標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14620-2013 薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片》相比于《GB/T 14620-1993 薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片》，主要在以下幾個方面進(jìn)行了更新與調(diào)整：

  1. 技術(shù)指標(biāo)的修訂：新版標(biāo)準(zhǔn)對氧化鋁陶瓷基片的物理性能、尺寸精度以及表面質(zhì)量等方面的技術(shù)要求進(jìn)行了細(xì)化和優(yōu)化，以適應(yīng)近年來薄膜集成電路技術(shù)的發(fā)展需求。例如，提高了基片的平整度、熱穩(wěn)定性及介電性能的要求。

  2. 檢測方法的改進(jìn)：針對各項技術(shù)指標(biāo)，2013版標(biāo)準(zhǔn)引入了更先進(jìn)的檢測技術(shù)和方法，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。這包括使用更精密的儀器設(shè)備和更加科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試流程。

  3. 分類與命名規(guī)則的調(diào)整：新標(biāo)準(zhǔn)對氧化鋁陶瓷基片的分類體系進(jìn)行了修訂，可能包括增加了新的規(guī)格型號或調(diào)整了原有型號的定義，以便更好地滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求，并提高產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化程度。

  4. 增加了環(huán)保要求：隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識的增強，2013版標(biāo)準(zhǔn)中可能加入了對生產(chǎn)過程中材料使用、廢棄物處理等方面的環(huán)保要求，鼓勵采用更加環(huán)境友好的生產(chǎn)工藝。

  5. 標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍和引用文件更新：新標(biāo)準(zhǔn)可能擴(kuò)大或明確了適用的產(chǎn)品范圍，并更新了參考的國家標(biāo)準(zhǔn)和國際標(biāo)準(zhǔn)清單，確保標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容與國際先進(jìn)水平保持一致，提升我國產(chǎn)品在國際市場上的競爭力。

  6. 術(shù)語和定義的完善：為提高標(biāo)準(zhǔn)的清晰度和可操作性，對一些關(guān)鍵術(shù)語和定義進(jìn)行了補充或修訂，使得行業(yè)內(nèi)外人士能更準(zhǔn)確理解標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。

  7. 質(zhì)量控制和管理體系的強化：2013版標(biāo)準(zhǔn)可能加強了對生產(chǎn)過程的質(zhì)量控制要求，強調(diào)了從原材料選擇到成品檢驗的全過程管理，旨在提升產(chǎn)品質(zhì)量和一致性。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2013-11-12 頒布
  • 2014-04-15 實施
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GB/T 14620-2013薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片_第1頁
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文檔簡介

ICS31030

L90.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14620—2013

代替

GB/T14620—1993

薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

Aluminaceramicsubstratesforthinfilmintegratedcircuits

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T14620—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片與相比

GB/T14620—1993《》,GB/T14620—1993,

主要變化如下

:

增加了術(shù)語和產(chǎn)品標(biāo)識見第章和第章

———(34);

增加了對標(biāo)稱氧化鋁含量不能小于實際含量的要求見

———(4.3);

細(xì)化了劃線前后可能對基片外形尺寸造成影響的指標(biāo)見

———(5.2.2);

增加了對基片直線度的要求見表

———(2);

區(qū)分燒結(jié)和拋光基片見表和表

———(15);

對基片翹曲度的測試進(jìn)行了詳細(xì)說明見附錄

———(A)。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曹易李曉英

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況

:

———GB/T14620—1993。

Ⅰ

GB/T14620—2013

薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片的要求測試方法檢驗規(guī)則標(biāo)志包裝運輸和

、、、、、

貯存

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片以下簡稱基片的生產(chǎn)和采購采用薄膜工藝的

(“”),

片式元件用氧化鋁陶瓷基片也可參照使用

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何量技術(shù)規(guī)范形狀和位置公差檢測規(guī)定

GB/T1958(GPS)

壓電陶瓷材料體積密度測量方法

GB/T2413

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

周期檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表適用于生產(chǎn)過程穩(wěn)定性的檢查

GB/T2829()

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

GB/T5593

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法平均線膨脹系數(shù)測試方法

GB/T5594.3

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法介質(zhì)損耗角正切值的測試方法

GB/T5594.4

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法體積電阻率測試方法

GB/T5594.5

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法透液性測試方法

GB/T5594.7

氧化鈹瓷導(dǎo)熱系數(shù)測定方法

GB/T5598

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法接觸觸針式儀器的標(biāo)稱特性

GB/T6062(GPS)()

鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法

GB/T6900

電子陶瓷零件技術(shù)條件

GB/T9531.1

厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

GB/T14619—2013

精細(xì)陶瓷室溫硬度試驗方法

GB/T16534—2009

微電子器件試驗方法和程序

GJB548B—2005

固體材料高溫?zé)釘U(kuò)散率測試方法激光脈沖法

GJB1201.1—1991

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14619—2013。

4標(biāo)識及代號

41通則

.

基片用五組帶下劃線的符號

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