從海外龍頭發(fā)展歷程看國內(nèi)半導體設(shè)備企業(yè)投資價值

回顧海外半導體設(shè)備龍頭廠商的發(fā)展之路全球半導體設(shè)備市場高度集中，海外龍頭企業(yè)處于壟斷地位。美國的半導體廠商主要有應(yīng)用材料、泛林半導體和科磊，應(yīng)用材料是全球最大的半導體設(shè)備制造廠商，產(chǎn)品覆蓋除光刻以外的半導體前道工藝，占全球半導體設(shè)備的21%；泛林半導體是全球三的半導體設(shè)備廠商，按照“先專后全”的路線，先專注于刻蝕設(shè)備的研發(fā)制造，逐步發(fā)展薄膜沉積、清洗以及檢測業(yè)務(wù)；科磊在半導體檢測設(shè)備領(lǐng)域長期占有5%以上的市場份額，2021年全球半導體設(shè)備8%。日本半導體廠商主要包括東京電子和迪恩士，東京電子的產(chǎn)品覆蓋非常全面，在全球半導體設(shè)備市場占15%份額，迪恩士的清洗設(shè)備處于全球領(lǐng)先地位，在全球半導體設(shè)備廠商中排名第六；荷蘭的半導體廠商主要為阿斯麥，阿斯麥壟斷了全球的高端光刻機市場，在半導體設(shè)備市場中占有21的份額圖1：全球半導體設(shè)備廠商競爭格局-2021MTSLAMTLLC其他數(shù)據(jù)來源：Boombeg、圖2：國外主要半導體設(shè)備廠商產(chǎn)品線分布光刻干法刻蝕薄膜沉積熱處理離子注入MP清洗檢測去膠光刻機涂膠顯影設(shè)備VDVDALD√√√√√√√√√TEL√√√√√√√√√√√√√√DNS√√√√√√√數(shù)據(jù)來源：各公司官網(wǎng)，SL是全球光刻機龍頭，占據(jù)75%份額；L（泛林半導體）是全球刻蝕領(lǐng)域龍頭，占據(jù)50%份額；AAT（應(yīng)用材料）是薄膜沉積、離子注入、CP多領(lǐng)域龍頭，分別占據(jù)85%(PVD)/3%(CV)、50%、50%市場份額；S（迪恩士）是全球清洗機龍頭，占據(jù)45%份額；L是全球涂膠顯影機、原子層沉積（AL）龍頭，占據(jù)87%30%份額；L（磊）是全球檢測量測設(shè)備龍頭，占據(jù)54%份額。圖3：半導體設(shè)備各環(huán)節(jié)市場格局-2019數(shù)據(jù)來源：Gtr、應(yīng)用料：型龍頭外延成就版圖應(yīng)用材料成立于1967年，192年成為全球最大的半導體設(shè)備制造廠商，一直蟬聯(lián)至今。1970財年AAT主營業(yè)務(wù)收入為730萬美元，1972年上市時為30萬美元，到2021財年（0200.26-202110.1）主營業(yè)務(wù)收入達21億美元，比上市時增長360倍。圖4：應(yīng)用材料主營業(yè)務(wù)收入情況數(shù)據(jù)來源：Boombeg、公司官網(wǎng)、MT長期以來重視技術(shù)創(chuàng)新，保持高研發(fā)投入。公司歷研發(fā)投入占營業(yè)收入比重平均在15%左右。圖5：應(yīng)用材料研發(fā)投入情況

研發(fā)投入（百萬美元） 研發(fā)占

0 0 0 0 0 數(shù)據(jù)來源：Boombeg、MT不斷推出新品，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展步伐。A1976年推出第一臺商用等離子化學氣相沉積設(shè)備，1987年推出革命性的單圓多反應(yīng)腔平臺Preciion500，分別于1989年和197成為全球第一家推出20mm和00m晶圓制造設(shè)備的企業(yè)；2005年發(fā)布CenturaAdantEdge系統(tǒng)，采用了最先進的硅片刻蝕技術(shù)；2006年發(fā)布PrduerT，是當時最高效、投入產(chǎn)出比最高的D平臺。圖6：AT主要產(chǎn)品推出時間線數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、外延擴張，打造“半導體設(shè)備超市”。半導體設(shè)備技術(shù)門檻高、研發(fā)投入大且周期長，此外客戶驗證復(fù)雜，通過收購能夠快速集成技術(shù)，發(fā)展客戶，搶占市場。AA1997年收購兩家以色列公司palecnoogis（驗證界尺寸的高速計量系統(tǒng)）和rbotnstumnts（成品率提系），開啟了并購之路。以后相繼通過并購擴展了公司的C、晶圓檢測、清洗、薄膜沉積、離子注入等業(yè)務(wù)。同時公司積極拓展泛半導體領(lǐng)域，2007年收購T，幫助太陽能領(lǐng)域客戶降低制造光伏電池的成本，擴展了光伏電源領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。圖7：T通過外延擴張打造平臺化布局數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、圖8：T全球化之

