第6講內部存儲器

第6講內部存儲器回顧舊知導入課題預習與檢測教學展示以提出問題的方試來解決學生對上一節(jié)課中遇到的問題，進行討論與分析。創(chuàng)設情境，導入課題，選擇我們身邊的、感興趣的事物，提出問題，充分調動學習積極性。學生以小組為單位，根據預習提綱解讀教材內容，以問題的形式引入預習，提煉總結知識點。教師進行檢測、收集及評分。帶著學生進行討論與分析的結果，然后進行引出下文，對新課內容重點解析。教學過程設計回顧舊知與引入課題衡量CPU主要性能指標的是哪三個參數2第一塊微處理器的名稱及誕生時間是哪年？1什么是CPU的地址總線寬度3舉例說明Intel與AMD低、中、高端CPU型號4詳細說明安裝CPU及散熱風扇的過程5分組討論預習檢測2詳細說明存儲器的分類有哪些1內存的性能指標中tAC和CAS各是什么意思3常見的內存品牌有哪些？如何選購內存4如何辨別常見的劣質內存5主流內存為哪種類型？DDR1、2與3的區(qū)別了解內存的存儲原理掌握內存的類型理解內存的主要技術指標學會識別內存內存的選購與安裝學習目標內存的主要技術指標（難點、重點）內存的識別（難點）內存的選購與安裝（重點）重點與難點內存概述內存一般指的是隨機存取存儲器，簡稱RAM。是電腦中使用的臨時存儲區(qū)，它能暫時存儲程序運行時需要使用的數據或信息等。泛指內存條，作用如下:存儲器的分類MEMORYRAM：隨機存儲器ROM：只讀存儲器EPROM：可擦可編程只讀存儲器內存的分類RAM（隨機存儲器）SRAM（靜態(tài)內存）：結構復雜，造價高，速度快DRAM（動態(tài)內存）：集成度高，結構簡單，成本低VRAM（顯存）CMOSRAM存儲數據原理動態(tài)內存的“動態(tài)”指：我們將數據寫入DRAM后，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個內存刷新（MemoryRefresh）操作，額外設計一個電路。一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長,代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1/2，則認為其代表0,并把電容放電，籍此來保持數據的連續(xù)性。有了刷新操作，動態(tài)內存的存取速度比靜態(tài)內存要慢很多。內存的分類按引腳數不同可分為:72線、168線和184線內存168-Pin、184-Pin(Pin指的是內存條的引腳，又稱“線”，又稱為“金手指”)按內存模塊封裝形式可分為:30線/72線單面內存模塊SIMM單列直插式168線雙面內存模塊DIMM雙列直插式184線雙面內存模塊DDRSDRAM184線Rambus內存模塊DRAM的類型

EDORAM(擴展數據輸出內存）數據寬度32位30線/72線

SDRAM(同步數據傳輸隨機存儲器）64位168線

DDRSDRAM（雙數據傳輸SDRAM）64位184線主流

DDR200：運行頻率為100MHz，帶寬為1.6GB/SDDR266：運行頻率為133MHz，帶寬為2.1GB/SDDR333：運行頻率為166MHz，帶寬為2.7GB/SDDR400：運行頻率為200MHz，帶寬為3.2GB/S

除此以外還有DDR2533、DDR2667、DDR2800、DDR3-1066、1333、1600、1800、1866、2000、2133、2200、2400等

RDRAM（RambusDRAM)16位184線RAMBUS內存是一種高性能、芯片對芯片接口技術的新一代存儲產品，創(chuàng)立于1990年，致力于高端存儲產品的研究與開發(fā)，于2003年左右徹底退出市場。SDRAM、DDRSDRAM、RDRAM內存條DDR1、DDR2與DDR3的區(qū)別DDR1：184針DDR2：240針DDR3：240針DDR1：2.5VDDR2：1.8VDDR3：1.5V引腳數工作電壓OCZ2GBDDR3-1333內存“OCZ”為內存品牌名稱，“3”表示DDR3接口，“1333”則表示頻率為DDR3-1333，“V”表示普通版，“2G”表示容量為2GB內存雙通道一般要求按主板上內存插槽的顏色成對使用，兩條1GB的內存構成雙通道效果會比一條2GB的內存效果好。內存的主要技術指標數據寬度：一次輸入/輸出的數據量（32位，64位）數據帶寬：內存每秒鐘可傳輸的數據量?？偩€頻率×2×64/8，如：

DDR200運行頻率為100MHz,帶寬為100×2×64/8=1600MB/s=1.6GB/s

時鐘頻率:內存穩(wěn)定運行的最大頻率。如PC2100（每秒數據傳輸量為2100MB，即2.1GB/s）、PC2700、PC3000、PC3200等。

tAC：存取一次數據的時間（稱“存取時間”，單位ns)CASLatency:簡稱CL，指內存經過多長的時間周期后才開始讀取數據容量：能夠存儲的信息量（1GB、2GB、4GB、8GB……)工作電壓：5V、3V、2.5V奇偶校驗：檢測某段數據是否發(fā)生讀寫錯誤。錯誤自動檢查與更正：與奇偶校驗類似，檢測更正錯誤。SPD串行存在探測：記錄內存速度、容量、電壓、行列地址帶寬等參數信息。SPD串行存在探測學會識別內存常見內存廠商代號：HY（HYUNDAI）HYB（SIEMENS）KM或MMCM（Motorola）TC或TD（Toshiba）HM(Hitachi)BM（IBM）M2（MITSUBISHI）MDS（Fujitsu）金士頓、威剛、海盜船、宇瞻、金邦、OCZ、芝奇、黑金剛、金泰克、勝創(chuàng)、金士泰、博帝、邁威、超勝、PNY、金士剛、晶芯、富豪、IBM、三星、藍魔等現代內存編碼

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廠家型號電壓容量速度注：5X中57表示為SDRAM；5D表示DDR

第二個X表示電壓，V表示3.3VU表示2.5V，空白表示5V

第3,4,5個X表示容量,表示64MB,128表示128MB,256表示256MB最后兩個X表示速度,10P表示100MHz(CL為2),10S表示100MHz(CL為3)

第6、7個X代表芯片輸出的數據位寬第8個X代表內存芯片內部由幾個Bank組成第9個X代表內存接口第10個X代表代表內存版本號:空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代,第11個X代表功耗:其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示為正常功耗芯片第12、13個X代表封裝類型內存選購與安裝根據主板選擇內存的類型：DDR3

有足夠的容量：2GB、4GB、6GB、8GB芯片品牌芯片品質注意PCB

常見的劣質內存內存選購與安裝思考與練習

說說存儲器的分類有哪些？內存又分為哪些？