光刻機簡單介紹課件

光刻機簡單介紹

鄭鴻光2012.09.01光刻機簡單介紹1目錄1.發(fā)展史2.光刻機概述3.光刻機構(gòu)造4.相關(guān)技術(shù)目錄1.發(fā)展史2光刻機發(fā)展過程1.接觸式光刻機2.接近式光刻機3.投影式光刻機4.掃描式光刻機5.步進式光刻機6.步進掃描式光刻機

光刻機發(fā)展過程1.接觸式光刻機3光刻教育資料光刻Team4光刻機概述（一）腔體（CHAMBER）主體（MAINBODY）傳片單元（WAFERLOADER）上版單元（RETICLELOADER）照明系統(tǒng)（ILLUMINATION）工作臺（WAFERSTAGE）控制柜（CONTROLRACK）光刻教育資料光刻Team4光刻機概述（一）腔體（CHAMB光刻教育資料光刻Team5光刻設(shè)備概述（二）微細加工技術(shù)的核心，是微細光刻技術(shù)。主要有光學(xué)曝光、電子束曝光、X射線曝光、離子束曝光。目前生產(chǎn)上大量采用的是光學(xué)曝光技術(shù)。Nikon光刻機：重復(fù)步進式光刻機（NSR）光刻教育資料光刻Team5光刻設(shè)備概述（二）微細加工技術(shù)的光刻教育資料光刻Team6NSR

