DL∕T 2033-2019 火電廠用高壓變頻器功率單元試驗(yàn)方法_第1頁(yè)
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ICS27.100F23中華人民共和國(guó)電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DL/T2033—2019試驗(yàn)方法Testmethodsforpowerunitofhighvoltagevariablefrequencydriveusedinfossil-fuelpowerplants2019-06-04發(fā)布 2019-10-01實(shí)施國(guó)家能源局 發(fā)布DL/TDL/T2033—2019DL/TDL/T2033—2019IIIIII目 次前 言 II范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語(yǔ)和定義 1功率單元 2構(gòu)成 2輸出額定容量 2試驗(yàn)條件 2一般要求 2儀器儀表 2試驗(yàn)平臺(tái) 3試驗(yàn) 3試驗(yàn)項(xiàng)目 3參數(shù)核對(duì) 4性能試驗(yàn) 5試驗(yàn)流程 8試驗(yàn)報(bào)告 8編寫要求 8報(bào)告模板 8附錄A(資料性附錄)試驗(yàn)典型流程 9附錄B(資料性附錄)試驗(yàn)報(bào)告模板 14前 言本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分:標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》的規(guī)則編寫本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)大唐集團(tuán)科學(xué)技術(shù)研究院有限公司華中電力試驗(yàn)研究院、北京合力電氣傳動(dòng)控制技術(shù)有限責(zé)任公司、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、許昌龍崗發(fā)電有限責(zé)任公司、重慶大學(xué)、大唐河南發(fā)電有限公司、大唐長(zhǎng)春第二熱電有限責(zé)任公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:韓金華、賈少華、李凱、馮宇、文戰(zhàn)友、鄭豫生、姚駿、丁俊毅、董紅。本標(biāo)準(zhǔn)為首次發(fā)布。本標(biāo)準(zhǔn)在執(zhí)行過(guò)程中的意見或建議反饋至中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化管理中心(北京市宣武區(qū)白廣路二條1號(hào),100761)。DL/TDL/T2033—2019DL/TDL/T2033—2019PAGEPAGE15PAGEPAGE16火電廠用高壓變頻器功率單元試驗(yàn)方法范圍試驗(yàn)等要求。6kV10kV50Hz60Hz,輸出電壓不10kV60Hz的火電廠用高壓變頻器功率單元試驗(yàn)。規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T2423.3 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第3部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cab:恒定濕熱試GB/T2900.33 電工術(shù)語(yǔ)電力電子技術(shù)GB/T2900.83-2008 電工術(shù)語(yǔ)電的和磁的器件GB12668.3 調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng)第3部分:電磁兼容性要求及其特定的試驗(yàn)方GB12668.501-2013調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng)第5-1部分安全要求電氣、熱和能量GB/T17626.2 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.3 