GB/T 18210-2000晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量

ICS27.160K83中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T.18210-2000idtIrc61829：1995°晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量Crystallinesiliconphotovoltaic（PV）arrayOn-sitemeasurementof/-Vcharacteristics2000-10-17發(fā)布2001-05-01實(shí)施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T18210-2000目次前言IEC前言范圍和目的引用標(biāo)準(zhǔn)33測量方法(方法A和B）投設(shè)備45程序6準(zhǔn)確度附錄A(提示的附錄）術(shù)語

GB/T18210-2000本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC61829:1995《品體硅光伏(PV)方陣T-V特性的現(xiàn)場測量》。本標(biāo)準(zhǔn)是太陽光伏能源系統(tǒng)中一項(xiàng)基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn).所使用的名詞術(shù)語與有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)一致在與IEC/TC82秘書處交換意見之后，本標(biāo)準(zhǔn)對IEC61829:1995中錯誤作如下修正：1.“輻照度"和“輻照度G"統(tǒng)一用符號"G"表示；2.用術(shù)語“標(biāo)準(zhǔn)光伏器件“代替“標(biāo)準(zhǔn)器件“和“標(biāo)準(zhǔn)PV器件"。術(shù)語“標(biāo)準(zhǔn)光伏器件“的定義列于附永中。3.對不同場合測得的開路電壓Voc加以編號：4："T"和"了”統(tǒng)一為"T，”。5.在5.1a)測量組件背表面中心溫度時，增加一個限定條件靠近電池處、本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A是提示的附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部電子第十八研究所、秦皇島市華美光電設(shè)備總公司本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：由志德、李濤勇。

GB/T18210-2000IEC前言1）IEC(國際電工委員會)是由各國家電工委員會(IEC國家委員會)組成的世界性標(biāo)準(zhǔn)化組織IC的目的是促進(jìn)電工電子領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)化問題的國際合作。為此目的.除其他活動外，IEC發(fā)布國際標(biāo)準(zhǔn)國際標(biāo)準(zhǔn)的制定由技術(shù)委員會承擔(dān)，對所涉及內(nèi)容關(guān)切的任何IEC國家委員會均可參加國際標(biāo)準(zhǔn)的制定工作。與IC有聯(lián)系的任何國際，政府和非官方組織也可以參加國際標(biāo)準(zhǔn)的制定。IEC與國際標(biāo)準(zhǔn)化組織(ISO)根據(jù)兩組織間協(xié)商確定的條件保持密切的合作關(guān)系，2）IEC在技術(shù)問題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議，是由對這些問題特別關(guān)切的國家委員會參加的技術(shù)委員會制定的.對所涉及的問題盡可能地代表了國際上的一致意見。3）這些決議或協(xié)議以標(biāo)準(zhǔn)、技術(shù)報告或?qū)t形式發(fā)布·以推薦的形式供國際上使用·并在此意義上，為各國家委員會認(rèn)可。4）為了促進(jìn)國際上的統(tǒng)一,各IEC國家委員會有責(zé)任使其國家和地區(qū)標(biāo)準(zhǔn)盡可能采用IEC標(biāo)準(zhǔn)。IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國家或地區(qū)標(biāo)準(zhǔn)之間的任何差異應(yīng)在國家或地區(qū)標(biāo)準(zhǔn)中指明，國際標(biāo)準(zhǔn)IEC61829由IEC第82技術(shù)委員會（太陽光伏能源系統(tǒng))制定。本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文件為依據(jù)：DIS(國際標(biāo)準(zhǔn)草案)表決報告82（C0）3682（C0)61表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)資料可在上表列出的表決報告中查閱附錄A為提示的附錄.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)晶體硅光伏(PV)方陣GB/T18210-2000I-V特性的現(xiàn)場測量idtIEC61829:1995Crystallinesiliconphotovoltaic（PV）arrayOn-sitemeasurementof/-Vcharacteristics范范圍和目的本標(biāo)準(zhǔn)描述品體硅光伏方陣特性的現(xiàn)場測量及將測得的數(shù)據(jù)外推到標(biāo)準(zhǔn)測試條件(STC)或其他選定的溫度和輻照度條件下的程序。光伏方陣在實(shí)際現(xiàn)場條件下的7V特性測量及其驗(yàn)收測試條件（ATC)下的外推值·能夠提供(參見附錄A和IECQQC001002）：a）功率額定值的數(shù)據(jù)：b）驗(yàn)證已安裝的方陣功率性能是否符合設(shè)計(jì)規(guī)范：）檢測現(xiàn)場組件特性與實(shí)驗(yàn)室或工廠測量之間的差異；d）檢測組件和方陣相對于現(xiàn)場初期數(shù)據(jù)的性能衰降。對于某一個組件.現(xiàn)場測量經(jīng)外推到標(biāo)準(zhǔn)測試條件(STC)的數(shù)據(jù).可以直接與先前在實(shí)驗(yàn)室和工廠得到的結(jié)果相比較。條件是兩者測量中使用的標(biāo)準(zhǔn)光伏器件具有相同的光譜響應(yīng)和相同的空間分布響應(yīng)。參見GB/T6495(或IEC60904)的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)。由于現(xiàn)場方陣測量的數(shù)據(jù)包括了二極管、電纜以及失配損失。因此，它們不可直接同各組件數(shù)據(jù)之和相比較。如如果一個光伏方陣是由不同仰角、方位角、工藝、電氣結(jié)構(gòu)的若干個子方陣組成.這里描述的程序?qū)⒅贿m用于每一個光伏子方陣引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時·所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。IEC和ISO成員國要備有現(xiàn)行有效的國際標(biāo)準(zhǔn)的目錄。GB/T6495.1—1996光伏器件第1部分：光伏電流—電壓特性的測量(idtIEC60904-1:1987)GB/T6495.2—1996光伏器件第2部分：標(biāo)準(zhǔn)太陽電池的要求(idtIEC60904-2:1989)GB/T6495.3—1996光伏器件第3部分：地面用光伏器件的測量原理及標(biāo)準(zhǔn)光譜輻照度數(shù)據(jù)(idtIEC60904-3.1989）GB/T6495.4-1996晶體硅光伏器件的7-V實(shí)測特性的溫度和輻照度修正方法(idtIEC60891:1987TEC60904-2: