標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 24370-2009 硒化鎘量子點納米晶體表征 紫外-可見吸收光譜方法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn),旨在提供一種通過紫外-可見吸收光譜技術(shù)來表征硒化鎘(CdSe)量子點納米晶體特性的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于科研機(jī)構(gòu)、高等院校以及相關(guān)企業(yè),在進(jìn)行CdSe量子點材料的研發(fā)與質(zhì)量控制時作為參考依據(jù)。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),首先需要準(zhǔn)備一定濃度范圍內(nèi)的CdSe量子點溶液,并確保其均勻分散于合適的溶劑中。接下來,使用紫外-可見分光光度計測量這些溶液在特定波長范圍內(nèi)的吸光度值。通過分析獲得的吸收光譜數(shù)據(jù),可以確定樣品的最大吸收峰位置及其半峰寬等重要參數(shù),進(jìn)而評估CdSe量子點的尺寸分布情況及光學(xué)性質(zhì)。
此外,《GB/T 24370-2009》還詳細(xì)規(guī)定了實驗過程中所需的儀器設(shè)備要求、測試條件設(shè)置、數(shù)據(jù)處理方法等內(nèi)容,以保證不同實驗室之間結(jié)果的一致性和可比性。例如,對于使用的分光光度計而言,應(yīng)具備良好的線性響應(yīng)和足夠高的分辨率;而針對樣品制備,則強(qiáng)調(diào)了避免引入雜質(zhì)干擾的重要性。
遵循本標(biāo)準(zhǔn)所描述的方法步驟,研究人員能夠系統(tǒng)地獲取關(guān)于CdSe量子點的關(guān)鍵信息,這對于深入理解此類材料的基本物理化學(xué)特性具有重要意義,同時也為它們在光電轉(zhuǎn)換器件、生物標(biāo)記等多個領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 24370-2021
- 2009-09-30 頒布
- 2009-12-01 實施
文檔簡介
犐犆犛71.040.50
犌30
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
犌犅/犜24370—2009
硒化鎘量子點納米晶體表征
紫外可見吸收光譜方法
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20090930發(fā)布20091201實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局
發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
書
中華人民共和國
國家標(biāo)準(zhǔn)
硒化鎘量子點納米晶體表征
紫外可見吸收光譜方法
GB/T24370—2009
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行
北京復(fù)興門外三里河北街16號
郵政編碼:100045
網(wǎng)址www.spc.net.cn
電話:6852394668517548
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷
各地新華書店經(jīng)銷
開本880×12301/16印張1字?jǐn)?shù)22千字
2009年11月第一版2009年11月第一次印刷
書號:155066·138969
如有印裝差錯由本社發(fā)行中心調(diào)換
版權(quán)專有侵權(quán)必究
舉報電話:(010)68533533
書
犌犅/犜24370—2009
前言
本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B和附錄C均為資料性附錄。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)院提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC279)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位:國家納米科學(xué)中心。
本標(biāo)準(zhǔn)參加起草單位:北京工商大學(xué)、武漢大學(xué)、武漢珈源量子點技術(shù)開發(fā)公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:葛廣路、劉忍肖、嵇天浩、龐代文、朱曉波、高潔、趙蕊。
Ⅰ
書
犌犅/犜24370—2009
引言
半導(dǎo)體納米晶體(又稱量子點、半導(dǎo)體量子點)是由半導(dǎo)體材料(如CdSe、CdTe等Ⅱ~Ⅵ族或InP、
InAs等Ⅲ~Ⅴ族化合物)組成的、尺寸在1nm~100nm之間的納米材料,其中硒化鎘(CdSe)納米晶體
具有優(yōu)良的尺寸及形狀可控性,是研究最多、最有代表性的一類。半導(dǎo)體納米晶體因量子尺寸效應(yīng)的存
在表現(xiàn)出尺寸相關(guān)的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。與傳統(tǒng)的有機(jī)染料分子熒光探針相比,半導(dǎo)體納米晶體的光譜
性質(zhì)具有明顯的優(yōu)勢:激發(fā)波長寬且連續(xù)分布,發(fā)射波長范圍卻很窄,使多波長同時觀察成為可能;發(fā)光
強(qiáng)度高,光化學(xué)穩(wěn)定性更好,十分有利于長時間對細(xì)胞內(nèi)多生命現(xiàn)象的動態(tài)變化進(jìn)行觀察?;谏鲜鲂?/p>
質(zhì),半導(dǎo)體納米晶體在藥物篩選、生物標(biāo)記、細(xì)胞示蹤、流式微流控芯片免疫分析、快速診斷增敏等方面
開始得到廣泛應(yīng)用。
紫外可見吸收光譜法(UVVisabsorptionspectroscopy)是利用物質(zhì)分子對紫外可見光的吸收光
譜,對物質(zhì)的組成結(jié)構(gòu)及含量進(jìn)行分析測定的一種實驗室常用分析方法,可實用而便利地對半導(dǎo)體納米
晶體的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行表征,并獲得其結(jié)構(gòu)信息。用紫外可見吸收光譜法對其進(jìn)行光譜測定時,特征吸
收峰值和摩爾吸收系數(shù)與粒子粒徑有直接的對應(yīng)關(guān)系。在已知每摩爾半導(dǎo)體納米晶體吸收系數(shù)(ε)的
前提下,由郎伯比爾定律(犃=ε犆犔)可簡便而準(zhǔn)確地計算量子點納米晶體在分散液中的摩爾濃度。
Ⅱ
犌犅/犜24370—2009
硒化鎘量子點納米晶體表征
紫外可見吸收光譜方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硒化鎘(CdSe)量子點納米晶體的紫外可見吸收光譜表征方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于由表面活性劑分子———正三辛基氧膦(TOPO,Trioctylphosphine)包覆的硒化鎘量
子點納米晶體在正己烷中形成的分散液。其他表面活性劑分子包覆的硒化鎘量子點納米晶體在各種非
極性試劑中形成的分散液、在水相體系中合成的硒化鎘量子點納米晶體及其他組成的半導(dǎo)體量子點納
米晶體的紫外可見吸收光譜表征也可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T9721—2006化學(xué)試劑分子吸收分光光度法通則(紫外和可見光部分)
GB/T19267.2—2003刑事技術(shù)微量物證的理化檢驗第2部分:紫外可見吸收光譜法
GB/T19619—2004納米材料術(shù)語
JJG178—2007紫外、可見、近紅外分光光度計檢定規(guī)程
3術(shù)語和定義
GB/T19619—2004確立的以及下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
3.1
量子點納米晶體狇狌犪狀狋狌犿犱狅狋狀犪狀狅犮狉狔狊狋犪犾狊
在常溫下具有量子尺寸效應(yīng)的納米晶
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