標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 26065-2010 硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范》是由中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)發(fā)布的一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)硅單晶拋光試驗(yàn)片的生產(chǎn)和質(zhì)量控制。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了硅單晶拋光片的技術(shù)要求、測(cè)試方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等方面的內(nèi)容。

在技術(shù)要求方面，標(biāo)準(zhǔn)明確了硅單晶拋光片的基本尺寸規(guī)格，包括直徑、厚度等參數(shù)，并對(duì)表面平整度、粗糙度提出了具體的要求。此外，還涉及到了電阻率范圍、摻雜類(lèi)型（P型或N型）的選擇等電學(xué)性能指標(biāo)。對(duì)于特定應(yīng)用領(lǐng)域，如微電子行業(yè)中的使用，這些參數(shù)尤為重要。

關(guān)于測(cè)試方法，《GB/T 26065-2010》提供了詳細(xì)的指導(dǎo)，涵蓋了幾何尺寸測(cè)量、表面形貌分析、電導(dǎo)率測(cè)定等多個(gè)方面。通過(guò)采用適當(dāng)?shù)膬x器設(shè)備和技術(shù)手段，確保能夠準(zhǔn)確地評(píng)價(jià)樣品是否符合規(guī)定的各項(xiàng)性能指標(biāo)。

檢驗(yàn)規(guī)則部分，則是圍繞如何進(jìn)行批次抽樣檢查而設(shè)立的一系列準(zhǔn)則。它定義了合格判定條件、不合格品處理流程等內(nèi)容，旨在保證出廠產(chǎn)品的整體質(zhì)量水平。

最后，在包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及貯存章節(jié)中，標(biāo)準(zhǔn)給出了建議性的指南。比如，推薦使用何種材料進(jìn)行封裝以保護(hù)產(chǎn)品免受物理?yè)p傷；標(biāo)識(shí)信息應(yīng)包含哪些關(guān)鍵要素以便于識(shí)別與追溯；以及在不同環(huán)境條件下如何妥善保存硅單晶拋光片以延長(zhǎng)其使用壽命等。

該標(biāo)準(zhǔn)為硅單晶拋光片的生產(chǎn)者、使用者及相關(guān)檢測(cè)機(jī)構(gòu)提供了一個(gè)統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)，有助于提高產(chǎn)品質(zhì)量一致性，促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。


如需獲取更多詳盡信息，請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。

....

查看全部

  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2011-01-10 頒布
  • 2011-10-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 26065-2010硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范_第1頁(yè)
GB/T 26065-2010硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范_第2頁(yè)
GB/T 26065-2010硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范_第3頁(yè)
免費(fèi)預(yù)覽已結(jié)束，剩余17頁(yè)可下載查看

下載本文檔

GB/T 26065-2010硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁(yè)

文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26065—2010

硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范

Specificationforpolishedtestsiliconwafers

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26065—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位寧波立立電子股份有限公司杭州海納半導(dǎo)體有限公司

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人宮龍飛何良恩許峰黃笑容劉培東王飛堯

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T26065—2010

硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范

1范圍

11本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體器件制備中用作檢驗(yàn)和工藝控制的硅單晶試驗(yàn)片的技術(shù)要求

.。

12本標(biāo)準(zhǔn)涵蓋尺寸規(guī)格結(jié)晶取向及表面缺陷等特性要求本標(biāo)準(zhǔn)涉及了所有

.、。50.8mm~300mm

標(biāo)準(zhǔn)直徑的硅拋光試驗(yàn)片技術(shù)要求

。

13對(duì)于更高要求的硅單晶拋光片規(guī)格如顆粒測(cè)試硅片光刻分辨率試驗(yàn)用硅片以及金屬離子監(jiān)控

.,:、

片等參見(jiàn)硅單晶優(yōu)質(zhì)拋光片規(guī)范

,SEMI24《》。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

GB/T4058

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測(cè)試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測(cè)試方法

GB/T13388X

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法

YS/T26

硅單晶優(yōu)質(zhì)拋光片規(guī)范

SEMI24

表面金屬含量測(cè)量

ASTMF1526

3術(shù)語(yǔ)和定義

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)文本僅供個(gè)人學(xué)習(xí)、研究之用，未經(jīng)授權(quán)，嚴(yán)禁復(fù)制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡(luò)傳播等，侵權(quán)必究。
  • 2. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)均為PDF格式電子版文本（可閱讀打?。?，因數(shù)字商品的特殊性，一經(jīng)售出，不提供退換貨服務(wù)。
  • 3. 標(biāo)準(zhǔn)文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁(yè)，非文檔質(zhì)量問(wèn)題。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論