標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 17169-1997 是一項中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn),全稱為《硅拋光片和外延片表面質(zhì)量光反射測試方法》。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于評估硅拋光片和外延片表面質(zhì)量的光反射測試的具體方法和要求,旨在為半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)和應(yīng)用提供統(tǒng)一的檢測標(biāo)準(zhǔn),確保產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和可靠性。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概覽:
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范圍:本標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅拋光片和外延片表面質(zhì)量的光反射率測試,主要用于檢測這些材料表面的平整度、潔凈度及微缺陷等。
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規(guī)范性引用文件:列出了執(zhí)行本標(biāo)準(zhǔn)時所依據(jù)或參考的其他相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)文獻(xiàn),確保測試過程與國際或國內(nèi)其他標(biāo)準(zhǔn)相協(xié)調(diào)。
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術(shù)語和定義:明確了在標(biāo)準(zhǔn)中使用的一些專業(yè)術(shù)語及其定義,幫助讀者準(zhǔn)確理解測試中的具體概念。
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測試原理:描述了利用光反射原理來評估硅片表面質(zhì)量的方法。通常涉及將特定波長的光照射到硅片表面,并測量反射光的強(qiáng)度或分布,以此來分析表面的微觀狀態(tài)。
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儀器要求:詳細(xì)說明了進(jìn)行光反射測試所需設(shè)備的類型、精度要求以及校準(zhǔn)方法,確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。
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試樣制備:規(guī)定了測試前硅片的處理步驟,包括清洗、干燥等,以去除可能影響測試結(jié)果的外來污染。
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測試條件:包括測試環(huán)境(如溫度、濕度)、光照條件(如光源特性、入射角度)等具體要求,這些條件對測試結(jié)果有直接影響。
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測試步驟:詳細(xì)闡述了從設(shè)置儀器、放置試樣到獲取并記錄數(shù)據(jù)的全過程,確保測試操作的標(biāo)準(zhǔn)化和規(guī)范化。
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數(shù)據(jù)處理與分析:提供了如何處理測試數(shù)據(jù),包括計算反射率、分析數(shù)據(jù)以識別表面缺陷的方法指導(dǎo)。
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試驗報告:規(guī)定了測試報告應(yīng)包含的信息,如樣品信息、測試條件、測試結(jié)果及必要的圖表等,以便于結(jié)果的交流和追溯。
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- 廢止
- 已被廢除、停止使用,并不再更新
- 1997-12-22 頒布
- 1998-08-01 實施
文檔簡介
ICS.29.045H24中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T17169-1997硅拋光片和外延片表面質(zhì)量光反射測試方法Testmethodforthesurfacequalityofpolishedsiliconwafersandepitaxiallwafersbyyoptical-reflection1997-12-22發(fā)布1998-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
GB/T17169-1997前目前尚無檢索到鏡面狀半導(dǎo)體品片表面缺陷光反射無報檢驗的國際標(biāo)準(zhǔn)或國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)利用近代激光技術(shù)、先進(jìn)的光學(xué)接收裝置,經(jīng)過信息處理系統(tǒng),可快速、無損完成對鏡面狀試樣表面狀態(tài)分析,試樣表面缺陷的圖像可直觀地在屏幕上顯示出來。本標(biāo)準(zhǔn)檢驗顯示出的缺陷圖像已編成圖譜本標(biāo)準(zhǔn)可實現(xiàn)對半導(dǎo)體硅拋光片、外延片表面直觀、靈敏、快速、無損檢驗。本標(biāo)準(zhǔn)是光電子技術(shù)與徽電子技術(shù)相結(jié)合應(yīng)用于表面質(zhì)最檢驗的研究所取得的重要成果本標(biāo)準(zhǔn)于1998年8月1日起實施。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計量研究所歸口本標(biāo)準(zhǔn)由南開大學(xué)、天津市半導(dǎo)體材料廠負(fù)資起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李增發(fā)、王宏杰、張福禎、顏彩繁、張光寅、鄧江東本標(biāo)準(zhǔn)于1997年12月22日首次發(fā)布。
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅拋光片和外延片cB/T17169-1997表面質(zhì)量光反射測試方法Testmethodforthesurfacegualityofpolishedsiliconwafersandepitaxialwafcrsbyoptical-reflection1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體硅拋光片和外延片表面常見缺陷的光反射無損檢驗方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體硅拋光片和外延片表面質(zhì)最的無損檢驗。本標(biāo)準(zhǔn)的檢驗結(jié)果與GB/T6624、GB/T14142的檢驗結(jié)果一致。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文,通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。在標(biāo)準(zhǔn)出版時,所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂,使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性GB/T6624—1995硅地光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB/T14142—93硅外延層品體完整性檢驗方法腐蝕法GB/T14262—93半導(dǎo)體材料術(shù)語3方法原理用澈光作光源,利用激光的相干性和空間濾波的方法,形成波面高度均勻的發(fā)散光束,照射試樣表面。由于試樣表面存在各種不均勾性,反射光束的波面將發(fā)生畸變,畸變波面空間折疊,相干成像,形成與各種缺陷對應(yīng)的圖像。用一定的接收裝置(CCD或攝像機(jī))接收、記錄反射圖像,經(jīng)過計算機(jī)信息處理系統(tǒng),可完成試樣表面的狀態(tài)分析、儲存。圖像通過監(jiān)視器,可直觀地在屏幕上顯示出來。由此可對試樣
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