關(guān)于ISE TCAD中如何建立新材料以及模擬中需要注意的若干問題

關(guān)于ISETCAD中如何建立新材料以及模擬中需要注意的若干問題ISETCAD中的材料文件在ISETCAD中，材料參數(shù)文件的格式為“.par”格式，其均包含在軟件的材料庫(kù)中，路徑如下：

/…/ISETCAD/isetcad/tcad/10.0/lib/dessis/MaterialDB/該庫(kù)共包含55種材料，其中既有常用半導(dǎo)體材料如Si、Ge、GeSi、GaAs、SiC等，還包括一些新興半導(dǎo)體材料如GaAsP、InAlAs、StrainSi、AlInGaN等，還有一些金屬和絕緣體的材料參數(shù)文件，并且支持用戶自定義新材料。材料參數(shù)的修正在模擬中如果想對(duì)已有材料進(jìn)行調(diào)整，以期達(dá)到與實(shí)際工藝相符和的目的，可通過調(diào)用庫(kù)中的參數(shù)文件，找出主要模型如介電常數(shù)、禁帶寬度、晶格熱電容、熱電導(dǎo)等，逐項(xiàng)修改。注意：切勿改動(dòng)軟件原庫(kù)(MaterialDB)中文件，建議修正前將所要修改的材料參數(shù)文件復(fù)制至個(gè)人目錄下，修改后通過“Dessis

EditInputParameters”導(dǎo)入即可?；衔锇雽?dǎo)體中各元素組分的調(diào)整對(duì)于部分已有材料

SiGe、StrainSi、AlGaAs、InAlAs、InGaAs、GaInP、InAsP、GaAsP、HgCdTe、InGaAsP、AlInGaN、AlGaN、InGaN、AlInN

其已在軟件內(nèi)部定義組分方程，如下圖所示：化合物半導(dǎo)體中各元素組分的調(diào)整對(duì)于上述材料中各元素組分的調(diào)整，只需在Dessis的.cmd文件中添加如下語(yǔ)句即可：Physics(Material=“材料名稱”){MoleFraction(RegionName=[“該材料所屬區(qū)域”]

xFraction=組分比例

Grading=0)}選成零可保證是突變異質(zhì)結(jié)新材料的建立如果在模擬中需要加入一種庫(kù)中所沒有的新型材料，則需要先在個(gè)人所建Project目錄下創(chuàng)建如下兩個(gè)文件：Datexcodes.txtMoleFraction.txt定義新材料在mdraw中顯示的圖標(biāo)、顏色以及該材料表現(xiàn)出何種特性（絕緣體、半導(dǎo)體、導(dǎo)體或all等）若新材料是化合物半導(dǎo)體，則該文件為定義材料中構(gòu)成元素的組份方程Datexcodes.txt范本路徑：/…/ISETCAD/isetcad/tcad/10.0/lib/datexcodes.txtDatexcodes.txt文件格式自定義后的AlN、Al、N/…/ISETCAD/isetcad/tcad/10.0/lib/dessis/MaterialDB/MoleFraction.txtMoleFraction.txt范本路徑：MoleFraction.txt文件格式編寫新材料的參數(shù)文件Si.parSiGe.parSiGe.parSiGe.parSiGe.parSiGe.parSiGe.parSiGe.parSiGe.parSiGe.parSiGe.par與組份有關(guān)的參數(shù)模型EpsiliconRefractiveIndexLatticeHeatCapcatityKappaBandgapConstantMobilityConstantMobility_anisoHighFieldDependenceHighFieldDependence_anisoVanOvertraetendeMan與組份有關(guān)的參數(shù)模型EnergyRelaxationTimeQwstrainSchoredingerParametersDopingDependenceDopingDependence_aniso