半導體技術介紹

1.204P2答：真空管電子學、無線電通信、機械制表機、固體物理列出5個集成時代，指出每個時代的時間段，并給出每個時代每個芯片上的元件數(shù)。P4答：小規(guī)模集成電路2060年月前期2-50中規(guī)模集成電路206070年月前期20-5000大規(guī)模集成電路207070年月后期5000-100000207080年月后期100000-1000000片甚大規(guī)模集成電路2090年月后期至今大于1000000列出提高微芯片制造技術相關的三個重要趨勢，簡要描述每個趨勢。P8答：1、提高芯片性能:提高速度和降低功耗。1、器件做的越小，芯片上的器2高電信號的傳輸。2、提高芯片牢靠性3、降低芯片本錢CD什么是芯片的關鍵尺寸？這種尺寸為何重要？P9答：芯片的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，最小的特征尺寸稱為關鍵尺寸。將CD作為定義制造簡潔性水平的標準，也就是假設你擁有在硅片上制造某種生產(chǎn)。例如，假設芯片上的最小尺寸是0.18um，那么這個尺寸就是CD。半導CD什么是摩爾定律？它推想了什么？這個定律正確嗎？P10答：1964年摩爾預言在一塊芯片上的晶體管數(shù)大約每隔一年翻一番〔后來在197518。摩爾定律驚人的準確！BSiP答：在硅晶體中摻入硼，硼是Ⅲ族元素，硼替代原有硅原子位置，由于Ⅲ族元素3pAsGeN體。答：在As中摻入Ge，Ge是V族元素雜質(zhì)，Ge雜質(zhì)會替代原來硅原子的n的漂移運動。別是什么？P46pn類型名稱：pnp、npn.〔T答：結型〔JFET〕和金屬-氧化物型〔MOSFET〕半導體。區(qū)分是：MOSFET作為場效應晶體管輸入端的柵極由一層薄介質(zhì)與晶體管的其他兩極絕緣。JFETpn半導體級硅有多純？P64 答：9個912.多晶：晶胞不是有規(guī)律地排列單晶：晶胞在三維方向上整齊地重復排列什么是晶體缺陷？P73普遍的缺陷形式：點缺陷：原子層面的局部缺陷，包括空位缺陷、間隙原子缺陷和Frenkel位錯：錯位的晶胞層錯：晶體構造的缺陷什么是物質(zhì)的四種形態(tài)？試分別描述之。P87外形、質(zhì)地比較堅硬。個態(tài)。個態(tài)。電離的氣體子或分子、帶電離子和自由電子。吸取和吸附之間有什么不同？P91-92答：吸取:物質(zhì)吸取其他實物或能量的過程。氣體被液體或固體吸取，或液體合。吸取是氣體或液體進入其他材料的主要方式.引這樣的弱束縛黏在物體外表。什么是酸？列出在硅片廠中常用的三種酸。P95H3OHF,HCLH2SO4HNO3H3PO4什么是堿？列出在硅片廠中常用的三種堿。P96答;堿是一類含有OH根的化合物，在溶液中發(fā)生水解生成氫氧根離子OH-。NaOHNH4OHKOH什么是溶劑？列出在硅片廠中常用的三種溶劑。P97答;溶劑是一種能夠溶解其他物質(zhì)形成溶液的物質(zhì)。硅片廠中常用的溶劑有：去離子水，異丙醇、三氯乙烯、丙酮、二甲苯說明五類凈化間沾污。P107學性能的不期望有的物質(zhì)。凈化間沾污有：顆粒、金屬雜質(zhì)、有機物沾污、自然氧化層、靜電釋放。什么是等離子體？它對工藝腔有什么好處？P181刻蝕選擇性的去除金屬。硅片中氧化膜的用途：1234、摻雜阻擋5、金屬層間的介質(zhì)層假設熱生長氧化層厚度為20230A，那么硅消耗多少？9200A. P21546%：20230×0.46=9200〔A〕215干氧法：硅直接暴露在高純氧高溫氣氛中氧化生長氧化層答;干氧法：硅直接暴露在高純氧高溫氣氛中氧化生長氧化層氫氣會被束縛在固態(tài)二氧化硅層中，使得氧化層密度比干氧小，且反響更快。氫氣會被束縛在固態(tài)二氧化硅層中，使得氧化層密度比干氧小，且反響更快。什么是快速熱處理〔RTP〕？6P228答;快速熱處理是在格外短的時間內(nèi)將單個硅片加熱至 400~1300℃溫度范圍內(nèi)的一種方法；硅片間的重復性4、產(chǎn)量高5、由于快速加 熱產(chǎn)生應力，增加了強度6、有利于確定溫度的測量8P242那么薄膜是指某一維〔通常是厚度〕遠遠小于另外兩維上的尺寸。高純度和高密度567、8、對襯底材料或下層膜好的粘附性列舉并描述薄膜生長的三個階段。