標準解讀

GB/T 16595-1996是一項中國國家標準，全稱為《晶片通用網(wǎng)格規(guī)范》。該標準主要規(guī)定了半導體晶片在制造和使用過程中所采用的網(wǎng)格系統(tǒng)的通用要求、定義、以及標注方法，以確保晶片設計、制造、測試及封裝等各個環(huán)節(jié)的一致性和互換性。以下是該標準的主要內(nèi)容概述：

  1. 范圍：明確了本標準適用于半導體晶片的網(wǎng)格系統(tǒng)，包括但不限于硅晶片和其他類型的半導體材料晶片，用于指導晶片的物理布局和電氣特性設計。

  2. 術語和定義：對晶片制造和網(wǎng)格設計中涉及的關鍵術語進行了定義，如晶格(lattice)、晶向(crystal orientation)、晶格常數(shù)(lattice constant)等，以便統(tǒng)一行業(yè)內(nèi)的交流語言。

  3. 晶片網(wǎng)格的基本要求：規(guī)定了晶片表面網(wǎng)格的設計應遵循的原則，包括網(wǎng)格的均勻性、對稱性以及與晶格結(jié)構(gòu)的匹配度，確保晶片的加工精度和性能一致性。

  4. 網(wǎng)格尺寸與標記：詳細說明了晶片上網(wǎng)格的尺寸標準、間距要求及標記方法。這包括了網(wǎng)格線的寬度、間隔，以及如何在晶片上明確標注出參考點、坐標系等，便于后續(xù)工序中的定位和測量。

  5. 晶向標識：規(guī)定了晶片的主要晶向應如何標識，以便于識別和處理不同晶向的晶片，因為晶向直接影響到半導體器件的電學性能。

  6. 檢驗規(guī)則：提供了晶片網(wǎng)格系統(tǒng)檢驗的方法和標準，包括檢驗項目、檢驗工具、合格判定準則等，確保晶片網(wǎng)格的符合性。

  7. 包裝、運輸和儲存：雖然這不是標準的主要內(nèi)容，但也可能包含一些關于按照網(wǎng)格規(guī)范生產(chǎn)出的晶片在包裝、運輸和儲存過程中的注意事項，以保護晶片不受損害，保持其網(wǎng)格的完整性。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 16595-2019
  • 1996-11-04 頒布
  • 1997-04-01 實施
?正版授權
GB/T 16595-1996晶片通用網(wǎng)格規(guī)范_第1頁
GB/T 16595-1996晶片通用網(wǎng)格規(guī)范_第2頁
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文檔簡介

ICS29.045H21中華人民共和國國家標準GB/r16595-1996晶片通用網(wǎng)格規(guī)范Specificationforauniversalwafergrid1996-11-04發(fā)布1997-04-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準品片通用網(wǎng)格規(guī)范GB/T16595-1996中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045http//電話：63787337、637874471997年4月第一版2005年1月電子版制作書號：155066·1-13652版權專有侵權必究舉報電話：（010）68533533

GB/r16595-1996本標準等效采用半導體設備和材料國際組織SEMIM17一90《品片通用網(wǎng)格規(guī)范》,結(jié)合我國的實際情況制定的,用于定量描述圓形半導體品片上非均勾分布的表面缺陷、本標準適用于定量GB/T12964、GB/T14139中品片的表面缺陷在引用標準中,SEMIM17中引用的凡已轉(zhuǎn)化成我國標準的國外標準,都引用現(xiàn)行的我國標準。與本標準配套的規(guī)范有GB/T16596—1996《確定晶片坐標系規(guī)范》本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所歸口。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所負責起草，本標準主要起草人：吳福立。本標準1996年11月首次發(fā)布

中華人民共和國國家標準GB/T16595-1996規(guī)晶片格！范Specificationforauniversalwafergrid1范圍1.1本標準規(guī)定了可用于定量描述公稱圓形半導體品片表面缺陷的網(wǎng)格圖形。網(wǎng)格規(guī)定包含1000個面積近似相等的網(wǎng)格單元，每個網(wǎng)格單元相當于受檢表面固定優(yōu)質(zhì)區(qū)總面積的0.1%。根據(jù)晶片表面上有缺陷的面積百分比(或有效的面積百分比），可定量其非均勾分布的表面缺陷(例如,滑移)。1.2把透明的網(wǎng)格覆蓋到晶片缺陷圖形上或把被觀測的品片缺陷圖形映到網(wǎng)格上，定量有缺陷的面積,計算含有缺陷的網(wǎng)格單元的數(shù)量。該單元數(shù)除以10相當于有缺陷面積的百分比。也可將該網(wǎng)格疊加在CRT顯示器、照片或計算機繪制的圖上。使用時，網(wǎng)格的直徑必須與所覆蓋的晶片圖形或圖像尺寸成比例。1.3網(wǎng)格以晶片中心來定位。根據(jù)GB/T12964或SEMIMI規(guī)定的品片公稱直徑，使用“固定優(yōu)質(zhì)區(qū)”的概念。1.4外延層上滑移和其他非均勻分布的缺陷，最大允許值已在GB/T14139、SEMIM2和SEMIM11中規(guī)定，按照GB/T6624、GB/T14142和YS/T209進行觀測。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本規(guī)范中引用而構(gòu)成為本規(guī)范的條文。本規(guī)范出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本規(guī)范的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性、2.1我國標準GB/T1554一1995硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB/T6624一1995硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB/T12964-1991硅單晶拋光片GB/T14139-93硅單晶外延片GB/T14142—93硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法GB/T14264-93半導體材料術語YS/T209-94硅材料原生缺陷圖譜2.2SEMI標準SEMIM1一94硅單晶拋光片規(guī)范SEMIM2-94硅單晶外延片規(guī)范SEMIM11-94先進電路

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