GB/T 29421-2012釩酸鹽雙折射光學(xué)單晶元件

ICS17180

A60.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29421—2012

釩酸鹽雙折射光學(xué)單晶元件

Vanadatebirefringentcrystaldevices

2012-12-31發(fā)布2013-08-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T29421—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給定的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國建筑材料聯(lián)合會提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC461)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所國家光電子晶體材料工程技術(shù)研究中心福建

:、、

福晶科技股份有限公司中國計(jì)量學(xué)院材料與工程學(xué)院

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人蘭國政吳少凡林文雄王昌運(yùn)張劍虹李雄史宏聲秦來順

:、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)為首次制定

。

Ⅰ

GB/T29421—2012

釩酸鹽雙折射光學(xué)單晶元件

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了釩酸鹽雙折射光學(xué)單晶元件的術(shù)語和定義技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則及包裝標(biāo)

、、、、

識運(yùn)輸貯存等過程的要求

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于釩酸鹽雙折射光學(xué)單晶元件其他種類的雙折射光學(xué)單晶元件也可參照使用

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

激光棒波前畸變的測量方法

GB/T11297.1—2002

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件通用技術(shù)條件

GB/T22452—2008

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件質(zhì)量測試方法

GB/T22453—2008

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T22452—2008。

31

.

雙折射光學(xué)單晶opticalcrystalwithbirefringence

一種具有折射率各向異性的光學(xué)單晶

。

32

.

釩酸釔單晶yttriumvanadatesinglecrystal

一種雙折射單晶以及以其加工而成的元件中文化學(xué)名為釩酸釔分子式為

,,YVO4。

33

.

不垂直度nonperpendicularity

單晶元件通光面與側(cè)面之間的不垂直程度

。

34

.

光學(xué)不均勻性opticalheterogenity

介質(zhì)折射率的不均勻程度

。

35

.

透射波前畸變transmittedwavefrontdistortion

平行光束的波面透過被檢單晶元件后相對于標(biāo)準(zhǔn)參考波面的畸變

。

36

.

消光比extinctionratio

Ex

光通過平行偏光系統(tǒng)與正交偏光系統(tǒng)時(shí)分別得到最大輸出光強(qiáng)與最小輸出光強(qiáng)