寬帶人工網絡(BAN)的設計、功能特性狀態(tài)分類(FPSC)

附 錄 A（資料性附錄）寬帶人工網絡（BAN）的設計A.1 示例圖A.1給出了BAN的示意圖和裝配圖。圖中：aC－旁路電容器 ；－連接器1：BNC連接器或類似的射頻連接器；－連接器2：連接DUT電源/負載支撐電路；－連接器3：連接DUT；a －推薦的最佳旁路電容器為 0.047 μF單片陶瓷電容器。圖A.1BAN的示意圖和裝配圖－側視圖A.2BAN的串聯(lián)阻抗A.2.1BAN的串聯(lián)阻抗（電流不大于8A）見表A.1。表A.1BAN的串聯(lián)阻抗（電流不大于8A）頻率范圍最小阻抗MHzΩ0.25~0.50200>0.50~250500>250~500200A.2.1BAN的串聯(lián)阻抗（電流大于8A但不大于30A）見表A.2。表A.2BAN的串聯(lián)阻抗（電流大于8A但不大于30A）頻率范圍最小阻抗MHzΩ0.25~1.0200>1.0~150400>150~2502004GB/T33014—.7－××××250~500 100A.3BAN的插入損耗（端口 1、端口3到端口2）的插入損耗（電流不大于 8A）見表A.3。表A.3BAN的插入損耗（電流不大于 8A）頻率范圍 最小插入損耗MHz dB0.25~1.0 20>1.0~500 35的插入損耗（電流大于 8A但不大于30A））見表A.4。表A.4BAN的插入損耗（電流大于 8A但不大于30A））頻率范圍 最小插入損耗MHz dB0.25~500 20A.4BAN的旁路BAN的電源/負載支撐電路的末端應旁路到地。 應具有最佳值電容， 使其在試驗頻率范圍內提供足夠小的阻抗。使用的線束長度應取最短。A.5 承受的電流BAN的承受電流應包括在其設計參數(shù)中。 如果BAN中使用了鐵氧體或粉末鐵芯， 其飽和特性是影響 BAN承受電流大小的重要因素。A.6 設計建議表A.5、表A.6和表A.7分別給出了0.5A、2A和30ABAN的設計建議。表A.5磁芯繞組信息（0.5A的BAN）線圈磁芯型號匝數(shù)LfcHμHMHzOe(奧斯特)L1--1218031.43L2--41720.83L3--40.61000.83L4--40.21500.83L5--40.22000.83注1：導線直徑近似為0.40mm，長度近似為1m。注2：磁芯材料為鐵氧體。表A.6磁芯繞組信息（2A的BAN）線圈磁芯型號匝數(shù)LfcHμHMHzOe(奧斯特)L1—88622.72L2—620502.885L3—611004.98L4—40.21503.32L5—40.22253.32注1：導線直徑近似為0.64mm，長度近似為1.3m。注2：磁芯材料為鐵氧體。注3：對L1，L為10kHz時的測量值；對L2~L5，L為計算值。表A.7磁芯繞組信息（30A的BAN）線圈 磁芯型號 匝數(shù) LμHL1—1538L2—1215L3—52.4注1：導線直徑近似為1.61mm，長度近似為1.5m。注2：磁芯材料為鐵粉。A.7 組件的繞制和安裝組件繞制推薦采用一根完整的導線。 留出足夠的導線用于連接 L1上的電容端子，L1磁芯上繞組要緊密纏繞。L2的磁芯距離L1約為6mm，L2上的繞組以反方向緊密纏繞，且平行于 L1的繞組。L3~L5上的繞組以同樣的方式繞制，并成 Z字型。見圖A.2結構圖所示，留足夠的導線把 L5連接到BAN的凸耳上。把組件安裝在銷釘上， 然后使用非金屬螺釘把銷釘組裝到支撐的凸耳上。 所有的連接應使用最短的線束。圖中：aC－旁路電容器 ；a－推薦的最佳旁路電容器為 0.047μF單片陶瓷電容器。圖A.2典型的繞組結構－俯視圖6GB/T33014—.7－××××附 錄 B（資料性附錄）功能特性狀態(tài)分類（FPSC）推薦的試驗嚴酷等級和頻段分別見表B.1和表B.2。FPSC詳細說明見GB/T33014.1-2016。表B.1推薦試驗嚴酷等級試驗嚴酷等級試驗電平WL10.1L20.2L30.