瀾起科技：全球內(nèi)存接口芯片龍頭圍繞“互連+計算”多方位布局

瀾起科技：全球內(nèi)存接口芯片龍頭，圍繞“互連+計算”多方位布局公司概述：數(shù)據(jù)處理及互連芯片國際領先廠商歷史沿革：內(nèi)存芯片領域全球領先，快速成長，拓寬產(chǎn)品線公司為內(nèi)存接口芯片領域全球龍頭，布局“互連+計算”領域，創(chuàng)始人楊崇和博士技術(shù)背景深厚。瀾起科技于2004年5月成立，目前是國際領先的云計算互連類芯片和數(shù)據(jù)處理類芯片設計（Fabless）公司，主要產(chǎn)品包括互連類芯片如內(nèi)存接口芯片、PCIeRetimer芯片、內(nèi)存模組配套芯片等以及數(shù)據(jù)處理類業(yè)務津逮?服務器平臺。公司創(chuàng)始人楊崇和博士是國內(nèi)較早從事集成電路設計的專家，為美國俄勒岡州立大學電子工程學碩士及博士，1990年至1994年曾在美國國家半導體等公司從事設計研發(fā)工作，1994年至1996年任上海貝嶺新產(chǎn)品研發(fā)部負責人，1997年參與創(chuàng)建中國首家硅谷模式集成電路設計公司新濤科技，該公司于2001年被美國IDT公司收購。楊崇和博士曾擔任IDT公司副總裁，后于2004年創(chuàng)辦瀾起科技。瀾起科技經(jīng)過15年的快速發(fā)展，在內(nèi)存接口芯片領域耕耘十多年，已成為全球從DDR2到DDR5內(nèi)存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應商之一，其相關產(chǎn)品也已成功進入國際主流內(nèi)存、服務器領域，2021年已量產(chǎn)DDR5第一代內(nèi)存接口及內(nèi)存模組芯片。當前瀾起科技為服務器內(nèi)存接口芯片領域全球三家核心玩家之一，市占率約40%。同時，公司陸續(xù)布局拓展津逮?服務器CPU以及混合安全內(nèi)存模組、PCIeRetimer芯片、內(nèi)存模組配套芯片等業(yè)務。公司原境外母公司MontageGroup曾于2013年在納斯達克上市，并于2014年由浦東科投和中電投資聯(lián)合私有化。2013年9月26日，MontageGroup登陸美國納斯達克市場。2014年3月10日，MontageGroup宣布接到浦東科投初步的非約束性私有化要約。2014年6月11日，公司宣布與浦東科投達成并購協(xié)議。2014年11月，浦東科投和中電投資通過聯(lián)合設立的MontageHoldings完成對瀾起科技的收購。2016年4月，MontageHoldings向IntelCapital和SVICNo.28Investment分別發(fā)行了A類優(yōu)先股。2018年5月，公司完成了境外架構(gòu)的拆除。2019年4月，公司申報科創(chuàng)板上市獲得上交所受理。2019年7月，公司作為科創(chuàng)板首批25家公司之一首發(fā)上市。為優(yōu)化業(yè)務運營，公司曾于2017年轉(zhuǎn)讓消費電子業(yè)務給成都瀾至及其相關方。2017年7月，公司管理層及股東為優(yōu)化資源配置、提高運營效率以及提高團隊自主性積極性，決定將體系內(nèi)的消費電子芯片業(yè)務相關資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓給成都瀾至及其關聯(lián)方。自2017年8月起瀾起科技聚焦于服務器芯片領域，成都瀾至聚焦于消費電子芯片領域——不同業(yè)務在不同的主體內(nèi)獨立發(fā)展。公司第一大股東為國資背景的中國電子，亦獲英特爾、三星戰(zhàn)略投資。公司股東眾多，持股結(jié)構(gòu)較為分散，不存在實際控制人。截至2022年4月28日，公司第一大股東為中國電子投資控股有限公司（中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團之參股子公司），持股比例14.32%。第二大股東為IntelCapital，即英特爾公司管理企業(yè)風險投資和全球投資的機構(gòu)，持股比例為9.01%。IntelCapital亦曾在公司的早期融資中參與投資，因而瀾起科技自成立早期便擁有英特爾股權(quán)投資背景。根據(jù)公司招股說明書，三星公司旗下的SVICNo.28Investment在IPO前亦認購了公司1.111%股份，截至2022年4月28日持有約1%股份。財務投資者包括但不限于臨芯投資、中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金、云鋒基金、光大投資等。管理層亦有間接持股。根據(jù)公司公告，公司前十大股東持股比例及部分關聯(lián)關系如下：業(yè)績提升+新品研發(fā)，立體目標激勵下公司短中長期動能兼?zhèn)洹ｋS著AI云處理、服務器高性能內(nèi)存訪問等需求的逐漸增加，公司也積極開展了新產(chǎn)品的研發(fā)工作?；谠诎l(fā)展內(nèi)存接口芯片過程中積累的技術(shù)經(jīng)驗和對客戶需求的了解，公司在2022年啟動了三大新型互連類芯片產(chǎn)品研發(fā)，包括CKD芯片、MCRRCD/DB芯片和MXC芯片，目標于2022年底前完成三種芯片工程樣片的流片；2022年5月已發(fā)布首款MXC芯片，新品進展順利。公司也為此對制定了新一輪限制性股票激勵計劃（草案）。激勵對象為公司技術(shù)（業(yè)務）骨干，共計216人，占2021年年底公司員工總數(shù)527人的40.99%。股權(quán)激勵有望更好的激勵公司員工完成新產(chǎn)品研發(fā)，為公司不斷拓展發(fā)展新動能打下良好基礎。