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220

5

i

12

C

①②③④⑤⑥①NSR為「NikonStepandRepeatexposuresystems」的略稱。②表示最大曝光範囲。

200為正方形□20.0mm的曝光範囲。③表示投影鏡頭的投影倍率。

5是表示將Reticle上的図形以1/5倍投影到Wafer上。④表示曝光光波長。

i是表示使用由超高圧水銀燈発出的光中的i線。⑤表示NSR本體的型式名。

此數(shù)字越大意味著是越新模型的NSR。⑥表示投影鏡頭的型式。同様?shù)摹?0mm1/5倍、使用i線的鏡頭中、以A或B等進行區(qū)別。光刻教育資料光刻Team6NSR–2205光刻教育資料光刻Team7光刻機光刻機：采用重復(fù)步進的方式將掩膜版（Reticle）的圖形以5：1的比例轉(zhuǎn)移到硅片（Wafer）上。光刻教育資料光刻Team7光刻機光刻機：采用重復(fù)步進的方式光刻教育資料光刻Team8光刻機基礎(chǔ)光刻機曝光光源為超高壓水銀燈高壓水銀燈光線組成X線0.71nmKrF248nmi365nmh405nmg436nmx10nm紫外線400nm可視光區(qū)750nm紅外線區(qū)光刻教育資料光刻Team8光刻機基礎(chǔ)光刻機曝光光源為超高壓光刻教育資料光刻Team9光學(xué)基礎(chǔ)知識i線：波長=365nmg線：波長=436nm波長越長頻率越低i＞g光刻教育資料光刻Team9光學(xué)基礎(chǔ)知識i線：波長=365n光刻教育資料光刻Team10光刻機整體構(gòu)造ＨＥＰAfilter壓縮機送風機HeaterUvlampreticlewaferWaferstagelens風進風口光刻教育資料光刻Team10光刻機整體構(gòu)造ＨＥＰA壓縮機送光刻教育資料光刻Team11光學(xué)系構(gòu)造RAEHgLAMPM1M2SIMF、SFCFR1R2BMCML光刻教育資料光刻Team11光學(xué)系構(gòu)造RAEHgLAMP光刻教育資料光刻Team12光刻機構(gòu)造－干涉濾光鏡玻璃襯底上涂一層半透明金屬層，接著涂一層氟化鎂隔層（可以減少鏡頭界面對射入光線的反射，減少光暈，提高成像質(zhì)量），再涂一層半透明金屬層，兩金屬層構(gòu)成了法布里-珀羅標準具的兩塊平行板。當兩極的間隔與波長同數(shù)量級時，透射光中不同波長的干涉高峰分得很開，利用別的吸收型濾光片可把不允許透過的光濾掉，從而得到窄通帶的帶通濾光片，其通頻帶寬度遠比普通吸收型濾光片要窄。光刻教育資料光刻Team12光刻機構(gòu)造－干涉濾光鏡光刻教育資料光刻Team13光刻機構(gòu)造－復(fù)眼lens1、有多個具有共焦面小凸透鏡組成2、為了確保照度、均一性reticle光刻教育資料光刻Team13光刻機構(gòu)造－復(fù)眼lens1、有光刻教育資料光刻Team14光刻機構(gòu)造－SHUTTERUNIT位置：光路焦點處結(jié)構(gòu)：馬達（直流）計數(shù)器扇葉計數(shù)器馬達扇葉功能：開曝光閉掩膜版對準、ISS光刻教育資料光刻Team14光刻機構(gòu)造－SHUTTER光刻教育資料光刻Team15光刻機構(gòu)造－Stageunit（1）防震臺YSTAGEXSTAGEZSTAGETSTAGELEVELINGSTAGEWAFERHOLDERWAFER主視結(jié)構(gòu)圖光刻教育資料光刻Team15光刻機構(gòu)造－Stageuni光刻教育資料光刻Team16光刻機構(gòu)造－STAGEUNIT（2）MotorFiducialmarkFC2mark移動鏡WaferholderWaferIlluminationuniformitysensorMonitor插槽定位塊光刻教育資料光刻Team16光刻機構(gòu)造－STAGEUNI光刻教育資料光刻Team17光刻機構(gòu)造－Stageunit（3）光刻教育資料光刻Team17光刻機構(gòu)造－Stageuni光刻教育資料光刻Team18工作臺定位－HP干涉計光刻教育資料光刻Team18工作臺定位－HP干涉計光刻教育資料光刻Team19工作臺定位－HP干涉計在氦氖激光器上，加上一個約0.03特斯拉的軸向磁場。由于塞曼分裂效應(yīng)和頻率牽引效應(yīng),激光器產(chǎn)生1和2兩個不同頻率的左旋和右旋圓偏振光。經(jīng)1/4波片后成為兩個互相垂直的線偏振光,再經(jīng)分光鏡分為兩路。一路經(jīng)偏振片1后成為含有頻率為f1-f2的參考光束。另一路經(jīng)偏振分光鏡后又分為兩路：一路成為僅含有f1的光束,另一路成為僅含有f2的光束。當可動反射鏡移動時,含有f2的光束經(jīng)可動反射鏡反射后成為含有f2±Δf的光束，Δf是可動反射鏡移動時因多普勒效應(yīng)產(chǎn)生的附加頻率,正負號表示移動方向(多普勒效應(yīng)是奧地利人C.J.多普勒提出的，即波的頻率在波源或接受器運動時會產(chǎn)生變化)。這路光束和由固定反射鏡反射回來僅含有f1的光的光束經(jīng)偏振片2后會合成為f1-(f2±Δf)的測量光束。測量光束和上述參考光束經(jīng)各自的光電轉(zhuǎn)換元件、放大器、整形器后進入減法器相減,輸出成為僅含有±Δf的電脈沖信號。經(jīng)可逆計數(shù)器計數(shù)后，由電子計算機進行當量換算(乘1/2激光波長)后即可得出可動反射鏡的位移量。光刻教育資料光刻Team19工作臺定位－HP干涉計光刻教育資料光刻Team20工作臺定位：移動境、固定境通過移動境、固定境反射后的光線，形成干涉光，被檢知器檢知。光刻教育資料光刻Team20工作臺定位：移動境、固定境通過光刻教育資料光刻Team21光刻機構(gòu)造－LENSCONTROLLER鏡頭控制器：簡稱LC,對鏡頭倍率及焦點進行控制的關(guān)鍵部件。構(gòu)成：控制基版

