模電3章課后知識(shí)題

填空和開路PN結(jié)的結(jié)區(qū)寬度相比較，當(dāng)PN結(jié)加正偏電壓時(shí)，其結(jié)區(qū)寬度將變窄；當(dāng)PN結(jié)加反偏電壓時(shí)，其結(jié)區(qū)寬度將變^^。整流二極管的整流作用是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用是利用PN結(jié)的反向擊穿特性。三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)應(yīng)企偏置，集電結(jié)應(yīng)qj扁置。若工作在飽和狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)應(yīng)偏置，集電結(jié)應(yīng)偏置。若工作在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)應(yīng)反偏置，集電結(jié)應(yīng)反偏置。三極管電流放大系數(shù)B=50，則a=0.98;若以=0.99，則阡99。當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，三極管的下列參數(shù)變化的趨勢(shì)是：電流放大系數(shù)B壁大，穿透電流ICEO增加，當(dāng)IB不變時(shí)，發(fā)射結(jié)正向壓降|UBE|減小。共射極放大電路中三極管集電極靜態(tài)電流增大時(shí)，其電壓增益將變；若負(fù)載電阻RL變小時(shí)，其電壓增益將變^。單級(jí)共射極放大電路產(chǎn)生截止失真的原因是—靜態(tài)匹扁土；產(chǎn)生飽和失真的原因是Ic偏大;若兩種失真同時(shí)產(chǎn)生，其原因是輸入信號(hào)太大。試比較共射、共集和共基三種組態(tài)的放大電路，其中輸入電阻較大的是共集電路；通頻帶較寬的是共基電路；輸入電阻較小的是苴土電路；輸出電阻較小的是苴J電路；輸出信號(hào)與輸入信號(hào)同相位的是共集和共基電路；電壓增益小于1的是共集電路；帶負(fù)載能力較強(qiáng)的是_共晝電路；既有電流放大能力又有電壓放大能力的是共射電路。單級(jí)阻容耦合共射極放大電路的中頻電壓增益為-100，當(dāng)信號(hào)頻率為上限頻率fH時(shí)，這時(shí)電路的實(shí)際增益為二匹，其輸出與輸入信號(hào)的相位相差-225度。某放大電路的對(duì)數(shù)幅頻特性如圖所示，由圖可知，該電路的中頻電壓放大倍數(shù)為主。倍，上限頻率fH=2x106Hz，下限頻率fL=20Hz，當(dāng)信號(hào)頻率恰好為fH或fL時(shí)，實(shí)際電壓增益為37dB。在PN結(jié)的形成過程中，載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是載流子的濃度差作用下產(chǎn)生的，漂移運(yùn)動(dòng)是載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下產(chǎn)生的。放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是線性失真和非線性失真。在三極管多級(jí)放大電路中，已知AV1=20,AV2=-10,AV3=1,AV1是J共基放大器，aV2是共射放大器，aV3是共集放大器。14.射極輸出器的主要特點(diǎn)是：電壓放大倍數(shù)近似為1、輸入電阻比較大、輸出電阻比較小。15.半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于環(huán)境溫度或光照強(qiáng)度，雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力主要取決于摻雜濃度。16.溫度升高，本征載流子濃度檔虹；雜質(zhì)半導(dǎo)體中少子濃度增加，多子濃度基本不變。改變半導(dǎo)體導(dǎo)電能力的方法有受到外界光和熱的刺激和在純凈的半導(dǎo)體中加入微量的雜質(zhì)。N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是自由電子，少數(shù)載流子是空穴。