電子線路高教第四版電子課件12

差分放大器具有抑制零點漂移的作用，廣泛用于集成電路的輸入級，是另一類基本放大器。4.4差分放大器4.4.1電路結(jié)構(gòu)由兩完全對稱的共發(fā)電路，經(jīng)射極電阻REE耦合而成。T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RLT1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL采用正負雙電源供電：VCC=|VEE|。具有兩種輸出方式：雙端輸出、單端輸出。第4章放大器基礎(chǔ)T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL由于電路采用正負雙電源供電，則VBQ1

=

VBQ2

0估算電路Q點T1VCCREEVEERCRCT2IEEICQ1ICQ2令vi1=vi2=0，畫出電路直流通路。因此第4章放大器基礎(chǔ)差模信號和共模信號4.4.2電路性能特點差模信號：指大小相等、極性相反的信號。表示為

vi1=-vi2=vid/2差模輸入電壓vid=vi1-

vi2

共模信號：指大小相等、極性相同的信號。表示為

vi1=vi2=vic共模輸入電壓vic=(vi1+vi2)/2任意信號：均可分解為一對差模信號與一對共模信號之代數(shù)和。vi1=vic+vid/2vi1=vic-

vid/2即第4章放大器基礎(chǔ)差放半電路分析法因電路兩邊完全對稱，因此差放分析的關(guān)鍵，就是如何在差模輸入與共模輸入時，分別畫出半電路交流通路。在此基礎(chǔ)上分析電路各項性能指標。分析步驟：差模分析畫半電路差模交流通路計算Avd、Rid、Rod。共模分析畫半電路共模交流通路計算Avc、KCMR、Ric。根據(jù)需要計算輸出電壓雙端輸出：

計算vo。單端輸出：

計算vo1、

vo2。第4章放大器基礎(chǔ)差模性能分析T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL雙端輸出電路REE

對差模視為短路。iC2=ICQ-

iCiC1=ICQ+iC因IEE=iC1+iC2=2ICQ(不變)故RL中點視為交流地電位，即每管負載為RL/2。直流電源短路接地。1)半電路差模交流通路注意：關(guān)鍵在于對公共器件的處理。第4章放大器基礎(chǔ)RC+-vod1+-vid1RL2T1半電路差模交流通路2)差模性能指標分析差模輸入電阻差模輸出電阻差模電壓增益注意：電路采用了成倍元件，但電壓增益并沒有得到提高。第4章放大器基礎(chǔ)半電路差模交流通路

RC+-vod1+-vid1RL2T1ii單端輸出電路與雙端輸出電路的區(qū)別：僅在于對RL的處理上。T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL不變減小減小第4章放大器基礎(chǔ)RC+-vod1=

vod+-vid1RLT1ii半電路差模交流通路共模性能分析T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL雙端輸出電路每管發(fā)射極接2REE。iC2=ICQ+iCiC1=ICQ+iC因IEE=iC1+iC2=2ICQ+2iC則RL對共模視為開路。直流電源短路接地。1)半電路共模交流通路因此REE