主營業(yè)務：圍繞云計算領域互連與計算環(huán)節(jié)提供芯片解決方案聚焦內(nèi)存接口芯片主業(yè)，拓展津逮?服務器平臺、PCIeRetimer芯片已貢獻營收。公司業(yè)務主要由互連類、計算類兩板塊組成。其中，互連類芯片包括：①內(nèi)存接口芯片為公司傳統(tǒng)主業(yè)，協(xié)助中央處理器存取內(nèi)存數(shù)據(jù)，作為核心邏輯器件提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問速度及穩(wěn)定性，其下游主要為服務器及其內(nèi)存模組廠商；②內(nèi)存模組配套芯片，DDR5標準升級下成為產(chǎn)品標配，通過與聚辰股份、GMT合作布局，其下游主要為服務器及其內(nèi)存模組廠商，并有望隨DDR5升級應用于PC領域；③PCIeRetimer芯片，用于提升PCIe鏈路信號完整性，增強高速信號傳輸距離。計算類芯片主要指津逮?服務器CPU以及混合安全內(nèi)存模組，可以為云計算數(shù)據(jù)中心提供更為安全可靠的運算平臺，并為大數(shù)據(jù)及人工智能時代的各種應用提供強大的綜合數(shù)據(jù)處理及計算力支撐。公司自行研發(fā)、設計ASIC芯片，并由英特爾公司在CPU生產(chǎn)過程中統(tǒng)一封裝，最后由公司銷售給服務器廠商，主要聚焦國內(nèi)商業(yè)端服務器。公司收入呈現(xiàn)穩(wěn)健提升趨勢，2021年津逮?服務器突破成為增長新動能。其中互連類芯片業(yè)務為主，2016~2021年收入占比分別為66.1%、76.1%、99.5%、99.1%、98.4%、67.0%。2017年7月公司轉(zhuǎn)讓消費電子芯片業(yè)務資產(chǎn)，優(yōu)化資源配置，聚焦服務器芯片領域。經(jīng)過前期的客戶驗證與市場推廣，2021年津逮?服務器CPU及混合安全內(nèi)存模組業(yè)務取得突破性進展，收入占比升至33.0%，同比+31.4pcts。同時，公司正在加速研發(fā)人工智能芯片，定位大數(shù)據(jù)吞吐和算法賽道，瞄準未來以大數(shù)據(jù)處理需求為基礎的AI芯片市場?！ミB類芯片：內(nèi)存接口芯片起家，延伸布局內(nèi)存模組配套芯片及PCIeRetimer芯片，行業(yè)升級、需求景氣、新品放量下料收入將重回增長快車道。公司由互連類芯片起家，該業(yè)務仍為當前公司核心業(yè)務；2017、2018年互連類芯片業(yè)務營收分別同比+67.41%、+87.09%，成長快速；2018-2021年，受內(nèi)存市場景氣度及DDR4滲透率趨高影響，該業(yè)務營收平穩(wěn)；該部分業(yè)務2021年營收17.17億元，占公司總營收達67.02%。2016-2018年，公司互連類芯片產(chǎn)品只有內(nèi)存接口芯片一項，占公司營業(yè)收入的比例為99.49%?；诟咚俳涌谛酒?jīng)驗，公司積極拓展互連類芯片新產(chǎn)品，目前貢獻收入較少，但有望成為未來新的增長點。1）內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片：將深度受益服務器需求回暖及DDR5迭代帶來量價齊升機遇。公司專注于內(nèi)存接口芯片的設計。內(nèi)存接口芯片應用于服務器內(nèi)存條，是協(xié)助中央處理器存取內(nèi)存數(shù)據(jù)，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問速度及穩(wěn)定性的核心邏輯器件。目前公司在全球市場份額全球前二，穩(wěn)定在約40%。DDR5時代公司布局內(nèi)存模組配套芯片增量市場，DDR5內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片已于21Q4量產(chǎn)，我們預計未來公司內(nèi)存接口芯片份額穩(wěn)定，配套芯片市場份額有望穩(wěn)步增長，服務器需求回暖及DDR5升級有望帶動該板塊收入重回增長快車道。2）PCIeRetimer芯片：用于提升PCIe鏈路信號完整性，2020年9月公司實現(xiàn)PCIe4.0Retimer芯片量產(chǎn)。PCIe接口用于CPU與高速外設（如GPU、AI加速卡、固態(tài)硬盤、網(wǎng)卡等）通信，Retimer芯片采用先進的信號調(diào)理技術(shù)來補償信道損耗并消除各種抖動源的影響，從而提升信號完整性，增加高速信號的有效傳輸距離。公司產(chǎn)品于2020年9月實現(xiàn)量產(chǎn)，符合PCIe4.0基本規(guī)范，功耗和傳輸延時等關鍵性能指標達到國際先進水平，并已與CPU、網(wǎng)卡、固態(tài)硬盤、GPU和PCIe交換芯片等進行了廣泛的互操作測試。公司2021年PCIe4.0Retimer芯片的實際銷售額1220萬元，同時公司對PCIe5.0提前布局，預計2023年可以實現(xiàn)量產(chǎn)。——津逮?系列服務器平臺：與清華大學及英特爾合作研發(fā)，包含津逮?服務器CPU及混合安全內(nèi)存模組，進入業(yè)績放量期。2016年開始研發(fā)的津逮?CPU是公司推出的一系列具有預檢測和動態(tài)安全監(jiān)控功能的x86架構(gòu)處理器，適用于津逮?或其他通用的服務器平臺。津逮?CPU在英特爾x86處理器的基礎上集成了清華大學的動態(tài)安全監(jiān)控（DSC）技術(shù)，可與公司具有自主知識產(chǎn)權(quán)的混合安全內(nèi)存模組（HSDIMM）搭配而組成津逮?