P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是竺穴，少數(shù)載流子是自由電子。PN結(jié)在形成的時(shí)候載流子存在兩種運(yùn)動(dòng)形式，分別是多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)。PN結(jié)的電擊穿分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩種類型。BJT所代表的電氣元件是雙極型三極管。三極管的三個(gè)工作區(qū)域分別是_劇區(qū)、線性放大區(qū)和截止區(qū)。靜態(tài)工作點(diǎn)Q點(diǎn)一般選擇在空流負(fù)載線的中央。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場(chǎng)效應(yīng)管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管兩類。MOSFET所代表的電氣元件是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。共集電極電路又被稱為電壓跟隨器；共基極電路又被稱為電流跟隨器。靜態(tài)工作點(diǎn)Q點(diǎn)選得過低會(huì)導(dǎo)致直止失真；Q點(diǎn)選得過高會(huì)導(dǎo)致魚和失真。三極管的放大作用一方面要滿足內(nèi)部條件，即要求箜區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時(shí)基區(qū)厚度要很_薄；另一方面要滿足外部條件，即發(fā)射結(jié)要正向偏置、集電結(jié)要反向偏置。對(duì)應(yīng)于BJT的三種基本放大電路，被稱為射極輸出器的電路是蹇集電極電路、稱為電流跟隨器的電路是差基極電路、稱為電壓跟隨器的電路是里集電極電路。在BJT的三種基本放大電路中，同時(shí)具有電壓和電流放大作用的電路是夬射極放大電路；僅具有電壓放大作用的電路是芝集電極電路；僅具有電流放大作用的電路是共基極電路。場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用岌場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流大小的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓二極管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時(shí)工作于以向擊穿（正向?qū)?；反向截止；反向擊穿）。半?dǎo)體三極管屬于里流控制器件，而場(chǎng)效應(yīng)管屬于里壓控制器件。射極輸出器的主要特點(diǎn)是：電壓放大倍數(shù)主似為二；輸入電阻很大；輸出電阻很小。多級(jí)放大電路的總電壓增益等于各級(jí)電壓增益的定積。將幾級(jí)放大電路串聯(lián)起來后，總電壓增益雖然提高了，但通頻帶變箜了。JFET是利用PN結(jié)反向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制來改變_導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大??；而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來改變半導(dǎo)體表面感應(yīng)電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。對(duì)于下圖所示電路，設(shè)VCC=12V,Rb=510kQ,Rc=8kQ,VBE=0.7V,VCE（sat）=0.3V,當(dāng)p=50，靜態(tài)電流IBQ=22pA,ICQ=1.1mA，管壓降VCEQ=3.2V;若換上一個(gè)當(dāng)P=80，靜態(tài)電流IBQ=22pA,ICQ=1.46mA,管壓降VCEQ=0.3V，三級(jí)管工作在飽和狀態(tài)。