上的共模電壓：2iCREE因此流過RL的共模電流為0。第4章放大器基礎(chǔ)半電路共模交流通路RC+-voc1+-vic1=vicT12REE2)共模性能指標分析共模輸入電阻共模輸出電阻共模電壓增益電路特點無意義雙端輸出電路利用對稱性抑制共模信號。利用對稱性抑制共模信號(溫漂)原理：第4章放大器基礎(chǔ)半電路共模交流通路RC+-voc1+-vic1=vicT12REE單端輸出電路T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL與雙端輸出電路的區(qū)別：僅在于對RL的處理上。不變第4章放大器基礎(chǔ)半電路共模交流通路RC+-voc1=voc+-vic1=vicT12REERL單端輸出出電路特特點單端輸出出電路利利用REE的負反饋饋作用抑抑制共模模信號。。利用REE抑制共模模信號原原理：T1+-+-VCCREEvi1voVEE+-vi2RCRCT2RL一般射極極電阻REE取值較大大因此很小。結(jié)論無論電路路采用何何種輸出出方式，，差放都都具有放放大差模信號號、抑制制共模信信號的能能力。第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)差放性能指標標歸納總總結(jié)Rid與電路輸輸入、輸輸出方式式無關(guān)。。Rod僅與電路路輸出方方式有關(guān)關(guān)。Avd僅與電路路輸出方方式有關(guān)關(guān)。Avc僅與電路輸輸出方式式有關(guān)。。雙端輸出單端輸出雙端輸出單端輸出雙端輸出單端輸出其中其中第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)共模抑制制比KCMR是用來衡衡量差分分放大器器對共模模信號抑抑制能力力的一項項重要指指標，其其值越大大越好。。定義雙端輸出出電路單端輸出出電路提高IEE(即增大gm)、增大REE提高KCMR第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)普通差放放存在的的問題：：采用恒流流源的差差分放大大器REEKCMR抑制零點點漂移能能力但IEEQ點降低輸出動態(tài)態(tài)范圍T1VCCvi1voVEEvi2RCRCT2R1R2R3T3其中很大第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)雙端輸出出時單端輸出出時任意輸入入時，輸輸出信號號的計算算其中其中第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)例：圖示電路路，已知知=100，vi=20sint(mV)，求vo。解：T1VCCREEvivoVEERCRCT2RL22.6k10k10k(12V)(-12V)(1)分析Q點(2)分析Avd2、Avc2由于則(3)計算vo由于則第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)4.4.3電路兩邊邊不對稱稱對性能能的影響響實際差分分放大器器，電路路不可能能做到完完全對稱稱：雙端輸出出時的KCMRT1、T2兩管集電極電阻RC不相等或T1、T2兩管的及VBE(on)不對稱例如產(chǎn)生運算誤差理想情況況實際情況況由于則因此第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)由兩管參參數(shù)不對對稱(如VBE(on)、IS、RC不等)引起失調(diào)調(diào)。失調(diào)及其其溫漂輸入失調(diào)調(diào)電壓VIOT1T2實際差放+-VO0零輸入時等效為理想差放+-VOVIO+-從等效的的觀點看看：VIO就是使VO=0時，在實實際差放放輸入端端所加的的補償電電壓。失調(diào)電壓VIO產(chǎn)生原因因：第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)兩管不等，造造成ICQ1ICQ2輸入失調(diào)調(diào)電流IIO從等效的的觀點看看：IIO就是使ICQ1=ICQ2時，在實實際差放放輸入端端所加的的補嘗電電流。失調(diào)電流IIO產(chǎn)生原因因：T1VCCREEVEERCRCT2RSRSIBQ1IBQ2若取則第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)失調(diào)模型型總輸入失調(diào)電壓當RS較大時：：當RS較小時：：失調(diào)以IIO為主，為為減小VIO，應(yīng)選IIO小的差放放。失調(diào)以VIO為主，為為減小VIO，應(yīng)選VIO小的差放放；第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)T1T2-+IBIBIIO2IIO2VIORSRS調(diào)零電路T1VCCREEVEERCRCT2RSRSVEE+-VORW(發(fā)射極調(diào)零電路)T1VCCREERCRCT2RSRSVEE+-VORW(集電極調(diào)零電路)調(diào)節(jié)電位位器RW，改變兩端端發(fā)射極極電位或或集電極極電阻，，使靜態(tài)態(tài)工作時時雙端輸輸出電壓壓減小到到零。第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)VIO和IIO的溫漂若環(huán)境溫度度、電源源電壓等等外界因因素變化化：三極管參數(shù)變化VIO

