內(nèi)層制程試車(chē)作業(yè)管理規(guī)范

23/23內(nèi)層製程試車(chē)作業(yè)規(guī)範(fàn)一、目的1二、說(shuō)明3三、設(shè)備點(diǎn)檢項(xiàng)目4四、測(cè)試項(xiàng)目5一、目的測(cè)試新進(jìn)設(shè)備品質(zhì)和製程能力，為現(xiàn)場(chǎng)量產(chǎn)做準(zhǔn)備二、說(shuō)明內(nèi)層試車(chē)計(jì)畫(huà)包含伍個(gè)要緊設(shè)備，清單如下：（1）裁板機(jī)（2）前處理線（3）壓膜機(jī)（4）曝光機(jī)（5）後處理製程試車(chē)計(jì)畫(huà)由相關(guān)製程負(fù)責(zé)PE編製,交付工程部、製造部及品保部會(huì)簽，會(huì)同相關(guān)製程的各部負(fù)責(zé)人共同配合執(zhí)行。測(cè)試板與小量產(chǎn)規(guī)定(1)測(cè)試板數(shù)量:20-100PNL,尺寸:接近設(shè)備最大設(shè)計(jì)尺寸,板厚:無(wú)專(zhuān)門(mén)要求時(shí)40-60mil.(2)小量產(chǎn)數(shù)量3-10lot(150PNL/lot)三設(shè)備點(diǎn)檢項(xiàng)目設(shè)備名稱(chēng)設(shè)備點(diǎn)檢項(xiàng)目結(jié)果備註內(nèi)層前處理機(jī)械傳動(dòng)是否正常，有無(wú)跳輪、卡板、傳送偏移現(xiàn)象噴嘴是否有堵塞、歪斜溫度顯示與實(shí)際溫度是否相符各段之間信號(hào)傳輸、配合以及感應(yīng)、添加、警報(bào)是否正常設(shè)備有無(wú)漏液現(xiàn)象設(shè)備各表頭顯示是否符合實(shí)際壓膜機(jī)械傳動(dòng)是否正常，有無(wú)跳輪、卡板、傳送偏移現(xiàn)象機(jī)臺(tái)各部分是否運(yùn)轉(zhuǎn)正常、符合規(guī)格要求曝光機(jī)械傳動(dòng)是否正常，有無(wú)跳輪、卡板、傳送偏移現(xiàn)象機(jī)臺(tái)各部分是否運(yùn)轉(zhuǎn)正常、符合規(guī)格要求DES機(jī)械傳動(dòng)是否正常，有無(wú)跳輪、卡板、傳送偏移現(xiàn)象噴嘴是否有堵塞、歪斜溫度顯示與實(shí)際溫度是否相符各段之間信號(hào)傳輸、配合以及感應(yīng)、添加、警報(bào)是否正常設(shè)備有無(wú)漏液現(xiàn)象設(shè)備各表頭顯示是否符合實(shí)際四測(cè)試項(xiàng)目制程站別項(xiàng)目測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果備註內(nèi)層裁板尺寸精確度與設(shè)定值相差2mm內(nèi)板邊無(wú)BURR無(wú)BURR一次裁切厚度30mm內(nèi)層前處理水破實(shí)驗(yàn)>=30s微蝕測(cè)試40±10μ〞烘干測(cè)試無(wú)水痕殘留傳動(dòng)測(cè)試無(wú)卡板、無(wú)刮傷板面清潔度無(wú)異物內(nèi)層壓膜線設(shè)備傳送無(wú)卡板、氣泡、膜皺幹膜對(duì)準(zhǔn)度幹膜距板邊2±1mm板出溫度60±5溫度均勻性左中右溫差小於7℃內(nèi)層曝光線設(shè)備傳送無(wú)卡板曝光能量6.0±0.5格曝光均勻性自動(dòng)85%↑CCD對(duì)位精準(zhǔn)度偏差1mil內(nèi)真空度22inHg↑DES線設(shè)備傳送無(wú)卡板，無(wú)刮傷顯影PH值10.6↑顯影點(diǎn)50%±5%解析度/附著力55μm/55μm氯化銅測(cè)試無(wú)亮點(diǎn)銅面存在蝕刻點(diǎn)70%±5%蝕刻均勻性10%↓蝕刻因數(shù)3↑去膜點(diǎn)40%±5%制程站別項(xiàng)目測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)層裁板尺寸精確度量測(cè)尺寸符合機(jī)臺(tái)設(shè)定板邊無(wú)BURR無(wú)BURR一次裁切厚度30mm內(nèi)層前處理水破