對(duì)于下圖所示電路，設(shè)VCC=12V，三級(jí)管P=50,Vbe=0.7V，若要求靜態(tài)電流ICQ=2mA,Vceq=4V，則電路中的Rb=282.5kQ,RC=4kQ。對(duì)于下圖所示電路，已知VCC=12V,Rb1=27kQ,Rc=2kQ,Re=1kQ,VBE=0.7V現(xiàn)要求靜態(tài)電流ICQ=3mA，則Rb2=12kQ。已知圖示的放大電路中的三級(jí)管&=40,Vbe=0.7V，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓VZ=6V，則靜態(tài)電流IBQ=0.275mA,ICQ=11mA，管壓降VCEQ=3V。

若下圖所示放大電路在冬天調(diào)試時(shí)能正常工作，當(dāng)?shù)搅讼奶旌?，發(fā)現(xiàn)輸出波形失真，且幅度增大，這時(shí)發(fā)生的失真是飽和失真，失真的主要原因是由于夏天室溫升高后，三級(jí)管的icbo、vbe和三個(gè)參數(shù)的變化，引起工作點(diǎn)上移；輸出波形幅度增大，則是因?yàn)樯蠀?shù)隨溫度升高而增大所造成，輸出波形幅度增大也是引起失真的一個(gè)原因。對(duì)于共射、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路，若希望電壓放大倍數(shù)大，可選用共射、共基；若希望帶負(fù)載能力強(qiáng)，應(yīng)選用共集組態(tài)；若希望從信號(hào)源索取的電流小，應(yīng)選用共集組態(tài)。選擇由理想二極管組成的電路如圖所示，其A、B兩端的電壓Uab應(yīng)為（B）。A、Uab=-12VB、Uab=-6VC、％=+6VD、Uab=+12VD3k—12V由硅二極管組成的電路如圖所示，電阻R2中的電流I為（C）。D3k—12VA、I=2mAB、I=0mAC、I=1.5mAD、I=-1.5mA在某放大電路中測(cè)得三極管三個(gè)極的靜態(tài)電位分別為0V、-10V和-9.3V,則該管為（A）。A、NPN硅管B、NPN鍺管C、PNP硅管D、PNP鍺管測(cè)得某放大電路中NPN管三個(gè)極對(duì)地的電位分別為Uc=12V,Ub=1.8V和Ue=0V，則該管是處于（D）。A、放大狀態(tài)B、飽和狀態(tài)C、截止?fàn)顟B(tài)D、已損壞有人選用最大允許集電極電流ICM=20mA,最大允許電壓UCEO=20V,集電極最大允許耗散功率PCM=100mW的三極管組成放大電路，其靜態(tài)工作點(diǎn)IC=15mA,UC廣10V，則該管應(yīng)屬于下列四種狀態(tài)中的（D）。A、可以正常放大B、可能擊穿C、放大性能較差D、過熱或燒壞某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為6V,當(dāng)接入2kQ的負(fù)載后，其輸出電壓為4V，這表明該放大電路的輸出電阻是（C）。A、10kQB、2kQC、1kQD、0.5kQ放大電路如圖所示，如UCC>>UBE，且ICEO必0，則在靜態(tài)時(shí)，該三極管工作的狀態(tài)是（B）。A、放大狀態(tài)B、飽和狀態(tài)C、截止?fàn)顟B(tài)D、不定電路如圖所示，若不慎將旁路電容Ce斷開，則將（C）。A、不僅影響靜態(tài)工作點(diǎn)，而且也影響電壓增益。B、只影響靜態(tài)工作點(diǎn)，但不影響電壓增益。C、不影響靜態(tài)工作點(diǎn)，只影響電壓增益。D、不影響靜態(tài)工作點(diǎn)，也不影響電壓增益。9.兩個(gè)獨(dú)立的共射極放大電路，負(fù)載開路時(shí)的電壓增益分別為A/口A2，如果將它們串接成兩級(jí)電壓放大電路時(shí)，則總的電壓增益滿足（D）。A、A1+A2B、A1xA2C、＞|A1xA2|D、＜|A1xA2|10.場(chǎng)效應(yīng)管本質(zhì)上是一個(gè)（C）。雙極型三極管本質(zhì)上是一個(gè)（A）。A、電流控制電流源器件B、電流控制電壓源器件C、電壓控制電流源器件D、電壓控制電壓源器件?N溝道JFET的跨導(dǎo)gm是（C）。A、一個(gè)固定值B、隨電源電壓VDD增加而加大C、隨靜態(tài)柵源電壓VGS增加而加大D、隨靜態(tài)柵源電壓VGS增加而減小.某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，則該管是（A）。A、P溝道增強(qiáng)型MOSFETB、P溝道JFETC、N溝道增強(qiáng)型MOSFETD、N溝道耗盡型MOSFET