和IIO

變化。其中溫度度變化引引起的溫溫漂最大大?？梢宰C明明：注意：調(diào)調(diào)零電路路可以克克服失調(diào)調(diào)，但不不能消除除溫漂。。MOS差放的失失調(diào)因IG0則(mV量級)由兩管參參數(shù)(如W/l、VGS(th))及RD不匹配引引起失調(diào)調(diào)。VIO產(chǎn)生原因因：注意：MOS管差放的VIO>>三極管差差放的VIO。第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)4.4.4差模傳輸輸特性完整描述述差模輸輸出電流流隨任意意輸入差差模電壓壓變化的的特性。。雙極型差放的差差模傳輸特性性T1VCCIEEVEERCRCT2iC1iC2+-vID假設(shè)電路路對稱則得第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)差模傳輸輸特性曲曲線1OiC/IEEvID/VT0.5QiC1/IEEiC2/IEEOiC1-

iC2vID/VTIEE-IEE可以證明明：當|vID|26mV時，差放放線性工工作(單管電路路vI<2.6mV)。|vID|>100mV后，一管截止止、另一管導(dǎo)導(dǎo)通，差放非線線性工作作。說明：若在兩管管發(fā)射極上上串聯(lián)電電阻RE，則利用RE的負反饋饋作用，可可擴展線線性范圍圍。RE線性范圍圍但Avd第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)最大差模模輸入電電壓范圍圍：最大共模模輸入電電壓范圍圍：受VBR(BEO)限制的最最大差模模輸入電電壓。T1VCCvi1voVEEvi2RCRCT2R1R2R3T3保證T1、T2、T3管工作在在放大區(qū)區(qū)，所對對應(yīng)的最最大共模模輸入電電壓。要保證T1、T2管放大區(qū)區(qū)工作：：要保證T3管放大區(qū)區(qū)工作：：第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)MOS差放-差模傳輸特性假設(shè)兩管特性性完全相同，，且工作于飽飽和區(qū)，則：：得T1VDDISSVSSRDRDT2iD1iD2vI1vI2第4章放大器基基礎(chǔ)可以證明：當|vID|<<2(VGSQ-VGS(th))時，MOS差放線性工作作。差模傳輸特性曲線OiD1-