實(shí)驗(yàn)>=30s微蝕測(cè)試40μ〞±10μ〞烘干測(cè)試無(wú)水痕殘留傳動(dòng)測(cè)試無(wú)卡板、無(wú)刮傷板面清潔度無(wú)異物內(nèi)層壓膜線設(shè)備傳送無(wú)卡板、氣泡、膜皺幹膜對(duì)準(zhǔn)度幹膜距板邊2±1mm板出溫度60±5溫度均勻性左中右溫差小於7內(nèi)層曝光線設(shè)備傳送無(wú)卡板曝光能量6.0±0.5格曝光均勻性自動(dòng)85%↑,手動(dòng)80%↑CCD對(duì)位精準(zhǔn)度1mil真空度22inHg↑DES線設(shè)備傳送無(wú)卡板，無(wú)刮傷顯影PH值10.6↑顯影點(diǎn)50%±5%解析度/附著力55μm/55μm氯化銅測(cè)試無(wú)亮點(diǎn)銅面存在蝕刻點(diǎn)70%±5%蝕刻均勻性10%↓蝕刻因數(shù)3↑去膜點(diǎn)40%±5%氯化銅測(cè)試無(wú)亮點(diǎn)銅面存在測(cè)試方法1.內(nèi)層前處理1.1水破實(shí)驗(yàn)的測(cè)試方法:取39mil1/120"×24"基板走過(guò)前處理線後,浸入水中然後拿起,將板子傾斜45?,讓水沿著板子流下,觀察水膜破裂時(shí)間,並記錄數(shù)據(jù).前處理水破測(cè)試線別化驗(yàn)項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)值實(shí)測(cè)值線速(m/min)微蝕溫度(℃)烘乾溫度(℃)標(biāo)準(zhǔn)水破時(shí)間判定AH2O22.0~4.0%H2SO410~14%Cu2+30~50g/LBH2O22.0~4.0%H2SO410~14%Cu2+30~50g/L1.2前處理微蝕量測(cè)試方法：1將板厚39mil15cm×15cm裸銅基板作為測(cè)試板，將其用水洗淨(jìng)，置於烤箱內(nèi)以120℃烘烤152烘烤後取出基板並冷卻3分鐘，稱(chēng)重至小數(shù)點(diǎn)以下四位，記錄為W1.3將測(cè)試板與生產(chǎn)板一起走完微蝕槽，注意不可與量產(chǎn)板重疊.4微蝕完畢後將基板取出水洗，然後置於烤箱內(nèi)以120℃烘烤15分鐘，並冷卻3分鐘，稱(chēng)重至小數(shù)點(diǎn)以下四位，記錄為W2..5Etchcount=(W1－W2)×92900/（2×2.1×A）單位：u"W1、W2單位：克A：測(cè)試板面積A的計(jì)算：當(dāng)規(guī)格為10cm×10cm時(shí)，A2.內(nèi)層壓膜制程2.1幹膜對(duì)準(zhǔn)度測(cè)試目的:測(cè)試壓膜機(jī)壓膜對(duì)準(zhǔn)能力測(cè)試材料:39mil1/120”×24”裸銅基板檢驗(yàn)工具:量尺檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):幹膜距板邊2±1mm測(cè)試方法:取測(cè)試用基板走過(guò)壓膜線後,測(cè)試幹膜與板邊間距

2.2板出溫度測(cè)試目的:測(cè)試壓膜機(jī)壓膜的溫度操縱能力測(cè)試材料:39mil1/120”×24”裸銅基板檢驗(yàn)工具:紅外線測(cè)溫器檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):60±5℃測(cè)試方法:取測(cè)試用基板走過(guò)壓膜線時(shí)過(guò)壓膜線15cm處量測(cè)基板表面左中右三點(diǎn)溫度3.內(nèi)層曝光制程3.1曝光能量測(cè)試目的:測(cè)試燈管的能量是否達(dá)到要求及幹膜的最佳曝光能量範(fàn)圍測(cè)試材料:39mil1/120”×24”測(cè)試板檢驗(yàn)工具:21格曝表,測(cè)試底片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):6.0±0.5格測(cè)試方法:1準(zhǔn)備好測(cè)試板，進(jìn)行內(nèi)層前處理作業(yè)2準(zhǔn)備23.75"內(nèi)層幹膜，並架到壓膜機(jī)上，確認(rèn)壓膜機(jī)的條件無(wú)誤後將前處理完畢後的測(cè)試板進(jìn)行壓膜作業(yè)3準(zhǔn)備一0.7mil的透明底片，以遮光膠帶固定於曝光臺(tái)面上，再將曝光格數(shù)底片固定於透明底片上，固定時(shí)須注意曝光格數(shù)底片的藥液面必須接觸測(cè)試板的幹膜。