.已知某FET的輸出特性如圖所示，試判別它是（D）。A、P溝道增強(qiáng)型MOSFETB、N溝道JFETC、P溝道耗盡型MOSFETD、N溝道耗盡型MOSFET.硅二極管和錯(cuò)二極管的死區(qū)電壓分別約為（B）。A、0.6V;0.6VB、0.6V;0.1VC、0.1V;0.6VD、0.1V;0.1V.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，少數(shù)載流子的濃度取決于（A）。入溫度B、摻雜元素C、摻雜濃度D、摻雜工藝.N型半導(dǎo)體是在純凈的本征半導(dǎo)體中加入（D）。入自由電子日、空穴C、硼元素D、磷元素用萬用表直流電壓檔，測(cè)得電路中晶體管（硅管）各電極相對(duì)于某一參考點(diǎn)的電位如圖所示，從而可以判斷出該晶體管工作在（D）。A、放大狀態(tài)B、飽和狀態(tài)C、截止?fàn)顟B(tài)D、倒置狀態(tài)5.3YT/-5.3V電路如圖所示，若更換晶體管，使B由50變?yōu)?00，則電路的電壓放大倍數(shù)（C）。A、約為原來的一半B、基本不變C、約為原來的2倍D、約為原來的4倍——I__味當(dāng)下圖所示電路輸入1kHZ、5mV的正弦波電壓時(shí)，輸出電壓波形的底部出現(xiàn)了被削平的失真，為了削除這種失真，應(yīng)（D）。A、增大集電極電阻RCB、改換&大的晶體管C、減小基極偏置電阻RbD、增大基極偏置電阻Rb溫度上升時(shí)，半導(dǎo)體三極管的（A）。A"：和ICB。增大，uBE減小B"：和uBE增大，ICB。減小C、uBE和ICB。增大邛減小D"、uBE和ICBO均增大在共射極、共基極、共集電極、共漏極四種基本放大電路中，uo與u.相位相反、|Au|>1的只可能是（D）。A、共集電極放大電路B、共基極放大電路C、共漏極放大電路D、共射極放大電路在下圖所示的固定偏流式放大電路中，當(dāng)Rc、Rb的參數(shù)分別是（C）時(shí)，該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)處在放大區(qū)。設(shè)三極管的P=100oA.5.6k。、10k。B.5.6k。、510。C.5.6k。、1M。D.100k。、1M。已知下圖所示放大電路中的Rb=100kQ,Rc=1.5kQ,三極管的P=80,在靜態(tài)時(shí)，該三極管處于（b）。A.放大狀態(tài)B.飽和狀態(tài)C.截止?fàn)顟B(tài)D.狀態(tài)不定在下圖所示放大電路中，集電極電阻Rc的作用是（c）。A.放大電流B.調(diào)節(jié)IBOBQC.防止輸出信號(hào)交流對(duì)地短路，把放大了的電流轉(zhuǎn)換成電壓D.調(diào)節(jié)ICOCQ對(duì)于下圖所示的放大電路，當(dāng)用直流電壓表測(cè)得UCE?VCC時(shí)，有可能是因?yàn)椋╝）;當(dāng)測(cè)得UCE?0時(shí)，有可能是因?yàn)椋╠）。A.Rb開路B.Rl短路C.Rc開路D.Rb過小26.對(duì)于圖示放大電路，若VCC=12V,Rc=2kQ,集電極電流IC計(jì)算值為1mA,今用直流電壓表測(cè)得UC廣8V，這說明（d）。A.工作正常B.三極管c-e極間開路C.三極管b-e極間短路D.電容C2短路對(duì)于圖示電路，若僅當(dāng)Rb增加時(shí)，UCEQ將（a）;僅當(dāng)Rc減小時(shí)，UCEQ將（a）;僅當(dāng)RL增加時(shí)，UCEQ將（c）;僅當(dāng)B減?。〒Q三極管）時(shí)，UCEQ將（a）。A.增大B.減小C.不變D.不定在圖示的放大電路中，原來沒有發(fā)生非線性失真，然而在換上一個(gè)B比原來大的三極管后，失真出現(xiàn)了，這個(gè)失真必定是（B）;若該電路原來發(fā)生了非線性失真，但在減小Rb后，失真消失了，這失真必是（A）。A.截止失真B.飽和失真C.