后清洗生產(chǎn)培訓(xùn)課件

刻蝕Rena結(jié)構(gòu)Rena生產(chǎn)原理Inoxside界面操作與等離子刻蝕比較Rena水平刻蝕清洗機(jī)11.冷水機(jī)；5.上料臺(tái)；2.上位機(jī)；6.rena柱式指示燈及其急停開(kāi)關(guān);3.抽風(fēng)管及其調(diào)節(jié)閥；7.前玻璃窗.4.集中供液柱式指示燈及其急停開(kāi)關(guān);1532674Rena水平刻蝕清洗機(jī)28.電柜；12.排放管道；9.后玻璃蓋板；13.自動(dòng)補(bǔ)液槽；10.下料臺(tái)；14.集中供液管路；11.供氣，供水管道；15.傳送滾軸.891011121314156Rena各部件功能介紹-28.電柜:放置安裝設(shè)備總電源開(kāi)關(guān),各斷路開(kāi)關(guān),電腦機(jī)箱以及PLC(設(shè)備總控制器).9.后玻璃蓋板:監(jiān)視設(shè)備各部件運(yùn)行情況,保護(hù)設(shè)備內(nèi)氣體流動(dòng),隔絕設(shè)備尾氣.10.下料臺(tái):用于刻蝕后硅片卸片(插片).11.供氣,供水管道:供應(yīng)設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)使用的壓縮空氣,純水,自來(lái)水以及冷卻水.12.排放管道:用于排去設(shè)備廢水.13.自動(dòng)補(bǔ)液槽:用于儲(chǔ)存設(shè)備自動(dòng)運(yùn)行時(shí)補(bǔ)償?shù)幕瘜W(xué)品.14.集中供液管路:用于集中供液向自動(dòng)補(bǔ)液槽添加化學(xué)品以及rena的首次加液.15.傳動(dòng)滾軸:用于rena設(shè)備內(nèi)傳送硅片.Rena水平刻蝕清洗機(jī)各槽分布圖1.Etchbath；5.Hfbath；2.Rinse1；6.rinse3（DI-Waterspray）；3.Alkalinerinse；7.dryer2。4.Rinse2；1234567Rena各槽功能介紹槽名主要功能實(shí)現(xiàn)情況Etch-bath刻蝕硅片邊緣及背面的PN結(jié)，刻蝕線不超過(guò)硅片邊緣1.5mm，無(wú)刻不通現(xiàn)象。此槽需循環(huán)流量，刻蝕液溫度，氣體流動(dòng)穩(wěn)定。刻蝕速率下降越慢越好。風(fēng)刀吹去硅片上面的刻蝕槽殘液。良好Rinse1循環(huán)噴淋水洗去刻蝕后吸附在硅片上的刻蝕液，并風(fēng)刀吹去積在硅片上的洗槽槽液。良好Alkaline-rinseKOH噴淋去除硅片表面的多孔硅及其雜質(zhì)，去除擴(kuò)散形成的染色.并風(fēng)刀吹去積在硅片上面的KOH殘液。KOH溶液依靠冷卻水降溫保持在20℃左右。良好Rinse2循環(huán)噴淋水洗去去多孔硅后吸附在硅片上的堿液，并風(fēng)刀吹去積在硅片上的洗槽槽液。良好Hf-bathHF循環(huán)沖刷噴淋去除硅片表面的磷硅玻璃，并風(fēng)刀吹去積在硅片上的HF殘液良好Rinse3循環(huán)噴淋水洗去去磷硅玻璃后吸附在硅片上的HF酸液，并純水噴霧洗去循環(huán)水殘液。良好Dryer22道來(lái)回拉動(dòng)的風(fēng)刀吹去硅片兩面吸附的純水，不能有液體殘留在硅片上。