服務器平臺，為云計算服務器提供芯片級的動態(tài)安全監(jiān)控功能。此平臺還融合了先進的異構(gòu)計算與互聯(lián)技術(shù)，可為大數(shù)據(jù)及人工智能時代的各種應用提供強大的綜合數(shù)據(jù)處理及計算力支撐。第一代津逮?服務器CPU及其平臺于2018年底研發(fā)成功，目前已推出第三代產(chǎn)品。該平臺在2018~2020年期間處于推廣階段，其中2018和2019年少量營收主要為銷售樣品所得，2020年實現(xiàn)批量供貨。2018~2020年營收分別為901.2/1627.62/2965.01萬元。2021年，津逮?CPU業(yè)務取得了突破性進展，實現(xiàn)營業(yè)收入8.45億元，同比+2,750.92%。隨著前期的客戶驗證與市場推廣完成，津逮?系列服務器平臺收入快速增長，并逐步迎來業(yè)績釋放，為公司注入增長新動能?！磥硗卣梗翰季智把丶夹g(shù)+拓展產(chǎn)品組合，公司有望成長為服務器連接及計算芯片平臺型設計公司。公司積極布局CXL、SerDes等前沿技術(shù)，保持技術(shù)及產(chǎn)品標準先進性，同時圍繞“連接、計算”兩條主線持續(xù)拓展新品，有望成長為服務器連接及計算芯片平臺型設計公司。（1）連接類：公司對標國際巨擎，立足高速接口芯片領先優(yōu)勢，布局全互連芯片的新賽道。公司將分別針對DDR5世代的UDIMM、SODIMM、高帶寬內(nèi)存接口芯片兩大方向布局拓展CKD芯片、MCRRCD/DB芯片，并針對服務器內(nèi)存擴展及池化所產(chǎn)生的CXL技術(shù)布局PCIeRetimer和MXC芯片，目前公司全球首款CXLMXC芯片已于5月發(fā)布，預計CKD/MCR芯片將于2022年底前流片，2023年量產(chǎn)出貨；（2）計算類：公司看準AI應用對算力要求不斷提高，拓展布局AI芯片。公司定位大數(shù)據(jù)吞吐和算法賽道，在科創(chuàng)板IPO的募投項目中提出開發(fā)用于云端數(shù)據(jù)中心的AI處理器芯片和SoC芯片。目前在人工智能芯片方面，公司與產(chǎn)業(yè)合作伙伴進行了原型適配，并已開始相關芯片及其算法的研發(fā)設計工作，公司預計22年底實現(xiàn)AI芯片產(chǎn)品化，未來持續(xù)看好。財務分析：主業(yè)隨DDR產(chǎn)品周期成長，毛利率隨產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整內(nèi)存接口芯片業(yè)務在DDR4后期營收穩(wěn)定在17~18億元，DDR5時代有望開啟新一輪量價齊升，同時擴品類開啟第二成長曲線。1）2016-2018年快速增長期：公司2016年積極拓展內(nèi)存接口芯片業(yè)務，2017年通過轉(zhuǎn)讓電子業(yè)務資產(chǎn)，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，集中資源至優(yōu)勢業(yè)務，受益于全球內(nèi)存接口芯片市場需求持續(xù)增長，疊加產(chǎn)品競爭優(yōu)勢日趨明顯，公司內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品出貨量和銷售額均快速上升，2016-2018年營收分別為8.45/12.28/17.58億元（CAGR=44%）。2）2019-2020年營收平穩(wěn)期：DDR4滲透率趨于高位，同時2019年全球內(nèi)存行業(yè)景氣度下行，公司內(nèi)存接口芯片銷量收斂但ASP仍提升，全年營收同比-1%；2020年全球服務器市場回暖下，公司產(chǎn)品銷量有所回升帶動全年營收同比+5%至18.24億元。3）2021年起營收加速增長：公司2021年營業(yè)收入為25.62億元，同比+40%，主要系內(nèi)存接口芯片業(yè)務穩(wěn)健，同時津逮?CPU業(yè)務突破性貢獻營收8.45億元，同比+27.5倍。2018年起，公司市場份額穩(wěn)定在約40%，此后其季度收入與服務器市場季度銷售情況基本同向變化。伴隨全球服務器市場的快速增長勢頭，尤其是中國市場的強勁表現(xiàn)，疊加DDR5內(nèi)存接口芯片量產(chǎn)出貨及津逮?CPU業(yè)務持續(xù)發(fā)展，2021Q4公司實現(xiàn)營業(yè)收入9.69億元，同比+173%。往后看，公司DDR5內(nèi)存接口相關芯片放量在即，同時津逮?CPU服務器業(yè)務步入放量期、拓品類成效顯著，受益下游服務器需求景氣，22Q1營收同比+200.61%，我們預計公司未來三年營收有望保持高增長（CAGR=49%）。ASP方面，2016~2021年內(nèi)存接口芯片ASP分別為

15.39/17.44/18.14/21.33/17.69元。其中2020-2021年ASP有所下降，源于公司DDR4內(nèi)存接口芯片處于產(chǎn)品生命周期末期。DDR5內(nèi)存接口芯片及其配套芯片ASP較高，21Q4比重貢獻仍然較低，預計其大量出貨后ASP有望回升。毛利率方面，2016~2021年公司毛利率分別為