雙重失真D.交越失真對(duì)于圖示固定偏流電路，當(dāng)室溫升高時(shí)，其三極管IBQ（A）,ICQ（A）,UCEQ（B）。A.增大B.減小C.不變（或基本不變）D.不定在圖示共射極偏置電路中，若上偏流電阻Rb1短路，則該電路中的三極管處于（b）。A.放大狀態(tài)B.飽和狀態(tài)30.對(duì)于圖示放大電路，若僅當(dāng)Rb增加時(shí)，UCEQ將（a）;僅當(dāng)Rc減小時(shí)，UCEQ將（a）;僅當(dāng)RL增加時(shí)，UCEQ將（c）;僅當(dāng)&減小（換三極管）時(shí)，UCEQ將（c）。A.增大B.減小C.不變D.不定在圖示共射極偏置電路中，其靜態(tài)工作點(diǎn)靠近截止區(qū)，當(dāng)除去旁路電容Ce后，該電路的最大不失真輸出電壓幅值v(c),放大倍數(shù)4(b)。輸入電阻R(a),輸出電阻r。(c);若僅是r乙增大，則(a),Rt(c),R。(c);若僅是增大，則4(a),R(c),R(c)oA.增大B.減小C.不變D.不定在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于(c),而少數(shù)載流子的濃度則與(a)有很大關(guān)系。A-溫度B.摻雜工藝C.雜質(zhì)濃度D.晶體缺陷當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流(a)漂移電流，耗盡層(e),當(dāng)PN結(jié)夕卜加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流(b)漂移電流，耗盡層(d)。人大于B.小于^等于D變寬巳變窄F.不^為了使高阻輸出的放大電路(或高阻信號(hào)源)與低阻負(fù)載(或低輸入電阻的放大電路)很好地配合，可以在高阻輸出的放大電路與負(fù)載之間插入(b);為

了把一個(gè)低阻輸出的放大電路（或內(nèi)阻極小的電壓源）轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦栎敵龅姆糯箅娐罚ɑ騼?nèi)阻盡可能大的電流源），可以在低阻輸出的放大電路后面接入（c）。A.共射電路B.共集電路C.共基電路D.任何一種組態(tài)的電路在單極放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，用示波器觀察vo和vi的波形，當(dāng)放大電路為共射電路時(shí)，則vo和vi的相位（b）,當(dāng)為共集電路時(shí)，則vo和vi的相位（a）,當(dāng)為共基電路時(shí)，則vo和vi的相位（a）。A.相同日.相反C相差90°。不定既能放大電壓，也能放大電流的是（a）組態(tài)放大電路；可以放大電壓，但不能放大電流的是（c）組態(tài)放大電路；只能放大電流，但不能放大電壓的是（b）組態(tài)放大電路。A.共射日.共集。.共基。不定在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，電壓放大倍數(shù)小于1的是（b）組態(tài)；輸入電阻最大的是（b）組態(tài)，最小的是（c）組態(tài)；輸出電阻最大的是（c）組態(tài)，最小的是（a）組態(tài)。A.共射日.共集。.共基。不定某共射放大電路如圖所示，其中Rb=470K。，Rc=2KQ，若已知IC=1mA,Vce=7V,Vbe=0.7V,rbe=1.6K。邛=50，則說明（d）。VoViV—GEVBE10B.%—G—GVBE0.7C,/A=—oV/iAy=匕"c=邛立=邛-4^-—62.5=—&史C,/A=—oV/iAy=匕=—&史歸一62.540.為了使高內(nèi)阻信號(hào)源與低內(nèi)阻負(fù)載很好地配合，可以在信號(hào)源于低內(nèi)阻負(fù)載/rbeiA.共射電路B.共基電路C.共集電路D.共集-共基串聯(lián)電路41.下圖示電路出現(xiàn)故障，經(jīng)測(cè)量得知VE=0，VC=VCC，故障的可能原因是（d）。A.RC開路B.RC短路C.Re短路D.Rb1開路42.某三極管各電極對(duì)地電位如圖所示，由此可判斷該三極管（d）。A.處于放大區(qū)域B.處于飽和區(qū)域C.