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第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器.第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器.18/18第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器.第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)TriacsandotherThyristors前言:Triac和SCR動(dòng)作同樣,只但是可雙導(dǎo)游火,此兩元件都為半導(dǎo)體閘流管(閘流體)家族成員。有些半導(dǎo)體閘流管由閘極信號(hào)控制進(jìn)入導(dǎo)火狀態(tài),如SCR和Triac,有些由外加電壓至其轉(zhuǎn)態(tài)值時(shí)轉(zhuǎn)入導(dǎo)通狀態(tài),如四層二極管和Diac,不可以開(kāi)關(guān)傳入主負(fù)載電流的小型半導(dǎo)體閘流管,稱(chēng)為電壓轉(zhuǎn)態(tài)元件(有時(shí)稱(chēng)崩潰元件),平常只作為SCR、Triac等可開(kāi)關(guān)大負(fù)載電流的半導(dǎo)體閘流管的閘極觸發(fā)電路。學(xué)習(xí)目標(biāo):1解說(shuō)Triac在控制交流電源推進(jìn)電阻性負(fù)載的工作原理2正確立義并談?wù)揟riac的重要電氣參數(shù),如,閘極觸發(fā)電流,保持電流等3說(shuō)明作為T(mén)riac觸發(fā)電路的定電壓轉(zhuǎn)態(tài)元件的工作原理,并談?wù)撈溟L(zhǎng)處4祥述以下定電壓轉(zhuǎn)態(tài)型元件的電流對(duì)電壓特征,包含:Diac、四層二極管、硅雙向開(kāi)關(guān)(SBS)、硅單向開(kāi)關(guān)(SUS)5祥述Triac觸發(fā)電路上,電阻反響/電壓反響使之導(dǎo)火的工作原理,計(jì)算在Triac觸發(fā)電路上,使用電阻反響和電壓反響的電阻值和電容值解說(shuō)半導(dǎo)體閘流管的特征曲線,讀出轉(zhuǎn)態(tài)電壓,轉(zhuǎn)回電壓,保持電流5-1Triac的理論與工作原理(TheoryandOperationofTriacs)Triac是一三端元件,用以控制流向負(fù)載的均勻電流,與SCR最大不一樣在于:Triac在電源的正負(fù)半周都能導(dǎo)通。當(dāng)Triac處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)(off),無(wú)論外加電壓極性如何,兩主端點(diǎn)間無(wú)電流流動(dòng),如開(kāi)啟的開(kāi)關(guān)。處于導(dǎo)通轉(zhuǎn)態(tài)時(shí)(on),兩主端點(diǎn)間構(gòu)成一電阻極低的電流通路,電流流向依據(jù)外加電壓而定(方向一致),如閉合的開(kāi)關(guān)。負(fù)載的均勻電流取決與每周期內(nèi),Triac處于導(dǎo)通的時(shí)間多少,可以調(diào)整,與SCR近似,現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)1長(zhǎng),電流大,短,電流小。Triac的導(dǎo)通角度可達(dá)360°,可做全波控制(與SCR半波不一樣)。Triac優(yōu)于機(jī)械手開(kāi)關(guān):無(wú)接觸反彈、無(wú)接觸火化、動(dòng)作較迅速、改正確地控制電流。5-2Triac的波形(TriacWaveform)現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)2如SCR,Triac擁有很壞的電氣特征差異,如正負(fù)半周的延緩角的差異,有時(shí)需采納某些方法除掉此導(dǎo)火不調(diào)停性。5-3Triac