4將壓膜完畢的測(cè)試板放於架好的曝格表的曝光機(jī)中，確認(rèn)曝光機(jī)條件無(wú)誤，曝光完畢後將測(cè)試板靜置15分鐘以上5確認(rèn)內(nèi)層顯影段操作條件及顯影液是否正常後將曝光並靜置完畢的測(cè)試板進(jìn)行顯影作業(yè)，在水洗後將測(cè)試板取出6觀察顯影後的測(cè)試板，其顯示格數(shù)即為受測(cè)曝光機(jī)於製作測(cè)試板的實(shí)際曝光格數(shù)3.3CCD對(duì)位精準(zhǔn)度測(cè)試目的:測(cè)試曝光機(jī)對(duì)位能力測(cè)試材料:39mil1/120”×24檢驗(yàn)工具:金相顯微鏡檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):偏差在1mil以?xún)?nèi)測(cè)試方法:將測(cè)試板依內(nèi)層流程走完DES線後,選取一面含有PAD,另一面有對(duì)應(yīng)的空心圓的區(qū)域切下做成切片,把PAD恰好磨去一半時(shí)量測(cè)其圓心與其對(duì)應(yīng)空心圓圓心的距離,即為測(cè)出的CCD對(duì)準(zhǔn)度4.內(nèi)層DES制程4.1顯影點(diǎn)測(cè)試目的:測(cè)試顯影線顯影效果是否正常測(cè)試材料:39mil1/120”×24檢驗(yàn)工具:量尺,秒錶檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):50%±5%,測(cè)試速度5.0M/MIN測(cè)試方法:1準(zhǔn)備基板10PNL,做前處理、壓膜後待用2將測(cè)試板放入顯影段，測(cè)試板放置時(shí)須緊密連靠，此時(shí)記錄第一片板子經(jīng)過(guò)顯影槽的時(shí)間，以米尺量測(cè)顯影槽的長(zhǎng)度，推算出實(shí)際速度與設(shè)定速度是否符合3第一片板子出顯影段時(shí)，立即將顯影液噴壓關(guān)閉，待走完顯影段的水洗後，將板子取出並按放板的順序依序排列在顯影槽出板處4依測(cè)試板的顯影程度，於開(kāi)始有顯影不淨(jìng)處做記錄，以米尺量測(cè)並除以顯影槽的全長(zhǎng)，計(jì)算出顯影點(diǎn)。5顯影點(diǎn)計(jì)算方式：[1-（顯影乾淨(jìng)的有效長(zhǎng)度/顯影槽有效長(zhǎng)度）]×100%6顯影點(diǎn)未達(dá)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，檢視顯影槽的噴嘴、噴壓及速度，若有異常則調(diào)整至標(biāo)準(zhǔn)值。4.2氯化銅測(cè)試測(cè)試目的:測(cè)試DES線顯影、去膜是否乾淨(jìng)測(cè)試材料:39mil1/120”×24檢驗(yàn)工具:氯化銅,秒錶檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):無(wú)亮點(diǎn)銅面存在測(cè)試方法:1準(zhǔn)備欲確認(rèn)的測(cè)試板，將其浸泡於氯化銅溶液槽中，浸泡5sec後取出，並立即以水洗將板面殘留氯化銅溶液沖淨(jìng)2觀察測(cè)試板的板面情形，是否氧化的亮點(diǎn)殘筒存在，此即為觀察有無(wú)scum殘留的氯化銅測(cè)試4.3解析度/附著力測(cè)試目的:測(cè)試內(nèi)層曝光顯影能達(dá)到的解析與附著能力測(cè)試材料:39mil1/120”×24檢驗(yàn)工具:測(cè)試底片,50倍高腳目鏡檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):75μm/75μm測(cè)試方法:1確認(rèn)制程參數(shù)條件無(wú)誤後再進(jìn)行測(cè)試2線距判斷方式：測(cè