解析相關(guān)培訓張家清-qc判定

薄膜區(qū)薄膜沉積Thin

Film

=

TEtching

=

E蝕刻區(qū)薄膜圖案成形AOIADIAEIASIaPhoto

=

P黃光區(qū)光阻圖案成形ArrayProcess

FlowA:TFTB:Cs(儲存電容)TFTCs(Cs

on

gate)GatetongueShield

metalCross

overAs

islandA:TFTB:Cs(儲存電容)SignallineSourceDrainThrough

holeITO(顯示區(qū))Arrayleakage異物周圍有PI暈，異物在TFT側(cè)PI下反射&

投射光可發(fā)現(xiàn)TFT側(cè)的金屬層有變形說明在TFT制程中異物掉落造成Array

異常PS:

此類異常容易誤判為TFT側(cè)PI下金屬，要求大倍率 搭配投射光仔細辨認Arrayleakage異物周圍有PI暈，異物在TFT側(cè)PI下透射光可發(fā)現(xiàn)TFT側(cè)的金屬層有變形(TFT側(cè)有新增金屬殘留，且變形為圓滑延伸)PS:

此類異常容易誤判為TFT側(cè)PI下金屬，要求大倍率 搭配投射光仔細辨認Arrayleakage異物周圍有PI暈，異物在TFT側(cè)PI下反射透射光可發(fā)現(xiàn)TFT側(cè)的金屬層有變形透射光有時可見彩色光暈PS:

此類異常容易誤判為TFT側(cè)PI下金屬，要求大倍率

搭配投射光仔細辨認Arrayleakage異物周圍有PI暈，異物在TFT側(cè)PI下反射透射光可發(fā)現(xiàn)TFT側(cè)的金屬層有變形異物周圍有圓滑形金屬殘PS:

根據(jù)之前的Array制程演示，TFT元件顏色一樣的為同一層開始變胖開始變胖恢復正常Arrayleakage異物周圍有PI暈，異物在TFT側(cè)PI下異物周圍有圓滑形金屬殘（一般金屬為有楞有角）PS:

根據(jù)之前的Array

制程演示，TFT元件顏色一樣的為同一層，故此為Source

層異常造成Source

略變粗Source

正常Arrayleakage異物周圍有PI暈，異物在TFT側(cè)PI下Source

&

Drain

有Pattern

變胖Array

有鐳射修補痕跡PS:

判定時注意有鐳射修補痕跡鐳射修補Arrayleakage異物周圍有PI暈，異物在TFT側(cè)PI下異物周圍有圓滑形金屬殘（一般金屬為有楞有角）TFT

有鐳射修補痕跡PS:

判定時注意有鐳射修補痕跡鐳射修補ITO

RemoveArrayleakage鐳射修補異物周圍有PI暈，異物在TFT側(cè)PI下異物周圍有圓滑形金屬殘（一般金屬為有楞有角）TFT

有鐳射修補痕跡PS:

容易誤判為TFT側(cè)PI下金屬，仔細觀察放大可發(fā)現(xiàn)有TFT變形和鐳射修補痕跡微小變形微小變形Arrayleakage一般為線路斷開或有異物造成斷路直觀可以發(fā)現(xiàn)有格外拉線線路可見修補區(qū)域Array

ITO

被RemovePS:

Array

另外一種修補方式（Array

CVD

長膜修補）Source

斷開Array

拉線修補ITO

被Arrayleakage異物周圍有PI暈，異物在TFT側(cè)PI下異物周圍有圓滑形金屬殘（一般金屬為有楞有角）待確認—需去PI此類異常未發(fā)現(xiàn)有TFT元件變形，但與平時解析到的TFT側(cè)PI下異物/金屬不太相似，必要時需去PI后再判定Array

leakage—