數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管三極管基本知識(shí)(補(bǔ)充)課件

2.2半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性導(dǎo)體：銅，銀，鋁，鐵……絕緣體：云母，陶瓷，塑料，橡膠……半導(dǎo)體：硅，鍺……半導(dǎo)體得以廣泛應(yīng)用，是因?yàn)槠鋵?dǎo)電性能會(huì)隨外界條件的變化而產(chǎn)生很大的變化。1.

半導(dǎo)體材料使導(dǎo)電性能產(chǎn)生很大變化的外界條件主要有：溫度上升，電阻率下降。光照：光照使電阻率降低。摻雜：摻入少量的雜質(zhì)，會(huì)使電阻率大大降低。2.2.1

半導(dǎo)體基本知識(shí)12.鍺、硅晶體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)（1）原子結(jié)構(gòu)硅+14鍺+32共同特點(diǎn)：最外層具有4個(gè)價(jià)電子。+42（2）晶格與共價(jià)鍵半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)處于共價(jià)鍵中的電子稱為束縛電子。束縛電子能量小，不能參與導(dǎo)電。3空穴的運(yùn)動(dòng)半導(dǎo)體中有兩種載流子：自由電子和空穴。半導(dǎo)體中的電流是電子流和空穴流之和。在本征半導(dǎo)體中，自由電子數(shù)總等于空穴數(shù)，且濃度低，導(dǎo)電能力差。束縛電子填補(bǔ)空穴的運(yùn)動(dòng)稱空穴的運(yùn)動(dòng)。硅原子的價(jià)電子比鍺離核近，受原子核束縛力較大，在同樣溫度下本征激發(fā)較小，溫度穩(wěn)定性較好。本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子濃度隨溫度增加急劇增大。54.雜質(zhì)半導(dǎo)體（1）P型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量3價(jià)元素（如硼）形成。+4+3+4+4+4

空穴-----多數(shù)載流子(多子)自由電子---少數(shù)載流子(少子)本征激發(fā)產(chǎn)生電子-空穴對。一個(gè)三價(jià)雜質(zhì)原子產(chǎn)生一個(gè)空穴-負(fù)離子對。雜質(zhì)元素使共價(jià)鍵上缺少1個(gè)電子三價(jià)雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。雜質(zhì)原子獲得一個(gè)電子成為負(fù)離子。硅原子的共價(jià)鍵上缺少一個(gè)電子形成空穴。6（2）N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入少量的5價(jià)元素（如磷）形成。雜質(zhì)原子多余的一個(gè)價(jià)電子容易掙脫原子核的束縛變成自由電子。一個(gè)5價(jià)雜質(zhì)原子產(chǎn)生一個(gè)電子-正離子對。本征激發(fā)：自由電子-空穴對雜質(zhì)原子失去一個(gè)電子成為正離子。5價(jià)雜質(zhì)-----施主雜質(zhì)自由電子-----多數(shù)載流子空穴-----少數(shù)載流子7結(jié)論◆摻雜會(huì)大大提高半導(dǎo)體中載流子濃度，使導(dǎo)電性能大增?！魮饺胛鍍r(jià)雜質(zhì)產(chǎn)生N型半導(dǎo)體（電子型半導(dǎo)體）

多子—電子、少子—空穴?！魮饺肴齼r(jià)雜質(zhì)產(chǎn)生P型半導(dǎo)體（空穴型半導(dǎo)體）

多子—空穴、少子—電子?！舳嘧訚舛冉频扔陔s質(zhì)濃度，少子濃度與溫度密切相關(guān)。8◆空間電荷產(chǎn)生內(nèi)建電場

內(nèi)建電場阻止多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)?！艉谋M層

PN結(jié)內(nèi)由于擴(kuò)散與復(fù)合，使載流子幾乎被耗盡，是高阻區(qū)。也稱阻擋層。結(jié)區(qū)EPN◆內(nèi)建電場有利于少子的漂移運(yùn)動(dòng)。載流子在電場作用下產(chǎn)生的定向運(yùn)動(dòng)稱漂移運(yùn)動(dòng)?！魯U(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，PN結(jié)形成。動(dòng)態(tài)平衡時(shí)流過PN結(jié)的總電流為0。102.PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