)試板製作完成後進(jìn)行量測(cè),將有短路的區(qū)塊標(biāo)出,找出短路之處後以100倍高腳鏡判斷其短路緣故3線寬的判斷方式：線路不變形的最小線寬4.4蝕刻點(diǎn)測(cè)試目的:測(cè)試蝕刻段蝕刻效果是否正常測(cè)試材料:39mil1/120”×24檢驗(yàn)工具:量尺,秒錶檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):70%±5%,測(cè)試速度5.0M/MIN測(cè)試方法:1準(zhǔn)備基板、依現(xiàn)場(chǎng)條件做至前處理完畢後待用2將測(cè)試板依次放入蝕刻段，並記錄第一PNL從進(jìn)入到出來(lái)的時(shí)間，算出實(shí)際的速度以便與設(shè)定速度作比較3當(dāng)?shù)谝籔NL測(cè)試板出蝕刻段時(shí)立即關(guān)閉噴壓，待走完水洗後，將板子取出並按放板的順序依序排列在蝕刻段出板處4依測(cè)試板的蝕刻程式，觀察開(kāi)始有蝕刻不淨(jìng)處，並量出長(zhǎng)度，再除以蝕刻段的全長(zhǎng)，計(jì)算出蝕刻點(diǎn)。5蝕刻點(diǎn)計(jì)算方式：[1-（蝕刻乾淨(jìng)的有效長(zhǎng)度/蝕刻段的有效長(zhǎng)度）]×100%6蝕刻點(diǎn)未達(dá)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，檢視蝕刻槽的噴嘴、噴壓、速度與藥液，若有異常則調(diào)整至標(biāo)準(zhǔn)值。4.5蝕刻均勻性測(cè)試目的:測(cè)試蝕刻段蝕刻是否均勻測(cè)試材料:39mil2/220”×24”測(cè)試板檢驗(yàn)工具:MRX量測(cè)儀,PP紙檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):10%↓,測(cè)試速度5.0M/MIN測(cè)試方法:1依內(nèi)層板流程至前處理(微蝕槽不開(kāi)),把基板表面均分成25個(gè)區(qū)域，以MRX量測(cè)儀量測(cè)每一區(qū)域的銅厚，並計(jì)算其平均值為A3內(nèi)層後處理蝕刻段共有3槽，測(cè)試其蝕刻均勻性時(shí)需分3次1)測(cè)試第一槽時(shí)，將2、3槽關(guān)閉2）測(cè)試2、3槽時(shí)方式同上，須關(guān)閉其餘2槽4蝕刻完畢後（水洗完畢）把PP墊蓋上,以MRX量測(cè)每PP上每一空格處蝕刻後的殘銅厚度，並計(jì)算其平均值為B5計(jì)算其蝕刻均勻性U%，計(jì)算公式如下：U%=[R/2（A-B）]×100%其中R值為同一面咬蝕量的最大值與最小值的差異6未達(dá)標(biāo)準(zhǔn)，在準(zhǔn)備新的測(cè)試板上重複上述步驟，直至均勻性達(dá)到13%以下為止4.6蝕刻因數(shù)測(cè)試目的:測(cè)試蝕刻段蝕刻的側(cè)蝕情況測(cè)試材料:39mil1/120”×24”測(cè)試板檢驗(yàn)工具:測(cè)試底片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):3↑測(cè)試方法:1確認(rèn)制程參數(shù)條件無(wú)誤後再進(jìn)行測(cè)試2把板子走完DES線後做切片,量測(cè)線路上下線寬,厚度,並量測(cè)底片設(shè)計(jì)之線寬計(jì)算蝕刻因數(shù),上噴下噴都需量測(cè)EF=H/[(A-B)/2]3若有未達(dá)標(biāo),則進(jìn)行分析(可能緣故:噴嘴,噴壓,角度,藥液等)並進(jìn)行調(diào)整4.7去膜點(diǎn)測(cè)試目的:測(cè)試顯影線去膜效果是否正常測(cè)試材料:39mil1/120”×24”測(cè)試板檢驗(yàn)工具:量尺,秒錶檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):40%±5%,測(cè)試速度5.2M/MIN測(cè)試方法:1準(zhǔn)備基板10PNL,做前處理、壓膜,用透明底片對(duì)其進(jìn)行曝光靜置15分鐘後待用2將測(cè)試板放入去