一般一、刻蝕槽刻蝕槽生產(chǎn)多晶156硅片圖片刻蝕槽溶液流向圖刻蝕反應(yīng)為氧化，放熱反應(yīng).流回儲(chǔ)液槽，溶液溫度較高儲(chǔ)液槽泵液至冷卻器冷卻器泵液至刻蝕槽內(nèi)槽刻蝕槽內(nèi)槽溫度較低液面與硅片吸附反應(yīng)后流入外槽內(nèi)槽槽壁可調(diào)節(jié)高度，刻蝕槽液不斷循環(huán)降溫，且循環(huán)流量（一定范圍內(nèi)）越大，液面越高泵刻蝕槽硅片流入吸附刻蝕液原理此為生產(chǎn)mono125-150硅片時(shí)圖片橡膠圈較小橡膠圈正?？涛g液完全吸附刻蝕槽前后硅片狀態(tài)比較此為生產(chǎn)mono125-150硅片時(shí)圖片硅片剛進(jìn)入刻蝕槽硅片刻蝕后，邊緣水印為反應(yīng)生成的水刻蝕槽影響刻蝕效果的因素一、抽風(fēng):抽風(fēng)在很大程度上會(huì)影響到刻蝕槽液面波動(dòng)，而刻蝕槽任何的液面波動(dòng)，對(duì)在液面上運(yùn)行的硅片都有很大影響；二、傳動(dòng)速度:傳動(dòng)速度決定硅片通過(guò)刻蝕槽的時(shí)間，也就是決定硅片刻蝕的反應(yīng)時(shí)間；三、滾軸和內(nèi)槽槽邊高度（水平）:滾軸高度決定硅片通過(guò)刻蝕槽時(shí)的高度，而內(nèi)槽槽邊高度（水平）決定刻蝕槽液面的大致高度，兩者的高度差距只有在合理范圍內(nèi)，硅片才能吸附到刻蝕液；四、滾軸水平：滾軸水平，5道軌道內(nèi)運(yùn)行的硅片才能與刻蝕液水平面平行，只有平行于水平面，硅片吸附刻蝕液才均勻，也即刻蝕均勻，無(wú)過(guò)刻或刻不通現(xiàn)象；五、硅片覆蓋率：硅片覆蓋率也就是硅片之間的間距，它決定硅片間液面形狀?？涛g槽是通過(guò)液體的張力將刻蝕液吸附于硅片上，但硅片間間隙過(guò)小，液體就會(huì)浸漫到硅片上面，破壞擴(kuò)散面。同時(shí)，過(guò)高的覆蓋率還會(huì)使刻蝕槽液面升高。17Alkalinerinse上水刀上水刀風(fēng)刀堿槽溶液流向圖（槽截面）泵過(guò)濾器硅片運(yùn)行平面堿液流動(dòng)方向冷卻水流動(dòng)方向槽壁噴淋頭槽內(nèi)液面高于溢流口的溶液從溢流管排掉FRinse2二號(hào)洗槽采用循環(huán)水噴淋，上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，風(fēng)刀吹去硅片上面殘液（水源為rinse3溢流水）。上水刀下水刀風(fēng)刀氫氟酸槽溶液流向圖（槽截面）過(guò)濾器泵硅片運(yùn)行平面氫氟酸液流動(dòng)方向內(nèi)槽液面外槽液面F噴淋頭Rinse3三號(hào)洗槽采用循環(huán)水噴淋（水源為純水噴霧落進(jìn)槽內(nèi)水），上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，上下各一道純水噴霧器清洗硅片兩面（流量400l／h）．循環(huán)水沖洗DI-Water噴霧器最后沖洗，水落進(jìn)槽底，重復(fù)利用。Dryer2二號(hào)干燥槽采用壓縮空氣吹干，上下各兩道風(fēng)刀使用馬達(dá)帶動(dòng)來(lái)回拉動(dòng)，吹干硅片。吹干風(fēng)刀濕法刻蝕相對(duì)等離子刻蝕的缺點(diǎn)1