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.4 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試GB/T17626.5 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.6 GB/T29332 半導(dǎo)體器件 分立器件第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)GB/T30843.1 1kV以上但不超過(guò)35kV的通用變頻調(diào)速設(shè)備 第1部分:技術(shù)條GB/T30843.2 1kV以上但不超過(guò)35kV的通用變頻調(diào)速設(shè)備 第2部分:試驗(yàn)方DL/T1195-2012火電廠用高壓變頻器運(yùn)行與維護(hù)規(guī)范術(shù)語(yǔ)和定義由GB/T2900.33、GB/T2900.83、GB12668.501、GB/T30843.2、DL/T1195界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。為便于使用,以下重復(fù)列出了某些術(shù)語(yǔ)和定義。3.1高壓變頻器highvoltagevariablefrequencydrive改變輸出頻率和輸出電壓控制交流高壓電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速的調(diào)速控制裝置。[DL/T1195-2012,術(shù)語(yǔ)和定義3.1]3.2整流器rectifier將單相或多相交流電流變換成單一方向電流的電能變換器。[GB/T2900.83-2008,術(shù)語(yǔ)和定義151-13-45]3.3逆變器 inverter將直流電流變換成單相或多相交流電流的電能變換器。[GB/T2900.83-2008,術(shù)語(yǔ)和定義151-13-46]3.4基本絕緣basicinsulation設(shè)置在帶電部分上,作為電擊基本防護(hù)的絕緣。[GB12668.501-2013,術(shù)語(yǔ)和定義3.3]3.5保護(hù)隔離protectiveseparation在電路之間通過(guò)基本保護(hù)和附加保護(hù)措施(基本絕緣加附加絕緣或保護(hù)屏蔽)或一種等效保護(hù)措施(例如加強(qiáng)絕緣)實(shí)現(xiàn)隔離。[GB12668.501-2013,術(shù)語(yǔ)和定義3.32]功率單元構(gòu)成節(jié)、輸出母線??刂齐娐窇?yīng)包括控制電源電路、光纖通訊電路、指令運(yùn)算電路、IGBT驅(qū)動(dòng)電路。功率1。整流器

直流環(huán)節(jié)

逆變器 旁路環(huán)節(jié)輸入母線輸入母線輸出母線接觸器晶閘管圖1功率單元主電路典型結(jié)構(gòu)原理圖輸出額定容量在規(guī)定的電源條件下,輸出額定電壓和額定頻率時(shí),功率單元的輸出容量應(yīng)不低于額定容量。試驗(yàn)條件一般要求正常的試驗(yàn)環(huán)境條件下,環(huán)境溫度范圍宜為5℃~40℃,相對(duì)濕度范圍宜為5%~85%,無(wú)凝露;電氣試驗(yàn)條件應(yīng)符合GB/T30843.1的規(guī)定;應(yīng)有保護(hù)試驗(yàn)人員的安全措施。儀器儀表試驗(yàn)儀器、儀表、傳感器均應(yīng)經(jīng)計(jì)量檢定或校準(zhǔn)合格并在有效期內(nèi)。電氣測(cè)量?jī)x表準(zhǔn)確度不應(yīng)低于05級(jí)(℃。5.3試驗(yàn)平臺(tái)三相調(diào)壓器功率單元電網(wǎng)配電交流電子負(fù)載三相調(diào)壓器功率單元電網(wǎng)配電交流電子負(fù)載試驗(yàn)平臺(tái)圖2功率單元典型試驗(yàn)平臺(tái)原理圖試驗(yàn)試驗(yàn)項(xiàng)目1規(guī)定。試驗(yàn)周期應(yīng)根據(jù)設(shè)備運(yùn)行情況設(shè)定,在有下列情況之一時(shí),應(yīng)進(jìn)行例行試驗(yàn):3年~5年;功率單元發(fā)生嚴(yán)重故障時(shí);c)功率單元更換控制板卡等重要部件時(shí);d)e)用戶認(rèn)為有必要時(shí)。