 fzTppzz)rbe ( ff pSLV (1Z 1jf / b(1 g vsM1jf /CB放大電路的高頻響應(yīng)g mecrCVbbTRRCRSRSLLOCLSSb忽略 r 源分割RRRCRLLSbSOrCCeLg LmmSCCLLr /(1/)b 1 gm CB放大電路的高頻響應(yīng)g mecrCVbbTRRCRSRSLLOCLSSb忽略 r 源分割RRRCRLLSbSOrCCeLg LmmSCCLLr /(1/)b 1 gm O 11Le 1R rj1 jreCbe SerSe1RfCRL21SVOrC g efLmSO 11Le 1R rj1 jreCbe SerSe1RfCRL21SVOrC g efLmSR 1112分析(1) f 決定于、AH若R r 12rSefe LRr11RS 1R j1 jr LerRSe定fH的主1RfL不宜帶容性負(fù)載21/r S分析(1) f 決定于、AH若R r 12rSefe LRr11RS 1R j1