iD2vIDISS-ISS-vIDvIDMOS差放進入非線線性限幅區(qū)。。與雙極型差放放不同：線性范圍與非非限幅范圍一般，MOS差放的線性與與非限幅范圍圍均比雙極型差差放大。第4章放大器基基礎(chǔ)4.5電流源電路及及其應(yīng)用直流狀態(tài)工作作時，可提供供恒定的輸出出電流I0。交流工作時，，具有很高輸輸出電阻Ro，可作有源負載載使用。+-VQ+vRiB恒定iC外電路(電流源電路)+-VQR電流源I0(直流狀態(tài))+-R電流源Rov(交流狀態(tài))電流源電路特特點：對電流源電路路要求：直流狀態(tài)工作作時，要求I0精度高、熱穩(wěn)穩(wěn)定性好。交流狀態(tài)工作作時，要求Ro大(理想情況Ro)。利用iB恒定時，iC接近恒流特性性而構(gòu)成。電流源電路原原理：第4章放大器基基礎(chǔ)4.5.1鏡像電流源電電路假設(shè)T1、T2兩管嚴格配對對，基本鏡像電流流源T1VCCiC1RT2IRiC2=I0由于vBE1=vBE2根據(jù)得知因此，稱iC2是iC1的鏡像。參考電流由于第4章放大器基基礎(chǔ)因此IR(>>2)當溫度變化時時，由于、VBE(on)的影響，I0熱穩(wěn)定性降低低。IO精度及熱穩(wěn)定定性由當較小時，I0與IR之間不滿足嚴嚴格的鏡像關(guān)關(guān)系，I0精度降低。輸出電阻RO由得知，當考慮基寬調(diào)制效應(yīng)時，根據(jù)VA除了降低I0精度外，還造造成Ro較小，I0恒流特性變差差。RO=rce2第4章放大器基基礎(chǔ)得知，則得減小影響的鏡像電流源T1VCCiC1RT2IRIOiRET3結(jié)構(gòu)特點T1管c、b之間插入一射射隨器T3。電路優(yōu)點減小分流i，提高I0作為IR鏡像的精度。。由圖整理得式中輸出電阻Ro=rce2第4章放大器基基礎(chǔ)比例式鏡像電電流源T1VCCiE1RT2IRIOR1R2iE2結(jié)構(gòu)特點兩管射極串接接不同阻值的的電阻。電路優(yōu)點Rｏ增大，I０恒流特性得到到改善。由(較大)(較大)得當時，得式中第4章放大器基基礎(chǔ)微電流源T1VCCRT2IRIOR2iE2令比例鏡像電電流源中的R1=0。由式中根據(jù)集成工藝藝的要求，電電阻R不易做太大，，故前述電流流源的I0只能做到mA量級。得輸出電阻電路優(yōu)點：可提供A量級的電流，，且Ro大，精度高。。第4章放大器基基礎(chǔ)MOS鏡像電流源MOS鏡像電流源與與三極管基本本鏡像電流源源結(jié)構(gòu)相似，，只是原參考考支路中的電電阻R被有源電阻T3取代。T1VCCT2IRIOT3VSS若T1T2性能匹配，工作在飽和區(qū)寬長比分別為(W/l)1、(W/l)2根據(jù)，得其中第4章放大器基基礎(chǔ)4.5.3有源負載差分分放大器T1、T2構(gòu)成的鏡像電電流源代替RC4。T1VCCiC3T2vi1T3T4IEEVEEiOiC4iC2vi2電路組成：T3、T4構(gòu)成雙端輸入入單端輸出差差放。電路特點：由鏡像電流源知當差模輸入時則差模輸出電流當共模輸入時則共模輸出電流第4章放大器基基礎(chǔ)T1VCCiC3T2vi1T3T4IEEVEEiOiC4iC2vi2性能分析：結(jié)論：該電路不僅具具有放大差模模、抑制共模模的能力，在在單端輸出時時，還獲得雙雙端輸出的增增益。由于則差模增益差模輸入電阻差模輸出電阻第4章放大器基基礎(chǔ)4.6集成運算放大大器集成運放是實實現(xiàn)高增益放放大功能的一一種集成器件件。集成運放性能能特點Av很大：(104~107或80~140dB)Ri很大：(幾k~105M)Ro很?。?幾十)靜態(tài)輸入、輸輸出電位均為為零。集成運放電路路符號反相輸入端同相輸入端輸出端v-v+vo+-第4章放大器基基礎(chǔ)集成運放電路路組成由于實際電路路較復(fù)雜，因此讀圖時時，應(yīng)根據(jù)電路組組成，把整個個電路劃分成成若干基本單單元進行分析析。