處于截止區(qū)域D.已損壞12V4V°—T0V43.某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為6V，當(dāng)接入2kQ負(fù)載后，其輸出電壓降為4V，這表明該放大電路的輸出電阻為（c）。A.10kQB.2kQC.lkQD.0.5kQ44.某放大電路如圖所示，設(shè)VCC>>VBE,ICEO近似為0，則在靜態(tài)時(shí)該三極管處于（b）。A.處于放大區(qū)域B.處于飽和區(qū)域C.處于截止區(qū)域。.不定簡(jiǎn)答題：請(qǐng)寫出BJT和FET組成的放大電路的六種組態(tài)，并將該六種組態(tài)與反相電壓放大器、電壓跟隨器以及電流跟隨器三種組態(tài)相對(duì)應(yīng)。BJT放大電路的組態(tài)：共射極（CE）、共集電極（CC）和共基極（CB）FET放大電路的組態(tài)：共源極（CSX共漏極（CD）和共柵極（CG）反相電壓放大器：CE和CS；電壓跟隨器：CC和CD；電流跟隨器：CB和CG2.寫出下面電路的名稱并以V】恒定而RL減小情況為例敘述其工作原理。該電路是并聯(lián)式穩(wěn)壓電路。電路中DZ為穩(wěn)壓管，R為限流電阻，它的作用是使電路有個(gè)合適的工作狀態(tài)，并限定電路的工作電流。負(fù)載RL與穩(wěn)壓管并聯(lián)，因而稱為并聯(lián)式穩(wěn)壓管電路。這種穩(wěn)壓管之所以能夠穩(wěn)定輸出電壓，在于當(dāng)穩(wěn)定電流IZ有較大幅度的變化△IZ時(shí)，而穩(wěn)定電壓的變化△VZ卻很小。這樣，當(dāng)V】或Rl變化時(shí)，電路能自動(dòng)的調(diào)整IZ的大小，以改變R上的壓降IrR，達(dá)到維持輸出電壓VO（VZ）基本恒定的目的。例如：當(dāng)RL不變，、變化時(shí),VJ-V/TzfTRfTVRfTVOl。當(dāng)％不變，RL變小時(shí)，RLlTOfTRf—VOlTzlTRl—VOf。下圖所示的為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，請(qǐng)分別說明各屬于何種溝道。如果是增強(qiáng)型，說明它的開啟電壓VT=?如果是耗盡型，說明它的夾斷電壓VP=?(圖中iD的假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極)該FET為N溝道耗盡型MOSFET,其Vp=—3V;該FET為P溝道增強(qiáng)型MOSFET，其Vt=-4Vo解釋名詞零點(diǎn)漂移并敘述差分式電路抑制零點(diǎn)漂移的工作原理。零點(diǎn)漂移：就是當(dāng)放大電路的輸入端短路時(shí)，輸出端還有緩慢變化的電壓產(chǎn)生，即輸出電壓偏離原來的起始點(diǎn)而上下浮動(dòng)。在差分式電路中，無論是溫度變化，還是電源電壓的波動(dòng)都會(huì)引起兩管集電極電流以及相應(yīng)的集電極電壓的相同變化，其效果相當(dāng)于在兩個(gè)輸入端加入了共模信號(hào)，由于電路的對(duì)稱性和恒流源偏置，在理想的情況下，可使輸出電壓不變，從而抑制了零點(diǎn)漂移。簡(jiǎn)述BJT內(nèi)部載流子傳輸過程及電流分配關(guān)系。以NPN型BJT為例，為使發(fā)射區(qū)發(fā)射電子，集電區(qū)收集電子，必須具備的條件是：發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓，在這些外加電壓的條件下，管內(nèi)載流子的傳輸將發(fā)生下列過程：(1)發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子簡(jiǎn)述PN結(jié)的形成過程。寫出下面電路的名稱并敘述其穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的物理過程。該電路的名稱是分壓式偏置電路或射極偏置電路，該電路具有穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的作用，其穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的物理過程為TT-TT-LT-LReT-VE1CEEBEIJ-IBl8、簡(jiǎn)述PN結(jié)的單向?qū)щ娦栽怼?