表1試驗(yàn)項(xiàng)目類別試驗(yàn)項(xiàng)目型式試驗(yàn)出廠試驗(yàn)例行試驗(yàn)參數(shù)核對(duì)二極管參數(shù)核對(duì)√√√電容參數(shù)核對(duì)√√√IGBT參數(shù)核對(duì)√√√晶閘管參數(shù)核對(duì)√√√接觸器參數(shù)核對(duì)√√√性能試驗(yàn)絕緣試驗(yàn)√√√控制電路上電試驗(yàn)√√√主電路加電試驗(yàn)√√√電壓保護(hù)試驗(yàn)√√√表1(續(xù))類別試驗(yàn)項(xiàng)目型式試驗(yàn)出廠試驗(yàn)例行試驗(yàn)性能試驗(yàn)過(guò)溫保護(hù)試驗(yàn)√√IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)試驗(yàn)√√√電磁兼容試驗(yàn)√√√負(fù)載試驗(yàn)√√濕熱試驗(yàn)√參數(shù)核對(duì)二極管參數(shù)核對(duì)二極管參數(shù)應(yīng)符合表2要求。表2二極管參數(shù)器件名稱參考電流A參考電壓V整流二極管>1.414IAN>2UAN旁路二極管>2IVN>2UVN注:IAN-功率單元輸入額定電流有效值;IVN-功率單元輸出額定電流有效值;UAN-功率單元輸入額定電壓有效值;UVN-功率單元輸出額定電壓有效值。電容參數(shù)核對(duì)直流環(huán)節(jié)電容參數(shù)應(yīng)符合表3要求。表3直流環(huán)節(jié)電容參數(shù)器件名稱參考容量μF輸入電壓V參考?jí)勖黨電解電容>60IAN69010000(85℃)薄膜電容>30IAN690100000(70℃)注:輸入電壓小于690V的功率單元,按反線性比例計(jì)算參考容量。IGBTIGBT參數(shù)應(yīng)符合表4要求。表4IGBT參數(shù)器件名稱結(jié)溫℃參考電流A參考電壓VIGBT(絕緣柵雙極型晶體管)150>2IVN>2UVN6.2.5晶閘管和接觸器參數(shù)核對(duì)晶閘管和接觸器參數(shù)應(yīng)符合表5要求。表5晶閘管和接觸器參數(shù)器件名稱參考電流A參考電壓V晶閘管>1.414IVN>2UVN接觸器>1.414IVN/3>UVN性能試驗(yàn)絕緣試驗(yàn)a)絕緣電阻1000V1MΩ6要求。表6測(cè)量絕緣電阻的試驗(yàn)電壓 單位:V額定絕緣電壓U試驗(yàn)電壓U≤5025050<U≤300500300<U≤10001000b)絕緣電壓主電路、控制電路的絕緣電壓,應(yīng)符合表7要求。表7絕緣電壓 單位:V系統(tǒng)電壓沖擊電壓暫時(shí)過(guò)電壓(峰值/有效值)IIIIIIIV≤5033050080015001770/1250100500800150025001840/13001508001500250040001910/135030015002500400060002120/150060025004000600080002550/18001000400060008000120003110/2200交流或直流電壓試驗(yàn)交流或直流試驗(yàn)電壓應(yīng)符合表8要求。表8交流或直流試驗(yàn)電壓 單位工作電壓(重復(fù)峰值)型式試驗(yàn)、出廠試驗(yàn)電壓(基本絕緣)型式試驗(yàn)(保護(hù)隔離電路)交流有效值直流交流有效值直流≤71801101602201411602253204502122403404806803303805307601100440500700100014006006809601400190010001100160022003200控制電路上電試驗(yàn)控制電路上電試驗(yàn)應(yīng)測(cè)試穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓范圍、輸出紋波系數(shù)。穩(wěn)壓范圍測(cè)試時(shí),穩(wěn)壓電源應(yīng)接額定負(fù)載,根據(jù)穩(wěn)壓范圍的要求,改變輸入電壓幅值,測(cè)量輸出電壓的變化,輸出電壓與額定電壓偏差應(yīng)小于5%。輸出紋波系數(shù)測(cè)試時(shí),輸入、輸出電壓和負(fù)載電流應(yīng)為額定值,測(cè)量輸出紋波電壓峰峰值,輸出電壓紋波系數(shù)應(yīng)小于2%。