輸入級中間增益級輸出級偏置電路采用改進型差分放大器采用1~2級共發(fā)電路采用射隨器或互補對稱放大器采用電流源第4章放大器基基礎(chǔ)F007集成運放內(nèi)部部電路輸入級組成：：由T1、T3和T2、T4組成的共集—共基組合電路路構(gòu)成雙入單單出差放。T5、T6、T7組成的改進型型鏡像電流源源作T4管的有源負載載。T8、T9組成的鏡像電電流源代替差差放的公共射射極電阻REE。輸入級特點：：改進型差放具具有共模抑制制比高、輸入入電阻大、輸輸入失調(diào)小等等特點，是集集成運放中最最關(guān)鍵的一部部分電路。中間級組成：：T17構(gòu)成共發(fā)放大大器。T13B、T12組成的鏡像電電流源作有源源負載，代替替集電極電阻阻RC。電路特點：中間級是提供供增益的主體體，采用有源源負載后，電電壓增益很高高。隔離級：T16管構(gòu)成的射隨隨器作為隔離離級，利用其高輸輸入阻抗的特特點，提高輸輸入級放大倍倍數(shù)。輸出級組成：：T14與T20組成甲乙類互互補對稱放大大器。該放大大器采用兩個個射隨器組合合而成。電路特點：輸出電壓大，，輸出電阻小小，帶負載能能力強。過載保護電路路：T15、R6保護T14管，T21、T22、T24、R7保護T20管。正常情況保護護電路不工作作，只有過載載時，保護電電路才啟動。。隔離級：T23A管構(gòu)成的有源源負載射隨器器作為隔離級，可提高中間間級電壓增益益。T13A與T12組成的鏡像電電流源作有源源負載，代替替T23A的發(fā)射極電阻阻RE。偏置電路：偏置電路一般般包含在各級級電路中，采采用多路偏置置的形式。T10、T11構(gòu)成微電流源源，作為整個個集成運放的的主偏置。電平位移電路路：輸入級共集—共基組合電路路中，采用極極性相反的NPN與PNP管進行電平位位移。不專門門另設(shè)電平位位移電路。將上述單元電電路功能綜合合起來可見，，F(xiàn)007是實現(xiàn)高增益益放大功能的的一種集成器器件。它具有高Ri、低Ro、高Av、高KCMR、零輸入時零輸輸出等特點，，是一種較理理想的電壓放放大器件。第4章放大器基基礎(chǔ)4.7放大器的頻率率響應(yīng)從系統(tǒng)的觀點點看，小信號號放大器為線線性時不變系系統(tǒng)。傳遞函數(shù)和極極零點4.7.1復(fù)頻域分析法法輸入激勵信號x(t)輸出激勵信號y(t)若設(shè)拉氏變換X(s)Y(s)在初始條件為為零時，定義義系統(tǒng)的傳遞遞函數(shù)：(mn)式中：標尺因因子H0=bm/an，z為零點，p為極點。第4章放大器基基礎(chǔ)在可實現(xiàn)的穩(wěn)穩(wěn)定有源線性性系統(tǒng)中，分分母多項式各各系數(shù)恒為正實數(shù)，極極點必為負實實數(shù)或?qū)嵅繛闉樨撝档墓曹棌?fù)數(shù)。。零點可以是負負實數(shù)或?qū)嵅坎繛樨撝档墓补曹棌?fù)數(shù)；也也可以是正實數(shù)或?qū)嵅坎繛檎档墓补曹棌?fù)數(shù)。在僅含容性電電抗元件的系系統(tǒng)中：只要不出現(xiàn)由由電容構(gòu)成的的閉合回路，，則極點數(shù)=電容數(shù)。若出現(xiàn)閉合回回路，則極點點數(shù)=獨立電容數(shù)。C1C2C3圖示閉合回路，極點數(shù)=2說明第4章放大器基基礎(chǔ)1)寫出電路傳遞遞函數(shù)表達式式A(s)頻率響應(yīng)分析析步驟復(fù)頻域內(nèi)，無無零多極系統(tǒng)統(tǒng)傳遞函數(shù)一一般表達式：：2)令s=j，寫出頻率特性性表達式A(j)設(shè)極點均為負負實數(shù)(p=-p)，則4)確定上、下限限角頻率3)繪制漸近波特特圖第4章放大器基基礎(chǔ)RC低通電路頻率率響應(yīng)CR+-+-vi(t)vo(t)由圖，傳遞函數(shù)表達達式：時間常數(shù)式中，令s=j，則頻率特性表表達式：幅值：或相角：第4章放大器基基礎(chǔ)Op0.1p10pAv()/dB-20-3Op0.1p10pA()-45-90-5.7繪制漸近波特特圖：根據(jù)畫出幅頻波特圖畫出相頻波特圖漸近波特圖畫畫法：幅頻<<p時，>>p時，=p時，相頻<0.1p時，>10p時，=p時，-20dB/10倍頻-45/10倍頻第4章放大器基基礎(chǔ)確定上限角頻頻率：Op0.1p10pAv()/dB-20Op0.1p10pA()-45-90-20dB/10倍頻-45/10倍頻歸納一階因子子漸近波特圖畫畫法：幅頻漸近波特特圖：已知自0dB水平線出發(fā)，，經(jīng)p轉(zhuǎn)折成斜率為為(–20dB/10倍頻)的直線。