2021年全球NAND閃存市場(chǎng)份額、閃存容量及出貨量分析預(yù)測(cè)

2021年全球NAND閃存市場(chǎng)份額、閃存容量及出貨量分析預(yù)測(cè)

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

NAND閃存包括SLCNAND,MLCNAND,TLCNAND和QLCNAND。

中國(guó)市場(chǎng)低密度SLCNAND閃存主要出口目的地為亞洲地區(qū)。隨著信息技術(shù)的三波創(chuàng)新革命，以移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)為代表的新一代信息技術(shù)發(fā)展正在推動(dòng)信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，對(duì)海量數(shù)據(jù)的處理、存儲(chǔ)提出了越來越高的要求。隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來，NANDFlash芯片將在未來得到巨大發(fā)展。

NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主，NAND閃存顆粒根據(jù)存儲(chǔ)原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類。四種類型的NAND閃存顆粒性能各有不同。

Flash技術(shù)主要分為SLC、MLC、TLC和QLC四大類，對(duì)應(yīng)不同的空間結(jié)構(gòu)，這四類技術(shù)可又分為2D結(jié)構(gòu)和3D結(jié)構(gòu)兩大類。

SLC（Single-LevelCell,SLC）NAND單元存儲(chǔ)量為1bit/cell，單元擦/寫壽命為10萬次；MLCNAND單元存儲(chǔ)量為2bit/cell，單元擦/寫壽命為3000-10000次；TLCNAND單元存儲(chǔ)量為3bit/cell，單元擦/寫壽命為500次；QLCNAND單元存儲(chǔ)量為4bitcell，單元擦/寫壽命為150次。

NAND閃存，產(chǎn)品應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、通信和其他相關(guān)行業(yè)。

《2021-2027年中國(guó)NAND閃存行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)態(tài)勢(shì)及發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告》顯示：按類型劃分來看，2020年TLCNAND市場(chǎng)份額為55.61%；MLCNAND市場(chǎng)份額為32.15%；SLCNAND市場(chǎng)份額為1.82%；QLCNAND市場(chǎng)份額為10.43%，目前市場(chǎng)上應(yīng)用最廣泛的是TLCNAND,QLC作為新興產(chǎn)品將在未來幾年快速占領(lǐng)市場(chǎng)，SLCNAND的市場(chǎng)份額會(huì)進(jìn)一步縮小。

目前，研究的NAND閃存主要是8Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的SLCNAND閃存，從不同種類低密度SLCNAND閃存產(chǎn)量市場(chǎng)份額來看，8GbitSLCNAND閃存產(chǎn)量市場(chǎng)份額為10.48%；4GbitSLCNAND閃存產(chǎn)量市場(chǎng)份額為22.70%；2GbitSLCNAND閃存產(chǎn)量市場(chǎng)份額為28.74%；其他SLCNAND閃存產(chǎn)量市場(chǎng)份額為38.08%。

從全球各國(guó)家及地區(qū)NAND閃存生產(chǎn)情況來看，北美占23.48%的生產(chǎn)份額；日本占21.26%的生產(chǎn)份額；中國(guó)占31.97%的生產(chǎn)份額；中國(guó)臺(tái)灣占12.76%的生產(chǎn)份額；韓國(guó)占6.32%的生產(chǎn)份額。

雖然2019年存儲(chǔ)市場(chǎng)經(jīng)歷了貿(mào)易戰(zhàn)，出現(xiàn)了需求趨緩、價(jià)格下跌、庫存壓力等情況，但市場(chǎng)需求一直在，產(chǎn)品技術(shù)也不斷提高。經(jīng)過50年的閃存芯片發(fā)展，閃存容量增勢(shì)迅猛。到2004年，閃存存儲(chǔ)容量進(jìn)入GB時(shí)代，從2004年閃存存儲(chǔ)容量只有1GB；到2011年閃存存儲(chǔ)容量的達(dá)到128GB；2013年3DNAND閃存顆粒技術(shù)的實(shí)踐使閃存容量進(jìn)一步提升，發(fā)展到128GB；目前，閃存存儲(chǔ)容量高達(dá)TB，預(yù)計(jì)2022年發(fā)展到2TB。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年NAND閃存顆粒存儲(chǔ)密度將達(dá)到3050億GB當(dāng)量，同比增長(zhǎng)34.96%；2020年NAND閃存顆粒存儲(chǔ)密度將達(dá)到4420億GB當(dāng)量，同比增長(zhǎng)44.92%；預(yù)計(jì)2021年NAND閃存顆粒存儲(chǔ)密度將達(dá)到6300億GB當(dāng)量，同比增長(zhǎng)42.53%。

2015-2016年，整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)發(fā)展疲軟，2017-2018年存儲(chǔ)器IC市場(chǎng)出現(xiàn)了強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)，2019年存儲(chǔ)器IC市場(chǎng)出貨