緊抓半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移機遇，進行全球布局。在1971年AT就開始全球化布局的嘗試，在歐洲設(shè)立了第一個海外辦事機構(gòu)。20世紀70年代后期，半導體產(chǎn)業(yè)由美國向日本轉(zhuǎn)移，80年代韓國、中國臺灣轉(zhuǎn)移。AAT緊抓產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的機遇，在全球各地設(shè)立辦事處。進入21世之后隨著半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到中國大陸，AAT也在加強在大陸的布局。1984年AT就在北京設(shè)立了技術(shù)服務(wù)中心，成為第一家進入中國的外資半導體設(shè)備廠商。201年和207年，分別北京西安設(shè)立技術(shù)中心和全球開發(fā)中心。數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)、芯思想、AS光龍頭，破性變革助崛起ML是全球光刻機的領(lǐng)跑者，壟斷V光刻技術(shù)。SL成立于1984年，由電子巨飛利浦和半導體設(shè)備制造商SI共同成立。如今SL在全球光刻機領(lǐng)域處于絕對的霸主地位，占據(jù)全球約75%的光刻機市場，更是壟斷了全球7nm及以下工藝的EUV光刻機技術(shù)。2021財年（20211.1-02112.1）SL出貨309臺光刻機，主營業(yè)務(wù)收入186億美元，同比增長33%。圖9：SL主營業(yè)務(wù)收入情況數(shù)據(jù)來源：Blombr、革命性技術(shù)突破成就SML的霸主地位。SL一直重視研發(fā)創(chuàng)新，201年研發(fā)投入5億美元占主營的14%。SL成立以來，四項技術(shù)突破幫助其成為光刻龍頭企業(yè)。191年，推出突破性平臺PAS5500，憑借其領(lǐng)先生產(chǎn)力和分辨率，奠定了客戶基礎(chǔ)。2001年，出WINSAN系統(tǒng)及其雙平臺技術(shù)，最大限度地提高了系統(tǒng)地生產(chǎn)力和準確性。緊接著，SL于2003推出第一臺浸潤式機器，這一技術(shù)成為此后65、45和32nm制主流，推動摩爾定律往前躍進了三代。2010年，SL運送了第一臺V光刻原型機，成為全球唯一使用極紫外光的光刻機制造商，開啟了光刻機的新時代。圖10：ASL研發(fā)投入情況（單位：百萬美元） 圖1：ASL突破性技術(shù)/產(chǎn)品0

研發(fā)投入研發(fā)占比研發(fā)投入研發(fā)占比數(shù)據(jù)來源：Bmbr、 數(shù)據(jù)來源：ASL官網(wǎng)、有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。SML重要轉(zhuǎn)折之一：開發(fā)浸沒式光刻技術(shù)。ASL最大的彎道超車，發(fā)生在193nm制程到157m制程的升級過程，當時業(yè)內(nèi)大部分企業(yè)選擇在原有技術(shù)路徑上改進，比如尼康、佳能都選擇研發(fā)157nm波長的光源。時，臺積電科學家林本堅提出，利用水的折射，使進入光阻的波長縮小到134nm，由于浸沒式光刻技術(shù)研發(fā)難度大，且需要推翻原有設(shè)計重新開始研發(fā)，只有SL愿意選擇浸沒式光刻技術(shù)，2003年，ASL和臺積電合作研發(fā)出首臺浸沒式光刻設(shè)備，2004年尼康才終于宣布57m的干式光刻機產(chǎn)品樣機出爐，此后，ASL快速占領(lǐng)光刻機市場份額。圖12：干式光刻和浸沒式光示意圖 圖13：干式光刻和浸沒式光原理 數(shù)據(jù)來源：中國光學期刊網(wǎng)、 數(shù)據(jù)來源：AS、SML重要轉(zhuǎn)折之二：率先研發(fā)出EV光刻機。197，英特爾和美國能源部牽頭組建EUVLLC前沿技術(shù)組織，論證EUV技術(shù)的可行性，成員主要包括英特爾、摩托羅拉、AD以及美能源部(DE)的勞倫斯·利弗莫爾、桑迪亞和伯克利國家實驗室。ASL以出資在美國建工廠研發(fā)中心，并保證55%的原料都從美國采購的條件，擠進EUVLLC，而尼康、佳能卻被排除外。