(1)外加正向電壓內(nèi)電場外電場正向偏置:

P區(qū)接電源＋端

N區(qū)接電源－端◆空間電荷減少，結(jié)區(qū)變窄在外電場的作用下P區(qū)空穴向結(jié)區(qū)運(yùn)動(dòng)，中和部分負(fù)離子。N區(qū)自由電子向結(jié)區(qū)運(yùn)動(dòng)，中和部分正離子?！嗫臻g電荷減少，結(jié)區(qū)變窄。VF12VR(2)外加反向電壓內(nèi)電場外電場反向偏置:P區(qū)接電源－端，N區(qū)接電源＋端。◆結(jié)內(nèi)電位差增加，勢壘提高。◆空間電荷增加，結(jié)區(qū)變寬。

P區(qū)的空穴，N區(qū)的自由電子，均背離結(jié)區(qū)運(yùn)動(dòng)，使空間電荷增加，結(jié)區(qū)變寬。V0V0+VR14◆只有很微小的反向電流多子的擴(kuò)散電流趨于0，由少子的漂移電流產(chǎn)生反向電流，少子濃度很小，所以反向電流很小。反向電流幾乎與反向電壓的大小無關(guān)，但隨溫度增加急劇增大。PN結(jié)反向截止時(shí)，其反向截止電阻很大。15結(jié)論◆加正向電壓，很小的電壓能產(chǎn)生較大電流，外加電壓很小變化，將引起電流的較大變化。◆加反向電壓，只能產(chǎn)生微小的反向電流，且反向電流的大小幾乎與反向電壓無關(guān)。◆

PN結(jié)正向電阻小，反向電阻大，具有單向?qū)щ娦浴?6(3)

PN結(jié)的V-I特性IS：反向飽和電流VT：溫度的電壓當(dāng)量VT=kT/qK=1.38×10-23（J/K）q=1.6×10-19CT絕對溫度當(dāng)T=300K時(shí)，VT≈26mV。iD

ISvD17加正向電壓

vD>0幾乎與反向電壓的大小無關(guān)加反向電壓

vD<0182.2.3半導(dǎo)體二極管1.半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管是由PN結(jié)加電極引線封裝而成的。結(jié)構(gòu)有：點(diǎn)接觸型：PN結(jié)面積小，極間電容小，高頻特性好，但反向耐壓較低，正向電流較小。用于高頻檢波、開關(guān)器件等。面接觸型：PN結(jié)面積大，反向耐壓較高，正向電流較大，用于整流。二極管的符號(hào)正極(P)負(fù)極(N)20死區(qū)2.二極管的V-I特性（1）正向特性存在門坎電壓Vth

（死區(qū)電壓）

硅0.5V鍺0.1V

正向?qū)妷汉苄?，?.6～0.8V（估算值0.7V）

鍺0.2～0.3V（估算值0.2V）實(shí)際二極管的V-I特性與PN結(jié)特性基本相同。iD

ISvDVth理想PN結(jié)的特性：正向?qū)▍^(qū)213.二極管的參數(shù)(1)最大整流電流IF

管子長期運(yùn)行允許通過的最大正向平均電流。(2)反向擊穿電壓VBR

反向電流急劇增加時(shí)所加的反向電壓。（參數(shù)表中一般規(guī)定反向電流所達(dá)到的值）最高反向工作電壓一般取擊穿電壓的一半。(3)反向電流IR

管子未發(fā)生電擊穿時(shí)的反向電流。（參數(shù)表中一般規(guī)定所應(yīng)加的反向電壓）234.二極管基本電路及其分析方法二極管是一種非線性器件，分析含二極管的電路一般采用圖解法和模型分析法。(1)