BELLOWSPUMPLENSTEM.SENSOR

壓力計等光刻教育資料光刻Team21光刻機構(gòu)造－LENSCON光刻教育資料光刻Team22LC倍率控制的實現(xiàn)reticle壓力調(diào)節(jié)機構(gòu)lenswaferABA室與大氣相連；B室氣壓可以調(diào)節(jié)，通過改變B室氣壓，從而改變其折射率使倍率進行實時追蹤A室中集中了大部分光學(xué)鏡頭光刻教育資料光刻Team22LC倍率控制的實現(xiàn)reticl光刻教育資料光刻Team23LC與AUTOFOCUS的關(guān)系LenslampreticlewaferdetectSlitHalvingglassLens的實際焦點隨著B室氣壓的變化實時在變化。Autofocus系統(tǒng)實現(xiàn)z工作臺與lens焦點的追蹤。vibratorupdown光刻教育資料光刻Team23LC與AUTOFOCUS的關(guān)系光刻教育資料光刻Team24光刻機－相關(guān)特性參數(shù)

1、數(shù)值孔徑（numericalaperture)N.A.2、分辨率（resolvingpower)3、焦點深度（depthoffocus）光刻教育資料光刻Team24光刻機－相關(guān)特性參數(shù)1光刻教育資料光刻Team25數(shù)值孔徑數(shù)值孔徑（N.A.）θ物鏡焦點N.A.=N×sinθN：折射率Θ：折射角光刻教育資料光刻Team25數(shù)值孔徑數(shù)值孔徑（N.A.）θ光刻教育資料光刻Team26分辨率：R分辨率：R衡量物鏡的一個重要指標，與數(shù)值孔徑有關(guān)，數(shù)值孔徑越大，分辨率越高。

R=kλ/N.A.K與光刻膠相關(guān)的常數(shù)

λ使用光的波長

N.A.鏡頭的數(shù)值孔徑光刻教育資料光刻Team26分辨率：R分辨率：R衡量物鏡的光刻教育資料光刻Team27焦點深度：DOF焦點深度：即焦深，即焦點的有效曝光深度。

DOF=Kλ/N.A.2K與光刻膠有關(guān)的常數(shù)

λ使用光的波長

N.A.鏡頭的數(shù)值孔徑

光刻教育資料光刻Team27焦點深度：DOF焦點深度：即焦光刻教育資料光刻Team28分辨率、焦深、NA關(guān)系d1d2d3較好的焦深較差的焦深d3、d4焦深d1d4如果d1=d2,則d3>d4lenslens光刻教育資料光刻Team28分辨率、焦深、NA關(guān)系d1d2光刻教育資料光刻Team29離軸照明在采用離軸照明的曝光系統(tǒng)中，掩模上的照明光線都與投影物鏡主光軸有一定的夾角。入射光經(jīng)掩模發(fā)生衍射，左側(cè)光源的0級、-1級衍射光與右側(cè)光束的+1級、0級衍射光參與成像。環(huán)形照明、四極照明和二極照明都屬于離軸照明方式.光刻教育資料光刻Team29離軸照明在采用離光刻教育資料光刻Team30離軸照明的優(yōu)點1.離軸照明可以提高分辨率。2.離軸照明可以提高焦深。3.離軸照明可以提高對比度。我們考慮掩模圖形為一維密集線條的光柵，同軸照明：1級以及更高階衍射光都被物鏡的光闌遮擋，只有0級衍射光進入物鏡。離軸照明：0級衍射光和1級衍射光都可能進入成像系統(tǒng)的光瞳。R同軸=λ/3NAR離軸=λ/4NA從信息光學(xué)的觀點看，掩模圖形經(jīng)投影物鏡成像時，由于投影物鏡的數(shù)值孔徑有限，高頻部分不能進入光瞳，對成像無貢獻，使硅片面上的掩模像的對比度降低，影響成像質(zhì)量。由于0級衍射光不包含掩模圖形的任何空間調(diào)制信息，所以要對掩模圖形成像，至少要包含1級衍射光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩模圖形的空間像的對比度依賴于投影物鏡中參與成像的1級衍射光的比例。離軸照明技術(shù)通過降低成像光束中的低頻成分來提高高頻成分在總光強中的比例，從而提高了空間像的對比度。光刻教育資料光刻Team30離軸照明的優(yōu)點光刻教育資料光刻Team31掩膜版對準系統(tǒng)（一）以shutter反射的E線光源作為對準光源，將掩膜版對準MARK與工作臺上基準MARK進行對準。對準過程復(fù)雜，精度要求高。對準的后期進行LSA、FIA激光校正，為WAFER對準作準備。光刻教育資料光刻Team31掩膜版對準系統(tǒng)（一）以shut光刻教育資料光刻Team32掩膜版對準系統(tǒng)（二）LSASETXALIGNMENTCHECKXLSASETYFIASETYRSETXWGASETYFIASETXWGASETθENDSTARTRETICLE