EUVLLC的研究成果大大加快了ASL的EUV研發(fā)速度，成為目前唯一掌握V光刻機技術(shù)的廠商。圖14：EUVLC主要成員數(shù)據(jù)來源：photoncsonie、戰(zhàn)略并購和開放式創(chuàng)新平臺助力SML技術(shù)創(chuàng)新。SL通過戰(zhàn)略并購快速占領(lǐng)技術(shù)優(yōu)勢，收icroUnity的askool部門（光學臨近矯正技術(shù)）、Brionechnooges（計算光刻）、HI（電子束檢測）、apper（電子束光刻）和（微激光系統(tǒng)）。此外，SL還于上下游廠商、研究機構(gòu)、同業(yè)合作伙伴搭建了開放式創(chuàng)新平臺，相互推動創(chuàng)新，并提供對各種技術(shù)的大型前沿知識庫的訪問。圖15：SL在技術(shù)方面戰(zhàn)略并購 圖16：SL開放式創(chuàng)新平臺被收購公司關(guān)鍵技術(shù)被收購公司關(guān)鍵技術(shù)MUny（Maskool）光學臨近矯正技術(shù)Bonges計算光刻技術(shù)電子束檢測（整體光刻產(chǎn)品組合）apper電子束光刻G微激光系統(tǒng)數(shù)據(jù)來源：ASL官網(wǎng)、 數(shù)據(jù)來源：ASL官網(wǎng)、推出整體光刻系統(tǒng)，集成工藝，共同優(yōu)化性能。半導體行業(yè)受到縮小制造成本和提高設(shè)備性能的推動。然而，隨著半導體特征尺寸的縮小，工藝窗口（生產(chǎn)可行芯片所需的精度公差）也在縮小，對套刻精度和臨界尺寸均勻性(CU)等參數(shù)提出了嚴格的要求。2009年ASL推出整體光刻系統(tǒng)，集成了計算光刻技術(shù)、晶圓光刻技術(shù)和工藝控制，可以實現(xiàn)優(yōu)化生產(chǎn)精度公差、提高良率、降低客戶時間成本。圖17：ASL整體光刻系統(tǒng)數(shù)據(jù)來源：AL公告、SML通過收購布局上游，提出客戶聯(lián)合投資計劃攜手下游，打造上下游利益共同體。L通過收購Cmer、berinergasWjdenotion以及蔡半導體24.%的股份，布局游零部件，包括紫外光源、光學組件、電機和光學鏡頭組。2012年，SL提出“客戶聯(lián)合投資計劃”，與客戶建立密切關(guān)系，共同承擔研發(fā)費用，為入股客戶提供優(yōu)先供貨權(quán)，從而構(gòu)成了龐大的利益共同體。圖18：SL打造上下游利益共同體數(shù)據(jù)來源：AL官網(wǎng)、泛林半導：耕刻蝕合并助力平化LM立足刻蝕設(shè)備，逐漸向工藝前端和后端擴展業(yè)務(wù)。泛集團成立于1980年，是全球領(lǐng)先綜合性半導體設(shè)備龍頭企業(yè)。泛林半導體成立第二年便推出了第一款刻蝕設(shè)備AutothLM在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域市場份額最大，占據(jù)47%的市場份額，公司足刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，逐步向前端薄膜積和后端清洗設(shè)備延伸，通過并購不斷提升競爭能力，構(gòu)建技術(shù)壁壘和擴充產(chǎn)品線。泛林半導體201財年（200.629-221.27）的主營業(yè)務(wù)收入達到16億美元，同比增長46%。圖19：LAM主營業(yè)務(wù)收入情況數(shù)據(jù)來源：Blombr、LM專注于刻蝕設(shè)備，不斷進行技術(shù)升級。9811982年LM推出了支持1.5m制程的刻蝕設(shè)備AutoEtch，99年開了支持0.8微米制程的刻蝕設(shè)備。1992年推出業(yè)內(nèi)首款I(lǐng)P刻蝕設(shè)備，開始引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。LM首創(chuàng)ALE技術(shù)，在2014年推出LE刻蝕設(shè)備FLEX系列和IYO系列。ALE技術(shù)憑借其在原子層級別的可變控制性和能實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最高生產(chǎn)率和選擇比而有望成為新一代刻蝕設(shè)備的產(chǎn)業(yè)趨勢。圖20：LAM刻蝕設(shè)備產(chǎn)品迭代數(shù)據(jù)來源：AM官網(wǎng)、LM通過并購擴充產(chǎn)品線。在1997年，泛林就通過收購P清洗領(lǐng)域的市場領(lǐng)導者nrakstems，彌補在清潔領(lǐng)域品鏈的不足。