二極管正向v—i的建模a.理想模型

iD＞0→vD=0iDvDiDvDiD

vD

iD

vD

用于電源電壓>>管壓降的情況，如開關(guān)電路。vD＜0→iD=024c.小信號(hào)模型輸入變化的信號(hào)，且信號(hào)幅度很小，二極管工作在靜態(tài)工作點(diǎn)Q附近的小范圍內(nèi)。用過Q點(diǎn)的切線近似表示V-I曲線上的一小段曲線。切線斜率的倒數(shù)稱微變電阻rd（動(dòng)態(tài)電阻）小信號(hào)模型只用于動(dòng)態(tài)分析，方程中求解的變量是信號(hào)量。（電壓和電流瞬時(shí)值的變化量）Drd△vD△iD26rd的計(jì)算rd與靜態(tài)工作電流有關(guān)。27(2)二極管模型分析法a.靜態(tài)分析①圖解法

VDD

VDIDRID=f（VD）VD=VDD-IDRVQIQ28b.限幅電路Vo

R1K

VR3VVi設(shè)二極管為理想二極管，(1)設(shè)Vi=0V、4V，求Vo先求理想二極管兩端的開路電壓VDO：VDO=Vi-3VDO>0即Vi>3V二極管導(dǎo)通VDO<0即Vi<3V二極管截止Vi=4V，二極管導(dǎo)通Vo=VR=3VVi=0V，二極管截止Vo=Vi=0V30(2)設(shè)vi=6sinωt

畫出vo的波形及傳輸特性Vo

R1K

VR3VViVi>3V二極管導(dǎo)通Vo=VR=3Vvivo3V3V3V6Vvit3VvotVi<3V二極管截止Vo=Vi31c.開關(guān)電路在開關(guān)電路中，二極管一般采用理想模型。關(guān)鍵是：判別二極管是導(dǎo)通，還是截止方法是：將理想二極管開路，計(jì)算兩端的開路電壓，開路電壓大于0，理想二極管導(dǎo)通，將其看作短路。開路電壓小于0，理想二極管截止，將其看作開路。32例1：判斷下圖中二極管是導(dǎo)通還是截止，

并求輸出端電壓Vo（設(shè)二極管是理想的）15VD1D212V1KVoD1導(dǎo)通，D2截止VDO115V12V1KVoVDO2Vo=0VVDO215V12V1KVoVDO1=12VVDO2=－3V33如果多個(gè)二極管的開路電壓都大于0，則先令正向電壓較大的二極管先導(dǎo)通,再重新計(jì)算其他二極管的開路電壓，重新考慮其工作狀態(tài)。34例2：此時(shí)：VDO1=－6V∴D1

截止。Vo=－6V6VD1D212V1KVoVDO16V12V1KVoVDO26V12V1KVoVDO1VDO1=12VVDO2=18VD2優(yōu)先導(dǎo)通35例3:VCC5VVi1R4.7KΩD1D2Vi2VoVCC5VVi1R4.7KΩD1D2Vi2VoVCC5VVi1R4.7KΩD1D2Vi2Vo5VD1導(dǎo)通D2導(dǎo)通Vo=0VD1導(dǎo)通，D2截止Vo=0VVCC5VVi1R4.7KΩD1D2Vi2Vo5VD1截止，D2截止Vo=5V與門電路Vi1=0Vi2=0Vi1=0，Vi2=5VVi1=5V，Vi2=5V36圖2.2.1二極管開關(guān)電路假定VIH=VCC，VIL=0，D為理想開關(guān)元件；vI=VIH時(shí)，D截止，vO=VOH=VCCvI=VIL時(shí)，D導(dǎo)通，vO=VOL=0反向截止：正向?qū)ǎ洪_關(guān)接通開關(guān)斷開由于半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)щ娦?