的電氣特征(ElectricalCharacteristicsofTriac

)順向:電壓MT2>MT1。用以觸發(fā)的閘極電壓記為VGT(一般0.6-2.0V),閘極電流IGT(0.1-20mA)常因溫度變化而變。對(duì)一特定Triac,順向與反向的IGT不一樣。憂如SCR,Triac一旦導(dǎo)通后,不用連續(xù)保持閘極觸發(fā)電流存在,在主端點(diǎn)電壓極性改變或主端點(diǎn)間流通電流低于保持電流IHO(一般100mA)前,Triac連續(xù)保持導(dǎo)通。其余一些重要特征:1)主端點(diǎn)可允許最大有效值電流IT(RMS),在此以?xún)?nèi),Triac可承受(一般,1,3,6,10,15,25)2)主端點(diǎn)轉(zhuǎn)態(tài)電壓(breakovervoltage)VDROM,在無(wú)閘極信號(hào)時(shí),保持截止?fàn)顟B(tài),現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)

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第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)

3主端點(diǎn)所能加的最大電壓,若超出,則無(wú)論閘極有無(wú)控制信號(hào),都會(huì)導(dǎo)通,但不會(huì)對(duì)Triac造成損壞(一般,100,200,400,600)5-4Triac的觸發(fā)方法(TriggeringMethodsforTriac)5-4-1RC閘極控制電路現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)4每半周,電容器C由R1,R2充電,正半周,上正下負(fù),供應(yīng)觸發(fā)閘極電流,順導(dǎo)游通Triac;負(fù)半周,上負(fù)下正,供應(yīng)觸發(fā)閘極電流,反導(dǎo)游通Triac。C充電速度由R2調(diào)整,R2大,速度慢,延緩角大,負(fù)載均勻電流小,R2小,反之。a圖延緩角不超出90,b圖,改良后,可超出。5-4-2定壓轉(zhuǎn)態(tài)元件構(gòu)成的閘極控制電路圖5-4的閘極控制電路可在閘極加必定壓轉(zhuǎn)態(tài)元件加以改良,如Diac(其余亦可),送入閘極是脈沖式電流非弦波式電流(RC閘極控制電路),較RC電路為優(yōu)。Diac,雙向觸發(fā)二極管(bidirectionaltriggerdiode)或?qū)ΨQ(chēng)觸發(fā)二極管(symmetricaltriggerdiode),典型的電流-電壓特征曲線。當(dāng)供應(yīng)的順向電壓低于Diac的順向轉(zhuǎn)態(tài)電壓(forwardbreakovervoltage)VBO時(shí),Diac無(wú)電流流動(dòng),一旦電壓達(dá)到,Diac導(dǎo)通,電流忽然加大,兩端電壓下降,造成脈沖電流;反向電壓區(qū),近似。Diac的溫度特征穩(wěn)固,順向、反向轉(zhuǎn)態(tài)電壓差異小(低于1V),所以2個(gè)半周延緩角幾乎相等。一般,Diac的轉(zhuǎn)態(tài)電壓為32V,十分合適交流供電系統(tǒng)。因Diac的轉(zhuǎn)態(tài)電壓較高,所以,同樣的導(dǎo)火延緩角,RC時(shí)間常數(shù)要降低(比較RC電路),R/C值要求小些。另一種Diac的符號(hào)表示法,較少使用?,F(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)55-5硅雙向開(kāi)關(guān)(SiliconBilateralSwitches)5-5-1SBS的理論和動(dòng)作原理(TheoryandOperationofanSBS)SBS,硅雙向開(kāi)關(guān)(SiliconBilateralSwitch),另一可觸發(fā)Triac的轉(zhuǎn)態(tài)元件。適于低壓觸發(fā)控制電路,轉(zhuǎn)態(tài)電壓較低(8V),電流-電壓曲線與Diac近似,但“負(fù)電阻區(qū)”較為明顯,電壓下降區(qū)間較大(8降至1,有7V的轉(zhuǎn)回電壓,breakovervoltage)。SBS的閘極用于改變SBS有以下長(zhǎng)處:1)導(dǎo)通區(qū)間明顯2)溫度變化穩(wěn)固3)特征在正負(fù)半周較對(duì)稱(chēng)

的基本電流

-電壓動(dòng)作,若閘極不接,可取代

Diac,但

SBS現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)

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第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)