2012年，LAM兼并收購了諾發(fā)，其刻蝕和單晶圓清洗設(shè)備方面的領(lǐng)先地位與諾發(fā)的薄膜沉積技術(shù)互補，合并后LM不僅能夠擁有更廣泛的市場，而且有助于公司技術(shù)團隊加強相鄰工藝之間的的集成，未來有望開發(fā)“集簇”設(shè)備，以提高工藝效率、降低成本，提升設(shè)備競爭力。圖21：LAM通過收購走向多樣化數(shù)據(jù)來源：AM官網(wǎng)、技術(shù)變革驅(qū)動泛林業(yè)績增長。隨著芯片制程不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化發(fā)展，相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多，刻蝕和薄膜沉積設(shè)備成為占比最高的設(shè)備。LM2012年起主營業(yè)務(wù)收入呈現(xiàn)快速增長的態(tài)勢，除收購諾發(fā)的因素之外，另一個關(guān)鍵驅(qū)動力是204年3DNAD的量產(chǎn)和多重光技術(shù)的應(yīng)用，3DNAD層數(shù)的增加將持續(xù)增加對刻蝕技術(shù)的依賴，多重曝光技術(shù)則是增加了刻蝕工密度，因此對刻蝕設(shè)備的需求大幅增長，拉動刻蝕設(shè)備龍頭LM營收增長。圖22：芯片制造工藝變革 圖23：刻蝕設(shè)備價值占比提升 數(shù)據(jù)來源：AM公告、 數(shù)據(jù)來源：中微招股書、東電子緊產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)機遇益政府持東京電子是日本第一的半導體設(shè)備廠商。東京電子成立于963年，是日本最大的半導體設(shè)備制造商，也是全球第四大半導體供應(yīng)商。東京電子成立之初主要從事汽車收音機的出口和半導體設(shè) 備的進口業(yè)務(wù)，1975年開始專注于半導體設(shè)備制造，1989年成為全球營收額第一的半導體設(shè)備有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。制造商，并且連續(xù)三年蟬聯(lián)。之后東京電子開始向全球擴展業(yè)務(wù)，并加強研發(fā)，一直至今，東京電子仍然是第一梯隊的半導體設(shè)備制造商。202財年（221.4.1202.331），東京電子營收178億美元，同比長35%。圖24：EL營收情況數(shù)據(jù)來源：Boombeg、公司公告、圖25：EL研發(fā)投入情況

研發(fā)投入（十億日元） 研發(fā)占

0 9012345678901數(shù)據(jù)來源：Boombeg、東京電子積極響應(yīng)日本經(jīng)濟轉(zhuǎn)型以及全球半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，領(lǐng)跑日本半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)。東京電子成立之初是一家技術(shù)貿(mào)易公司，主要從事汽車收音機的出口和半導體設(shè)備的進口業(yè)務(wù)，163年日本產(chǎn)業(yè)構(gòu)造調(diào)查會議上，日本政府著手制定旨在將本國高新技術(shù)發(fā)展由“攝取型發(fā)展”轉(zhuǎn)變?yōu)椤白灾鲃?chuàng)新型發(fā)展”的長期規(guī)劃，倡導由技術(shù)引進向自主創(chuàng)新的轉(zhuǎn)型，東京電子便于1968年成了日本第一家半導體設(shè)備制造廠商。1973年，受石油危機響，日本政府提出要重點扶持研究發(fā)密集產(chǎn)業(yè)，恰逢尼克松沖擊導致日元升值，出口業(yè)務(wù)受到?jīng)_擊，東京電子于1975年果退出費電子出口，專注半導體設(shè)備制造。隨后日本半導體產(chǎn)業(yè)興起，東京電子從美國引進技術(shù)，一躍成為全球第一的半導體設(shè)備制造商。隨著日本半導體業(yè)務(wù)的下滑，東京電子開始將業(yè)務(wù)向全球擴展，并拓展到FD領(lǐng)域。近年，隨著大數(shù)據(jù)、新能源車的驅(qū)動半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，東京電加大創(chuàng)新研發(fā)，迎來新發(fā)展。圖26：東京電子重大轉(zhuǎn)折和展數(shù)據(jù)來源：TL官網(wǎng)、CNK、東京電子為什么能成為全球領(lǐng)先的半導體設(shè)備廠商？