51.20%/53.49%/70.54%/73.96%/72.27%/48.08%，其中2019年毛利率同比+3.42pcts，主要源于：1）內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)升級，2019年互連類芯片毛利率同比+4pcts；2）2016~2021年高毛利的互連類芯片營收占比分別為66%/76%/99%/99%/67%，維持高位。2020年毛利率同比-1.69pcts，2021年毛利率同比-24.19pcts，主要系津逮?系列服務器平臺起量攤薄整體毛利率，且公司主要利潤來源DDR4內(nèi)存接口芯片進入產(chǎn)品生命周期后期，產(chǎn)品價格有所回調(diào)，同時DDR5相關產(chǎn)品在21Q4才正式量產(chǎn)出貨，貢獻仍低?！之a(chǎn)品來看，以內(nèi)存接口芯片為主的互連類芯片作為公司的核心產(chǎn)品，使公司毛利率保持高位。由于瀾起科技在該領域的領先地位和產(chǎn)品的高技術(shù)壁壘，2016~2021年該項業(yè)務毛利率分別為

63.00%/65.84%/70.82%74.82%/73.22%/66.72%，我們預計DDR5將帶來ASP及盈利水平回暖，未來毛利率料將保持70%+。2021年，公司津逮?系列服務器平臺業(yè)務進入放量期，占營收比重提升至33.45%，同比+31.82pcts，成為公司收入重要組成部分。津逮?服務器平臺仍處于產(chǎn)品初期，2019~2021年該項業(yè)務毛利率分別為-17.23%/14.83%/10.22%，22Q1毛利率為12%。我們預計短期公司服務器平臺產(chǎn)品仍將以性價比優(yōu)勢快速提升市場份額，未來其市場地位及產(chǎn)品升級有望推升毛利率水平，我們預計毛利率將逐步提升至15%?！c可比公司比較來看，集成電路設計行業(yè)國內(nèi)A股上市公司中，尚無公司與瀾起科技研發(fā)銷售相同產(chǎn)品。可選取模擬和數(shù)?；旌闲酒O計公司兆易創(chuàng)新、圣邦股份、思瑞浦、卓勝微作為同行業(yè)可比公司，盡管其在產(chǎn)品應用、上下游細分市場、競爭狀況存在一定差異，但其經(jīng)營規(guī)模、業(yè)務模式和盈利能力與公司具有可比性。公司近四年毛利率顯著高于可比公司水平，主要是由于各公司銷售產(chǎn)品不同，瀾起科技的內(nèi)存接口芯片技術(shù)全球領先，在市場競爭中處于優(yōu)勢地位，利潤空間較大。2021年由于內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品周期性原因毛利率略低于平均水平。費用率來看，2017~2021年公司期間費用率為25%/27%/19%/28%/22%，2020年期間費用中管理費用同比+97.31%，主要系新增股份支付費用所致，2021年期間費用率已回落至22%。研發(fā)費用率來看，公司注重創(chuàng)新，研發(fā)支出占營業(yè)收入比重高于可比公司平均值。公司2020和2021年研發(fā)費用率均高于可比公司平均值，主要由于公司注重研發(fā)的持續(xù)高投入。2020-2021年，公司研發(fā)人員增長至373人，研發(fā)人員占比由64.07%提升至71%。公司重視自主知識產(chǎn)權(quán)，突破關鍵技術(shù)壁壘，已形成有策略的專利布局。截至2021年，公司累計獲得專利199項，其中國內(nèi)外發(fā)明專利達126項，布圖設計權(quán)63項。且相關投入仍在穩(wěn)定增加，這有助于確保公司在市場競爭的優(yōu)勢地位。管理層重視人才引進與培養(yǎng)，推動公司產(chǎn)品創(chuàng)新，研發(fā)技術(shù)人員占比70%以上。公司董事長楊崇和博士曾在美國國家半導體公司等企業(yè)任職，并于1997年與同仁共同創(chuàng)建硅谷模式的集成電路設計公司新濤科技。楊崇和博士于2010年當選美國電氣和電子工程師協(xié)會院士(IEEEFellow)，積累了豐富的設計、研發(fā)和管理經(jīng)驗。公司總經(jīng)理StephenKuong-IoTai先生曾參與創(chuàng)建Marvell科技集團并就任該公司的工程研發(fā)總監(jiān)，擁有逾25年的半導體架構(gòu)、設計和工程管理經(jīng)驗。公司核心團隊多畢業(yè)于國內(nèi)外著名高校，在技術(shù)研發(fā)、市場銷售、工程管理等領域均有著豐富的閱歷和實戰(zhàn)經(jīng)驗。公司2021年527名員工中71%為研發(fā)技術(shù)人員，同比+2pcts，且研發(fā)技術(shù)人員中65%以上擁有碩士及以上學位，為公司持續(xù)的產(chǎn)品創(chuàng)新提供了重要的人才基礎。公司新產(chǎn)品的研發(fā)常?；趦?nèi)存接口芯片向外拓展，因此研發(fā)人員可以根據(jù)已有經(jīng)驗遷移開發(fā)新產(chǎn)品，具有較強的靈活性。內(nèi)存接口及配套芯片：隨DDR5升級進入新一輪產(chǎn)品周期行業(yè)概覽：用于內(nèi)存模組，配合高性能服務器內(nèi)存條日益增長的性能需求瀾起科技內(nèi)存模組相關芯片目前包括1）內(nèi)存接口芯片和2）內(nèi)存模組配套芯片。1）內(nèi)存接口芯片（包括RCD芯片、DB芯片）是服務器內(nèi)存模組上除內(nèi)存顆粒外的重要芯片，當前均用于服務器端。內(nèi)存接口芯片是存在于DRAM內(nèi)存模塊與內(nèi)存控制器之間的寄存器，可解決大容量內(nèi)存與CPU通信的信號控制、數(shù)據(jù)匹配問題，滿足服務器CPU對內(nèi)存模組日益增長的高性能及大容量需求。內(nèi)存接口芯片可減少內(nèi)存控制器上的負載，讓使用多個內(nèi)存模塊的單個系統(tǒng)更加穩(wěn)定，從DDR到DDR5世代只用在對可擴展性和穩(wěn)定性需求高的服務器端，PC端暫未應用。2）內(nèi)存模組配套芯片是內(nèi)存模組上負責電源管理（PMIC）、配置信息存儲（SPD，模組存在的串行檢測）、溫度傳感（TS）的配套芯片，可用于服務器或PC。