相頻漸近波特特圖：自0水平線出發(fā)，，經(jīng)0.1p處轉(zhuǎn)折，斜率率為(–45/10倍頻)，再經(jīng)10p處轉(zhuǎn)折為-90的水平線。因=p時，H=p第4章放大器基基礎(chǔ)RC高通電路頻率率響應(yīng)由圖，傳遞函數(shù)表達達式：時間常數(shù)式中，令s=j，則頻率特性表表達式：幅值：相角：CR+-+-vi(t)vo(t)下限角頻率：：因=p時，L=p第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)Op0.1p10pA()4590繪制漸近近波特圖圖：根據(jù)畫出幅頻波特圖畫出相頻波特圖Op0.1p10pAv()/dB-2020dB/十倍頻-45/十倍頻幅頻漸近近波特圖圖：>p：0dB水平線；；<p：斜率為(20dB/十倍頻)的直線。。相頻漸近近波特圖圖：<0.1p：90的水平線線。0.1p<<10p：斜率為(–45/十倍頻)的直線。。>10p：0水平線。。第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)多極點系系統(tǒng)頻率響應(yīng)應(yīng)利用RC低通電路路分析結(jié)結(jié)果，得得傳遞函函數(shù)表達達式：：式中C1R1+-+-vivoAv1C2R2Av2C3R3Av3如圖所示示的三級級理想電電壓放大大器，Ri，Ro0。試畫漸近近波特圖圖，并求求H。已知R1C1>R2C2>R3C3。第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)頻率特性性表達式式：幅頻及相相頻表達式：：均為單階因子波特特圖的疊疊加。假設(shè)Op20.1p110p3A()-90p1p3-180-270Op2p1p3Av()/dB204060-20p3-20dB/10倍頻-40dB/十倍頻-60dB/十倍頻-45/10倍頻-90/十倍頻-45/十倍頻第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)歸納多極點系系統(tǒng)漸近近波特圖圖畫法：：幅頻漸近近波特圖圖：自中頻增增益AvI(dB)的水平線線出發(fā)，，經(jīng)pn轉(zhuǎn)折成斜斜率為(–20dB/十倍頻)的直線。。相頻漸近近波特圖圖：自0水平線出出發(fā)，經(jīng)經(jīng)0.1p1處開始轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)折，斜斜率為：：(–45/十倍頻)乘以(單階因子子重疊的的段數(shù))，再經(jīng)10pn，轉(zhuǎn)折成-90的折線。。已知第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)確定上限限角頻率率：根據(jù)定義義，當=H時：即整理并忽忽略高階階小量得得到上限限角頻率率為若p24p1，則稱p1為主極點點，p2、p3為非主極極點。上限角頻頻率取決決于主極極點角頻頻率：第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)高頻工作作，考慮慮三極管管極間電電容影響響時，為頻率的的復(fù)函數(shù)數(shù)。三極管頻頻率特性性參數(shù)rbbrberceCbeCbcgmVbe(s)bebcIb(s)Ic(s)根據(jù)定義義經(jīng)推導(dǎo)得其中