SEARCHRSETXRSETYLOOP1NGOKRETICLEALIGNMENTALIGNMENTCHECKYRSETθALIGNMENT

CHECKθRETICLE計算ROTATION對準順序光刻教育資料光刻Team32掩膜版對準系統(tǒng)（二）LSAS光刻教育資料光刻Team33M122345掩膜版對準系統(tǒng)（三）對準光路圖光刻教育資料光刻Team33M122345掩膜版對準系統(tǒng)（光刻教育資料光刻Team34掩膜版對準系統(tǒng)（四）光刻教育資料光刻Team34掩膜版對準系統(tǒng)（四）光刻教育資料光刻Team35掩膜版對準系統(tǒng)（五）控制系統(tǒng)圖&基本波、倍周波形成光刻教育資料光刻Team35掩膜版對準系統(tǒng)（五）控制系統(tǒng)圖Thankyou謝謝Q&A請您提問Thankyou謝謝Q&A請您提問36樹立質(zhì)量法制觀念、提高全員質(zhì)量意識。12月-2212月-22Wednesday,December28,2022人生得意須盡歡，莫使金樽空對月。17:56:0417:56:0417:5612/28/20225:56:04PM安全象只弓，不拉它就松，要想保安全，常把弓弦繃。12月-2217:56:0417:56Dec-2228-Dec-22加強交通建設(shè)管理，確保工程建設(shè)質(zhì)量。17:56:0417:56:0417:56Wednesday,December28,2022安全在于心細，事故出在麻痹。12月-2212月-2217:56:0517:56:05December28,2022踏實肯干，努力奮斗。2022年12月28日5:56下午12月-2212月-22追求至善憑技術(shù)開拓市場，憑管理增創(chuàng)效益，憑服務(wù)樹立形象。28十二月20225:56:05下午17:56:0512月-22嚴格把控質(zhì)量關(guān)，讓生產(chǎn)更加有保障。十二月225:56下午12月-2217:56December28,2022作業(yè)標準記得牢，駕輕就熟除煩惱。2022/12/2817:56:0517:56:0528December2022好的事情馬上就會到來，一切都是最好的安排。5:56:05下午5:56下午17:56:0512月-22專注今天，好好努力，剩下的交給時間。12月-2212月-2217:5617:56:0517:56:05Dec-22牢記安全之責，善謀安全之策，力務(wù)安全之實。2022/12/2817:56:05Wednesday,December28,2022相信相信得力量。12月-222022/12/2817:56:0512月-22謝謝大家！樹立質(zhì)量法制觀念、提高全員質(zhì)量意識。12月-2212月-2237光刻機簡單介紹

鄭鴻光2012.09.01光刻機簡單介紹38目錄1.發(fā)展史2.光刻機概述3.光刻機構(gòu)造4.相關(guān)技術(shù)目錄1.發(fā)展史39光刻機發(fā)展過程1.接觸式光刻機2.接近式光刻機3.投影式光刻機4.掃描式光刻機5.步進式光刻機6.步進掃描式光刻機