2020年7月15日，JEDEC協(xié)會正式公布DDR5標準，DDR5與DDR4相比，將原來位于主板上的PMIC芯片轉(zhuǎn)移至內(nèi)存模組上，使得內(nèi)存模組配套芯片在SPD和TS基礎之上增加了PMIC。內(nèi)存接口芯片的應用種類或數(shù)量，視內(nèi)存模組（內(nèi)存條）的類型而定，常見內(nèi)存模組主要分為四種類型：RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM。按應用領域不同，內(nèi)存模組可以劃分為服務器內(nèi)存模組及普通臺式機、筆記本內(nèi)存模組。服務器內(nèi)存模組主要類型為RDIMM和LRDIMM，采用內(nèi)存接口芯片和配套芯片，是服務器應用主流。與其他類型內(nèi)存模組相比，服務器內(nèi)存模組由于服務器數(shù)據(jù)存儲和處理的負載能力持續(xù)提升，對內(nèi)存模組的穩(wěn)定性、糾錯能力以及低功耗均提出了較高要求。普通臺式機、筆記本內(nèi)存模組主要類型為UDIMM、SODIMM，不采用內(nèi)存接口芯片，但會采用配套芯片，UDIMM也少量應用于低端服務器。DDR5標準下，RDIMM內(nèi)存對應1顆RCD芯片、1顆PMIC、1顆SPD、2顆TS，LRDIMM內(nèi)存在RDIMM內(nèi)存基礎上增加10顆DB芯片。RCD芯片、DB芯片、PMIC、SPD、TS芯片均為公司產(chǎn)品。根據(jù)JEDEC組織的定義，在DDR5世代，服務器內(nèi)存模組RDIMM/LRDIMM搭配一顆寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）、一顆串行檢測芯片（SPD）、一顆電源管理芯片（PMIC）及兩顆溫度傳感器（TS），此外LRDIMM還需要配置10顆數(shù)據(jù)緩沖器（DB）；普通臺式機及筆記本電腦常用的內(nèi)存模組UDIMM/SODIMM搭配一顆SPD及一顆PMIC。（1）RDIMM（寄存式雙列直插內(nèi)存模組）：CPU和內(nèi)存條間增加一個寄存時鐘驅(qū)動器（RegisteredClockDriver,RCD）進行轉(zhuǎn)發(fā)，減少了并行傳輸?shù)木嚯x，密度和頻率提高。目前RDIMM是較為主流的服務器內(nèi)存條，單條容量可達到128GB，頻率較高，價格低于LRDIMM；（2）LRDIMM（減載雙列直插內(nèi)存模組）是目前較為高端的內(nèi)存類型，在RDIMM基礎上增加了10顆數(shù)據(jù)緩存（DataBuffer，DB），降低內(nèi)存控制器負載，可保證服務器上內(nèi)存通道插滿內(nèi)存條。LRDIMM目前單條容量可達256GB，價格最高。隨著云端AI處理逐漸增多，高吞吐、低延遲、高密度的處理需求催生了對更高帶寬、更快速度、更高容量內(nèi)存模組的需求，對此，JEDEC正在制定服務器MCR內(nèi)存模組相關技術(shù)標準。MCR內(nèi)存模組（多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組）是一種更高帶寬的內(nèi)存模組，采用了DDR5LRDIMM“1+10”的基礎架構(gòu)，需要搭配1顆MCRRCD芯片及10顆MCRDB芯片，與普通的RCD和DB芯片相比，設計更復雜，速率更高。與LRDIMM相比，MCR內(nèi)存模組可以同時訪問內(nèi)存模組上的兩個陣列，提供雙倍帶寬，第一代產(chǎn)品最高支持8800MT/s速率，預計在DDR5世代有兩至三代更高速率產(chǎn)品；（3）UDIMM（無緩沖雙列直插內(nèi)存模塊）：CPU和內(nèi)存之間無緩存芯片，時間延遲小，但對于內(nèi)存顆粒需要極高的制造工藝，極難做到高密度、高頻率，常見的單條容量僅2GB/4GB/8GB，最高主頻較低，除少量服務器應用外，常見的PC內(nèi)存也屬于UDIMM類型；（4）SODIMM（小型雙列直插內(nèi)存模組）：內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾矢哌_4800MT/s，小尺寸設計適用于有空間限制的系統(tǒng)，通常用于筆記本電腦等小尺寸應用，兼具高效能、高穩(wěn)定性與高兼容性。LRDIMM適用高容量需求，目前滲透率5%~10%，滲透率提升有望擴展DB芯片市場空間。LRDIMM內(nèi)存相較于RDIMM內(nèi)存，一方面降低了內(nèi)存總線的負載和功耗，另一方面又提供了內(nèi)存的最大支持容量，隨單臺服務器對內(nèi)存容量需求的增加，LRDIMM方案有望獲得更多采用。具體而言，LRDIMM可以支持插滿服務器內(nèi)存插槽情況下的高速率運轉(zhuǎn)，RDIMM在內(nèi)存數(shù)量超過一定數(shù)目后傳輸有效性和頻率會大大下降。目前主流中高端服務器單臺具有24~48個內(nèi)存插槽（目前一顆CPU通常對應12個內(nèi)存插槽，常見2U服務器即對應24個內(nèi)存插槽）。英特爾下一代CPU有望一顆CPU支持16個內(nèi)存插槽。在實際使用中，服務器內(nèi)存插槽上插有的內(nèi)存數(shù)量由用戶自行決定，在內(nèi)存數(shù)量較少情況下，RDIMM與LRDIMM無明顯差別，當內(nèi)存數(shù)量較多時，LRDIMM可支持更大容量以及穩(wěn)定高速的運行頻率。實際運用當中RDIMM仍為市場主流，LRDIMM定位于小眾高端，價格稍貴，但隨著市場對于視頻等大容量數(shù)據(jù)處理需求升級，LDRIMM滲透率仍有望提升。