64)同型號(hào)特征較為湊近舉例,一般SBS的溫度系數(shù)為0.20%/度,正負(fù)轉(zhuǎn)態(tài)差異0.3,同型差異0.1(而Diac為4V)5-5-2SBS的的閘極端應(yīng)用(UsingtheGateTerminalofanSBS)SBS的閘極可用來(lái)變換基本轉(zhuǎn)態(tài)特征,如圖,加入增納二極管,順向狀態(tài)電壓變成VZ+0.6(PN結(jié)),而反向轉(zhuǎn)態(tài)電壓不變。應(yīng)用于正負(fù)半周不一樣導(dǎo)火延緩角(不太廣泛)?,F(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)7現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)85-5-3SBS用于閘極除掉Triac的遲滯(EliminatingTriacFlash-on(Hysteresis)withaGatedSBS)遲滯現(xiàn)象:從兩個(gè)方向調(diào)整電阻(大變小,小變大),電路的反響不一樣,(hysteresis)原由:每個(gè)半周,C上殘余反向的電荷,須戰(zhàn)勝后,才能正常充電。Triac的閃現(xiàn)現(xiàn)象即遲滯的一個(gè)特別現(xiàn)象?,F(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)9當(dāng)SBS的閘極端加入一個(gè)電阻R,所以有少許閘流由A2流向G,表示閘極電阻上的電壓較A2為負(fù),將使順向轉(zhuǎn)態(tài)特征急劇下降,轉(zhuǎn)態(tài)電壓降至1V,表示一旦A2對(duì)A1的電壓達(dá)到1V時(shí),SBS馬上轉(zhuǎn)態(tài)并導(dǎo)通(反向轉(zhuǎn)態(tài)電壓不變)。當(dāng)交流電源達(dá)成正半周湊近于0時(shí),C上端電壓為正,R3的上端電壓對(duì)C的下端電壓約為0V,所以二極管D1順向偏壓,順向閘流,只要C的電壓超出1V,SBS即導(dǎo)通,C放電(經(jīng)過(guò)SBS,R4),當(dāng)負(fù)半周祥臨,C已放電達(dá)成,可由零電壓開(kāi)始充電,所以無(wú)論Triac能否導(dǎo)通,負(fù)半周都由同一初始電荷(此時(shí)幾乎為0)開(kāi)始充電,除掉遲滯現(xiàn)象。5-6單向轉(zhuǎn)態(tài)元件(UnilateralBreakoverDevices)單向轉(zhuǎn)態(tài)元件:包含四層二極管、硅單向開(kāi)關(guān)(SUS),常用于SCR觸發(fā)電路,加上某些支持電路,可用于Triac的觸發(fā)電路?,F(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)10四層二極管和SUS的動(dòng)作與SBS近似,不過(guò)僅有順向轉(zhuǎn)態(tài)點(diǎn)(forwardbreakover),逆向崩潰電壓(breakdown)很大,如有,會(huì)使元件損壞。SUS也擁有閘極,改變其轉(zhuǎn)態(tài)特征,如圖,閘極陰極間接一增納二極管(增納的陰極接閘極,陽(yáng)極接陰極),轉(zhuǎn)態(tài)電壓降為VZ+0.6。若SUS的陽(yáng)極至閘極間流有電流,SUS就可在極低的陽(yáng)極到陰極電壓(約1V)下導(dǎo)通,控制動(dòng)作與SBS近似。SUS是一種低電壓、低電流的元件,大部分轉(zhuǎn)態(tài)電壓為8V,電流在1A以下。5-7用以觸發(fā)Triac的四層二極管(BreakoverDevice(SUS)usedtoTriggeraTriac)工作原理:1橋式整流,加于RC電路現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)112C的電壓與電源近似,滯后一個(gè)由R1、R2所決定的相位角度3C電壓達(dá)到四層二極管的轉(zhuǎn)態(tài)電壓點(diǎn)時(shí),四層二極管導(dǎo)通,C經(jīng)過(guò)其向脈沖變壓器(pulsetransformer)的初級(jí)繞組放電(轉(zhuǎn)態(tài)電壓20V),產(chǎn)生一個(gè)脈沖電流波形,持續(xù)至VC沒(méi)法供應(yīng)四層二極管導(dǎo)通所需的保持電流為止4脈沖變壓器將電流耦合至次級(jí),至Triac的G-MT1電路上,令Triac導(dǎo)火(脈沖變壓器起到間隔作用)5無(wú)論電源極性如何,次級(jí)脈沖電流同向,Triac的閘極電流同向,均可導(dǎo)火,由主極電壓決定方向(相反),與SCR不一樣,反向閘極電流會(huì)損壞SCR6導(dǎo)火延緩角由R2調(diào)整Triac的導(dǎo)火,與閘極電流與主極電壓極性間關(guān)系,4種組合,正負(fù)主極電壓與正負(fù)閘極電流。