指()下降到中頻的0.707倍時對應(yīng)的角頻率。共發(fā)電路路截止角角頻率第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)()O當=T時因此T=指()下降到1時，對應(yīng)應(yīng)的角頻頻率。特征角頻頻率T根據(jù)T>>T是三極管管具有電電流放大大作用的的最高極極限角頻頻率。及第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)T1()O

指()下降到中頻的0.707倍時對應(yīng)的角頻率。共基電路路截止角角頻率>T>>根據(jù)及整理得其中三個頻率率參數(shù)中中應(yīng)用最最廣、最最具代表表性的是是特征角角頻率T。通常，T越高，三三極管高高頻性能能越好，，構(gòu)成的的放大器器上限頻頻率越高高。第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)設(shè)原四端端網(wǎng)絡(luò)傳傳遞函數(shù)數(shù)：密勒定理理4.7.2共發(fā)放大大器的頻頻率響應(yīng)應(yīng)網(wǎng)絡(luò)+-+-V1(s)V2(s)Y

(s)網(wǎng)絡(luò)+-+-V1(s)V2(s)Y1(s)Y2(s)密勒定理理等效后：：第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)單向化近似高頻等效電路

rbbrberceCbeCbcgmVbe(s)bVo(s)RS+-RCRL+-Vs(s)ecIc(s)由等效電路整理得單向化近似條件則第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)共發(fā)交流通路RC+-vo+-vsRLRS+-vi共發(fā)高頻頻等效電電路及密密勒近似似密勒等效rbbrbeCbegmVbe(s)bVo(s)RS+-RL+-Vs(s)Y1(s)Y2(s)高頻等效電路

rbbrberceCbeCbcgmVbe(s)bVo(s)RS+-RCRL+-Vs(s)ec第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)rbbrbeCbegmVbe(s)bVo(s)RS+-RL+-Vs(s)CM1CM2簡化等效效電路中中：密勒效應(yīng)應(yīng)倍增因因子：CtgmVbe(s)bRt+-RL+-由簡化等效效電路得得式中共發(fā)電路路頻率響響應(yīng)第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)共發(fā)電路路增益帶帶寬積GBW定義其中1)選rbb小、Cbc小、T高的三極極管使GBW。若D1，則HT，此時上限限角頻率率最高。。2)管子選定定后采用恒壓壓源(RS0)激勵：采用恒流流源(RS)激勵：D1時，H，上限頻率率降低。。3)RLDH，但AvsI。需兼顧兩者者。第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)提高共發(fā)發(fā)電路上上限頻率率的方法法：在電路輸入端采用低阻節(jié)點(即RS小)。在電路輸出端也采用低阻節(jié)點(即RL小)。此時，共共發(fā)電路路上限角角頻率H最高，且且接近管管子特征征角頻率率T。第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)共集放大大器4.7.3共集和共共基放大大器的頻頻率響應(yīng)應(yīng)高頻等效電路rbbrberceCbeCbcgmVbe(s)bVo(s)RS+-RERL+-Vs(s)ec由于簡化等效電路

rbbrbeCbegmVbe(s)bVo(s)RS+-RL+-Vs(s)eIb(s)因此，Cbc可忽略不不計。令RL=rce//RE//RL第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)共集交流通路

RE+-vo+-vsRLRS共集簡化等效電路

rbbrbeCbegmVbe(s)bVo(s)RS+-RL+-Vs(s)eIb(s)由簡化等效效電路：：式中零點角頻率：

極點角頻頻率：并聯(lián)在Cbe兩端的總總電阻采用恒壓源(RS

0)激勵：共集電路輸入為低阻節(jié)點(RS

小)時，上限角頻率H。考慮到混型電路實際情況，共集電路應(yīng)工作在T/3以下。

第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)共基放大大器由圖高頻等效電路(忽略

rbb、rce)rbeCbeCbcgmVeb(s)bVo(s)RS+-RL+-Vs(s)ecIe(s)整理得受控源其中共基交流通路

+-vo+-vsRSRCRLreCbeCbc

(s)Ie(s)bVo(s)RS+-RL+-Vs(s)ecIe(s)共基簡化等效電路第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)由簡化等效效電路：：式中共基電路輸出為低阻節(jié)點(RL小)時，上限角頻率

HreCbeCbc

(s)Ie(s)bVo(s)RS+-RL+-Vs(s)ecIe(s)共基簡化等效電路由于Cbc很小，因因此當RL較小時：p2>>p1由主極點點概念：：HP1結(jié)論：三種組態(tài)態(tài)電路中中，共基基電路頻頻率特性性最好、、共發(fā)最最差。第4章放大大器基礎(chǔ)礎(chǔ)電子設(shè)備備中，為為改善電電路頻率率響應(yīng)，，常要求求放大器器具有很很高的上上限頻率率(幾MHz~幾千MHz)。4.7.4寬帶放大大器擴展上