




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文檔簡(jiǎn)介
第四章
內(nèi)容4-1固體材料機(jī)械性能4-2材料熱性能4-3材料電學(xué)性能4-4材料磁學(xué)性能4-5材料光學(xué)性能4-6材料耐腐蝕性4-7復(fù)合材料性能4-8納米材料及效應(yīng)第1頁(yè)Chapter12ElectricalPropertiesofMaterials
TheelectricalbehaviorsofthevariousmaterialsDescribetherelationshipofelectricalconductivitiesandfourpossibleelectronbandstructuresforsolidmaterials.
HowtocalculatetheelectricalconductivitiesDefinedielectricconstantofadielectricmaterials
intermsofpermittivities.4-3材料電學(xué)性能第2頁(yè)電力機(jī)械、交通電子、微電子日常生活材料電學(xué)性能(electricalproperty)直流電場(chǎng)交變電場(chǎng)——介電性質(zhì)弱電場(chǎng)
——導(dǎo)電性質(zhì)強(qiáng)電場(chǎng)
——擊穿現(xiàn)象
材料表面——靜電現(xiàn)象第3頁(yè)不一樣材料電學(xué)性能差異及其與組成和結(jié)構(gòu)關(guān)系電導(dǎo)率和電阻率定義、電導(dǎo)機(jī)制、電導(dǎo)率基本參數(shù)及影響原因
材料電子能帶結(jié)構(gòu)與電導(dǎo)性、光導(dǎo)性和半導(dǎo)電性公式
超導(dǎo)電性定義、超導(dǎo)體2種特征、3個(gè)性能指標(biāo)
介電常數(shù)定義、介質(zhì)極化三種機(jī)制,
交變電場(chǎng)中介電損耗成因及影響原因
擊穿強(qiáng)度定義材料電性能與溫度關(guān)系第4頁(yè)電導(dǎo)率(electricalconductivity)和電阻率
4-3-1電導(dǎo)率和電阻率第5頁(yè)電阻率分:
體積電阻率:V,Ω·m表面電阻率:S,Ω電阻率
1、第6頁(yè)西門子電導(dǎo)率電導(dǎo)率(electricalconductivity)(1)表征材料導(dǎo)電性大小。
單位:S.m-1,
(Ω.m)-1⑵
依據(jù)電導(dǎo)率對(duì)材料分類2、第7頁(yè)表4-19
材料分類及其電導(dǎo)率材料電阻率電導(dǎo)率超導(dǎo)體導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體010-8-10-510-5-107107-1018∞105-10810-7-10510-18-10-7第8頁(yè)⑶
不一樣材料電導(dǎo)率舉例①金屬
自由電子
電導(dǎo)率高
導(dǎo)電性好②硅
半導(dǎo)體③離子固體
室溫絕緣體
T高
電導(dǎo)率大
(無(wú)機(jī)非金屬)
④高分子
雜質(zhì)致有導(dǎo)電性第9頁(yè)
各種材料在室溫電導(dǎo)率金屬和合金Σ(Ω-1.m-1)非金屬σ(Ω-1.m-1)銀銅,工業(yè)純金鋁,工業(yè)純
Al-1.2%,Mn合金鈉鎢,
工業(yè)純黃銅(70%Cu-30%Zn鎳,工業(yè)純純鐵,工業(yè)純鈦,工業(yè)純TiC不銹鋼,301型鎳鉻合金
(80%Ni-20%Cr)6.3*1075.85*1074.25*1073.45*1072.96*1072.1*1071.77*1071.66*1071.46*1071.03*1070.24*1070.17*1070.14*1070.093*107石墨SiC鍺,純硅,純苯酚甲醛(電木)窗玻璃
氧化鋁(Al2O3)云母甲基丙烯酸甲酯氧化鈹(BeO)聚乙烯聚苯乙烯金剛石石英玻璃聚四氟乙烯105(平均)102.24.3*10-410-7-10-11<10-1010-10-10-1210-11-10-15〈10-1210-12-10-15〈10-14〈10-14〈10-14〈10-16〈10-16結(jié)合原子電子結(jié)構(gòu)討論第10頁(yè)怎樣了解材料電導(dǎo)現(xiàn)象,必須明確幾個(gè)問(wèn)題:
1.參加遷移是哪種載流子——相關(guān)載流子類別問(wèn)題
2.
載流子數(shù)量有多大——相關(guān)載流子濃度、載流子產(chǎn)
生過(guò)程問(wèn)題
3.
