標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14849.4-2014 工業(yè)硅化學(xué)分析方法 第4部分：雜質(zhì)元素含量的測定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》與《GB/T 14849.4-2008 工業(yè)硅化學(xué)分析方法 第4部分：電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法測定元素含量》相比，主要存在以下幾方面的差異和更新：

  1. 范圍明確化：2014版標(biāo)準(zhǔn)在名稱中特別強調(diào)了“雜質(zhì)元素含量的測定”，相較于2008版，其適用范圍更加具體明確，專注于工業(yè)硅中雜質(zhì)元素的分析方法。

  2. 技術(shù)改進：隨著技術(shù)進步，2014版標(biāo)準(zhǔn)可能納入了新的或優(yōu)化的電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-AES）技術(shù)，包括儀器操作參數(shù)、樣品前處理技術(shù)及數(shù)據(jù)分析方法的更新，以提高檢測的準(zhǔn)確性和精密度。

  3. 檢測元素擴展：新標(biāo)準(zhǔn)可能根據(jù)行業(yè)需求和分析技術(shù)的進步，增加了可測定的雜質(zhì)元素種類，或者對某些特定雜質(zhì)元素的檢測限進行了修訂，以更好地適應(yīng)工業(yè)硅品質(zhì)控制的要求。

  4. 方法細節(jié)調(diào)整：詳細的操作步驟、試劑選擇、標(biāo)準(zhǔn)溶液制備、質(zhì)量控制措施等方面可能有所變動，旨在提供更清晰、操作性更強的指導(dǎo)，確保實驗結(jié)果的重復(fù)性和可比性。

  5. 精密度和準(zhǔn)確度要求：2014版標(biāo)準(zhǔn)可能對測量結(jié)果的精密度和準(zhǔn)確度提出了更嚴(yán)格的要求，或者提供了更多的驗證數(shù)據(jù)和案例，以增強方法的可靠性和實用性。

  6. 術(shù)語和定義更新：根據(jù)行業(yè)發(fā)展和標(biāo)準(zhǔn)化工作的推進，標(biāo)準(zhǔn)中的專業(yè)術(shù)語、符號和定義可能得到更新，以保持與國際標(biāo)準(zhǔn)的一致性。

  7. 標(biāo)準(zhǔn)引用更新：為了保證標(biāo)準(zhǔn)的時效性和科學(xué)性，2014版可能引用了最新的國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或國際標(biāo)準(zhǔn)，替代了2008版中過時的引用文獻。

這些變化反映了標(biāo)準(zhǔn)隨時間的技術(shù)發(fā)展和行業(yè)需求的適應(yīng)性調(diào)整，旨在為工業(yè)硅中雜質(zhì)元素的定量分析提供更先進、更精確的方法。


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....

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  • 2014-12-05 頒布
  • 2015-08-01 實施
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GB/T 14849.4-2014工業(yè)硅化學(xué)分析方法第4部分：雜質(zhì)元素含量的測定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法_第1頁
GB/T 14849.4-2014工業(yè)硅化學(xué)分析方法第4部分：雜質(zhì)元素含量的測定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法_第2頁
GB/T 14849.4-2014工業(yè)硅化學(xué)分析方法第4部分：雜質(zhì)元素含量的測定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法_第3頁

文檔簡介

ICS7712010

H12..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T148494—2014

代替.

GB/T14849.4—2008

工業(yè)硅化學(xué)分析方法

第4部分雜質(zhì)元素含量的測定

:

電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

Methodsforchemicalanalysisofsiliconmetal—

Part4Determinationofimuritcontents—

:py

Inductivelycoupledplasmaatomicemissionspectrometricmethod

2014-12-05發(fā)布2015-08-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T148494—2014

.

前言

工業(yè)硅化學(xué)分析方法分為個部分

GB/T14849《》9:

第部分鐵含量的測定二氮雜菲分光光度法

———1:1,10-;

第部分鋁含量的測定鉻天青分光光度法

———2:-S;

第部分鈣含量的測定火焰原子吸收光譜法偶氮氯膦分光光度法

———3:、Ⅰ;

第部分雜質(zhì)元素含量的測定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

———4:;

第部分雜質(zhì)元素含量的測定射線熒光光譜法

———5:X;

第部分碳含量的測定紅外吸收法

———6:;

第部分磷含量的測定鉬藍分光光度法

———7:;

第部分銅含量的測定分光光度法

———8:PADAP;

第部分鈦含量的測定二安替比林甲烷分光光度法

———9:。

本部分為的第部分

GB/T148494。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替工業(yè)硅化學(xué)分析方法第部分電感耦合等離子體發(fā)射光譜

GB/T14849.4—2008《4:

法測定元素含量與相比主要技術(shù)變化如下

》。GB/T14849.4—2008,:

增加了銅鉻釩鎂鈷磷鉀鈉鉛鋅硼的檢測

———、、、、、、、、、、;

增加了兩種溶樣方式

———;

補充了重復(fù)性限再現(xiàn)性限實驗數(shù)據(jù)

———、。

本部分由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC243)。

本部分負責(zé)起草單位昆明冶金研究院中國鋁業(yè)股份有限公司鄭州研究院昆明冶研新材料股份

:、、

有限公司

。

本部分參加起草單位云南出入境檢驗檢疫局技術(shù)中心通標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有限公司浙江合盛硅

:、、

業(yè)有限公司云南永昌硅業(yè)股份有限公司

、。

本部分主要起草人劉維理王勁榕李躍平趙德平楊毅趙建為王云舟王宏磊聶長虹

:、、、、、、、、、

劉英波盧國洪吳豫強張云暉譚少姬程志武周杰

、、、、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14849.4—2008。

Ⅰ

GB/T148494—2014

.

工業(yè)硅化學(xué)分析方法

第4部分雜質(zhì)元素含量的測定

:

電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

1范圍

的本部分規(guī)定了工業(yè)硅中鐵鋁鈣錳鈦鎳銅鉻釩鎂鈷磷鉀鈉鉛鋅硼

GB/T14849、、、、、、、、、、、、、、、、

含量的測定方法

。

本部分適用于工業(yè)硅中鐵鋁鈣錳鈦鎳銅鉻釩鎂鈷磷鉀鈉鉛鋅硼量的測定各元

、、、、、、、、、、、、、、、、。

素測定范圍見表

1。

表1測定范圍

測定元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)測定元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)

/%/%

鐵鎂

0.020~1.000.0010~0.50

鋁鈷

0.020~1.000.0005~0.20

鈣磷

0.010~1.000.0010~0.10

錳鉀

0.0050~0.500.0010~0.50

鈦鈉

0.0050~0.500.0010~0.50

鎳鉛

0.0050~0.500.0030~0.10

銅鋅

0.0010~0.500.0010~0.50

鉻硼

0.0010~0.500.0005~0.20

釩

0.0005~0.20——

2規(guī)范性引用文件

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。

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