全球刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

全球刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析一、刻蝕設(shè)備分類刻蝕設(shè)備按原理分類可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕是指利用溶液的化學(xué)反應(yīng)刻蝕，干法刻蝕則是用氣體與等離子體技術(shù)對(duì)材料進(jìn)行刻蝕。干法刻蝕是目前主要的刻蝕技術(shù)，按照干法刻蝕的等離子體的產(chǎn)生方式的不同，可以分為容性耦合等離子體（CCP）和感性耦合等離子體（ICP）刻蝕機(jī)。這兩種刻蝕機(jī)因技術(shù)特點(diǎn)各有側(cè)重，同時(shí)大量應(yīng)用于晶圓產(chǎn)線。二、干法刻蝕按照刻蝕材料，干法刻蝕包括：1.介質(zhì)刻蝕，包括氧化硅刻蝕（制作制作接觸孔、通孔），氮化硅刻蝕（形成MOS器件的有源區(qū)和鈍化窗口）。介質(zhì)刻蝕要求刻蝕高深寬比深孔、深槽，同時(shí)需要對(duì)下層材料有較高的選擇比。2.硅刻蝕，包括多晶硅刻蝕（形成MOS柵電極，是特征尺寸刻蝕）、單晶硅刻蝕（形成IC的STI槽和垂直電容槽），是定義特征尺寸的關(guān)鍵工序。對(duì)多晶硅刻蝕要求高選擇比，防止柵氧化層穿通，大于150:1；好的均勻性和重復(fù)性；高度的各向異性。對(duì)單晶硅要求對(duì)每個(gè)溝槽進(jìn)行精確的控制，要求有一致的光潔度、接近的垂直側(cè)壁、正確的深度和圓滑的溝槽頂角和底角。3.金屬刻蝕。包括刻蝕鋁，形成IC的金屬互聯(lián)等。干法等離子體刻蝕可分為電容性耦合等離子體刻蝕（CCP）和電感性耦合等離子體刻蝕（ICP）。兩者激發(fā)和控制等離子體的方式不同。CCP為電容極板激發(fā)等離子體，ICP由電感線圈激發(fā)等離子體。ICP和CCP刻蝕的應(yīng)用場(chǎng)景有所不同，CCP刻蝕設(shè)備主要以等離子體在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)；ICP刻蝕設(shè)備主要以等離子體在較軟和較薄的材料上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用。三、刻蝕設(shè)備行業(yè)現(xiàn)狀按照刻蝕對(duì)象的不同，刻蝕設(shè)備還可以分為介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕。2020年全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為136.9億美元，其中介質(zhì)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為60.5億美元，硅和金屬刻蝕設(shè)備為76.4億美元。到2025年預(yù)計(jì)全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到181.9億美元，介質(zhì)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為82.5億美元，硅和金屬刻蝕設(shè)備為99.4億美元。全球刻蝕設(shè)備呈現(xiàn)泛林半導(dǎo)體、東京電子和應(yīng)用材料三家寡頭壟斷格局。其中泛林半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力最強(qiáng)，產(chǎn)品覆蓋最為全面，占據(jù)46.7%的市場(chǎng)份額；東京電子和應(yīng)用材料分別占據(jù)26.6%和16.7%。我國刻蝕設(shè)備廠商中微公司和北方華創(chuàng)分別占1.4%和0.9%。四、刻蝕用硅電極刻蝕設(shè)備用硅電極是刻蝕過程中的核心耗材，搭配刻蝕設(shè)備使用，由于不同廠商設(shè)備型號(hào)存在差異，因此硅電極具有定制化屬性?？涛g用硅電極為硅材料加工制成，市場(chǎng)規(guī)模相對(duì)要更大，全球約10-15億美金。同時(shí)兩者具有相似的行業(yè)屬性，因此隨著行業(yè)景氣度復(fù)蘇以及5G、新能源等驅(qū)動(dòng)下高景氣的維持，硅電極市場(chǎng)未來幾年同樣將處于上行周期，規(guī)模有望持續(xù)增長(zhǎng)。格局方面，市場(chǎng)主要參與者包括三菱材料、CoorsTek、SK化學(xué)