標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 14862-1993 半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測試方法》作為一項國家標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路封裝中從結(jié)點到外殼的熱阻測量方法。然而,您提供的對比標(biāo)準(zhǔn)信息不完整,我無法直接指出與某個特定標(biāo)準(zhǔn)相比的具體變更內(nèi)容。如果您能提供另一個相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)信息或名稱,我將能夠進(jìn)一步分析并闡述兩者之間的差異和更新點。
不過,一般來說,當(dāng)比較不同版本或相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)時,變更可能涉及以下幾個方面:
- 測試方法的改進(jìn):新標(biāo)準(zhǔn)可能會引入更精確、更高效的測試技術(shù)或程序,以提高測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。
- 參數(shù)定義的調(diào)整:為了適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步或行業(yè)需求,新標(biāo)準(zhǔn)可能會對關(guān)鍵術(shù)語、測試條件、計算公式中的參數(shù)進(jìn)行重新定義或細(xì)化。
- 適用范圍的擴(kuò)展或限制:標(biāo)準(zhǔn)可能會根據(jù)技術(shù)發(fā)展或市場變化調(diào)整其適用的集成電路類型或封裝形式。
- 環(huán)境因素的考慮:隨著對環(huán)境影響重視程度的增加,新標(biāo)準(zhǔn)可能會加入更多關(guān)于測試環(huán)境控制、能耗或材料可持續(xù)性的要求。
- 標(biāo)準(zhǔn)化引用的更新:為了保持與其他國際或國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的一致性,新標(biāo)準(zhǔn)會引用最新的參考文獻(xiàn)和技術(shù)規(guī)范。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1993-12-30 頒布
- 1994-10-01 實施
文檔簡介
UDG.621.382L55中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T14862-93半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測試方法Junction-to-casethermalresistancetestmethodsofpackagesforsemiconductorintegratedcircuits1993-12-30發(fā)布1994-10-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
(京)新登字023號中華人民共和因國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測試方法GB/T14862-93中國標(biāo)淮出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼:100045電話:63787337、637874471994年7月第一版204年12月電子版制作書號:155066·1-10797版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話:(010)68533533
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼GB/T14862-93熱阻測試方法Junction-to-casethermalresistancetestmethodsofpackagesForsemiconductorintegratedcircuits1主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻的測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路陶瓷、金屬、塑料封裝結(jié)到外殼熱阻的測量22引用標(biāo)準(zhǔn)GB/T14113半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語GJB548微電子器件試驗方法和程序3術(shù)語、符號、代號3.1術(shù)語3.1.1熱測試芯片F(xiàn)thermaltestchip為表征集成電路封裝的熱特性而設(shè)計的芯片。3.1.2被測器件deviceundertest裝裝有熱測試芯片供測址封裝熱阻的微電子器件。3.1.3結(jié)溫T,junctiontemperatureT,表示微電路中主要熱量產(chǎn)生部分的半導(dǎo)體結(jié)的溫度3.1.4加熱功率PaheatingpowerPu施加在器件上以產(chǎn)生結(jié)到參考點溫度差的功率。3.1.5溫敏參數(shù)TSPtemperature-sensitiveparameterTSP與被測結(jié)溫相關(guān)且可對溫度進(jìn)行校準(zhǔn)以檢測所需結(jié)溫的電特性。3.2符號、代號3.2.1Rr:結(jié)到參考點熱阻3.2.2Ruc結(jié)到外殼熱阻3.2.3Rom:結(jié)到安裝表面熱阻3.2.4TR:參考點溫度3.2.5Twc:校準(zhǔn)溫度3.2.6Vwm:熱敏參數(shù)值該參數(shù)在測試電流(Iu)和相應(yīng)的加熱功率(Pa)所產(chǎn)生的結(jié)溫下測量3.2.7Vc:溫敏參數(shù)值該參數(shù)在測
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