載流子遷移速度大小——相關(guān)載流子輸運(yùn)過(guò)程問(wèn)題第11頁(yè)⑷決定電導(dǎo)率基本參數(shù)
parameters
載流子類型
chargecarrier——
電子、空穴、正離子、負(fù)離子
載流子數(shù)
chargecarrierdensity----n,個(gè)/m3
載流子遷移率
electronmobility(物理意義為載流子在單位電場(chǎng)中遷移速度)
μ=ν/E
m2/(v.s)
平均漂移速度(driftvelocity)ν,m/s第12頁(yè)電流密度(單位時(shí)間(1s)經(jīng)過(guò)單位截面積電荷量)
J=nqv電導(dǎo)率
σ=J/E=nqv/E=nqμ第13頁(yè)⑸
影響原因影響離子電導(dǎo)率原因
溫度
晶體結(jié)構(gòu)
晶格缺點(diǎn)第14頁(yè)第15頁(yè)(A)聲子對(duì)遷移率影響,可寫成μL=aT-3/2
(B)雜質(zhì)離子對(duì)遷移率影響,可寫成
μI=bT3/2
影響電子電導(dǎo)率原因溫度、雜質(zhì)缺點(diǎn)第16頁(yè)單質(zhì)金屬中主要散射機(jī)制是電聲子相互作用,電導(dǎo)率溫度關(guān)系為
σ∝T-1。半導(dǎo)體和絕緣體電導(dǎo)率隨溫度改變以指數(shù)函數(shù)增大
σ=σ0exp(-Eg/2kT)第17頁(yè)影響半導(dǎo)體電導(dǎo)率原因:溫度
公式4-106,12.18
k為Boltzmann常數(shù)=8.6210-5evEg為能帶間隙能,Table12.2第18頁(yè)例題第19頁(yè)材料結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電性StructuresandConductivity1、
材料電子結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電性
能帶
electronenergyband4-3-2材料結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電性第20頁(yè)外層電子能級(jí)N個(gè)原子N個(gè)能級(jí)重迭分離第21頁(yè)Section12.5第22頁(yè)(a)(b)金屬Section12.5第23頁(yè)(1)導(dǎo)體
conductor
堿金屬
鋰、鈉、鉀
鈉(1S22S22P63S1)
堿土金屬
鈹、鎂、鈣鎂(1S22S22P63S2)
3S與3P重迭
貴金屬
銅、銀、金銅(1S22S22P63S23P63d104S1)
過(guò)渡金屬
鐵、鎳、鈷
鐵(1S22S22P63S23P63d74S2)重迭第24頁(yè)金屬中自由電子都能導(dǎo)電嗎?費(fèi)米能級(jí)理論第25頁(yè)影響金屬導(dǎo)電性原因電阻率
溫度:thermalvibration雜質(zhì):solidsolution塑性形變:dislocation第26頁(yè)散射第27頁(yè)第28頁(yè)電子局域:離子鍵
共價(jià)鍵(2)絕緣體
insulator第29頁(yè)第30頁(yè)離子固體電導(dǎo)性離子性晶格缺點(diǎn)濃度溫度晶體結(jié)構(gòu)聚合物電導(dǎo)性添加型結(jié)構(gòu)型第31頁(yè)
AlanJ.Heeger1/3oftheprizeUSAUniversityofCaliforniaantaBarbara,CA,USAb.1936發(fā)覺(jué)并發(fā)展了導(dǎo)電聚合物諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)取得者白川英樹(shù)HidekiShirakawa
1/3oftheprizeJapanUniversityofTsukubaTokyo,Japan
b.1936AlanG.MacDiarmid1/3oftheprizeUSAUniversityofPennsylvaniaPhiladelphia,PA,USAb.1927第32頁(yè)1974年,白川英樹(shù)等人用Ziegler-Natta催化劑制備聚乙炔薄膜銅色(cis-,電導(dǎo)率10-8~10-7S·cm-1)銀色(trans-,電導(dǎo)率10-3~10-2S·cm-1)第33頁(yè)1977年,
Heeger、MacDiarmid和白川英樹(shù)、發(fā)覺(jué)當(dāng)聚乙炔薄膜用Cl2、Br2或I2蒸氣氧化后,其電導(dǎo)率可提升幾個(gè)數(shù)量級(jí)。經(jīng)過(guò)改變催化劑制備方法和取向,電導(dǎo)率可達(dá)105S·cm-1。(Teflon為10-16S·cm-1,Cu為108S·cm-1)。第34頁(yè)圖
