PVD鍍膜工藝簡介教學(xué)內(nèi)容課件

PVD鍍膜工藝簡介PVD鍍膜工藝簡介1二、真空蒸發(fā)鍍膜

一、PVD的定義及分類三、真空濺射鍍膜四、真空離子鍍膜1二、真空蒸發(fā)鍍膜一、PVD的定義及分類三、真空濺射鍍PVD鍍膜工藝簡介教學(xué)內(nèi)容課件3

物理氣相沉積是一種物理氣相反應(yīng)生長法。沉積過程是在真空或低氣壓氣體放電條件下，即在低溫等離子體中進(jìn)行的。涂層的物質(zhì)源是固態(tài)物質(zhì)，經(jīng)過“蒸發(fā)或濺射”后，在零件表面生成與基材性能完全不同的新的固體物質(zhì)涂層。

1.PVD的定義3物理氣相沉積是一種物理氣相反應(yīng)生長法。沉積過程是在42.PVD的基本過程從原料中發(fā)射粒子（經(jīng)過蒸發(fā)、升華、濺射和分解等過程）；粒子輸運到基片（粒子之間發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離化、復(fù)合、反應(yīng)，能量的交換和運動方向的變化）；粒子在基片上凝結(jié)、成核、長大和成膜。42.PVD的基本過程從原料中發(fā)射粒子（經(jīng)過蒸發(fā)、升華、濺射53.PVD的分類真空蒸發(fā)鍍膜真空濺射鍍膜真空離子鍍膜53.PVD的分類6二、真空蒸發(fā)鍍膜671.真空的定義2.真空蒸發(fā)鍍膜的定義

泛指低于一個大氣壓的氣體狀態(tài)。與普通大氣壓狀態(tài)相比，分子密度較為稀薄，從而氣體分子和氣體分子、氣體分子和器壁之間的碰撞幾率要低一些。

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下，用蒸發(fā)器加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之汽化，蒸發(fā)粒子流直接射向基片并在基片上沉積形成固態(tài)薄膜的技術(shù)。括熱蒸發(fā)和EB蒸發(fā)（電子束蒸發(fā)）71.真空的定義2.真空蒸發(fā)鍍膜的定義泛指低于一個大889910熱蒸發(fā)是在真空狀況下，將所要蒸鍍的材料利用電阻加熱達(dá)到熔化溫度，使原子蒸發(fā)，到達(dá)并附著在基板表面上的一種鍍膜技術(shù)。特點：裝置便宜、操作簡單廣泛用于Au、Ag、Cu、Ni、In、Cr等導(dǎo)體材料。4.熱蒸發(fā)原理及特點104.熱蒸發(fā)原理及特點115.E-Beam蒸發(fā)原理

熱電子由燈絲發(fā)射后，被加速陽極加速，獲得動能轟擊到處于陽極的蒸發(fā)材料上，使蒸發(fā)材料加熱氣化，而實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。特點：多用于要求純度極高的膜、絕緣物的蒸鍍和高熔點物質(zhì)的蒸鍍115.E-Beam蒸發(fā)原理熱電子由燈絲發(fā)射后，被加121213二、真空濺射鍍膜1314

給靶材施加高電壓（形成等離子狀態(tài)），使正荷電氣體離子撞擊靶材、金屬原子飛彈，而在樣品表面形成金屬皮膜的方法。1.真空濺射鍍膜的定義141.真空濺射鍍膜的定義151516電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。2.磁控濺射鍍膜的定義16電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)173.輝光放電的定義輝光放電是指在稀薄氣體中，兩個電極之間加上電壓時產(chǎn)生的一種氣體放電現(xiàn)象。173.輝光放電的定義18直流濺射：適用于金屬材料射頻濺射：是適用于各種金屬和非金屬材料的一種濺射沉積方法18194.真空濺射鍍膜的優(yōu)缺點194.真空濺射鍍膜的優(yōu)缺點20三、真空離子鍍膜2021