目前LRDIMM滲透率約為5%~10%，由于LRDIMM相較于RDIMM新增10顆DB芯片，公司有望受益LRDIMM滲透率提升。英特爾公司主推的3DXPoint新型存儲器同樣也將搭載DB芯片，若未來3DXPoint方案得到推廣普及，也有望提升DB芯片使用率。未來趨勢：內(nèi)存接口芯片技術(shù)隨著DDR標準的不斷換代而升級，DDR5相比DDR4內(nèi)存接口芯片帶寬和傳輸速率升級，公司DDR5產(chǎn)品已于21Q4量產(chǎn)。DDR是DoubleDataRate的英文縮寫，意指雙倍速率，是內(nèi)存模塊中用于使輸出增加一倍的技術(shù)，是21世紀初主流內(nèi)存規(guī)范，各大芯片組廠商的主流產(chǎn)品均支持DDR標準規(guī)范。根據(jù)JEDEC制定的標準，DDR技術(shù)可具體劃分為DDR、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5等世代。從當前DDR技術(shù)的發(fā)展情況來看，DDR5標準DRAM產(chǎn)品已經(jīng)成熟，2021年四季度公司DDR5內(nèi)存接口芯片量產(chǎn)出貨，逐步進入規(guī)?；逃?。隨著DDR的不斷升級換代，內(nèi)存接口芯片的技術(shù)也隨之不斷升級，內(nèi)存接口芯片公司先后推出了DDR2高級內(nèi)存緩沖器、DDR3寄存緩沖器及內(nèi)存緩沖器、DDR4寄存時鐘驅(qū)動器及數(shù)據(jù)緩沖器、DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片等一系列內(nèi)存接口芯片，分別應用于DDR2FBDIMM（全緩沖雙列直插內(nèi)存模組）、DDR3、DDR4RDIMM（寄存式雙列直插內(nèi)存模組）及LRDIMM（減載雙列直插內(nèi)存模組）和DDR5RDIMM及LRDIMM。公司也憑借自身技術(shù)推出了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5全系列內(nèi)存接口芯片。目前，公司的DDR4及DDR5內(nèi)存接口芯片已成功進入國際主流內(nèi)存、服務器和云計算領域，并占據(jù)全球市場的重要份額。業(yè)務邏輯：服務器需求回暖及DDR5行業(yè)標準迭代升級帶來量價齊升DDR4回顧：公司2013~2018年營收增長受益于DDR4推廣。2013年起，DDR4標準開始普及，DDR4標準中公司貢獻了“1+9”的全緩沖架構(gòu)方案，為公司獲得了一定的先發(fā)優(yōu)勢。同年，公司DDR4內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品大規(guī)模出貨，2014年內(nèi)存接口芯片收入同比增長超過300%。借由DDR4標準普及，公司該產(chǎn)品收入獲得了大幅成長，到2018年公司DDR4收入占比超過95%。DDR4標準中內(nèi)存接口芯片分為4個子代，每2年左右公司更新一個子代，整個DDR4周期約8年，2020~2021年已是DDR4時代末尾。內(nèi)存接口芯片2021年靜態(tài)市場規(guī)模約6.6億美元。我們根據(jù)IDT和Rambus定期報告公開披露數(shù)據(jù)和瀾起科技相關收入推算，2017年內(nèi)存接口芯片的市場規(guī)模為3.88億美元，同比增速34.08%，2018年內(nèi)存接口芯片的市場規(guī)模達5.71億美元，同比增速47%，市場規(guī)模大幅增長。2019年由于全球服務器市場處于景氣度底部區(qū)間，服務器出貨量同比略有下滑，導致內(nèi)存接口芯片市場同比增速降至約5%，市場規(guī)模約6億美元。我們預計2021年內(nèi)存接口芯片市場同比+1.88%，市場規(guī)模達到6.6億美元。一方面源于全球數(shù)據(jù)中心投入加大，服務器出貨量增長；另一方面源于服務器數(shù)據(jù)存儲和處理的負載能力不斷提升，平均單臺服務器中配置內(nèi)存數(shù)量也隨之增長。DDR5時代展望：DDR5升級帶來三方面拉動作用：（1）DDR4升級為DDR5將帶來新一輪內(nèi)存更新需求，由于兩代之間不能通用，新更新的服務器平臺將必須采購DDR5內(nèi)存模組，不存在二手復用等情況，行業(yè)出貨量有望增加。（2）DDR5的頻率較DDR4有大幅提升，DDR4最高速率支持3200MT/s，而從目前JEDEC已經(jīng)公布的相關信息來看，DDR5內(nèi)存接口芯片已經(jīng)規(guī)劃了三個子代，支持速率分別是4800Mbps、5600Mbps、6400Mbps，不排除后續(xù)可能還會有1~2個子代，最高速率可能支持到8400Mbps，相應帶動各個子代間內(nèi)存接口芯片價值量的提升。（3）DDR5中LRDIMM模組從9顆DB升級至10顆DB芯片，同時DDR5各類模組均新增一顆PMIC芯片，擴大整體芯片需求。DDR5滲透率方面，參照DDR4內(nèi)存接口芯片的滲透節(jié)奏，通常每一子代產(chǎn)品在上量后的12個月末滲透率可達到20%~30%，24個月末滲透率可達到50%~70%，36個月末該子代基本完成絕大部分的市場滲透。公司DDR5第一子代相關芯片已于21Q4開始量產(chǎn)，目前正在按計劃推進DDR5第二子代內(nèi)存接口芯片的研發(fā)工作。我們預計到2022年底左右，DDR5滲透率有望達到20%左右，到2023年底有望達到60%。2025年內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片市場空間有望達180.41億元，2021~2025年CAGR高達42%。