相當(dāng)于一個(gè)受外加電壓極性控制的開關(guān)。37圖2.2.3二極管伏安特性的幾種近似方法正向?qū)▔航岛驼螂娮璨荒芎雎詢H忽略正向電阻正向?qū)▔航岛驼螂娮瓒己雎浴?8圖2.2.4二極管的動(dòng)態(tài)電流波形半導(dǎo)體二極管的動(dòng)態(tài)工作情況:(1)二極管外加電壓由反向變正向時(shí)，正向?qū)娏鞯慕⑸晕笠稽c(diǎn)；(2)二極管外加電壓由正向變反向時(shí)，產(chǎn)生較大的瞬態(tài)反向電流，并持續(xù)一定的時(shí)間；反向恢復(fù)時(shí)間tre：反向電流從峰值衰減到峰值的十分之一所經(jīng)過的時(shí)間二極管產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因是：電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。tre在納秒數(shù)量級(jí)39*2.2.4

特殊二極管1.穩(wěn)壓管（1）原理利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。反向擊穿后，電流急劇增加，但電壓基本不變。理想穩(wěn)壓管的特性vDiD－vDiD－VZVF40（2）穩(wěn)壓管參數(shù)◆穩(wěn)定電壓VZ：反向電擊穿時(shí)的工作電壓?！舴€(wěn)定電流IZ：

測量穩(wěn)定電壓，動(dòng)態(tài)電阻時(shí)的參考電流值。

iZ>IZ，穩(wěn)壓性能較好，rZ較小?！糇畲蠓€(wěn)定電流IZM：允許的最大電流。

IZ<iZ<IZM◆額定功耗PM：允許的最大功耗。一般PM=IZMVZ?！魟?dòng)態(tài)電阻rZ：反向擊穿區(qū)斜率的倒數(shù)。

rZ=dvZ/diZ。◆溫度系數(shù)：溫度變化1℃，穩(wěn)定電壓變化的百分?jǐn)?shù)。412.2.5半導(dǎo)體三極管—雙極型三極管1.基本結(jié)構(gòu)BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP集電極基極發(fā)射極BCEPNP型42BECNNP基極發(fā)射極集電極基區(qū)：較薄，摻雜濃度低集電區(qū)：面積較大發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高43BECNNP基極發(fā)射極集電極發(fā)射結(jié)集電結(jié)442.電流放大原理BECNNPEBRBECIE基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。IBE發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。進(jìn)入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE

，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。45BECNNPEBRBECIE集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE從基區(qū)擴(kuò)散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。46IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO

ICEIBE47ICE與IBE之比稱為電流放大倍數(shù)要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。48BECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管493.

輸入輸出特性曲線實(shí)驗(yàn)電路:ICmAAVVUCEUBERBIBECEB輸入回路輸出回路50(1)BJT的輸入特性曲線①vCE=0,輸入特性曲線與二極管的正向特性曲線相似。②0<vCE<1V,vCE增大時(shí)，輸入特性曲線略向右移動(dòng)。∵集電結(jié)由正偏逐漸變成反偏，吸引電子的能力增強(qiáng)，從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的電子更多的被集電結(jié)收集，vBE一定時(shí)，流向基極的電流減少。③vCE>1V,輸入特性基本不變?！呒姌O已反偏，已具有足夠收集電子的能力。vBEvCEiCiB51vBC=0(2)

輸出特性

放大區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)（A）放大區(qū)處于放大區(qū)的條件發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。NPN：vBE>0vBC≤0

（硅管vBE≈0.7V）,特點(diǎn)：①iC=?iB+ICEO≒?iB

在放大區(qū)內(nèi)，iC受iB控制。②iB不變，iC受vCE的影響很小，呈現(xiàn)很好的恒流特性。③因?yàn)榛鶇^(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，iC隨vCE增加有微小增加。vBEvCEiCiB擊穿區(qū)52（B）截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。NPN：vBE

＜0,vBC<0

（vBE<Vth

）特點(diǎn)：iB≤0,iC≤ICEO

iE≈iC≈iB≈0（C）飽和區(qū)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。NPN：vBE>0vBC>0

