高電壓技術(shù)習(xí)題

高電壓技術(shù)習(xí)題1.原子吸收能量較小時，會發(fā)生（）現(xiàn)象_________________________________(答案：激發(fā))2.原子吸收能量較大時，會發(fā)生（

）現(xiàn)象_________________________________(答案：游離)3.氣體帶電質(zhì)點(diǎn)的來源包括：氣體本身游離(正確答案)雜質(zhì)金屬表面游離(正確答案)放電4.空氣在正常情況下（）很小，為良絕緣體。A、G(正確答案)B、CC、RD、X5.氣體間隙上的（）過高時，氣體會由絕緣狀態(tài)裝變?yōu)榱紝?dǎo)體，這種現(xiàn)象稱為氣體擊穿。A、U(正確答案)B、IC、PD、Q6.氣體放電方式包括：A、輝光(正確答案)B、電暈(正確答案)C、火花(正確答案)D、電弧(正確答案)7.氣體分子本身發(fā)生游離的方式有：A、光游離(正確答案)B、碰撞游離(正確答案)C、熱游離(正確答案)D、激發(fā)8.碰撞游離的碰撞主體是______和______?？?答案：電子空2答案：氣體分子9.什么樣的質(zhì)點(diǎn)不容易發(fā)生碰撞？A、尺寸小(正確答案)B、尺寸大C、質(zhì)量大D、質(zhì)量小10.光子的來源包括：______、______、______?？?答案：外界空2答案：反激發(fā)空3答案：符合11.熱游離是______和______的綜合空1答案：碰撞游離空2答案：光游離12.氣體的擊穿擊穿過程，分為幾類？A、均勻電場、小δd(正確答案)B、均勻電場、δd較大(正確答案)C、不均勻電場、長間隙(正確答案)D、不均勻電場、短間隙(正確答案)13.均勻電場、小δd間隙的擊穿，我們用湯遜理論解釋，擊穿過程主要發(fā)生了哪些現(xiàn)象？A、碰撞游離(正確答案)B、負(fù)極表面游離(正確答案)C、熱游離D、電解14.什么是電子崩？_________________________________15.電子崩向前發(fā)展過程中，正離子可以看作A、靜止不動(正確答案)B、勻速向前C、加速運(yùn)動D、自由運(yùn)動16.什么是放電？A、自由帶電質(zhì)點(diǎn)定向運(yùn)動(正確答案)B、電流(正確答案)C、電壓D、自由電荷定向運(yùn)動(正確答案)17.均勻電場、小δd間隙的擊穿理論中，δ代表______?？?答案：氣體密度18.均勻電場、小δd間隙的擊穿理論中，d代表______?？?答案：間隙距離19.巴申定律與湯遜理論的關(guān)系是什么？_________________________________20.湯遜理論適用范圍是δdA、小于26mm(正確答案)B、大于26mmC、等于26mmD、不等于于26mm21.對于均勻電場、較大δd間隙的擊穿，我們用______解釋?？?答案：流注理論22.均勻電場、較大δd間隙，其被擊穿的主要因素是______和______?？?答案：碰撞游離空2答案：空間光游離23.均勻電場中，放電一旦發(fā)生______，氣體就會擊穿?？?答案：自持24.流注理論中，電場為什么畸變？A、電子崩產(chǎn)生大量的空間電荷(正確答案)B、電場不均勻C、受到外界干擾D、先導(dǎo)25.流注理論中，崩頭前方電場（）A、增強(qiáng)(正確答案)B、減小C、不變26.流注理論中，正負(fù)電荷交界處的電場（）A、增強(qiáng)B、減小(正確答案)C、不變27.流注理論中，崩尾前方電場（）A、增強(qiáng)(正確答案)B、減小C、不變28.氣體間隙上的（）過高時，氣體會由絕緣狀態(tài)裝變?yōu)榱紝?dǎo)體，這種現(xiàn)象稱為氣體擊穿。A、U(正確答案)B、IC、PD、Q29.流注形成前，會出現(xiàn)A、主電子崩(正確答案)B、二次電子崩(正確答案)C、初始電子崩(正確答案)D、先導(dǎo)電子崩30.二次崩頭部的電子進(jìn)入主電子崩頭部后，大多成為負(fù)離子，上述情形出現(xiàn)的原因是：A、E很大(正確答案)B、E很小C、E畸變(正確答案)D、電子運(yùn)動速度快、自由行程長31.流注是A、等離子體(正確答案)B、電子崩的頭部C、電子崩的尾部D、內(nèi)部正負(fù)離子大致相等(正確答案)32.流注內(nèi)部A、E很大B、G很大(正確答案)C、ε很大D、內(nèi)部正負(fù)離子大致相等(正確答案)33.反激發(fā)和復(fù)合產(chǎn)生的光子，是否一定引起光游離？A、是B、否(正確答案)34.流注頭部是A、二次崩留下的正電荷(正確答案)B、二次崩留下的負(fù)電荷C、二次崩留下的電子D、二次崩產(chǎn)生的全部電荷35.流注前方的電場被增強(qiáng)的原因是A、二次崩留下的正電荷(正確答案)B、電場畸變(正確答案)C、新的二次崩D、其他36.流注發(fā)展的主要因素是A、流注前方新的二次崩(正確答案)B、流注后方新的二次崩C、流注內(nèi)部新的二次崩D、其他37.流注接近負(fù)極時，流注通道熾熱，發(fā)生熱游離，最終擊穿時看到A、火花(正確答案)B、電弧(正確答案)C、電暈D、輝光38.從正極向負(fù)極發(fā)展的流注稱為A、正流注(正確答案)B、負(fù)