離子通道電緊張電刺激

膜電導變化基于離子通道的開放和關(guān)閉膜片鉗技術(shù)測定單通道電流Neher和Sakmann單通道電流特征：pA隨機開關(guān)開關(guān)轉(zhuǎn)換速度快宏膜電流和單通道電流的關(guān)系I=iPoN第一頁，共二十六頁。第二頁，共二十六頁。第三頁，共二十六頁。第四頁，共二十六頁。第五頁，共二十六頁。第六頁，共二十六頁。電緊張電位細胞膜的被動電學特性所決定的空間分布膜電位稱為電緊張電位電緊張電位產(chǎn)生過程中，沒有離子通道的激活和膜電導的變化使用超極化刺激或，使用強度小于1/3閾電位的去極化刺激局部反應(yīng)是由去極化電緊張電位和少量離子通道開放產(chǎn)生的主動反應(yīng)所疊加生成的第七頁，共二十六頁。電緊張電位的空間和時間依賴性空間常數(shù)λ=(Rm/Ri)1/2時間常數(shù)Tau=(Rm*Ri)1/2*Cm1-20ms第八頁，共二十六頁。電緊張電位影響動作電位的產(chǎn)生和傳導動作電位的產(chǎn)生動作電位的傳導

都依賴于電緊張電位所以，時間常數(shù)和空間常數(shù)也成為了影響動作電位產(chǎn)生和傳導的重要因素第九頁，共二十六頁。影響傳導速度的主要因素：空間常數(shù)時間常數(shù)跨膜電阻節(jié)間段電阻髓鞘細胞第十頁，共二十六頁。電緊張電位的特征幅度與刺激強度相關(guān)，不具有全或無的特張在局部位置產(chǎn)生，向周圍發(fā)生逐步衰減的擴步?jīng)]有不應(yīng)期，可以發(fā)生空間總和和時間總和閾下刺激引起的局部反應(yīng)、終板電位、突觸后電位、感受器電位、發(fā)生器電位等，不是嚴格意義的電緊張電位，但具有電緊張電位的特張第十一頁，共二十六頁。髓鞘神經(jīng)細胞動作電位的傳導無髓鞘細胞（神經(jīng)細胞和肌細胞）有髓鞘神經(jīng)細胞神經(jīng)膠質(zhì)細胞反復(fù)包繞軸突髓鞘長約1-2mm髓鞘之間約為1-2μm，稱為郎飛氏結(jié)，此處軸突裸露形成動作電位的跳躍式傳導（saltatoryconduction）第十二頁，共二十六頁。"MyelinAndNerveStructureImage."16May2007.HowStuffW.</myelin-and-nerve-structure-picture-a.htm>24September2009.第十三頁，共二十六頁。第十四頁，共二十六頁。第十五頁，共二十六頁。髓鞘神經(jīng)傳導動作電位的特點：傳導速度快600μm無髓鞘神經(jīng)和4μm有髓鞘神經(jīng)的速度大約都為25m/s；而且，有髓鞘神經(jīng)的最高傳導速度可達到100m/s以上。減少能量消耗第十六頁，共二十六頁。縫隙連接：兩個細胞靠的很近，細胞膜之間距離<3μm連接子：6個連接蛋白形成同源六聚體，中間形成親水性空洞；相對的兩個連接子形成縫隙連接通道縫隙連接通道可在細胞內(nèi)鈣離子濃度過高或酸中毒等情況下關(guān)閉神經(jīng)細胞間的縫隙連接也叫電突觸（electricalsynapse）傳遞興奮速度快，沒有突出延擱傳遞為雙向性，有助于實現(xiàn)群細胞的同步活動第十七頁，共二十六頁。第十八頁，共二十六頁。細胞對電刺激的響應(yīng)第十九頁，共二十六頁。細胞外電刺激動作電位產(chǎn)生機制電流刺激產(chǎn)生電壓細胞外電刺激興奮細胞的機制激勵函數(shù)：電壓對空間的二階導數(shù)第二十頁，共二十六頁。興奮組織的細胞外刺激Anodalbreak興奮適應(yīng)性選擇性刺激基于阻斷方法基于陰極脈沖的興奮性調(diào)制緩慢增強波形第二十一頁，共二十六頁。興奮組織的細胞外刺激阻斷：陽極阻斷陰極阻斷虛陽極阻斷虛陰極阻斷高頻阻斷自阻斷第二十二頁，共二十六頁。第二十三頁，共二十六頁。興奮組織的細胞外刺激時間強度曲線第二十