在真空條件下，利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時，把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物蒸鍍在基片上。離子鍍把輝光放電、等離子體技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)結(jié)合在一起1.真空離子鍍膜的定義211.真空離子鍍膜的定義2222232.真空離子鍍膜的原理232.真空離子鍍膜的原理243.真空離子鍍膜的特點243.真空離子鍍膜的特點25真空蒸鍍、濺射鍍膜和離子鍍的比較2526Thank

you!26Thankyou!PVD鍍膜工藝簡介PVD鍍膜工藝簡介28二、真空蒸發(fā)鍍膜

一、PVD的定義及分類三、真空濺射鍍膜四、真空離子鍍膜1二、真空蒸發(fā)鍍膜一、PVD的定義及分類三、真空濺射鍍PVD鍍膜工藝簡介教學(xué)內(nèi)容課件30

物理氣相沉積是一種物理氣相反應(yīng)生長法。沉積過程是在真空或低氣壓氣體放電條件下，即在低溫等離子體中進(jìn)行的。涂層的物質(zhì)源是固態(tài)物質(zhì)，經(jīng)過“蒸發(fā)或濺射”后，在零件表面生成與基材性能完全不同的新的固體物質(zhì)涂層。

1.PVD的定義3物理氣相沉積是一種物理氣相反應(yīng)生長法。沉積過程是在312.PVD的基本過程從原料中發(fā)射粒子（經(jīng)過蒸發(fā)、升華、濺射和分解等過程）；粒子輸運到基片（粒子之間發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離化、復(fù)合、反應(yīng)，能量的交換和運動方向的變化）；粒子在基片上凝結(jié)、成核、長大和成膜。42.PVD的基本過程從原料中發(fā)射粒子（經(jīng)過蒸發(fā)、升華、濺射323.PVD的分類真空蒸發(fā)鍍膜真空濺射鍍膜真空離子鍍膜53.PVD的分類33二、真空蒸發(fā)鍍膜6341.真空的定義2.真空蒸發(fā)鍍膜的定義

泛指低于一個大氣壓的氣體狀態(tài)。與普通大氣壓狀態(tài)相比，分子密度較為稀薄，從而氣體分子和氣體分子、氣體分子和器壁之間的碰撞幾率要低一些。

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下，用蒸發(fā)器加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之汽化，蒸發(fā)粒子流直接射向基片并在基片上沉積形成固態(tài)薄膜的技術(shù)。括熱蒸發(fā)和EB蒸發(fā)（電子束蒸發(fā)）71.真空的定義2.真空蒸發(fā)鍍膜的定義泛指低于一個大35836937熱蒸發(fā)是在真空狀況下，將所要蒸鍍的材料利用電阻加熱達(dá)到熔化溫度，使原子蒸發(fā)，到達(dá)并附著在基板表面上的一種鍍膜技術(shù)。特點：裝置便宜、操作簡單廣泛用于Au、Ag、Cu、Ni、In、Cr等導(dǎo)體材料。4.熱蒸發(fā)原理及特點104.熱蒸發(fā)原理及特點385.E-Beam蒸發(fā)原理

熱電子由燈絲發(fā)射后，被加速陽極加速，獲得動能轟擊到處于陽極的蒸發(fā)材料上，使蒸發(fā)材料加熱氣化，而實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。特點：多用于要求純度極高的膜、絕緣物的蒸鍍和高熔點物質(zhì)的蒸鍍115.E-Beam蒸發(fā)原理熱電子由燈絲發(fā)射后，被加391240二、真空濺射鍍膜1341

給靶材施加高電壓（形成等離子狀態(tài)），使正荷電氣體離子撞擊靶材、金屬原子飛彈，而在樣品表面形成金屬皮膜的方法。1.真空濺射鍍膜的定義141.真空濺射鍍膜的定義421543電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。2.磁控濺射鍍膜的定義16電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)443.輝光放電的定義輝光放電是指在稀薄氣體中，兩個電極之間加上電壓時產(chǎn)生的一種氣體放電現(xiàn)象。173.輝光放電的定義45直流濺射：適用于金屬材料射頻濺射：是適用于各種金屬和非金屬材料的一種濺射沉積方法18464.真空濺射鍍膜的優(yōu)缺點194.真空濺射鍍膜的優(yōu)缺點47三、真空離子鍍膜2048

在真空條件下，利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時，把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物蒸鍍在基片上。離子鍍把輝光放電、