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文檔簡介

1一半徑為r的半球面均勻帶電，電荷面密度為s

。求球心處的電場強度。已知：r,σ

求：E0roxy解：均勻帶電圓環(huán)的場強為qdqroxy2

圖中電場強度的分量為Ex=bx1/2,Ey=Ez=0,式中b=800N/(C.m1/2)，設(shè)d=10cm,試計算（1）通過立方體表面的總E通量；（2）立方體內(nèi)的總電荷量。zxydoddd已知：Ex=bx1/2,b=800N/(C.m1/2)，

Ey=Ez=0,d=10cm,求：(1)Φ,(2)q

=1.04N.m2/Cbd2=2dbd2d1=()2bd2d=Φqε0=Φqε0=9.2×10-12CΦ.ES=解：（1）zxydoddd（2）3

一層厚度為d

=0.5cm的無限大平板，均勻帶電，電荷體密度為ρ=1.0×10-4C/m3

。求:

（1）這薄層中央的電場強度；（2）薄層內(nèi)與其表面相距0.1cm處的電場強

度；（3）薄層外的電場強度。ρdρd解：（1）Sd1E2E2=0E1ρSd1+=E2SE2Sε02ρd1=E2ε0=1.0×10-4×0.3×10-22×8.85×10-12=1.69×104V/m（2）ρddE3E3S2ρd=E3ε0=1.0×10-4×0.5×10-22×8.85×10-12=2.83×104V/mρSd+=E3SE3Sε0（3）4

設(shè)電勢沿x軸的變化曲線如圖所示。試對所示各區(qū)間（忽略區(qū)間端點的情況）確定電場強度的x分量，并作出Ex對x的關(guān)系圖線。agfhecbd5-5612-12-6V/Vx/mo-5-7<<x-5-2x<<-22x<<UΔEx=xΔ==-6V/m12-0-4+6Ex=0Ex==3V/m0-122+2解：5-5612-12-6U/Vx/moagfhecbd22.5<<x2.54.5x<<4.57x<<Ex=-=12V/m-6-02.5-2Ex=0Ex==-2.4V/m0+6.07-4.55-5612-12-6U/Vx/moagfhecbd5

設(shè)氣體放電形成的等離子體在圓柱內(nèi)的電荷分布可用下式表示式中r是到圓柱軸線的距離，ρ0是軸線處的電荷體密度，a是常量。試計算其場強分布。解：先計算高斯面內(nèi)的電量rdr由高斯定律：6

有一瓦楞狀直長均勻帶電薄板，面電荷密度為σ,瓦楞的圓半徑為a試求：軸線中部一點P處的電場強度。aLP.qxyodEdqqaaLldP.解：LdlσdqqxyodEdqqaEy=0由電荷分布的對稱性：òEx=dEqsin=òEdaεπ20=σdlqsinòaεπ20=

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