東京電子發(fā)展于日本半導體行業(yè)的黃金時期。19世紀70年代末，美日幾乎同時推出64KDA，迅速向全球市場滲透，19841985年，日本企業(yè)展開價格圍剿，進一步占領(lǐng)市場。半導體設(shè)備市場依賴于半導體制造廠商對設(shè)備的投資，此外，日本半導體產(chǎn)業(yè)在政府的有意引導下，以DAM作為商業(yè)契機，推動本土半導體生產(chǎn)設(shè)備與生產(chǎn)材料快速發(fā)展，與半導體產(chǎn)業(yè)同步，本半導體設(shè)備市場規(guī)模擴大，發(fā)展迅速。圖27：美國和日本半導體市份額變化數(shù)據(jù)來源：OgaiatonSee、引進先進技術(shù)。東京電子通過合資公司的形式從美國引進先進的技術(shù)，并與自身的制造技術(shù)融為一體，1982年成立EL-VarianLtd.在日本開始生產(chǎn)子注入機，1983年與LM成立合資公司，在日本生產(chǎn)刻蝕設(shè)備。立足國內(nèi)市場，開拓海外市場。盡管東京電子1986便開始出口業(yè)務(wù)，但是起初出口業(yè)份額并不大，專注于國內(nèi)市場。20世紀90年代是東京電子布局海外的關(guān)鍵時期，1993是東電子邁向海外的重要一步，東京電子開始布局在韓國的業(yè)務(wù)，1994年開始在歐美構(gòu)建銷與服網(wǎng)絡(luò)，在194年之前，東京電子面向國內(nèi)產(chǎn)品的銷售占比超過80%，但在198年，京電子海外銷售首次超過國內(nèi)銷售，200年海外銷售突破70%。圖28：韓國制造廠商993-98在AM領(lǐng)域迅速占領(lǐng)市場日本 韓國 美國 其他3 4 5 6 7 數(shù)據(jù)來源：日本半導體歷史館、科磊檢測先行者保持代際優(yōu)勢科磊為半導體檢測設(shè)備的引領(lǐng)者，先發(fā)優(yōu)勢明顯。科磊成立于195年，芯片行業(yè)的起步階段，當時所制造的半導體良率只有不到50%，隨著芯片層數(shù)的加，良率甚至不到10%，缺檢測問題也隨之升級，KLA第一個掩膜檢測設(shè)備，將光掩膜檢測所需時間從8小時減少到15分鐘，并且可以做到更全面的檢測，迅速被半導體行業(yè)接受，隨后投入大量資金研發(fā)，不斷推出新產(chǎn)品。LA-encor合并后開始大舉收購，擴展產(chǎn)品組合，市場份額迅速進一步擴大，2021財年（20207.1-0216.30）LA主營業(yè)務(wù)收入69億美元，同增長19%。圖29：科磊主營業(yè)務(wù)收入情況數(shù)據(jù)來源：Boombeg、LA1975年推出開創(chuàng)性的掩檢測工具迎來了半導體工藝控制的曙光，如今運用寬帶等離子技檢測缺陷，LA一直保持技術(shù)的先發(fā)優(yōu)勢，推出一系列最先進入市場的設(shè)備。從產(chǎn)品迭代來看KLA每年以競爭對手兩倍的向市場新推出的新產(chǎn)品，且產(chǎn)品領(lǐng)先市場兩代，在其服務(wù)的10下游領(lǐng)域中，8個領(lǐng)域的市率第一。主要是由于LA重研發(fā)：圖30：KLA產(chǎn)品優(yōu)勢數(shù)據(jù)來源：LA公告、高研發(fā)投入：研發(fā)投入比基本維持在15%以上，高行業(yè)其他企業(yè)。圖31：LA研發(fā)投入大于大數(shù)同業(yè)競爭者在檢測設(shè)備領(lǐng)域的營收-2021（單位：百萬美）LAMTiaiscOtoItionSLKA研發(fā)投入0 0 0 0 數(shù)據(jù)來源：Boombeg、、公司公告、不斷提高下一代產(chǎn)品的研發(fā)投入：221年LA用于一代技術(shù)的研發(fā)占總研發(fā)投入的82%。圖32：KLA研發(fā)投入情況研發(fā)投入（百萬美元）下一代技術(shù)研發(fā)投入研發(fā)投入（百萬美元）下一代技術(shù)研發(fā)投入研發(fā)占收入比0901234567890數(shù)據(jù)來源：Boombeg、

