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文檔簡介
霍爾效應的研究與應用由斜率的求霍爾系數(shù)RH及霍爾靈敏度KH?記錄數(shù)據(jù)應注意單位?數(shù)據(jù)處理時應將所有單位轉化為國際單位制（SI）思考題1、霍爾電壓是怎樣形成的？它的極性與磁場和電流方向（或載流子濃度）有什么關系？在霍爾元件中載流子在磁場中受洛侖茲力作用而引起的偏轉，這就導致在垂直電流和磁場的方向上產(chǎn)生正負電荷的聚積，從而形成附加的橫向電場，即霍爾電場；這樣就在霍爾元件兩側產(chǎn)生一個電位差VH，相應的電壓VH稱為霍爾電壓。（a）（b）2、用簡圖示意，用霍爾效應法判斷霍爾片是n型、p型的半導體材料？如上圖，無論載流子是正電荷還是負電荷，F(xiàn)g的方向均沿Y反方向，在洛倫茲力的作用下，載流子發(fā)生偏移，則在Y方向即試樣A、A′電極兩側就開始聚積異號電荷而在試樣A、A′兩側產(chǎn)生一個電位差VH。如果選定磁場方向沿Z軸正方向，電流方向沿X軸正方向，若測得大于0則載流子為電子，即為n型半導體；若測得小于0則載流子為空穴，即為p型半導體。8.如果沿被測磁場方向有一恒定的附加外磁場，在測量時應如何消除它的影響？實際磁感強度為附加外磁場為第一次測量值為將勵磁電流反向，第二次測量值為將兩次測量值相減再除以2即可。對稱測量法9為什么霍爾元件多采用N型半導體材料制作？因RH＝μ/σ，金屬導體的μ值很小而σ值很大，而不良導體σ值雖小但μ值極小，因此這兩種材料的霍爾系數(shù)RH都很小而不適于制造霍爾元件。半導體材料的μ值大，σ值適中，是制造霍爾元件較理想的材料。由于電子遷移率比空穴遷移率大，所以霍爾元件多采用N型材料。10.本實驗中測量霍爾電勢差VH時，霍爾元件工作電流Is和磁場都是恒定的，如果單獨改變Is為交流電，或單獨改變磁場為交變磁場，或同時改變Is與磁場,能否測量VH？如能，試寫出實驗方法，如不能，請說明原因。由于霍爾效應的建立所需時間很短（約10-12—10-14s），因此使用霍爾元件時用交流電也可以，只是霍爾電壓VH也是交變的；單獨改變磁場為交變磁場，霍爾電壓VH也將是交變電壓；同時改變霍爾電流Is與磁場B，如果二者的頻率相同，兩者同時處于
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