現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)125-8(Triac)截止?fàn)顟B(tài)下電壓變動(dòng)(上升)速度的臨界值(CriticalRateofRiseodOff-StateVoltage(dv/dt))RC電路與Triac并聯(lián),防范Triac主極電壓上升太快,超出Triac所能忍耐的最大電壓變化率,若超出,無(wú)論有無(wú)閘極信號(hào),都馬上進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)(一般,100V/us)。若交流電源能保證無(wú)高速浪涌電流存在,則RC電路可以不要,但實(shí)質(zhì)環(huán)境中,一個(gè)變電開(kāi)關(guān)動(dòng)作,就能引起瞬時(shí)浪涌電壓,故需RC電路予以克制。平常由C擔(dān)當(dāng),將加于主極的高頻信號(hào)旁路,對(duì)高頻形成一極小的阻抗值,任何迅速的交流電源噪音都可由C短路落在負(fù)載電阻上,而不會(huì)加在Triac上。R用于限制C放電電流,免得燒毀Triac?,F(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)135-9以UJT觸發(fā)Triac(UJTasTriggerDevicesforTriac)Triac的觸發(fā)電路控制常用UJT構(gòu)成的電阻或電壓反響電路。5-9-1電阻反響式UJT觸發(fā)電路(UJTTriggerCircuitwithResistiveFeedback)工作原理:1T1為間隔變壓器(isolationtransformer),圈數(shù)比為1:1,對(duì)初級(jí)和次級(jí)繞組予以電氣間隔,使電源與觸發(fā)電路獨(dú)立,克制噪音攪亂。2橋式整流經(jīng)過(guò)增納剪截,送出與交流電源同步的24V波形3建立起24V電壓后,C開(kāi)始充電,至UJT峰值電壓后,UJT導(dǎo)火,在T2初級(jí)線圈上建立電流脈沖,耦合送至Triac閘極,令Triac導(dǎo)通4C的充電速度由RF對(duì)R1比值決定,小則Q1偏壓大,導(dǎo)通較厲害,供應(yīng)較大電流,C充電較快,UJT導(dǎo)火快,負(fù)載均勻電流大,大,則相反。恒流源工作原理:忽視Q1的基極電流(慎選R1和RF的值),R1和RF看作串聯(lián)電路,分壓器對(duì)于Q1,射極電流近似等于集極電流(放大倍數(shù)很高)由公式得IC與RF值成反比,且為必定值4I為常數(shù),由C的公式定壓,可知充電速度為常數(shù),電壓為斜波現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)14現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)15現(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)165-9-2電壓反響式UJT觸發(fā)電路(UJTTriggerCircuitwithVoltageFeedback)將電阻反響式電路中的RF以電壓反響取代即得。調(diào)整VF即可調(diào)整Triac的導(dǎo)火延緩角。由公式得同樣特征,C電壓上升速度為常數(shù)?,F(xiàn)代工業(yè)電子學(xué)1第五章三端雙向可控硅元件和其余硅控整流器(半導(dǎo)體閘流管)17總結(jié):1Tria

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