與客戶合作研發(fā)：KLA作為檢測設(shè)備領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，擁有強大的客戶基礎(chǔ)，通過與客戶合作研發(fā)，提高產(chǎn)品競爭力。圖33：LA擁有強大的客戶礎(chǔ)數(shù)據(jù)來源：LA公告、外延并購吸收先進技術(shù)。197年，KLA和encor合并，KLA提供高端自動化光學晶圓檢測、光罩檢測等設(shè)備，而encor更專注于薄膜量測，此次合并為半導體制造商提供了完整的良率管理品和服務(wù)系列。此后，L-encor開始了大舉收購，通過略收購的方式獲得先進技術(shù)，拓展公司的產(chǎn)品系列。209年，LA收購rboteh，切入PCB測、面板檢測和特殊半導體檢測，與過程控制形成四大業(yè)務(wù)板塊。圖34：LA外延收購吸收先技術(shù)數(shù)據(jù)來源：KA公告、LA擁有豐富的產(chǎn)品系列。方面由于LA在研發(fā)上的高投入，另一方面LA通過外延并購不斷吸收先進技術(shù)，拓寬產(chǎn)品線，LA產(chǎn)品可以運用到多種半導體元件的制造及封裝，并且覆蓋半導體制造的全產(chǎn)業(yè)鏈。圖35：LA產(chǎn)品覆蓋多種半元件的制造及封裝數(shù)據(jù)來源：LA公告、圖36：LA產(chǎn)品覆蓋半導體造全過程數(shù)據(jù)來源：LA公告、KLA近十年內(nèi)在過程控制領(lǐng)域的市場份額保持在50%左右是第二名的4倍，檢測/量測備市為什么難以切入？檢測/量測設(shè)備開發(fā)難度大、技術(shù)壁壘高。首先檢測設(shè)備的技術(shù)跨越電子束、X射線衍射、激光照明以及高性能計算等領(lǐng)域；其次半導體檢測設(shè)備需要運用光學、電學原理進行納米級精密程度以及3D維度上的檢測量。圖37：檢測設(shè)備跨越多個技領(lǐng)域數(shù)據(jù)來源：LA公告、檢測設(shè)備定制化及差異化程度高。半導體檢測設(shè)備的檢測對象為定制化芯片，不同制程的芯片對參數(shù)的要求往往是不同的。芯片制造中不同工藝過程中需要運用的檢測設(shè)備也有所不同，比如電子束檢測可以運用在拋光、刻蝕等工藝，而掩模版檢測則適用于曝光工藝。除此之外，晶圓制造過程當中還需要對不同的參數(shù)如電阻、膜厚、膜應(yīng)力等進行量測，晶圓加工之后還需要檢查芯片性能是否符合要求。圖38：不用工藝環(huán)節(jié)需要運不同的檢測設(shè)備 圖39：檢測設(shè)備細分領(lǐng)域占-2020 數(shù)據(jù)來源《半導體制造技術(shù)、中科飛測公告、 數(shù)據(jù)來源：VSIRsec、設(shè)備使用壽命長。一方面，半導體設(shè)備的長使用壽命強化先發(fā)優(yōu)勢，加強與客戶的長期綁定關(guān)系；另一方面，服務(wù)類收入受益于長使用壽命將不斷增加，且受行業(yè)周期波動影響小。LA超過50%設(shè)備使用壽命達18年，平均使用壽命為12年，服務(wù)收入呈指數(shù)級增長，為全行業(yè)純服務(wù)收入占比最高的企業(yè)。圖40：KLA設(shè)備平均使用壽達12年（裝機量，臺） 圖41：KA服務(wù)收入呈指級增長0

las0las5Clas00las5las0las5Clas205791357913579

KKA服務(wù)收入（百萬元）注：lss代表產(chǎn)品推出年份數(shù)據(jù)來源：KA公告、 數(shù)據(jù)來源：KA公告、迪士：洗備龍頭面臨壓力迪恩士是全球清洗設(shè)備龍頭廠商。迪恩士成立于193年于1975年導入半導體設(shè)備造，受益于日本198s半導體產(chǎn)業(yè)的飛，在半導體清洗設(shè)備領(lǐng)域迅速發(fā)展，并于1983年成功發(fā)了世界上第一臺旋轉(zhuǎn)晶片清洗系統(tǒng)。迪恩士清洗設(shè)備產(chǎn)品覆蓋全面，引領(lǐng)著先進的清洗設(shè)備技術(shù)，連續(xù)多年在單片清洗設(shè)備、批量清洗設(shè)備以及旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)世界第一。迪恩士主營業(yè)務(wù)收入呈波動向上的趨勢，主要系全球經(jīng)濟形勢的影響。2022年（20214.1-0223.31）S主營業(yè)務(wù)收入419億日元，同增長29%。圖42：迪恩士主營業(yè)務(wù)收入0

主營業(yè)務(wù)收入（十億日） 主營業(yè)務(wù)收入增

