全球DRAM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析

全球DRAM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析一、DRAM行業(yè)概況半導(dǎo)體存儲(chǔ)從應(yīng)用上劃分又可分為隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器（RAM），只讀存儲(chǔ)器（ROM）；RAM可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)（SRAM）；DRAM只能將數(shù)據(jù)保存較短時(shí)間，并需按時(shí)刷新以克服漏電問題。從傳輸速度來看，DRAM在10~100ns量級(jí)，慢于SRAM，但仍然快于ROM。DRAM具備集成度高，低功耗，低成本，體積小等顯著優(yōu)勢，通常作為讀寫頻繁的程序內(nèi)存或容量較大的主存儲(chǔ)器，如智能手機(jī)，服務(wù)器內(nèi)存等。SRAM是目前讀寫速度最快的存儲(chǔ)設(shè)備，但集成度較低，價(jià)格昂貴，多用于CPU的一級(jí)緩存，二級(jí)緩存(L1/L2Cache)。DRAM與SRAM的性能對(duì)比公開資料整理據(jù)統(tǒng)計(jì)，2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模4780億美元，存儲(chǔ)器市場規(guī)模為1650億美元，占比34。52%。其中在存儲(chǔ)器市場中，DRAM存儲(chǔ)器市場規(guī)模為957億美元，占比58%，是存儲(chǔ)器領(lǐng)域第一大細(xì)分市場。存儲(chǔ)區(qū)領(lǐng)域細(xì)分市場分布（單位：%）公開資料整理二、全球DRAM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析由于需求供應(yīng)不平衡，DRAM市場在2019年面臨巨大下滑，據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2019年全球DRAM市場規(guī)模下降至620億美元，同比下降37。4%，2020年日韓貿(mào)易不確定性上升，且韓國半導(dǎo)體材料端嚴(yán)重依賴日本市場出口，結(jié)合各自生產(chǎn)規(guī)劃，預(yù)計(jì)三大廠商2020年繼續(xù)維持謹(jǐn)慎資本開支，2020年前三季度，買全球DRAM市場規(guī)模約為494億美元。2016-2020年9月全球DRAM市場規(guī)模公開資料整理現(xiàn)階段全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)移到中國，中國已經(jīng)成為半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大和成長最快的市場。2019年美國與中國合計(jì)購買了全球70%以上的DRAM芯片。2019年全球DRAM芯片市場銷售額區(qū)域分布（單位：%）公開資料整理DRAM下游需求劃分為標(biāo)準(zhǔn)型(PC)、服務(wù)器(Server)、移動(dòng)式(mobile)、繪圖用(Graphic)、消費(fèi)電子類(Consumer)五類，其中前三大應(yīng)用領(lǐng)域分別是移動(dòng)式，服務(wù)器和PC。根據(jù)HIS數(shù)據(jù)，2019年移動(dòng)式領(lǐng)域需求占比33。5%，移動(dòng)式主要指智能手機(jī)。智能手機(jī)和服務(wù)器成為拉動(dòng)下游市場回暖的最強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力。2019年DARM下游需求分布（單位：%）三、全球DRAM行業(yè)競爭格局分析與所有半導(dǎo)體產(chǎn)品一樣，少數(shù)公司傾向于控制特定產(chǎn)品的多數(shù)市場份額，DRAM也不例外，存儲(chǔ)器行業(yè)科技含量高，高昂的研發(fā)成本使得資本支出大且增速高于其他行業(yè)，從而壟斷格局牢固，巨頭優(yōu)勢下馬太效應(yīng)愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨頭已經(jīng)在DRAM領(lǐng)域形成了“高市占率→高營業(yè)額→研發(fā)投入大→技術(shù)領(lǐng)先→搶占市場”的良性循環(huán)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年Q3三星占據(jù)41。3%市場份額，SK海力士占據(jù)28。2%市場份額，美光占據(jù)25%市場份額，其他占比5。5%。2018-2020年全球DRAM企業(yè)市場份額走勢公開資料整理四、國產(chǎn)DRAM旭日東升1、合肥長鑫在政府支持下成立，投入巨額資源。合肥長鑫506項(xiàng)目2016年立項(xiàng)，是安徽省和合肥市重點(diǎn)工程，也是安徽省單體投資規(guī)模最大的工業(yè)項(xiàng)目。合肥長鑫選址位于合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)，包括長鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地，空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園，空港國際小鎮(zhèn)三個(gè)地區(qū)，占地約15。2平方公里，致力打造產(chǎn)城融合國家存儲(chǔ)基地。目前項(xiàng)目總投資超過2200億元，其中長鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目總投資1500億元，預(yù)計(jì)項(xiàng)目全部建成后，產(chǎn)值規(guī)模超2000億元，集聚上下龍頭企業(yè)超過200家，吸引人才超20萬。2、之路布滿荊棘，合肥長鑫擔(dān)以重任目前國內(nèi)三大存儲(chǔ)器制造商分別是長江存儲(chǔ)，福建晉華和合肥長鑫。長江存儲(chǔ)主要負(fù)責(zé)NANDFlash技術(shù)研發(fā)，福建晉華和合肥長鑫則負(fù)責(zé)DRAM領(lǐng)域。2018年下半年福建晉華投產(chǎn)之后，被美國商務(wù)部以國家安全為由列入出口管制清單，美國三大半導(dǎo)體制造商在禁令當(dāng)天撤出福建晉華12寸廠，隨后技術(shù)合作方臺(tái)灣聯(lián)電表態(tài)終止合作，福建晉華于2019年3月停產(chǎn)。目前DRAM最大希望就在合肥長鑫。3、技術(shù)深厚，來源奇夢達(dá)奇夢達(dá)是2016年英飛凌從內(nèi)存部門剝離的公司，曾為全球第四大DRAM供應(yīng)商，2008年完成堆疊式DRAM技術(shù)BuriedWordline技術(shù)研發(fā)，但因2009年奇夢達(dá)破產(chǎn)，該項(xiàng)技術(shù)和其他眾多專利被封存。合肥長鑫基于授權(quán)已獲得奇夢達(dá)一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2。8TB數(shù)據(jù)，繼承BuriedWordline技術(shù)并已將46nm工藝成功推進(jìn)到10nm級(jí)別，目前已有16000多項(xiàng)專利申請(qǐng)。4、兆易創(chuàng)新聯(lián)手合肥長鑫，正式切入千億美金賽道兆易創(chuàng)新和合肥長鑫在2017年10月簽訂合作協(xié)議，合作目標(biāo)是2018年