光刻機發(fā)展過程1.接觸式光刻機40光刻教育資料光刻Team41光刻機概述（一）腔體（CHAMBER）主體（MAINBODY）傳片單元（WAFERLOADER）上版單元（RETICLELOADER）照明系統(tǒng)（ILLUMINATION）工作臺（WAFERSTAGE）控制柜（CONTROLRACK）光刻教育資料光刻Team4光刻機概述（一）腔體（CHAMB光刻教育資料光刻Team42光刻設(shè)備概述（二）微細加工技術(shù)的核心，是微細光刻技術(shù)。主要有光學(xué)曝光、電子束曝光、X射線曝光、離子束曝光。目前生產(chǎn)上大量采用的是光學(xué)曝光技術(shù)。Nikon光刻機：重復(fù)步進式光刻機（NSR）光刻教育資料光刻Team5光刻設(shè)備概述（二）微細加工技術(shù)的光刻教育資料光刻Team43NSR

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①②③④⑤⑥①NSR為「NikonStepandRepeatexposuresystems」的略稱。②表示最大曝光範囲。

200為正方形□20.0mm的曝光範囲。③表示投影鏡頭的投影倍率。

5是表示將Reticle上的図形以1/5倍投影到Wafer上。④表示曝光光波長。

i是表示使用由超高圧水銀燈発出的光中的i線。⑤表示NSR本體的型式名。

此數(shù)字越大意味著是越新模型的NSR。⑥表示投影鏡頭的型式。同様?shù)摹?0mm1/5倍、使用i線的鏡頭中、以A或B等進行區(qū)別。光刻教育資料光刻Team6NSR–2205光刻教育資料光刻Team44光刻機光刻機：采用重復(fù)步進的方式將掩膜版（Reticle）的圖形以5：1的比例轉(zhuǎn)移到硅片（Wafer）上。光刻教育資料光刻Team7光刻機光刻機：采用重復(fù)步進的方式光刻教育資料光刻Team45光刻機基礎(chǔ)光刻機曝光光源為超高壓水銀燈高壓水銀燈光線組成X線0.71nmKrF248nmi365nmh405nmg436nmx10nm紫外線400nm可視光區(qū)750nm紅外線區(qū)光刻教育資料光刻Team8光刻機基礎(chǔ)光刻機曝光光源為超高壓光刻教育資料光刻Team46光學(xué)基礎(chǔ)知識i線：波長=365nmg線：波長=436nm波長越長頻率越低i＞g光刻教育資料光刻Team9光學(xué)基礎(chǔ)知識i線：波長=365n光刻教育資料光刻Team47光刻機整體構(gòu)造ＨＥＰAfilter壓縮機送風機HeaterUvlampreticlewaferWaferstagelens風進風口光刻教育資料光刻Team10光刻機整體構(gòu)造ＨＥＰA壓縮機送光刻教育資料光刻Team48光學(xué)系構(gòu)造RAEHgLAMPM1M2SIMF、SFCFR1R2BMCML光刻教育資料光刻Team11光學(xué)系構(gòu)造RAEHgLAMP光刻教育資料光刻Team49光刻機構(gòu)造－干涉濾光鏡玻璃襯底上涂一層半透明金屬層，接著涂一層氟化鎂隔層（可以減少鏡頭界面對射入光線的反射，減少光暈，提高成像質(zhì)量），再涂一層半透明金屬層，兩金屬層構(gòu)成了法布里-珀羅標準具的兩塊平行板。當兩極的間隔與波長同數(shù)量級時，透射光中不同波長的干涉高峰分得很開，利用別的吸收型濾光片可把不允許透過的光濾掉，從而得到窄通帶的帶通濾光片，其通頻帶寬度遠比普通吸收型濾光片要窄。