主電路加電試驗(yàn)IGBT節(jié)電壓值、電容均壓值、報(bào)警動(dòng)作情況。保護(hù)功能試驗(yàn)電壓保護(hù)試驗(yàn)電壓保護(hù)應(yīng)包含欠壓、過(guò)壓、輸入缺相等功能。欠壓保護(hù)定值上限應(yīng)小于75%Ud,過(guò)壓保護(hù)定值下限應(yīng)大于125%Ud,輸入缺相時(shí)應(yīng)正確報(bào)警。注:Ud為直流母線額定電壓。過(guò)溫保護(hù)試驗(yàn)在功率單元控制板過(guò)溫采集端施加模擬過(guò)溫信號(hào),功率單元應(yīng)正確報(bào)警。IGBTIGBTIGBT(IGBT開路或短路3。IGBT驅(qū)動(dòng)試驗(yàn)用控制單元光纖功率單元控制板控制連線IGBT故障發(fā)生器圖3IGBT損壞時(shí)的驅(qū)動(dòng)保護(hù)試驗(yàn)原理圖驅(qū)動(dòng)保護(hù)性能試驗(yàn)IGBTGB/T29332IGBT進(jìn)行雙脈沖測(cè)試。電磁兼容試驗(yàn)最低抗擾度功率單元的最低抗擾度應(yīng)符合表9要求。表9最低抗擾度測(cè)試部位試驗(yàn)項(xiàng)目依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)抗擾度等級(jí)機(jī)殼端口靜電放電GB/T17626.28kVCD或8kVAD(CD不可能時(shí))射頻電磁場(chǎng)(調(diào)幅)GB/T17626.380MHz~1000MHz,3V/m,80%AM(1kHz)電源端口快速瞬變GB/T17626.44kV/5kHz浪涌(1.2/50s,8/20s)GB/T17626.51kV,2kV傳導(dǎo)性射頻共模GB/T17626.60.15MHz~80MHz,10V,80%AM(1kHz)快速瞬變GB/T17626.44kV/5kHz,容性鉗信號(hào)接口快速瞬變GB/T17626.44kV/5kHz,容性鉗傳導(dǎo)性射頻共模GB/T17626.60.15MHz~80MHz,3V,80%AM(1kHz)注:CD:接觸放電;AD:空氣放電;AM:調(diào)幅。電磁兼容試驗(yàn)功率單元的電磁兼容性試驗(yàn),應(yīng)按GB12668.3執(zhí)行。功率單元輸出側(cè)接電抗器,調(diào)節(jié)功率單元輸出無(wú)功電流至110%的輸出額定電流,IGBT關(guān)斷尖峰電壓應(yīng)小于1.4Ud,電解電容紋波電壓應(yīng)小于3.5%Ud,電解電容紋波電壓應(yīng)小于5.5%Ud。有功負(fù)載試驗(yàn)GB/T30843.14。濕熱試驗(yàn)(穩(wěn)態(tài))功率單元濕熱試驗(yàn)(穩(wěn)態(tài))應(yīng)按GB/T2423.3、GB12668.501執(zhí)行。試驗(yàn)溫度應(yīng)為(40±2)℃,相對(duì)濕度應(yīng)為(93±3)%,暴露持續(xù)時(shí)間應(yīng)大于24h。二極管整流器二極管整流器直流環(huán)節(jié)層間母線散熱片IGBT逆變器溫度采集系統(tǒng)試驗(yàn)用控制單元功率單元交流電子負(fù)載圖4有功負(fù)載試驗(yàn)原理圖試驗(yàn)流程功率單元試驗(yàn)典型流程參見附錄A。試驗(yàn)報(bào)告編寫要求試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包含下列內(nèi)容:結(jié)論。試驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)包含下列數(shù)據(jù):實(shí)測(cè)數(shù)據(jù);試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)有要求的環(huán)境溫度或被測(cè)試品溫度;試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)有要求的濕度;試驗(yàn)日期;試驗(yàn)儀器儀表的名稱、型號(hào)。報(bào)告模板試驗(yàn)報(bào)告模板可參見附錄B。