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第七章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器第7章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器7.1概述7.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)7.3隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)7.4存儲(chǔ)器的擴(kuò)展7.1概述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器1、功能2、結(jié)構(gòu)—利用地址碼分配輸入輸出。寄存器
—一種能存儲(chǔ)大量二值信息(二值數(shù)據(jù))的半導(dǎo)體器件;—輸入輸出直接引出;半導(dǎo)體存儲(chǔ)器3、分類——按半導(dǎo)體器件①雙極型②MOS型——工作速度快,在微機(jī)中作高速緩存——功耗小,因而集成度高;用于大容量存儲(chǔ),如微機(jī)中的內(nèi)存條。3、分類——按存取方式①只讀存儲(chǔ)器ROM—ReadOnlyMemory②隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM—RandomAccessMemory信息可長(zhǎng)期保存,斷電也不丟失隨寫(xiě)隨讀,斷電后信息就丟失。EPROMROMPROM—programmable—ErasableDRAMSRAM—static—dynamic7.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)7.2.1掩模只讀存儲(chǔ)器——ROM7.2.2可編程只讀存儲(chǔ)器——PROM7.2.3可擦除的PROM——EPROM7.2.4利用ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路7.2.1掩模只讀存儲(chǔ)器——ROM1、電路結(jié)構(gòu)MOS、二極管、三極管地址譯成控制信號(hào)①提高負(fù)載能力②三態(tài)控制,總線結(jié)構(gòu)2、簡(jiǎn)單的二極管ROM電路2、簡(jiǎn)單的二極管ROM電路存儲(chǔ)矩陣(4個(gè)或門(mén))地址譯碼器(4個(gè)與門(mén))緩沖輸出位線字線地址線3、數(shù)據(jù)表110101111000001100001111地址A1A0d3d2d1d0內(nèi)容4、容量表示字線×位線存儲(chǔ)單元7.2.2可編程只讀存儲(chǔ)器——PROM1、思想:出廠時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)全部為1,用戶根據(jù)需要自行寫(xiě)入0,但一旦寫(xiě)入就無(wú)法修改。2、方法:熔絲未熔為1熔絲熔斷為0缺點(diǎn):只能寫(xiě)入一次7.2.3可擦除的PROM——EPROM1、思想:可以多次重寫(xiě),多次修改2、實(shí)現(xiàn):3、結(jié)構(gòu):總體是一樣,只是存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)不同UVE-PROM—紫外線可擦除的PROME2PROM—電可擦除的PROMFlashMemory—快閃存儲(chǔ)器4、三者比較7.2.4利用ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路一個(gè)ROM的數(shù)據(jù)表000011111011010001011101地址A1A0D3D2D1D0內(nèi)容也是一個(gè)多輸出組合邏輯電路的真值表函數(shù)輸出變量輸入函數(shù)取值例:試用ROM產(chǎn)生如下一組多輸出邏輯函數(shù)①化成最小項(xiàng)之和形式②選擇24×4的ROMABCD—作為4個(gè)地址端、Y1Y2Y3Y4—作為數(shù)據(jù)輸出端Y函數(shù)值—作為存儲(chǔ)單元取值③畫(huà)圖打點(diǎn)表示17.3隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)1、特點(diǎn):可讀可寫(xiě),斷電易失;2、結(jié)構(gòu):與ROM類似,增加了讀寫(xiě)控制電路;3、分類:SRAM—靜態(tài)RAMSR鎖存器+門(mén)控管,利用自保功能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)DRAM—?jiǎng)討B(tài)RAM利用MOS管柵極電容存儲(chǔ)電荷原理7.3.1靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)1、電路結(jié)構(gòu)RAM2114(1024×4)管腳圖123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CS’GNDVCCD3D2D1D0R/W’RAM21141024×42345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM61162048×8A2A711112141324A8D5D6D7RDWR2、靜態(tài)存儲(chǔ)單元SR鎖存器門(mén)控管字線位線讀寫(xiě)控制電路存儲(chǔ)單元7.4存儲(chǔ)器的擴(kuò)展需要:當(dāng)一片ROM或RAM不能滿足存儲(chǔ)容量要求時(shí),就需要將ROM或RAM組合起來(lái),組成一個(gè)容量更大的存儲(chǔ)器。擴(kuò)展方式:位擴(kuò)展字?jǐn)U展字、位同時(shí)擴(kuò)展7.4.1位擴(kuò)展例:用4片256×1擴(kuò)展成256×4方法:地址線共用,而數(shù)據(jù)線并行使用7.4.2字?jǐn)U展例:用4片256×8擴(kuò)展成1024×8思路:(1)訪問(wèn)1024個(gè)單元,必然有10根地址線;(2)訪問(wèn)256個(gè)單元,只需8根地址線,尚余2根地址線;(3)設(shè)法用剩余的2根地址線去控制4個(gè)256×8RAM的片選端。(需要一個(gè)2線-4線譯碼器)數(shù)據(jù)線共用,地址線擴(kuò)展7.4.2字?jǐn)U展方式各片RAM的地址分配A9A8選中片序號(hào)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元0011RAM(1)RAM(2)RAM(3)RAM(4)000~255256~511512~767
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