3三維、二維和一維碳化合物材料共軛能帶間隙隨聚合物長(zhǎng)度增加而減小第35頁(yè)第36頁(yè)摻雜
在聚合物上去掉或增加電子。
氧化摻雜(也稱P型摻雜)用鹵素?fù)诫s
還原摻雜(也稱n型摻雜)用堿金屬進(jìn)行:載流子在共軛聚合物材料中躍遷包含:
沿單一共軛體系運(yùn)動(dòng):阻力小或無(wú)
在共軛體系之間躍遷:阻力大第37頁(yè)聚乙炔,其摻雜電導(dǎo)率大幅度提升,摻雜到6.67%時(shí),能隙將消失。第38頁(yè)
聚乙炔鏈上共軛缺點(diǎn)(載流子)第39頁(yè)
陽(yáng)離子自由基產(chǎn)生和移動(dòng)
聚乙炔異構(gòu)化產(chǎn)生孤子及移動(dòng)第40頁(yè)導(dǎo)電聚合物電導(dǎo)率與溫度關(guān)系第41頁(yè)理想情況下,導(dǎo)電聚合物含有金屬導(dǎo)電性,且重量輕、易加工、材料起源廣等特點(diǎn)用作電極、電磁波屏蔽、抗靜電材料等半導(dǎo)體器件和發(fā)光器件方面得應(yīng)用
聚合物電池、電致變色顯示器、
電化學(xué)傳感器、場(chǎng)效應(yīng)管、
聚合物發(fā)光二極管(LED)
導(dǎo)電聚合物應(yīng)用第42頁(yè)(3)半導(dǎo)體
Semiconductors
本征半導(dǎo)體
Intrinsicsemiconductors第43頁(yè)載流子:自由電子,n,負(fù)電荷
空穴,hole
p,正電荷carrier第44頁(yè)例題第45頁(yè)雜質(zhì)半導(dǎo)體
extrinsicsemiconductorn型半導(dǎo)體
n-TYPEEXTRINSICSEMICONDUCTION
在Si、Ge等四價(jià)元素中摻入少許五價(jià)元素P、Sb、Bi、As
在導(dǎo)帶附近形成摻雜能級(jí)
電子型導(dǎo)電
第46頁(yè)p型半導(dǎo)體
p-TYPEEXTRINSICSEMICONDUCTION
在四價(jià)Si、Ge等四價(jià)元素中摻入B、Al、Sc、Y,在四價(jià)帶附近形成摻雜能級(jí)
空穴型導(dǎo)電
第47頁(yè)半導(dǎo)體電導(dǎo)率與溫度關(guān)系第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)熱激發(fā)第51頁(yè)分子軌道理論受激態(tài)可能形式
π,π*狀態(tài)
n,π*狀態(tài),
含有N、O或S
CT狀態(tài)——電荷轉(zhuǎn)移受激態(tài)電子給體基團(tuán)(如一NH2,一0H)及受體基(>C=0,一N02)之間發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移
材料電子結(jié)構(gòu)與光電導(dǎo)性材料電子結(jié)構(gòu)與光電導(dǎo)性
photo-electrical(1)分子受激過(guò)程與能量交換光電流激活能
ΔE=EJ-EI=hv兩種構(gòu)型:
單重態(tài)\三重態(tài)2.第52頁(yè)第53頁(yè)(2)光生載流子機(jī)理第54頁(yè)4-3-4材料超導(dǎo)電性1、
超導(dǎo)電性-(superconductivity)——在一定低溫下材料突然失去電阻現(xiàn)象
(小于10-25Ω·cm)第55頁(yè)液氦,超導(dǎo)現(xiàn)象發(fā)覺(jué)諾貝爾物理獎(jiǎng)取得者19HeikeKamerlinghOnnes
theNetherlands
LeidenUniversity
Leiden,theNetherlandsb.1853
d.1926汞,4.2K第56頁(yè)
J.GeorgBednorz1/2oftheprizeFederalRepublicofGermanyIBMResearchLaboratoryb.1950在陶瓷(金屬氧化物)中發(fā)覺(jué)超導(dǎo)現(xiàn)象,超導(dǎo)研究取得重大突破,諾貝爾物理獎(jiǎng)取得者
1987年K.AlexanderMuller
1/2oftheprizeSwitzerlandR黶chlikon,Switzerlandb.1927第57頁(yè)超導(dǎo)電性金屬和合金
Tc<30K
鈦、釩、鋯、鈮、鉬、鉭、鎢、錸、鉍、鋁、錫、鎘等28種。
二元合金NbTi,Tc=8~10K;
NbZr,Tc≈10~11K。三元系合金有鈮-鈦-鋯,Tc=10K;鈮-鈦-鉭,Tc=9~10K。第58頁(yè)超導(dǎo)化合物
Nb3Sn,Tc=18~18.5K;
Nb3Ge,Tc≈23.2K,Nb3(AlGe),Tc≈20.7K等
超導(dǎo)電性金屬氧化物
