第三章位錯的運(yùn)動

3?1位錯的滑移⑴刃型位錯的滑移⑵螺型位錯的滑移⑶理論強(qiáng)度與實(shí)際強(qiáng)度產(chǎn)生差異的原因位錯處原子能量高一滑移能壘小一所需外力小位錯滑移僅需打斷位錯線附近少數(shù)原子的鍵合，因此所需的外加剪應(yīng)力將大大降低?；旌衔诲e的滑移位錯線沿各點(diǎn)的法線方向在滑移面上運(yùn)動，滑動方向垂直于位錯線方向，與柏氏矢量有夾角。⑷位錯滑移面與滑移方向①位錯的滑移面：b與位錯線所組成的面。注：位錯的滑移面與晶體的滑移面不是一回事。②位錯的滑移方向晶體滑移方向與外力方向、柏氏矢量方向一致位錯滑移方向：位錯線的法向⑸判斷晶體滑移方向的右手定則W 側(cè) 慚中常卄憶骷上矽般動神■,?■?“ 斛T相氏矢IT同旬劇哥酣飾位蜒的構(gòu)特方由3外加切龐力r及16氐矢億&的矢SE刃西怔■型位范合粗扯品3.2位錯的攀移位錯的攀移：刃型位錯在垂直于滑移面方向上的運(yùn)動⑴正攀移:在刃位錯處的一排原子可因熱運(yùn)動而移去，成為填隙原子或者吸收空位，使位錯向上移到另一個(gè)滑移面比滑移需更大能量。攀移伴隨原子的遷移，需要空位的擴(kuò)散，需要熱激話,比滑移需更大能量。⑵攀移的阻力對抗攀移阻力所作的功=產(chǎn)生點(diǎn)缺陷所需能量。⑶攀移的動力

I化學(xué)攀移力①過飽和空位（或間隙原子），向位錯線附近滲透而聚集在位錯線上，促使正刃位錯向上攀移，好像有力沿攀移方向作用在位錯上，這種力稱為滲透力②溫度越高并存在過飽和空位時(shí)，刃型位錯易于攀移。II彈性攀移力作用于半原子面上的正應(yīng)力分量作用下，刃位錯所受的力Fy Fy二-b〈x應(yīng)力的作用：（半原子面?zhèn)龋簯?yīng)力有利于正攀移，拉應(yīng)力有利于負(fù)攀移3.3位錯的交滑移圖3.10面心立方圖3.10面心立方品體中的雙交髓移示?圖雙交滑移：交滑移后的位錯再轉(zhuǎn)回和原滑移面平行的滑移面上繼續(xù)運(yùn)動3.4位錯的密度⑴①位錯的密度（定義）：單位體積中包含位錯線的總長度。竝屋餐址的丄業(yè)瞇軒説輻?.矍一②位錯密度（計(jì)算）：垂直于位錯線的平面上單位面積內(nèi)的位錯露頭數(shù)，即單位觀察表面內(nèi)的蝕坑數(shù)（蝕坑法）竝屋餐址的丄業(yè)瞇軒説輻?.矍一⑵位錯密度和晶體的強(qiáng)度位錯密度較低時(shí)，T隨p的增加而減??；位錯密度較高時(shí)，T隨p的增加而增大⑶提高晶體強(qiáng)度途徑①盡量減小位錯密度：晶須一一極細(xì)的絲狀單晶體，直徑只有幾個(gè)微米，基本不含位錯，強(qiáng)度比塊狀材料高幾個(gè)數(shù)量級。②盡量增加位錯密度：非晶態(tài)材料：位錯密度極高的材料（遠(yuǎn)高于冷加工的金屬）,因而強(qiáng)度也非常高。小結(jié)1?位錯是晶體中的線缺陷；2?位錯可以看成是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界線。3?根據(jù)b與位錯線1的相對位向，可將位錯分為三類:刃型位錯（b與1垂直），螺型位錯（b與1平行）和混合位錯（b與1成任意角）4?位錯線必須是連續(xù)的。它或者起止于晶體表面（或晶界），或形成封閉回路（位錯環(huán)），或者在結(jié)點(diǎn)處和其他位錯相連。5.b的最重要性質(zhì)是它的守恒性，即流向某一結(jié)點(diǎn)的位錯線的柏氏矢量之和等流出該結(jié)點(diǎn)的位錯線的柏氏矢量之和。6?名詞解釋：⑴刃型位錯：當(dāng)一個(gè)完整晶體某晶面以上的某處多出半個(gè)原子面，該晶面象刀刃一樣切入晶體，這個(gè)多余原子面的邊緣就是刃型位錯。⑵螺型位錯：晶體的某一部分相對于其余部分發(fā)生滑移，原子平面沿著一根軸線盤旋上升，每繞軸線一周，原子面上升一個(gè)晶面間距。在中央軸線處即為一螺型位錯。⑶柏氏矢量：把位錯運(yùn)動引起原子切動的方向和距離，稱為“柏氏矢量”⑷滑移：位錯線在它和柏氏矢量b構(gòu)成的晶面上移動攀移：刃型位錯在垂直于滑移面方