附錄A(資料性附錄)試驗(yàn)典型流程適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于級(jí)聯(lián)式高壓變頻器功率單元,基本參數(shù)可按表A.1確定:表A.1 級(jí)聯(lián)式高壓變頻器功率單元基本參數(shù)序號(hào)參數(shù)項(xiàng)基本要求1額定輸入電壓690V(AC)2額定輸出電壓690V(AC)3冷卻方式風(fēng)冷4整流方式二極管不可控整流5逆變側(cè)控制方式PWM控制方式6功率單元等效開關(guān)頻率1.4kHz7單元輸出電平數(shù)兩電平試驗(yàn)準(zhǔn)備功率單元外觀應(yīng)平整,無(wú)過(guò)電壓、碳化痕跡;功率單元應(yīng)由隔離變壓器供電;試驗(yàn)開始前,應(yīng)確認(rèn)系統(tǒng)電氣接線及測(cè)試儀器接線正確。試驗(yàn)設(shè)備試驗(yàn)設(shè)備可按表A.2確定。表A.2 試驗(yàn)設(shè)備序號(hào)設(shè)備名稱基本要求1交流電子負(fù)載單相三相2三相調(diào)壓器輸入電壓:0~380V,輸出電壓:0~1000V,容量:50kVA3三相隔離變壓器電壓:690V,容量:50kVA4萬(wàn)用表交流檔:1500V及以上量程,直流檔:1500V及以上量程5數(shù)字示波器4通道6高壓探頭2000V及以上測(cè)量量程7測(cè)溫儀溫度成像儀(-20℃~150℃)8電流鉗量程500A9單相電抗器3000V/400A保護(hù)功能試驗(yàn)試驗(yàn)接線:保護(hù)功能試驗(yàn)接線圖參見圖A.1。萬(wàn)用表萬(wàn)用表萬(wàn)用表萬(wàn)用表R熔斷器DC+U三相調(diào)壓器隔離變壓器ST熔斷器VDC-K1 K2被測(cè)功率單元220VAC輸入試驗(yàn)用控制單元光纖輸入圖A.1 保護(hù)功能試驗(yàn)接線圖試驗(yàn)流程:檢查并確認(rèn)接線正確,對(duì)試驗(yàn)用控制單元電源通電;K1380V±10V時(shí),觀察功率如正常,繼續(xù)下一步測(cè)試,否則終止測(cè)試,分析問(wèn)題原因;RT光纖,試驗(yàn)用控制單元報(bào)光纖發(fā)送故障。如上述測(cè)試正常,繼續(xù)下一步測(cè)試,否則終止測(cè)試,分析問(wèn)題原因;690V±10V,否則終止測(cè)試,分析問(wèn)題原因;復(fù)。如上述測(cè)試正常,繼續(xù)下一步測(cè)試,否則終止測(cè)試,分析問(wèn)題原因;900V±10V870V±10V常,繼續(xù)下一步測(cè)試,否則終止測(cè)試,分析問(wèn)題原因;480V±10V500V±10V問(wèn)題原因;試驗(yàn)結(jié)束后,對(duì)功率單元斷電并放電。電氣性能試驗(yàn)空載試驗(yàn)試驗(yàn)接線:空載試驗(yàn)接線圖參見圖A.2。RDC+RDC+U三相調(diào)壓器隔離變壓器SVTDC-K1被測(cè)功率單元高壓探頭示波器220VAC輸入光纖輸入圖A.2 空載試驗(yàn)接線圖試驗(yàn)流程:K1;690V±10V;A.3基本一致;15min溫度是否正常;如輸出波形或溫度有異常,應(yīng)立即封鎖輸出,斷電檢查并分析問(wèn)題;試驗(yàn)結(jié)束后,對(duì)功率單元斷電并放電。圖A.3功率單元UV輸出波形圖無(wú)功滿載試驗(yàn)試驗(yàn)接線:無(wú)功滿載試驗(yàn)接線圖參見圖A.4。萬(wàn)用表

溫度顯示

溫度顯示380VAC/3P輸入

三相調(diào)壓器K1220VAC輸入

R隔離 變壓 器試驗(yàn)用控制單元

DC+DC-被測(cè)功率單元光纖

UV高壓探頭

電抗器示波器圖A.4 無(wú)功滿載試驗(yàn)接線圖試驗(yàn)流程:K1;690V±10V;8h;測(cè)試完成后,對(duì)功率單元斷電并放電。有功滿載試驗(yàn)試驗(yàn)接線:有功滿載試驗(yàn)接線圖參見圖A.5。萬(wàn)用表溫度顯示萬(wàn)用表溫度顯示溫度顯示RDC+U三相調(diào)壓器隔離變壓器S電流鉗TV交流DC-KM被測(cè)功率單元高 示壓探 器波頭220VAC輸入試驗(yàn)用控制單元光纖輸入圖A.5 有功滿載試驗(yàn)接線圖試驗(yàn)流程:K1;690V±10V;對(duì)交流電子負(fù)載上電,啟動(dòng)回饋功能,使交流電子負(fù)載處于零功率運(yùn)行狀態(tài);通過(guò)調(diào)節(jié)交流電子負(fù)載,使功率單元輸出電流逐步增大至額定值;72h;測(cè)試完成后,斷電并放電。