（硅管vBE≈0.7V）特點(diǎn)：iC隨vCE的增加而迅速增加。iC＜?iB

，

iC不受iB控制。vCE很小，稱飽和壓降VCES硅管：VCES≈

0.3v鍺管：VCES≈

0.1v(D)擊穿區(qū)vCE

足夠大時(shí)，集電結(jié)發(fā)生反向擊穿，iC迅速增大。53NPNPNP三極管的比較NPN

PNP特點(diǎn)放大區(qū)VC>VB>VEVBE為結(jié)電壓VC<VB<VEVBE為結(jié)電壓發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏iC=iE=iB截止區(qū)VB<VCVB<VEVB>VCVB>VE發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)反偏iC≈

iE≈

iB≈

0飽和區(qū)VB>VEVB>VCVBE為結(jié)電壓VCE為飽和壓降VB<VEVB<VCVBE為結(jié)電壓VCE為飽和壓降發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏iC<iB飽和壓降硅管：|VCES|≈0.3V鍺管：|VCES|≈0.1V導(dǎo)通時(shí)結(jié)電壓硅管：|VBE|≈0.7V鍺管：|VBE|≈0.2V546v4.BJT的主要參數(shù)(1)

電流放大系數(shù)

Q55①集電極-基極反向飽和電流ICBO小功率鍺管，ICBO

約10μA，硅管ICBO小于1μA。(2)極間反向電流②集電極-發(fā)射極的反向飽和電流ICEO

也稱穿透電流。

ICEO=(1+?)ICBO

鍺管：十～幾百微安硅管：幾微安vCCICBOvCCICEO極間反向電流大小取決于少數(shù)載流子的濃度,與溫度密切相關(guān)。56(3)極限參數(shù)①集電極最大允許電流ICM

一般指?

下降到最大值的0.5時(shí)的電流值。IC超過ICM時(shí)，?值大大下降。②集電極最大允許功耗PCM

集電極功率損耗PC=IC×VCE

當(dāng)PC＞PCM

時(shí)，集電極過熱會(huì)燒毀。③反向擊穿電壓晶體管的兩個(gè)PN結(jié)，在反向電壓超過規(guī)定值時(shí)，會(huì)發(fā)生電擊穿現(xiàn)象。57V(BR)EBO<

V(BR)CEO<

V(BR)CER<V(BR)CBOvCCV(BR)EBOV(BR)CBOV(BR)CEOV(BR)CER集電極開路，發(fā)射極-基極允許的最大反壓發(fā)射極開路，集電極-基極允許的最大反壓基極開路，集電極-發(fā)射極間的最大反壓B-E間接電阻，集電極-發(fā)射極間的最大反壓58晶體管的安全工作范圍安全工作區(qū)過損區(qū)過流區(qū)過壓區(qū)ICMV(BR)CEOPCM59圖2.2.7雙極型三極管的基本開關(guān)電路截止時(shí)，vo≈VCC;飽和導(dǎo)通時(shí)，vo≈0V;5.雙極型三極管的基本開關(guān)電路60(1)輸入電壓vI=0時(shí),vBE=0,iB=0,三極管處于截止?fàn)顟B(tài)；iC=0，vO=VCC(2)輸入電壓vI>VON時(shí),有iB產(chǎn)生,三極管開始進(jìn)入放大區(qū)，則有：61圖2.2.8用圖解法分析圖2.2.7電路

(a)電路圖(b)作圖方法62(3)輸入電壓vI繼續(xù)升高,RC上的壓降隨之增加,當(dāng)RC上的壓降接近VCC，三極管處于深度飽和，開關(guān)電路處于導(dǎo)通狀態(tài)，vO=VOL=0.iBS稱為飽和基極電流。三極管工作于飽和狀態(tài)的條件：iB≥

iBS63圖2.2.9雙極型三極管的開關(guān)等效電路

(a)截止?fàn)顟B(tài)

(b)飽和導(dǎo)通狀態(tài)64工作狀態(tài)截止放大飽和條件iB≈00<iB<ICS/

iB>ICS/工作特點(diǎn)偏置情況發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反偏發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏集電極電流iC≈0iC≈iBiC=ICS管壓降VCEO≈VCCVCE=VCC-iCRC