數(shù)據(jù)來源：Boombeg、迪恩士在單片清洗設(shè)備領(lǐng)域的市場份額逐漸降低，國產(chǎn)設(shè)備有望切入市場。迪恩士是一家聚焦于清洗設(shè)備的企業(yè)，清洗設(shè)備占其半導體設(shè)備業(yè)務(wù)的95%以，單片清洗機占70%，聚焦一領(lǐng)域給公司帶來了絕對的市場占有率，209年迪恩士在全球單片清洗設(shè)備的市場份額高達0%，但201年單片清洗設(shè)備競爭力現(xiàn)下降的趨勢，占比38%，要由于：清洗設(shè)備參與到芯片制造的各個環(huán)節(jié)，新進入者切入難度相對較低。圖43：迪恩士在單片清洗設(shè)的市場份額下降 圖44：迪恩士研發(fā)投入情況研發(fā)投入（十億日元）研發(fā)占比0 研發(fā)投入（十億日元）研發(fā)占比6 4 0 86 4 20 數(shù)據(jù)來源：公司公告、 數(shù)據(jù)來源：Bmbr、迪恩士韓國市場開拓阻力大。迪恩士2004年開始拓展國市場，明顯晚于L（1993年）、LM（1989年）等同業(yè)競爭企業(yè)，錯失了開拓韓國市場的先機；此外，韓國本土設(shè)備廠商SEES（三星旗下子公司）在清洗設(shè)備方面亦具備較強競爭力，2020年EES單片清洗設(shè)備占全球14%的份額，排名第，給迪恩士開拓韓國市場帶來了阻力。圖45：迪恩士不同地區(qū)營收-2021 圖46：韓國半導體市場份額化中國臺韓國亞太其他地北美歐其

韓國半導體廠商市場份額韓國半導體廠商市場份額數(shù)據(jù)來源：公司公告、 數(shù)據(jù)來源：Sttista、國內(nèi)外差距快速縮小，政策大力支持有望進一步速成長進程堅定高發(fā)投，與海廠商差距快縮小國內(nèi)半導體設(shè)備廠商堅定高研發(fā)投入，成長動能足。國外龍頭設(shè)備廠商一直保持著高研發(fā)投入，2021年AT和SL的研發(fā)投入約25億美元，從研發(fā)投入的絕對值來看，國內(nèi)廠商雖然不及國外龍頭企業(yè)，北方華創(chuàng)的研發(fā)投入在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位，2021年研發(fā)投入29億元；是從發(fā)投入占比例來看，國內(nèi)廠商非常重視研發(fā)投入，高于國外龍頭，基本在15%以上。圖47：國外廠商01年研投入情況 圖48：國內(nèi)廠商01年研投入情況研發(fā)投入（億美元） 研發(fā)投入（億美元） 研發(fā)投入占營業(yè)收入比例50MT SL AM TL

5 研發(fā)投入（億元） 研發(fā)投入占營業(yè)收入比例0研發(fā)投入（億元） 研發(fā)投入占營業(yè)收入比例0 5 5 0 數(shù)據(jù)來源：Bmbr、 數(shù)據(jù)來源W、持續(xù)實現(xiàn)技術(shù)突破，與海外廠商差距快速縮小。國內(nèi)半導設(shè)備廠商已實現(xiàn)28nm制程上工藝技術(shù)覆蓋，還有部分廠商技術(shù)達到國際先進水平，比如中微公司的CP刻蝕設(shè)備已經(jīng)可以覆蓋5m以下的邏輯芯片以及18層3DNAD產(chǎn)線；北京屹唐干法去膠設(shè)備可用于90m到5m邏輯芯片、1y到2x納米系列DRAM芯片以及32層到128層D閃存芯片制造中；盛美上海全球首創(chuàng)S、EBO兆聲波清洗技術(shù)和ahoe單片槽式組合清洗技術(shù)，S清洗設(shè)備取得海力士的重復(fù)訂單；拓荊科技的ECVD也已開展10m及以下制產(chǎn)品驗證測試。圖49：國內(nèi)廠商技術(shù)突破主要業(yè)務(wù)技術(shù)突破中微公司刻蝕設(shè)備P取得5m及以下邏輯路產(chǎn)線重復(fù)訂單；在64層及28層3DNAD的產(chǎn)線廣泛應(yīng)用拓荊科技PECD適配國內(nèi)28/4nm邏輯芯片19/1nmDRAM芯片和64/18層3DNADFLASH晶圓制造產(chǎn)線，并已展開10m及下制程產(chǎn)品驗證測試芯源微涂膠顯影設(shè)備前道涂膠顯影設(shè)備在28m以上工藝節(jié)點的多項關(guān)鍵技術(shù)方面取得突破，可實現(xiàn)和多種主流光刻機聯(lián)機運行，比如ASL、Cannn、Nikn等精測電子檢測量測設(shè)備膜厚、電子束量測設(shè)備已取得國內(nèi)一線客戶批量訂單；明場光學缺陷檢測設(shè)備已取得突破性訂單；CD設(shè)備獲得多家一線客戶的驗證通過，且已取得部分訂單。華海清科CP設(shè)備可滿足28m以下邏輯工廠及1nm存儲工廠Oide/SiN/SI/Pol/CuWCP等工藝需求萬業(yè)企業(yè)離子注入機低能大束流離子注入設(shè)備已開始批量出貨中科飛測缺陷檢測設(shè)備已應(yīng)用于國內(nèi)28m及以上程的集成電路制造產(chǎn)線北京屹唐干法去膠設(shè)備干法去膠設(shè)備、快速熱處理設(shè)備主要可用于90納米到5納邏輯芯片、1y到2x納米系列DAM芯片以及32層到128層3D閃存芯片制造中若干鍵步驟盛美上海清洗設(shè)備全球首創(chuàng)、EBO兆聲波清洗技術(shù)和ahoe單片槽組合清洗技術(shù)；EBO清洗設(shè)備可適用于28nm及以下的圖形晶圓清洗，更為精細的具有3D結(jié)構(gòu)的FinFE、DAM和新興3DNAD等產(chǎn)品數(shù)據(jù)來源：各公公告、多渠道升術(shù)實力供應(yīng)全保障力大升多渠道吸收前沿技術(shù)，拓展業(yè)務(wù)布局。