P244答；晶核形成，成束的穩(wěn)定小晶核形成，晶核形成于硅片外表，是進一步生長的根底形成連續(xù)的膜，島束集合成固態(tài)膜層并延長鋪滿襯底外表?！驳墓に?CVD8P247、氣體傳輸至淀積區(qū)域：反響氣體充反響腔入口區(qū)域流淌到硅片外表的淀積區(qū)域；2、膜先驅(qū)物的形成：氣相反響導致膜先驅(qū)物和副產(chǎn)物的形成；3、膜先驅(qū)物附著在硅片外表：大量膜先驅(qū)物運輸?shù)焦杵獗恚?、膜先驅(qū)物粘附：膜先驅(qū)物粘附在硅片外表5、膜先驅(qū)物集中：膜先驅(qū)物向膜生長區(qū)域的外表集中；6、外表反響：外表化學反響導致膜淀積和副產(chǎn)物的生成；7、副產(chǎn)物從外表移除：吸附外表反響的副產(chǎn)物；腔出口并排出。什么是外延？解釋自摻雜和外集中。P267答；外延就是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層，淀積的這層稱為外延層。而自發(fā)進展的一種摻雜不均勻的現(xiàn)象。集中。分開來的力氣。描述非晶材料。為什么這種硅不能用于硅片？P65答：非晶材料指的是非晶固體材料，它們沒有重復的構造，并且在原子級構造重復性的構造使得芯片與芯片之間的性能有重復性。解釋負性和正性光刻的區(qū)分。P314光刻膠上圖形與投影掩膜板上的圖形相反。板上的一樣。兩者的區(qū)分在于光刻膠的種類不同。8P316答：1、氣相成底膜處理：目的是增加硅片和光刻膠之間的粘附性；2、旋轉(zhuǎn)涂膠：承受旋轉(zhuǎn)的方式使得所涂光刻膠較為均勻；3、軟烘：目的是去除光刻膠中的溶劑；光刻膠中的光敏成分；5、曝光后烘培：對紫外光刻膠在100110曝光之后；化學顯影劑溶解，將可見的圖形留在硅片外表；膠溶劑，提高光刻膠對硅片外表的粘附性；8、顯影后檢查：目的在于去頂光刻圖形的質(zhì)量。P344答：相長干預，兩列波相位一樣彼此相加相消干預，兩列波相位不同彼此相減什么是空間相干？為什么在光刻中把握它？P348斑紋。什么是數(shù)值孔徑？陳述它的公式，包括近似公式。P353答;透鏡收集衍射光的力氣稱之為透鏡的數(shù)值孔徑。透鏡數(shù)值孔徑越大，其成像NA=nsinθ=nr/fn，θ為主光軸與透鏡邊緣的夾角，rf透鏡焦距什么是抗反射涂層，它是怎樣減小駐波的？P354反射涂層。光波之間的干預，抑制了駐波的產(chǎn)生。248nm，NA0.65，k0.6。P358在硅片上制造出微小的器件尺寸。區(qū)分率公式R為：k表示工藝因0.6~0.8，λ為光源的波長，NA影響光刻區(qū)分率的三個參數(shù)為波長、數(shù)值孔徑和工藝因子。給出焦深和焦面的定義。寫出計算焦深的公式。P359面的范圍，在該范圍內(nèi)能量相對為常量。焦深方程為(在光刻形成關鍵尺寸的圖形，又要保持適宜的焦深。)P405答：兩種根本刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。寸下刻蝕器件的最主要方法?！怖缢帷A、溶劑〕以化學方式去除硅片外表的材料。一般適用于尺寸較大的狀況。爭論刻蝕殘留物，他們?yōu)槭裁串a(chǎn)生以及要怎樣去除？P410被刻蝕圖形的底部。腔體中的污染物、膜層中不均勻的雜質(zhì)分布?？涛g殘留物是IC制造過程中的硅片污染源，并能在去除光刻膠過程中帶來一些刻蝕殘留物可以在去除光刻膠的過程中或用濕法化學腐蝕去掉。什么是刻蝕中的等離子體誘導損傷，以及這些損傷帶來什么問題?P411轟擊。在刻蝕過程中，這種損傷在刻蝕的時候能在柵電極的邊緣發(fā)生。倒摻雜P466淺結深和小摻雜劑量的注入。倒摻雜技術使得源漏極在襯底深處的摻雜濃度較大，而外表摻雜濃度較小，這漏電流由于外表載流子濃度低而降低。簡述離子注入P443轉(zhuǎn)變其電學性能的方法。它是一個物理過程，不發(fā)生化學反響。P442列舉并解釋集中的三個步驟.P445答：硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱集中需要三個步驟：預淀積、推動和激活。為整個集中過程建立了濃度梯度。深。程激活了雜質(zhì)原子，轉(zhuǎn)變了硅的電導率。P446答：在確定的溫度下，硅能吸取的雜質(zhì)數(shù)量是確定的，稱之為固溶度極限。什么是射程？解釋能量與射程之間的關系。P450答;離子射程指的是離子