公司布局內(nèi)存接口芯片規(guī)?？刹鸱譃榱?價來看，整體來看，未來服務器需求回暖疊加DDR5迭代升級將帶來量價齊升機遇。我們預計內(nèi)存接口芯片及內(nèi)存模組配套芯片市場空間將從2021年的44.29億元增長為2025年的180.41億元，CAGR達42%：1）內(nèi)存接口芯片領域，2021年DDR4為市場主流，滲透率為100%，2022年新舊技術(shù)世代交替，我們預計DDR4/DDR5滲透率分別為90%/10%，預計2021~2025年服務器端市場空間將從42.76億元快速上漲為97.93億元，CAGR為23%，PC端不需要用到內(nèi)存接口芯片。2）內(nèi)存模組配套芯片領域，我們假設2022~2025年DDR5服務器滲透率從10%提升為95%，PC端滲透速度快于服務器端，滲透率從2021年的5%快速提升至2025年的95%。DDR5將帶來廣闊增量空間，預計DDR5內(nèi)存模組配套芯片規(guī)模將從2021年的1.53億元快速增長到2025年的82.48億元，其中2025年服務器端內(nèi)存模組配套芯片市場空間為53.41億元，PC端市場空間為29.07億元。——量的維度1：服務器內(nèi)存條數(shù)增加、LRDIMM滲透率提升、內(nèi)存標準升級帶來單臺服務器內(nèi)存接口芯片及配套芯片數(shù)量提升。1）內(nèi)存接口芯片銷量與服務器內(nèi)存條出貨量線性相關，而服務器內(nèi)存條出貨量與服務器出貨量密切相關，同時受益單臺服務器中內(nèi)存條數(shù)量的提升。根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2015~2021年全球服務器出貨量CAGR為5.7%，2019年Q3開始全球服務器市場再度復蘇，2021年全球服務器出貨量增長11.0%，我們預計2022年全球服務器出貨量為1435萬臺，同比+6.0%。同時單臺服務器中內(nèi)存條用量大幅提升，內(nèi)存插槽數(shù)由過去每路最多8個提升至目前每路最多12個，后續(xù)隨新一代CPU升級，內(nèi)存插槽上限有望升級至每路16個。目前主流的2路CPU服務器平均內(nèi)存條數(shù)量在11個左右，隨著內(nèi)存插槽上限提升和實際應用需求提升，單機內(nèi)存用量亦有望提升。2）升級到DDR5世代后，由于RDIMM僅采用1顆RCD+1顆SPD+2顆TS+1顆PMIC芯片，而LRDIMM采用1顆RCD+10顆DB+1顆SPD+2顆TS+1顆PMIC芯片，大大增加了內(nèi)存模組配套芯片需求量，同時LRDIMM滲透率提升大大增加了內(nèi)存接口芯片的用量。我們預計2022年服務器搭載的SPD/PMIC/TS芯片價格分別7.5/13.5/2.5元，從DDR4到DDR5，內(nèi)存模組配套芯片價值量增加26元。我們預計2021年RCD芯片價格在21.45元，而DB芯片單顆在15.60元左右。從RDIMM到LRDIMM，單片內(nèi)存條中內(nèi)存接口芯片價值量由21.45元提升至177.45元。當前LRDIMM滲透率約5%~10%，隨著服務器內(nèi)存消耗量加大，未來大容量內(nèi)存需求具有較大的提升空間。3）DDR5帶動內(nèi)存模組配套芯片成為標配，預計2023年DDR5滲透率超50%。與DDR4內(nèi)存模組相比，DDR5內(nèi)存模組進行了架構(gòu)革新，除了配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外，專用的內(nèi)存模組配套芯片成為標配。具體來說，SPD芯片在DDR5服務器內(nèi)存模組中成為標配，為了降低電壓和能耗，提高供電品質(zhì)，PMIC芯片從主板轉(zhuǎn)移到內(nèi)存模組上，TS芯片也轉(zhuǎn)移到DIMM上，用來實時監(jiān)測DDR5內(nèi)存模組溫度。這些配套芯片可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測、I3C串行總線及路由等輔助功能，與內(nèi)存接口芯片一起共同提升DDR5內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面的性能，滿足新一代服務器、臺式機及便攜式電腦對內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。我們預計2025年末，DDR5有望完成對整個市場的滲透，取代DDR4成為市場主流，進而拉動內(nèi)存接口芯片和配套芯片數(shù)量需求?！康木S度2：下游資本開支回暖，服務器進入景氣周期拉動需求。2006年Google率先推出云計算服務，2008年底，英特爾發(fā)布支持虛擬化技術(shù)的Nehalem處理器，隨后十年，云計算技術(shù)開始迎來大規(guī)模應用并蓬勃發(fā)展。2018年，為消化前期過度投資造成的庫存積壓，海內(nèi)外云廠商開始控制資本支出，帶動服務器量價漲勢走弱。2019年第二季度，北美頭部五家云廠商（Facebook、Microsoft、Apple、Amazon、Google）資本開支開始復蘇，全球云基礎設施和光網(wǎng)絡建設進入新一輪周期，2021年北美五大云廠商資本開支持續(xù)保持高增長，第一季度到第四季度整體資本支出分別為288/317/349/370億美元，MAGA合計同比+39%/47%/36%/19%。據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2021年全球服務器市場出貨量為1354萬臺，同比+11%。