1960‘sBa-Y-Cu-O系,35K,1986,Bednorz,MullerBa-Y-Cu-O系,100K,1987,我國(guó)趙忠賢等
Hg-Ba-Cu-O系,~140K第59頁(yè)2、超導(dǎo)體兩種特征:
完全導(dǎo)電性
完全抗磁性
磁感應(yīng)強(qiáng)度一直為零第60頁(yè)3、三個(gè)性能指標(biāo)超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc
愈高愈好
臨界磁場(chǎng)Hc
破壞超導(dǎo)態(tài)最小磁場(chǎng)。
隨溫度降低,Hc將增加;
當(dāng)T<Tc時(shí),
Hc=Hc,0[1-(T/Tc)2]
臨界電流密度Jc
保持超導(dǎo)狀態(tài)最大輸入電流
(與Hc相關(guān))第61頁(yè)FIGURE18.22
Criticaltemperature,currentdensity,andmagneticfieldboundaryseparatingsuperconductingandnormalconductingstates第62頁(yè)第63頁(yè)4-3-5
材料介電性材料極化
1.介質(zhì)極化、電容、介電常數(shù)真空電容
Co=Qo/V=ε0A/l介質(zhì)中電容
C=Q/V=εA/lε。真空電容率(或真空介電常數(shù)),8.85xl0-12
F/mΕ
介質(zhì)電容率(或介電常數(shù))
permittivity(dielectricproperty)第64頁(yè)原因:材料極化
極化原因
電子極化
電子云
偏離中心
離子極化
取向極化第65頁(yè)(2)
介電常數(shù)
dielectricconstant,
表征電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下極化程度宏觀物理量。
電介質(zhì)相對(duì)介電常數(shù)
εr=C/C0=ε/ε0
相對(duì)電容量,無(wú)量綱常數(shù)第66頁(yè)一些材料εr
數(shù)值:
石英——3.8;
絕緣陶瓷——6.0;
PE——2.3;
PVC——3.8高分子材料εr
由主鏈結(jié)構(gòu)中鍵性能和排列所決定。第67頁(yè)
表4-3-4一些材料介電常數(shù)ε(
T=25℃
ν=106Hx)
塑料和有機(jī)物
玻
璃
無(wú)機(jī)晶態(tài)材料聚四氟乙烯(Tefton)2.1
石英玻璃
3.8氧化鋇
3.4聚異丁烯
2.23 耐熱玻璃
3.8-3.9 云母
3.6聚乙烯
2.35 派勒克斯玻璃
4.0-6.0 氯化鉀
4.75聚苯乙烯
2.55 堿-石灰-硅石玻璃
6.9 溴化鉀
4.9丁基橡膠
2.56 高鉛板璃
19.0
青石陶瓷
4.5-5.4有機(jī)玻璃
2.63 (2MgO·2Al2O33SiO4為基)聚氯乙烯
3.3
金剛石
5.5聚酰胺66 3.33鎂橄欖石
6.22 (Mg2SiO4)
聚酯
3.1-4.0 多鋁紅柱石3Al2O36.62SiO2
酚甲醛
4.75 氟化鎳
9.0氯丁橡膠
6.26
氧化鎂
9.65紙
70第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)電介質(zhì)在交變電場(chǎng)作用下,電能轉(zhuǎn)變成熱能而損耗
漏電導(dǎo)電流\極化電流損耗
介電常數(shù)可用復(fù)數(shù)表示:
=’-i
’’式中’為與電容電流相關(guān)介電常數(shù),實(shí)數(shù)部分;
’’與電阻電流相關(guān)分量,虛數(shù)部分,2.
dielectricloss.介電損耗第71頁(yè)介電損耗因子
滯后相位角
——損耗角
損耗角
正切:
tg=’’/’
介電損耗第72頁(yè)影響tg
原因(1)
分子結(jié)構(gòu)
極性
大
tg
大
基團(tuán)數(shù)目
多
tg
大
(2)小分子及雜質(zhì)(3)多相體系(4)交變電場(chǎng)頻率(5)溫度第73頁(yè)表4-3-5高聚物介電性能高聚物ρv體積電阻率(.m)擊穿強(qiáng)度(MV/m)介電常數(shù)(60Hz)介電損耗角正切值(60Hz)聚乙烯(高密度)聚丙烯聚苯乙烯聚氯乙烯尼龍6尼龍66滌綸聚甲醛聚碳酸酯聚四氟乙烯聚砜丁苯橡膠1014
>101410141012-10151012-101510121012-10161012101410161014101326-28
302415-252215-19
18-617-2225-4016-20202.2-2.4(1016Hz)
2.0-2.6(1016Hz)2.5(1016Hz)3.2-3.6(1016Hz)4.14.03.43.73.0
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