VCES≈0.2~0.3vc、e間等效內(nèi)阻相當(dāng)于開關(guān)斷開（很大）可變相當(dāng)于開關(guān)閉合（很?。㎞PN型BJT工作狀態(tài)和特點(diǎn)656、雙極型三極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性圖2.2.10雙極型三極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性三極管截止飽和導(dǎo)通662.2.6MOS場效應(yīng)管BJT的缺點(diǎn)：輸入電阻較低,溫度特性差。場效應(yīng)管(FET)：用電場效應(yīng)控制其電流的半導(dǎo)體器件。優(yōu)點(diǎn)：輸入電阻非常高(高達(dá)107~1015歐姆)，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，

抗輻射能力強(qiáng)，工藝簡單，便于集成。按結(jié)構(gòu)分為：結(jié)型場效應(yīng)管(JFET);

絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)按溝道性質(zhì)分為：N溝道;P溝道按偏壓為零時(shí)溝道能否導(dǎo)電分為：耗盡型，增強(qiáng)型場效應(yīng)管工作時(shí)，只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電，所以場效應(yīng)管又稱為單極型晶體管。67sgd襯底b

PN+N+鋁SiO2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管

1.N溝道增強(qiáng)型MOSFETN溝道增強(qiáng)型MOS管示意圖N溝道增強(qiáng)型MOS管符號(hào)MOS場效應(yīng)管的類型：增強(qiáng)型：包括N溝道和P溝道耗盡型：包括N溝道和P溝道dsgbP溝道增強(qiáng)型MOS管符號(hào)dsgb金屬柵極、SiO2絕緣層、半導(dǎo)體，構(gòu)成平板電容器。MOSFET利用柵源電壓的大小，來改變襯底b表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。68（1）

溝道形成原理①vDS=0時(shí)，vGS

的作用在SiO2絕緣層中產(chǎn)生垂直向下的電場，該電場排斥P區(qū)中的多子(空穴)，而將少子(電子)吸向襯底表面。vGS不夠大時(shí)，吸向襯底表面的電子將與空穴復(fù)合而消失，襯底表面留下了負(fù)離子的空間電荷區(qū)—耗盡層，并與兩個(gè)PN結(jié)的耗盡層相連，此時(shí)源區(qū)和漏區(qū)隔斷。無導(dǎo)電溝道iD=0vGS=0時(shí)，iD=00<vGS<VT時(shí)dsgb

PN+N+耗盡層

g

PdsN+N+b69vGS加大，將吸引更多的電子到襯底表面，形成自由電子的薄層——反型層。(表層的導(dǎo)電類型由原來P型轉(zhuǎn)化為N型)N型導(dǎo)電溝道形成。vDS=0時(shí)反型層均勻vGS>VT剛形成反型層所需的vGS的值——開啟電壓VT

。vGS<VT，溝道未形成，iD=0(截止區(qū)）。vGS>VT，溝道形成，

vDS>0時(shí)，將形成電流iD。vGS↑，溝道加寬，溝道電阻↓，

iD↑。

g

PdsN+N+N溝道當(dāng)外加正vDS時(shí)，源區(qū)的多子(電子)將沿反型層漂移到漏區(qū)形成漏極電流iD。70②vGS>VT且不變,vDS對溝道的影響導(dǎo)電溝道形成后，在vDS的作用下，形成漏極電流iD

，沿溝道d→s，電位逐漸下降,sio2中電場沿溝道d→s逐漸加大，導(dǎo)電溝道的寬度也沿溝道逐漸加大，靠近漏極端最窄。vGS>VT,且vGD>VT(或vDS<vGS-VT

)

(∵vDS=vDG+vGS=vGS-vGD<vGS-VT)

溝道暢通，場效應(yīng)管等效為壓控電阻(可變電阻區(qū))。

PN+N+gdsvDS使溝道不再均勻71vDS再↑，使

vGD<VT

(vDS>vGS-VT)

夾斷點(diǎn)向左移動(dòng)，溝道中形成高阻區(qū)，電壓的增加全部降在高阻區(qū)，iD基本不變，場效應(yīng)管等效為壓控電