單雙脈沖試驗(yàn)試驗(yàn)接線:?jiǎn)坞p脈沖試驗(yàn)接線參見圖A.6。試驗(yàn)流程VceIGBT短路電流。測(cè)試主電路的吸收電容、母排特性,測(cè)試驅(qū)動(dòng)組件的保護(hù)特性。IGBT實(shí)際工作特性,檢測(cè)門極驅(qū)動(dòng)電阻選型是否合理。12)單脈沖+負(fù)母排+ 單脈沖+負(fù)母排+ 單脈沖負(fù)母排雙脈沖+負(fù)母排+ 雙脈沖+負(fù)母排+ 負(fù)母排圖A.6 單雙脈沖測(cè)試示意圖附錄B(資料性附錄)試驗(yàn)報(bào)告模板B.1試驗(yàn)報(bào)告模板試驗(yàn)報(bào)告模板如表B.1所示。表B.1試驗(yàn)報(bào)告委托單位設(shè)備名稱試驗(yàn)單位1設(shè)備參數(shù)型號(hào)產(chǎn)品編號(hào)額定容量(kVA)額定輸入電壓(V)額定輸入電流(A)頻率變化范圍(Hz)安裝位置冷卻方式整流方式旁路方式出廠日期生產(chǎn)廠家2參數(shù)核對(duì)2.1二極管參數(shù)整流二極管參考電壓(V)參考電流(A)結(jié)論評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)>1.414IAN>2UAN--旁路二極管參考電壓(V)參考電流(A)結(jié)論評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)>2IVN>2UVN--注:IAN-功率單元輸入額定電流有效值;IVN-功率單元輸出額定電流有效值;UAN-功率單元輸入額定電壓有效值;UVN-功率單元輸出額定電壓有效值。2.2電容參數(shù)電解電容參考容量(μF)參考?jí)勖╤)結(jié)論評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)>60IAN10000(85℃)--薄膜電容參考容量(μF)參考?jí)勖Y(jié)論評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)>30IAN100000(75℃)--690V690V2.3IGBT參數(shù)IGBT結(jié)溫(℃)電流參考(A)電壓參考(V)評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)150>2.0IVN>2.0UVN結(jié)論表B.1(續(xù))2.4晶閘管參數(shù)晶閘管參考電流(A)參考電壓(V)結(jié)論評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)>1.414IVN>2UVN--2.5接觸器參數(shù)接觸器參考電流(A)參考電壓(V)結(jié)論評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)>1.414IVN/3>UVN--3性能試驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn):GB/T2423.3電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第3部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cab:恒定濕熱試驗(yàn)GB12668.3調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng)第3部分:電磁兼容性要求及其特定的試驗(yàn)方法GB12668.501調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng)第5-1部分安全要求電氣、熱和能量GB/T17626.2電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.3電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

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