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文檔簡介

文檔半二復習筆記1.1 MOS結構費米勢：禁帶中心能級(EFi)與費米能級(EF)之差的電勢表示2. 表面勢：半導體表面電勢與體電勢之差，體 EFi和表面EFi之差的電勢表示金半功函數差P溝道閾值電壓文檔注意faifn是個負值1.3MOS原理1.MOSFET非飽和區(qū)IV公式跨導定義：VDS一定時，漏電流ID隨VGS變化率，反映了VGS對ID的控制能力提高飽和區(qū)跨導途徑文檔襯底偏置電壓VSB>0，其影響背柵定義：襯底能起到柵極的作用。VSB變化，使耗盡層寬度變化，耗盡層電荷變化；若VGS不變，則反型溝道電荷變化，漏電流變化1.4頻率特性MOSFET頻率限制因素：①溝道載流子的溝道運輸時間（通常不是主要的限制因素）②柵電容充放電需要時間截止頻率：器件電流增益為1時的頻率高頻等效模型如下：文檔柵極總電容 CG看題目所給條件。若為理想，CgdT為0，CgsT約等于Cox，即CG=Cox；非理想情況即柵源、柵漏之間有交疊，產生寄生電容：①

CgdT的

L為交疊部分長度②CgsT的L為L+交疊部分長度（ CgsT=Cgs

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