由于半導體設(shè)備技術(shù)門檻高，研發(fā)投入和風險相對比較大，通過外延的方式可以幫助企業(yè)迅速切入市場，掌握核心技術(shù)。比如隨著技術(shù)節(jié)點發(fā)展到0.5m，CP設(shè)備的需求量快速增長，泛林于197年收購nrk迅速切入P市場；SL1999年收購icroUnity的askools部門，迅速掌握先進的光學鄰近矯正技術(shù)，進一步提高瞄準精度。國內(nèi)半導體設(shè)備也在積極嘗試通過外延方式進行布局，精測電子通過與韓國E龍頭I&T合作設(shè)立合資公司，利用I&T強勁的研發(fā)實力快速布局半導體測試領(lǐng)域；中微公司則通過投資睿勵儀器和拓荊科技進行檢測設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的布局。圖50：通過外延方式拓展業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)來源：各公司公告、設(shè)備廠商積極布局上游零部件，供應(yīng)鏈安全保障能力大幅提升。萬業(yè)收購CmpatSstms（高精度流量控制產(chǎn)品和技術(shù)的全球戰(zhàn)略供應(yīng)商），布局上游零部件，完善集成電路裝備產(chǎn)業(yè)工藝鏈，確保供應(yīng)鏈的安全，并且有利于實現(xiàn)上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)。北方華創(chuàng)收購北廣科技射頻應(yīng)用技術(shù)相關(guān)資產(chǎn)，射頻應(yīng)用技術(shù)是半導體裝備產(chǎn)品的核心技術(shù)之一，此次資產(chǎn)整合有利于提高北方華創(chuàng)微電子射頻應(yīng)用技術(shù)水平，可增強公司半導體裝備產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用能力。圖51：通過外延方式布局零件數(shù)據(jù)來源：各公司官網(wǎng)公告、迎產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)史機遇國內(nèi)強力支持隨著終端需求的不斷變化，推動半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。半導體的需求模式對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了重要作用，能否適應(yīng)、開發(fā)和引導新產(chǎn)業(yè)的需求模式是半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的重要因素。半導體起源于美國，美國政府軍事需求是拉動美國半導體業(yè)初期發(fā)展的關(guān)鍵力量，199-190年，美國政府采購占半導體產(chǎn)業(yè)銷量的45-48%。入20世紀0年代以后，本鼓勵民營企業(yè)研發(fā)電子技術(shù)，日本民用電子得到了飛速發(fā)展，而美國依舊注重軍工產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)，為日本占領(lǐng)半導體市場提供了機遇，之后隨著日本64KDAM研發(fā)成功，以及日本企業(yè)價格圍剿，198s半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)到日本隨著20世紀90年代C的普及，韓國先于美日企業(yè)推出256MRA，中國臺灣開辟代工廠模式，半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向韓國、中國臺灣。目前中國大陸正處于新一代智能手機、新能源汽車等行業(yè)快速崛起的進程中，已成為全球最重要的半導體應(yīng)用和消費市場之一。圖52：終端應(yīng)用推動半導體業(yè)轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)來源：盛美上海招股書、整理中國大陸緊抓智能手機和電動汽車兩次發(fā)展機遇，半導體需求可能進一步擴大。21世紀來中國逐