光刻教育資料光刻Team12光刻機構(gòu)造－干涉濾光鏡光刻教育資料光刻Team50光刻機構(gòu)造－復(fù)眼lens1、有多個具有共焦面小凸透鏡組成2、為了確保照度、均一性reticle光刻教育資料光刻Team13光刻機構(gòu)造－復(fù)眼lens1、有光刻教育資料光刻Team51光刻機構(gòu)造－SHUTTERUNIT位置：光路焦點處結(jié)構(gòu)：馬達（直流）計數(shù)器扇葉計數(shù)器馬達扇葉功能：開曝光閉掩膜版對準、ISS光刻教育資料光刻Team14光刻機構(gòu)造－SHUTTER光刻教育資料光刻Team52光刻機構(gòu)造－Stageunit（1）防震臺YSTAGEXSTAGEZSTAGETSTAGELEVELINGSTAGEWAFERHOLDERWAFER主視結(jié)構(gòu)圖光刻教育資料光刻Team15光刻機構(gòu)造－Stageuni光刻教育資料光刻Team53光刻機構(gòu)造－STAGEUNIT（2）MotorFiducialmarkFC2mark移動鏡WaferholderWaferIlluminationuniformitysensorMonitor插槽定位塊光刻教育資料光刻Team16光刻機構(gòu)造－STAGEUNI光刻教育資料光刻Team54光刻機構(gòu)造－Stageunit（3）光刻教育資料光刻Team17光刻機構(gòu)造－Stageuni光刻教育資料光刻Team55工作臺定位－HP干涉計光刻教育資料光刻Team18工作臺定位－HP干涉計光刻教育資料光刻Team56工作臺定位－HP干涉計在氦氖激光器上，加上一個約0.03特斯拉的軸向磁場。由于塞曼分裂效應(yīng)和頻率牽引效應(yīng),激光器產(chǎn)生1和2兩個不同頻率的左旋和右旋圓偏振光。經(jīng)1/4波片后成為兩個互相垂直的線偏振光,再經(jīng)分光鏡分為兩路。一路經(jīng)偏振片1后成為含有頻率為f1-f2的參考光束。另一路經(jīng)偏振分光鏡后又分為兩路：一路成為僅含有f1的光束,另一路成為僅含有f2的光束。當可動反射鏡移動時,含有f2的光束經(jīng)可動反射鏡反射后成為含有f2±Δf的光束，Δf是可動反射鏡移動時因多普勒效應(yīng)產(chǎn)生的附加頻率,正負號表示移動方向(多普勒效應(yīng)是奧地利人C.J.多普勒提出的，即波的頻率在波源或接受器運動時會產(chǎn)生變化)。這路光束和由固定反射鏡反射回來僅含有f1的光的光束經(jīng)偏振片2后會合成為f1-(f2±Δf)的測量光束。測量光束和上述參考光束經(jīng)各自的光電轉(zhuǎn)換元件、放大器、整形器后進入減法器相減,輸出成為僅含有±Δf的電脈沖信號。經(jīng)可逆計數(shù)器計數(shù)后，由電子計算機進行當量換算(乘1/2激光波長)后即可得出可動反射鏡的位移量。光刻教育資料光刻Team19工作臺定位－HP干涉計光刻教育資料光刻Team57工作臺定位：移動境、固定境通過移動境、固定境反射后的光線，形成干涉光，被檢知器檢知。光刻教育資料光刻Team20工作臺定位：移動境、固定境通過光刻教育資料光刻Team58光刻機構(gòu)造－LENSCONTROLLER鏡頭控制器：簡稱LC,對鏡頭倍率及焦點進行控制的關(guān)鍵部件。構(gòu)成：控制基版

BELLOWSPUMPLENSTEM.SENSOR

壓力計等光刻教育資料光刻Team21光刻機構(gòu)造－LENSCON光刻教育資料光刻Team59LC倍率控制的實現(xiàn)reticle壓力調(diào)節(jié)機構(gòu)lenswaferABA室與大氣相連；B室氣壓可以調(diào)節(jié)，通過改變B室氣壓，從而改變其折射率使倍率進行實時追蹤A室中集中了大部分光學(xué)鏡頭光刻教育資料光刻Team22LC倍率控制的實現(xiàn)reticl光刻教育資料光刻Team60LC與AUTOFOCUS的關(guān)系LenslampreticlewaferdetectSlitHalvingglassLens的實際焦點隨著B室氣壓的變化實時在變化。Autofocus系統(tǒng)實現(xiàn)z工作臺與lens焦點的追蹤。vibratorupdown光刻教育資料光刻Team23LC與AUTOFOCUS的關(guān)系光刻教育資料光刻Team61光刻機－相關(guān)特性參數(shù)