、.說明BJT放大電路的三種基本組態(tài)，并任選其一畫出電路圖和小信號(hào)模型等效電路圖。10、簡(jiǎn)述BJT內(nèi)部載流子電流分配及放大作用判斷判斷圖中理想二極管的工作狀態(tài)，并求出AO兩端的電壓。D1處于導(dǎo)通狀態(tài)、D2處于截止?fàn)顟B(tài)VAO=0V。DiD1處于截止?fàn)顟B(tài)、D2處于導(dǎo)通狀態(tài)VAO=-6V。試判斷圖中的二極管是導(dǎo)通還是截止，為什么？（假設(shè)二極管是理想的）：一"業(yè)O140k10VH~kA31,Lk[110kVA=1VVb=1+2.5=3.5VD處于反向截止?fàn)顟B(tài)。15V2—i8kP25k『址iov臥H~15kFllOkVA=1VVb=2.5-1=1.5VD處于反向截止?fàn)顟B(tài)。15V：—18k025k"皿20VJ，_2k**叫[I5kf]10kVA=1VVb=2.5-2=0.5VD處于正向?qū)顟B(tài)。如圖Uj=2Esin3t,D「D2為理想二極管，試求D「。2的工作狀態(tài)及u。波形。電路如圖所示穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓VZ=8V,限流電阻R=3K,設(shè)vi=15sin3t,試畫出vo的波形。

R電路分析與計(jì)算算-1.已知射極偏置電路的元件參數(shù)如下圖所示且P=60,求：（1）用估算公式法求解Q點(diǎn)并畫出直流通路圖；（2）用小信號(hào)模型分析法求解該放大電路的動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)。R電路分析與計(jì)算算-20KJ2K[+nbi■ii電路如圖所示，晶體管的阡100,RB廣25kQ,RB2=5kQ,RC=5kQ,RE1=300Q,RE2=1kQ,RL=5kQ20KJ2K[+nbi■ii通路圖；（2）用小信號(hào)模型分析法求解該放大電路的動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)。電路如圖，設(shè)阡100,試求：（1）畫出直流通路圖求Q點(diǎn)；（2）畫出交流小信號(hào)模型圖求電壓增益AV1=VO1/VS和AV2=VO2/Vs;（3）輸入電阻Ri；（4）輸出電阻Ro1和Ro2。測(cè)得某放大電路中BJT的三個(gè)電極A、B、C的對(duì)地電位分別為VA=-9V,Vb=-6V,Vc=-6.2V,試分析A、B、C中哪個(gè)是基極b、發(fā)射級(jí)e、集電極c、并說明此BJT是NPN管還是PNP管。某放大電路中BJT的三個(gè)電極A、B、C的電流如圖，用萬用表直流電流檔測(cè)得IA=-2mA,IB=-0.04mA,IC=+2.04mA,試分析A、B、C中哪個(gè)是基極b、發(fā)射級(jí)e、集電極c、并說明此管是NPN管還是PNP管。0.03mA1.8mA圖260.03mA1.8mA圖2求另一電極電流的大小，并標(biāo)出實(shí)際極性;判斷是NPN管還是PNP管；標(biāo)出e,b,c電極；估算0值。答：1、1.83mA，極性向外。2、NPN管3、略4、0=1.8/0.03=60試分析下圖所示的電路對(duì)正弦交流信號(hào)有無不失真放大作用，并簡(jiǎn)述理由。

■?+5V在圖示電路中，設(shè)電容C1、C2、C3對(duì)交流信號(hào)可視為短路。（1）寫出靜態(tài)電流IC及電壓VCE的表達(dá)式；（2）寫出電壓增益Ay、輸入電阻Rj和輸出電阻Ro的表達(dá)式；（3）若將電容C3開路，對(duì)電路會(huì)產(chǎn)生什么影響？已知Rg1=300K,Rg2=100K,Rd=10K,Rs=2K,FET工作點(diǎn)上的互導(dǎo)gm=1mS，設(shè)rds>>Rd。（1）畫出電路的小信號(hào)等效電路；（2）求電壓增益Av;（3）求電路的輸入電阻Ri。

已知放大電路的如圖所示且阡40,RB1=20k,RB2=10k,RC=2k,VCC=12V，RE=0.2k，RE’=1.8k，RL=6k，R