GB/T 14620-2013薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

ICS31030

L90.

中華人民共和國國家標準

GB/T14620—2013

代替

GB/T14620—1993

薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

Aluminaceramicsubstratesforthinfilmintegratedcircuits

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T14620—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片與相比

GB/T14620—1993《》,GB/T14620—1993,

主要變化如下

:

增加了術語和產(chǎn)品標識見第章和第章

———(34);

增加了對標稱氧化鋁含量不能小于實際含量的要求見

———(4.3);

細化了劃線前后可能對基片外形尺寸造成影響的指標見

———(5.2.2);

增加了對基片直線度的要求見表

———(2);

區(qū)分燒結(jié)和拋光基片見表和表

———(15);

對基片翹曲度的測試進行了詳細說明見附錄

———(A)。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由中國電子技術標準化研究院歸口

。

本標準起草單位中國電子技術標準化研究院

:。

本標準主要起草人曹易李曉英

:、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況

:

———GB/T14620—1993。

Ⅰ

GB/T14620—2013

薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

1范圍

本標準規(guī)定了薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片的要求測試方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸和

、、、、、

貯存

。

本標準適用于薄膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片以下簡稱基片的生產(chǎn)和采購采用薄膜工藝的

(“”),

片式元件用氧化鋁陶瓷基片也可參照使用

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何量技術規(guī)范形狀和位置公差檢測規(guī)定

GB/T1958(GPS)

壓電陶瓷材料體積密度測量方法

GB/T2413

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

周期檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表適用于生產(chǎn)過程穩(wěn)定性的檢查

GB/T2829()

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

GB/T5593

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法平均線膨脹系數(shù)測試方法

GB/T5594.3

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法介質(zhì)損耗角正切值的測試方法

GB/T5594.4

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法體積電阻率測試方法

GB/T5594.5

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法透液性測試方法

GB/T5594.7

氧化鈹瓷導熱系數(shù)測定方法

GB/T5598

產(chǎn)品幾何技術規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法接觸觸針式儀器的標稱特性

GB/T6062(GPS)()

鋁硅系耐火材料化學分析方法

GB/T6900

電子陶瓷零件技術條件

GB/T9531.1

厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

GB/T14619—2013

精細陶瓷室溫硬度試驗方法

GB/T16534—2009

微電子器件試驗方法和程序

GJB548B—2005

固體材料高溫熱擴散率測試方法激光脈沖法

GJB1201.1—1991

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14619—2013。

4標識及代號

41通則

.

基片用五組帶下劃線的符號