展望未來，疫情催化加速全球企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型進程，據(jù)Gartner預測，2022年全球云收入將從2021年的4080億美元增長至4740億美元，同比+16%，2025年超過85%的企業(yè)機構(gòu)將接受云優(yōu)先原則。云計算業(yè)務發(fā)展將推動數(shù)據(jù)中心的建設需求，企業(yè)處理和存儲數(shù)據(jù)量的爆發(fā)式增長更將直接帶動服務器設備的采購。我們預計下游應用市場需求強勁將帶動上游服務器等核心器件進入景氣周期?！獌r的維度：DDR5升級有望帶動內(nèi)存接口芯片ASP提升60%，配套芯片價值量也同步增加。1）DDR5在功耗、傳輸速率、容量等多性能方面均優(yōu)于DDR4。與DDR4標準相比，DDR5標準工作電壓從1.2V下降至1.1V，產(chǎn)品功耗更低；數(shù)據(jù)傳輸起步傳輸速率4800MT/s比DDR4的最高速率3200MT/s提升50%，最高速率8400MT/s則提升近2.6倍，數(shù)據(jù)傳輸速度更快；支持的容量最高達64Gb，為DDR4最高容量的四倍；此外，由于搭載3個配套芯片，DDR5在電源管理框架、通道架構(gòu)、溫度控制等方面性能也顯著提升。2）DDR5的技術(shù)難度帶來研發(fā)成本大幅提升，技術(shù)升級帶動內(nèi)存芯片接口價格提升有跡可循，DDR4Gen2.0plus比Gen2.0價格提升60%以上。DDR5從DDR4“1+9”

架構(gòu)升級為“1+10”架構(gòu)，疊加三類內(nèi)存模組配套芯片，整個DDR5相關芯片的價值量高于DDR4世代，成本也顯著增高。服務器端通常需要搭載1顆SPD+2顆TS+1顆PMIC配套芯片，新增整套配套芯片價值量約為26元。2016-2021年公司內(nèi)存接口芯片ASP分別為

15.4/17.4/18.1/21.3/20.7/17.69元，受益于產(chǎn)品性能和相關成本提升，我們預計DDR5有望帶動內(nèi)存接口芯片ASP提升60%，內(nèi)存模組配套芯片價值量也同步增加。競爭格局：三分天下格局已定，公司技術(shù)領先頭部廠商地位料將鞏固1、內(nèi)存接口芯片：全球僅三家廠商，瀾起、IDT份額接近目前全球僅三家廠商從事內(nèi)存接口芯片業(yè)務，IDT、瀾起及Rambus，瀾起份額接近持平于IDT。由于市場空間總量有限，研發(fā)內(nèi)存接口芯片除攻克內(nèi)存緩沖的核心技術(shù)，還要突破服務器生態(tài)系統(tǒng)的高準入門檻，全球范圍內(nèi)，量產(chǎn)此類芯片的廠商僅有3家：IDT、瀾起科技和Rambus。2016年，IDT、瀾起科技、Rambus市占率分別為67%/29%/4%，IDT占有絕對優(yōu)勢。2021年瀾起科技互連類芯片營收為2.66億美元，2016~2021年，瀾起科技市占率從29%逐步提升至40%，IDT市占率為35%~40%，兩者份額相當。IDT為通信、計算機和消費類行業(yè)提供組合信號半導體解決方案的公司，內(nèi)存接口芯片領域收入約占其總收入比例為30%。2019年初IDT被日本瑞薩電子收購，旨在增強瑞薩電子在自動駕駛和5G領域的市場地位，內(nèi)存接口芯片業(yè)務戰(zhàn)略地位或有下降，IDT市場份額從2016年的67%下降至2021年的35%~40%。Rambus公司約60%收入來自專利技術(shù)授權(quán)，內(nèi)存接口芯片量產(chǎn)業(yè)務收購自Inphi公司，2019年該部分收入約占其總收入的33%。2016年~2021年，Rambus的市場份額從4%提升至20%~25%。隨內(nèi)存世代進步，行業(yè)玩家數(shù)目遞減，公司份額有望穩(wěn)定全球前二。內(nèi)存接口芯片具有良好的發(fā)展前景，在行業(yè)初期吸引了大量的行業(yè)主要廠商進入，DDR2階段的行業(yè)參與者超過10家。隨著內(nèi)存接口芯片技術(shù)的發(fā)展和行業(yè)精細化分工要求的提高，行業(yè)集中度逐步提升，到DDR3階段，行業(yè)主要參與者數(shù)量明顯減少至5家左右。而進入DDR4階段，TI公司未跟進，Inphi被Rambus收購，內(nèi)存接口芯片量產(chǎn)廠商僅有3家公司。DDR5階段基本維持目前3家廠商格局，由于高技術(shù)門檻及認證門檻，難有新廠商進入。2019年初IDT被瑞薩電子收購，由于瑞薩電子主要看重IDT的汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務，長期來看IDT業(yè)務重心未來有可能發(fā)生轉(zhuǎn)移。而Rambus產(chǎn)品品質(zhì)在DDR4時代與IDT、瀾起科技存在一定差距，主要出貨產(chǎn)品為RCD芯片，其DB芯片未通過英特爾認證，未進行批量出貨；在IDT被收購后，原IDT負責內(nèi)存接口芯片業(yè)務的副總裁核心成員SeanFan離職加入Rambus擔任首席運營官，Rambus在DDR5時代開始發(fā)力，我們預計未來瀾起和Rambus有望逐步獲取原IDT的市場份額。2、內(nèi)存模組配套芯片：SPD、TS兩家為主，PMIC競爭者眾多SPD和TS芯片主要由瀾起科技和IDT供應，競爭格局優(yōu)于內(nèi)存接口芯片。1）2018~2020年，瑞薩電子相繼研發(fā)出適用于DDR5服務器內(nèi)存模組的SPD和TS芯片。2018年3月，IDT推出業(yè)內(nèi)首款用于DDR5服務器