1、數(shù)值孔徑（numericalaperture)N.A.2、分辨率（resolvingpower)3、焦點深度（depthoffocus）光刻教育資料光刻Team24光刻機－相關(guān)特性參數(shù)1光刻教育資料光刻Team62數(shù)值孔徑數(shù)值孔徑（N.A.）θ物鏡焦點N.A.=N×sinθN：折射率Θ：折射角光刻教育資料光刻Team25數(shù)值孔徑數(shù)值孔徑（N.A.）θ光刻教育資料光刻Team63分辨率：R分辨率：R衡量物鏡的一個重要指標，與數(shù)值孔徑有關(guān)，數(shù)值孔徑越大，分辨率越高。

R=kλ/N.A.K與光刻膠相關(guān)的常數(shù)

λ使用光的波長

N.A.鏡頭的數(shù)值孔徑光刻教育資料光刻Team26分辨率：R分辨率：R衡量物鏡的光刻教育資料光刻Team64焦點深度：DOF焦點深度：即焦深，即焦點的有效曝光深度。

DOF=Kλ/N.A.2K與光刻膠有關(guān)的常數(shù)

λ使用光的波長

N.A.鏡頭的數(shù)值孔徑

光刻教育資料光刻Team27焦點深度：DOF焦點深度：即焦光刻教育資料光刻Team65分辨率、焦深、NA關(guān)系d1d2d3較好的焦深較差的焦深d3、d4焦深d1d4如果d1=d2,則d3>d4lenslens光刻教育資料光刻Team28分辨率、焦深、NA關(guān)系d1d2光刻教育資料光刻Team66離軸照明在采用離軸照明的曝光系統(tǒng)中，掩模上的照明光線都與投影物鏡主光軸有一定的夾角。入射光經(jīng)掩模發(fā)生衍射，左側(cè)光源的0級、-1級衍射光與右側(cè)光束的+1級、0級衍射光參與成像。環(huán)形照明、四極照明和二極照明都屬于離軸照明方式.光刻教育資料光刻Team29離軸照明在采用離光刻教育資料光刻Team67離軸照明的優(yōu)點1.離軸照明可以提高分辨率。2.離軸照明可以提高焦深。3.離軸照明可以提高對比度。我們考慮掩模圖形為一維密集線條的光柵，同軸照明：1級以及更高階衍射光都被物鏡的光闌遮擋，只有0級衍射光進入物鏡。離軸照明：0級衍射光和1級衍射光都可能進入成像系統(tǒng)的光瞳。R同軸=λ/3NAR離軸=λ/4NA從信息光學(xué)的觀點看，掩模圖形經(jīng)投影物鏡成像時，由于投影物鏡的數(shù)值孔徑有限，高頻部分不能進入光瞳，對成像無貢獻，使硅片面上的掩模像的對比度降低，影響成像質(zhì)量。由于0級衍射光不包含掩模圖形的任何空間調(diào)制信息，所以要對掩模圖形成像，至少要包含1級衍射光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩模圖形的空間像的對比度依賴于投影物鏡中參與成像的1級衍射光的比例。離軸照明技術(shù)通過降低成像光束中的低頻成分來提高高頻成分在總光強中的比例，從而提高了空間像的對比度。光刻教育資料光刻Team30離軸照明的優(yōu)點光刻教育資料光刻Team68掩膜版對準系統(tǒng)（一）以shutter反射的E線光源作為對準光源，將掩膜版對準MARK與工作臺上基準MARK進行對準。對準過程復(fù)雜，精度要求高。對準的后期進行LSA、FIA激光校正，為WAFER對準作準備。光刻教育資料光刻Team31掩膜版對準系